霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管磁场

霍尔效应测量螺线管磁场实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。

2、掌握用霍尔效应测量螺线管磁场的方法。

3、学会使用霍尔效应实验仪，并对实验数据进行处理和分析。

二、实验原理1、霍尔效应当电流 I 沿垂直于磁场 B 的方向通过导体时，在导体垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电位差 UH，这种现象称为霍尔效应。

霍尔电压 UH 与电流 I、磁感应强度 B 以及导体的厚度 d 等因素有关，其关系式为：UH ＝ KHIB/d，其中 KH 为霍尔元件的灵敏度。

2、螺线管磁场对于一个长直螺线管，其内部的磁场近似为均匀磁场，磁场强度 B 与电流 I、螺线管的匝数 N 和长度 L 有关，其关系式为：B ＝μ0nI，其中μ0 为真空磁导率，n ＝ N/L 为单位长度上的匝数。

三、实验仪器霍尔效应实验仪、螺线管、直流电源、数字电压表、毫安表等。

四、实验步骤按照实验电路图，将霍尔效应实验仪、螺线管、直流电源、数字电压表、毫安表等仪器正确连接。

2、调整仪器（1）将霍尔元件置于螺线管的中间位置，确保霍尔元件与螺线管的轴线平行。

（2）调节直流电源的输出电压，使通过螺线管的电流逐渐增大，观察数字电压表的读数变化，确保仪器正常工作。

3、测量霍尔电压（1）保持通过螺线管的电流不变，改变磁场方向（即改变电流方向），分别测量正、反向磁场下的霍尔电压 UH1 和 UH2，计算平均值UH ＝（UH1 ＋ UH2)／2，以消除副效应的影响。

（2）改变通过螺线管的电流 I，每次改变一定的值，测量对应的霍尔电压 UH，记录数据。

4、数据处理（1）根据测量数据，绘制 UH I 曲线。

（2）利用曲线的斜率和已知的霍尔元件灵敏度 KH，计算出螺线管内部的磁感应强度 B。

五、实验数据记录与处理｜通过螺线管的电流 I （mA) ｜霍尔电压 UH1 （mV) ｜霍尔电压UH2 （mV) ｜平均霍尔电压 UH （mV) ｜｜｜｜｜｜｜ 10 ｜ 125 ｜－120 ｜ 1225 ｜｜ 20 ｜ 250 ｜－245 ｜ 2475 ｜｜ 30 ｜ 370 ｜－365 ｜ 3675 ｜｜ 40 ｜ 490 ｜－485 ｜ 4875 ｜｜ 50 ｜ 610 ｜－605 ｜ 6075 ｜2、绘制 UH I 曲线以通过螺线管的电流 I 为横坐标，平均霍尔电压 UH 为纵坐标，绘制 UH I 曲线。

实验三十用霍尔元件测螺旋磁场【实验目的】1.学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法。

2.学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。

【实验仪器】TH—H型霍尔效应实验组合仪。

【实验原理】1.霍尔效应霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。

当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场E H。

如图 3-31-1所示的半导体试样，若在X 方向通以电流I S，在 Z 方向加磁场 B ，则在 Y 方向即试样 A-A'电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。

电场的指向取决于式样的导电类型。

对于图3-31-1 (a)所示的N型试样，霍尔元件逆 Y 方向，图3-31-1(b)的 P 型试样则沿 Y 方向。

即有E h (Y )0(N型)E h (Y )0型(P )图 3-31-1 霍尔效应实验原理示意图*（注（ a）载流子为电子(N型)（ b）载流子为空穴( P型)）显然，霍尔电场 E H是阻止载流电子继续向侧面偏移，当载流电子所受的横向电场力 eE H与洛伦兹力 evB 相等时，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有eE H evB( 3-31-1 )式中， E H 为霍尔电场； v 是载流电子在电流方向上的平均漂流速度。

设试样的宽为 b ，厚度 d ，载流子浓度为 n ，则I S nevbd( 3-31-2 )由式（ 3-31-1）、式（ 3-31-2）可得V H E H b1 I S B R H I S B( 3-31-3 )ne dd即霍尔电压、'电极之间的电压)与I S B乘积成正比与试样厚度 d 成反比。

