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• 3.湿法刻蚀过程伴有放热和放气过程。 放热造成刻蚀局部温度升高,引起 化学反应速度加快,反过来,又会 加剧反应放热,使刻蚀反应处于不 受控制的恶性循环中,使质量极差。 在加工时采用搅拌或超声波等方法 来消除局部温度升高。放气会造成 局部气泡凝聚,使速率变慢或停止, 造成缺陷,也可以通过搅拌来赶走 气泡,有时也可以在腐蚀液中加入 少量氧化剂去除气泡。
6. 清洁、经济、安全
• 刻蚀过程包括三个步骤:
– 反应物质量输运(Mass transport)到要被刻 蚀的表面 – 在反应物和要被刻蚀的膜表面之间的反应 – 反应产物从表面向外扩散的过程
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8.11 刻蚀方法
湿法刻蚀:利用液态化学试剂或 溶液通过化学反应进行刻蚀的方 法。
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湿法刻蚀
反应产物必 须溶于水或 是气相
各向同性腐蚀:不同方向的腐蚀特性相同
dm
dm
dm
df
df
df
保真度:
A=|df-dm| / 2h
1<A< 0
5
选择比:指两种不同材料在腐蚀的过 程中被腐蚀的速率比。 如SiO2的刻蚀中 对光刻胶和硅的腐蚀速率很低 对SiO2的腐蚀速率很很高
6
均匀性
平均厚度h,厚度变化因子, 1 ≤ ≤0,最厚处h*(1+ ),最薄处 h*(1- ) 平均刻蚀速率V,速度变化因子, 1 ≤ ≤0,最大速度V*(1+ ),最小速 度V*(1- )
各向异性
硅湿法腐蚀由于晶向而产生的各向异性腐蚀
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原子密度:<111> > <110> > <100> 腐蚀速度:R(100) 100 R(111)