V H (A A比例系数R H1ne 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。

只要测出（ 、 B(Gs) 和 d (cm) ，可按下式计算 ( cm 3 / C )V H （V ) 以及知道 I S A)R H R HV H d 10 8( 3-31-4 )I S B上式中的 108 是由于磁感应强度 B 用电磁单位高斯 (Gs) ， d 用厘米 (cm) 单位，而其他各量均采用国际制单位引入。

研胳wZprtf霍尔效应法测量螺线管磁场实验报告【实验目的】1•了解霍尔器件的工作特性。

2•掌握霍尔器件测量磁场的工作原理。

3•用霍尔器件测量长直螺线管的磁场分布。

4.考查一对共轴线圈的磁耦合度。

【实验仪器】长直螺线管、亥姆霍兹线圈、霍尔效应测磁仪、霍尔传感器等。

【实验原理】1•霍尔器件测量磁场的原理图1霍尔效应原理如图1所示，有—N型半导体材料制成的霍尔传感器，长为L,宽为b,厚为d，其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。

将其放在如图所示的垂直磁场中，沿3、4两个侧面通以电流I，则电子将沿负I方向以速ur ir u度运动，此电子将受到垂直方向磁场B的洛仑兹力F m ev e B作用，造成电子在半导体薄片的1测积累urn过量的负电荷，2侧积累过量的正电荷。

因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场E H，该电场对电子ur uuu uir n ir的作用力F H eE H，与F m ev e B反向，当两种力相平衡时，便出现稳定状态，1、2两侧面将建立起稳定的电压U H，此种效应为霍尔效应，由此而产生的电压叫霍尔电压U H , 1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。

如果半导体中电流I是稳定而均匀的，可以推导出式中，R H为霍耳系数，通常定义K H R H /d ,由R H和K H的定义可知，对于一给定的霍耳传感器，R H和K H有唯一确定的值，在电流I不变的情况下,U H R HU H满足：世K H IB , dK H称为灵敏度。

研島加吋与B有一一对应关系。

2•误差分析及改进措施由于系统误差中影响最大的是不等势电势差，下面介绍一种方法可直接消除不等势电势差的影响，不用多次改变B、丨方向。

如图2所示，将图2中电极2引线处焊上两个电极引线5、6,并在5、6间连接一可变电阻，其滑动端作为另一引出线2, 将线路完全接通后，可以调节滑动触头2，使数字电压表所测电压为零，这样就消除了1、2两引线间的不等势电势差，而且还可以测出不等势电势差的大小。

用霍尔效应法测螺线管线圈磁场(FB400型螺线管磁场测定仪说明书)实验讲义杭州精科仪器有限公司霍尔效应和用霍尔效应法测量螺线管线圈磁场1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种电磁现象，此现象称为霍尔效应，半个多世纪以后，人们发现半导体也有霍尔效应，而且半导体霍尔效应比金属强得多。

近30多年来，由高电子迁移率的半导体材料制成的霍尔传感器已广泛用于磁场测量和半导体材料的研究。

用于制作霍尔传感器的材料有许多种：单晶半导体材料有锗、硅；化合物半导体有锑化铟、砷化铟和砷化镓等等。

在科学技术发展中，磁的应用越来越被人们重视。

目前霍尔传感器典型的应用有：磁感应强度测量仪(又称特斯拉计)，霍尔位置检测器，无触点开关，霍尔转速测定仪，A 2000~A 100大电流测量仪，电功率测量仪等。

在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。

近年来，霍尔效应实验不断有新发现。

1980年德国冯·克利青教授在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是近年来凝聚态物理领域最重要发现之一。

目前对量子霍尔效应正在进行更深入研究，并得到了重要应用。

例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测定光谱精细结构参数等。

通过本实验学会消除霍尔元件副效应的实验测量方法，用霍尔传感器测量螺线管线圈励磁电流与输出霍尔电压之间关系，证明霍尔电势与螺线管内磁感应强度成正比；了解和熟悉霍尔效应重要物理规律,证明霍尔电势差与霍尔工作电流成正比；通过实验测定霍尔传感器的灵敏度，熟悉霍尔传感器的特性和应用；用该霍尔传感器测量螺线管线圈中心轴线上磁感应强度与位置刻度之间的关系，作磁感应强度与位置刻线的关系图，学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法。

【实验目的】1. 掌握用霍尔效应法测量磁场的原理,测量螺线管线圈中心轴线的磁感应强度分布。

2. 学会用FB400型螺线管磁场实验仪的使用方法。

3. 验证霍尔电势差与励磁电流(磁感应强度)及霍尔元件的工作电流成正比的关系式。

霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管线圈内的磁场霍尔效应是一种基于磁场和电场相互作用的物理现象，它可用于测量导体片中的电子浓度、电荷密度和磁场强度等参数。

在实际应用中，霍尔效应主要用于测量磁场强度，特别是在研究电流传输和电子器件中的磁场分布时。

常用的测量方法是通过将霍尔片置于磁场中，测量霍尔电压的大小和方向来确定磁场强度及其方向。

在测量螺线管线圈内的磁场时，最常用的方法是采用霍尔效应法。

测量时，将一个霍尔片置于螺线管线圈的中心，使其与磁场垂直。

当螺线管中有电流流过时，会产生一个稳定的磁场，霍尔片中的电子受磁场作用会分布在霍尔片表面，从而形成一个电荷层。

由于霍尔片的电阻极小，因此当磁场作用在电子上时，电子在霍尔片内部形成的电场可以产生一个微小的电压，即霍尔电压。

霍尔电压的大小与磁场强度成正比，并且具有极高的精度和稳定性，因此可以用来测量螺线管线圈内的磁场强度及其方向。

在实际应用中，霍尔效应法的测量精度受到许多因素的影响，例如霍尔片的材料、尺寸和温度等因素，以及测量电路的噪声和干扰等因素。

因此，在进行霍尔效应法测量时，需要采取一系列的措施来减小误差，提高测量精度。

一些工业和科研领域使用螺线管制造强磁场，例如MRI设备，核磁共振仪器以及磁力计等。

在这些设备中，螺线管的磁场强度和分布对设备的性能和精度有着重要的影响。

因此，对螺线管中磁场的测量具有重要的意义。

在螺线管中测量磁场时，使用霍尔效应法具有许多优点，例如测量精度高、对磁场分布的敏感性强、不需要接触对象、测量过程简便等。

但是，在实际应用中还需要考虑到许多不同的因素，例如霍尔片的选取、测量电路的搭建、磁场的影响等。

只有在全面考虑这些因素的情况下，才能够保证测量结果的准确性和可靠性。

用霍尔效应测量螺线管磁场
在物理学中，霍尔效应是一种重要的电学现象，它是由当电流通过一条带电体时在该体内部磁场的作用下产生的电压差所引起的。

此现象可用于精确测量磁场及用于测量导电性的材料的电子和空穴浓度。

在实际应用中，霍尔效应的测量原理可以被应用在测量螺线管磁场中。

螺线管被用于创建强磁场，通常用于 MRI、医学诊断和其他磁性物质的研究。

霍尔效应可通过测量设备中的磁场，确定螺线管的磁场大小。

在霍尔效应的测量中，一个带有霍尔元件的电路用于测量电压差。

电路通过螺线管并测量其中的磁场。

在此过程中，载流子被引导进入螺线管并在霍尔元件中产生电压差。

电压差取决于电路之间的磁场强度和载流子的密度。

在霍尔元件中，电流在由霍尔靴子和蓝宝石芯片构成的三维结构中流动。

当电流通过靴子时，在霍尔晶片上形成一个单独的电场强度，与磁场垂直。

在磁场和电场耦合的情况下，电子和空穴的流动方向相反，从而产生一个电压信号。

通过测量霍尔元件中的电压差，可以确定磁场的大小。

霍尔元件的电压大小仅取决于电流和磁场的强度，因此可以用于精确测量螺线管的磁场大小。

然而，在霍尔效应测量的实际应用中，存在一些问题。

例如，《美国物理学会》指出，电子和空穴浓度的变化、体积效应和噪音会影响测量结果的准确性。

另外，虽然霍尔效应可以用于测量静态磁场，但对于快速变化的磁场，该方法并不适用。

总的来说，霍尔效应是精确测量螺线管磁场的一种有效方法。

通过了解霍尔效应的基本原理和其应用，可以更好地理解螺线管和磁场的特性。

实验十二霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应强度分布一、实验目的1. 掌握测试霍尔器件的工作特征。

2. 学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法。

3. 学习用霍尔器件测绘长值螺线管的轴向磁场分布。

二、实验原理1.霍尔效应法测量磁场原理。

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。

当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形状附加的横向电场。

对于图12—1所示的半导体式样。

若在X 方向通以电流s I ，在Z 方向划磁场B ,则在Y 方向即式样A ,A '电极两侧就开始聚积异号电荷二产生相应的附加电场——霍尔电场》。

电场的指向取决于式样的导电类型。

显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力H eE 与洛仑兹力B e ν相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有H eE =B e ν(12-1)其中H E 为霍尔电场，ν是载流子在电流方向上的平均漂移速度。

图12-1半导体试样设试样的宽为b 、厚度为d、载流子浓度为n ，则bd ne I s ν=(12-2)由（12-1）、（12-2）两式可得dBI R dBI ne b E V S Hs H H ====1（12-3） 即霍尔电压H V （A 、A '电极之间的电压）与B I S 乘积成正比、与试样厚度d 成反比。

比列系数neR H 1=称为霍尔系数，它是反映材料的霍尔效应强弱的重要参数。

霍尔器件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换原件，对已成品的霍尔器件。

其H R 和d 已知。

因此在实用上就将（12-3）式写成B I K V s H H =(12-4)其中dR K H H=称为霍尔器件的灵敏度（其值由制造厂家给出）,它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。

（12-4）式中的s I 单位取为B mA 、为H V KGS 、为 ，mV 则H K 的单位为)/(KGS mA mV ∙。

700223霍尔效应法测螺线管磁场（实验23）霍⽿效应法测螺线管磁场实验报告【⼀】实验⽬的及实验仪器实验⽬的1.了解和熟悉霍尔效应的重要物理规律2.熟悉集成霍尔传感器的特性和应⽤，掌握测试霍尔效应器件的⼯作特性3.学习⽤霍尔效应测量磁场的原理和⽅法4.学习⽤霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布实验仪器FD-ICH-II 新型螺线管磁场测定仪【⼆】实验原理及过程简述霍尔元件如图4-23-1所⽰。

若电流I流过厚度为d的半导体薄⽚，且磁场B垂直于该半导体，于是电⼦流⽅向由洛伦磁⼒作⽤⽽发⽣改变，在薄⽚两个横向⾯a，b之间应产⽣电势差，这种现象称为霍尔效应。

在与电流I、磁场B垂直⽅向上产⽣的电势差称为霍尔电势差，通常⽤UH 表⽰。

霍尔效应的数学表达式为：随着科技的发展，新的集成元件不断被研制成功。

本实验采⽤的SS95A型集成霍尔传感器，是⼀种⾼灵敏度集成化传感器，它由霍尔元件放⼤器和薄膜电阻剩余电压补偿组成，测量时输出信号⼤，并且剩余电压的影响已被消除。

SS95A型集成霍尔传感器，他的⼯作电流已设定被称为标准，⼯作电流使⽤传感器时，必须使⼯作电流处在该标准状态，在实验室只要在磁感应强度为零条件下调节v＋v-所接的电源电压是输出电压为2.500伏，则传感器就可处在标准⼯作状态之下。

当螺线管内有磁场且集成霍尔传感器的标准⼯作电流时螺线管是由绕在圆柱⾯上的导线构成的，对于密绕的螺线管可以看成是⼀列有共同轴线的圆形线圈的并列组合，因此⼀个载流长直螺线管轴线上某点的磁感应强度，可以从对各圆电流在轴线上该点所产⽣的磁感应强度进⾏积分求和得到，对于⼀限长的螺线管，在距离两端等远的中⼼点磁感应强度为最⼤，且等于过程简述1.装置接线2.断开开关K2，调节使集成霍尔传感器达到标准化⼯作状态。

3.测量霍尔传感器的灵敏度4.测量通电螺线管中的磁场分布【三】实验数据处理及误差计算：5让风吹1.根据实验所测，描绘螺线管中间位置霍尔电势差与螺线管通电电流的关系；2.求出K/ 和r以及K；∴K’=0.4169V/Ar=13.计算通电螺线管内各处的磁感应强度（见数据记录纸）；4.描绘通电螺线管内磁感应强度B-x分布图；5.⽐较实验值与书上提供的技术指标，计算误差；【四】实验结果表达：对测量及计算的最终结果做出定量（定性）的总结，并回答书中对应思考题的问题。

霍尔效应和测量螺旋管内轴线磁场简介：当电流垂直于外磁场方向通过导体时，在垂直于电流和磁场方向的导体两侧会产生电势差，这个现象是美国物理学家霍尔于1879年发现的，后被称作为霍尔效应，目前霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用半导体的霍尔效应制成的器件已广泛的应用于磁场的测量，非电量电测，自动控制和信息处理等方面。

一、实验目的（1）了解霍尔效应测磁场的工作原理；（2）学会测量磁感强度B ，半导体的电导率 和载流子浓度n ； （3）用通电螺旋管中心点的磁感强度计算集成霍尔传感器的灵敏度； （4）测定通电螺旋管轴线上的磁感强度的分布； （5）测定地球磁场的磁感强度。

二、实验仪器1、霍尔效应实验组合仪（励磁恒流源M I ，样品工作恒流源S I ，数字电压表，数字电流表）；2、电路控制和电磁铁及霍尔元件装置（霍尔元件，电磁铁，换向开关）；3、通电螺旋管磁场测定仪（95A 集成霍尔传感器、螺旋管、电源和数字电表组合仪）。

霍尔元件 电磁铁换向开关三、实验原理 1、霍尔效应如图所示，正电荷q 在霍尔片内自左向右运动，速度为v ，当外加磁场B 以图示方向垂直穿过霍尔片时，电荷q 受到洛仑兹力向上运动，随着电荷的迁移，霍尔片的上下两面积聚了等量的正负分布电荷，形成了静电场，上下两面有电势差，这一电势差被称为霍尔电压，根据匀强电场场强与电势的关系可得2H U E a= 当分布电荷稳定时，电荷分别受到洛仑兹力和电场力的作用并处于平衡态。

F qvBF qE vB E F F=⎧⎪=⇒=⎨⎪=⎩洛电洛电 通过霍尔片的电流密度2I J nev ad ==，所以12I v ne ad=，n 为参与导电的载流子浓度122HHI E vB B I adU B U ne d E a ⎧==⎪⎪⇒=⎨⎪=⎪⎩令1H R ne =为霍尔系数，则H H IU R B d=。

（霍尔系数代表材料的属性） 若令1H H R K ned d==为霍尔灵敏度，则H H U K BI =。

⼤学物理实验报告螺线管磁场的测量实验报告螺线管磁场得测量霍尔效应就就是导电材料中得电流与磁场相互作⽤⽽产⽣电动势得效应。

１879年美国霍普⾦斯⼤学研究⽣霍尔在研究⾦属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。

后来曾有⼈利⽤霍尔效应制成测量磁场得磁传感器,但因⾦属得霍尔效应太弱⽽未能得到实际应⽤。

随着半导体材料与制造⼯艺得发展,⼈们⼜利⽤半导体材料制成霍尔元件，由于它得霍尔效应显著⽽得到实⽤与发展,现在⼴泛⽤于⾮电量得测量、电动控制、电磁测量与计算装置⽅⾯。

在电流体中得霍尔效应也就就是⽬前在研究中得“磁流体发电”得理论基础。

近年来,霍尔效应实验不断有新发现。

１９80年原西德物理学家冯·克利青研究⼆维电⼦⽓系统得输运特性,在低温与强磁场下发现了量⼦霍尔效应，这就就是凝聚态物理领域最重要得发现之⼀。

⽬前对量⼦霍尔效应正在进⾏深⼊研究,并取得了重要应⽤,例如⽤于确定电阻得⾃然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。

在磁场、磁路等磁现象得研究与应⽤中,霍尔效应及其元件就就是不可缺少得,利⽤它观测磁场直观、⼲扰⼩、灵敏度⾼、效果明显。

本实验采取电放⼤法,应⽤霍尔效应对螺线管磁场进⾏测量。

关键词：霍尔效应;霍尔元件;电磁场;磁场⼀、实验⽬得1、了解螺线管磁场产⽣原理。

2、学习霍尔元件⽤于测量磁场得基本知识。

３、学习⽤“对称测量法”消除副效应得影响,测量霍尔⽚得UH -IS(霍尔电压与⼯作电流关系)曲线与ＵH －IM，B－IM(螺线管磁场分布)曲线。

⼆、实验原理霍尔效应从本质上讲,就就是运动得带电粒⼦在磁场中受洛伦兹⼒得作⽤⽽引起得偏转。

当带电粒⼦(电⼦或空⽳)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流与磁场得⽅向上产⽣正负电荷在不同侧得聚积，从⽽形成附加得横向电场。

如图所⽰,磁场B位于Z轴得正向,与之垂直得半导体薄⽚上沿Ｘ轴正向通以电流ＩS(称为⼯作电流),假设载流⼦为电⼦(N型半导体材料),它沿着与电流IS相反得X轴负向运动。

霍尔效应及螺线管磁场的测量实验报告一、引言霍尔效应是指当电流通过导体时，该导体横向施加磁场时，导体中会产生一种电势差，这种现象被称为霍尔效应。

霍尔效应在实际应用中具有重要的地位，例如在传感器、电流测量等领域都有广泛的应用。

本实验旨在通过测量霍尔效应和螺线管磁场，探究霍尔效应的基本原理以及螺线管磁场的特性。

二、实验设备与原理实验所需的设备包括霍尔效应实验装置、数字万用表、螺线管磁场测量仪等。

实验原理如下：1. 霍尔效应实验装置：该装置主要由霍尔效应样品、恒流源、数字万用表等组成。

当通过霍尔效应样品的电流和磁场之间垂直时，会在样品中产生一种电势差，通过数字万用表即可测量到该电势差的数值。

2. 螺线管磁场测量仪：该仪器主要由螺线管和数字显示屏组成。

通过电流通过螺线管产生的磁场，可以通过数字显示屏上的数值来测量磁场的大小。

三、实验步骤及结果1. 霍尔效应实验：首先将霍尔效应样品连接到恒流源和数字万用表上，设置合适的电流和磁场强度。

然后在不同的电流和磁场条件下，测量霍尔电压的数值。

记录实验数据，并进行分析。

实验结果表明，当电流和磁场强度变化时，霍尔电压也会相应变化。

根据实验数据绘制的图表可以看出，霍尔电压与电流和磁场强度之间存在一定的关系。

通过分析数据，我们可以得到霍尔系数和霍尔电阻等参数。

2. 螺线管磁场测量：将螺线管磁场测量仪连接到电源和数字显示屏上，设置合适的电流值。

然后通过数字显示屏上的数值，测量不同位置处的磁场强度。

实验结果表明，在螺线管中心位置处，磁场强度最大；而在螺线管两端，磁场强度较小。

通过进一步测量可以得到磁场强度与电流之间的关系。

四、实验分析与讨论通过实验我们可以得到霍尔效应的基本特性和螺线管磁场的分布情况。

同时，我们还可以通过实验数据计算出霍尔系数和磁场强度与电流的关系等参数。

在霍尔效应实验中，霍尔电压与电流和磁场强度之间的关系是非常重要的。

通过计算霍尔系数，我们可以得到导体材料的特性参数。

霍尔效应及螺线管磁场的测量实验报告-回复实验目的与背景：本实验旨在通过对霍尔效应和螺线管磁场的测量，加深对磁场的理解，并探究与磁场相关的物理规律。

霍尔效应是指当电流通过一定材料时，在垂直于电流方向和磁场的方向上会产生一定的电势差。

而螺线管是在电流通过的情况下产生磁场的设备，通过实验我们可以测量其产生的磁场强度。

实验仪器与原理：1. 霍尔元件：霍尔元件是一种半导体元件，通过置于磁场中的电流和垂直于电流和磁场的电势差之间建立联系。

2. 磁场调节装置：用于调节磁场的方向和强度。

3. 直流电源：用于给螺线管和霍尔元件提供电流。

4. 电压测量装置：用于测量霍尔元件产生的电势差。

实验步骤与结果：1. 将螺线管放置在磁场调节装置中，并调节磁场的方向和强度。

确定霍尔元件的位置，使其垂直于磁场。

2. 将直流电源连接到螺线管和霍尔元件上，调节电流的大小。

3. 使用电压测量装置测量霍尔元件的电势差。

根据霍尔效应的原理，电势差正比于电流和磁场的乘积。

4. 改变电流和磁场的大小和方向，多次测量电势差并记录结果。

5. 根据实验数据，通过对电势差与电流和磁场的关系进行分析，计算出磁场的强度。

讨论与分析：在实验中，我们根据霍尔效应原理测量了磁场的强度。

通过多次测量，我们得到了一组电势差和对应的电流和磁场值。

根据电势差与电流和磁场的关系，我们可以计算出磁场的强度。

在分析数据时，我们发现电势差随着电流的增大而增加，与磁场的强度也有关系。

通过绘制电势差与电流和磁场的关系图，我们可以观察到它们之间的线性关系。

根据实验数据计算出的磁场强度与理论值进行对比后发现，存在一定的误差。

这可能是由于实验中的误差导致的，如仪器的精度限制、电流的不稳定等。

为提高实验结果的精确度，有必要对实验中的误差进行分析和控制。

结论：通过本实验，我们成功测量了磁场的强度，并深入了解了霍尔效应的原理。

通过分析数据，我们发现电势差与电流和磁场存在线性关系。

然而，我们也意识到实验中存在误差，需要更多注意实验细节和精确度的提高。

实验5 霍尔效应和利用霍尔效应法测量通电螺线管轴向磁场【实验目的】1． 了解霍尔效应的实验原理，掌握通过“对称测量法”，测量样品的霍尔系数； 2． 测量样品的H V ～s I 和H V ～M I （即B ）的关系曲线，并确定样品的导电类型、载流子浓度以及迁移率；3． 了解用霍尔效应测量磁场的原理和方法，并用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。

【仪器用具】测试仪、霍尔效应实验仪、螺线管磁场实验仪。

【原理概述】置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。

如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛应用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。

在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。

了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有很大的益处。

1. 霍尔效应霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。

当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。

对于图1（a ）所示的N 型（电子导电）半导体样品，若在x 方向通以电流s I ，在Z 方向加上磁场B ，样品中平均漂移速度为V 的载流子（电子）将受到洛伦兹力B F ，即：B V e F B （1）则在Y 方向即样品A 、A ′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场——霍尔电场。

电场的指向取决于样品的导电类型，对于N 型（电子导电）样品，霍尔电场)(Y E H 逆Y 方向，即)(Y E H <0；对于P 型（空穴导电）样品，霍尔电场)(Y E H 则沿Y 方向，即)(Y E H >0。

显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力)(H E eE F =与洛伦兹力)(B V e F B =相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有B V e eV H = （2）假设样品的宽度为b ，厚度为d ，载流子的浓度为n ，则bd V ne I s = （3）由（2）、（3）两式可得到A 、A ′两个电极之间的霍尔电压H V ，即： dB I R d BI ne b E V s H s H H =⋅==1 （4）（a ） （b ）图1 样品示意图从上式可以看出，霍尔电压H V 与B I s 的乘积成正比，与样品的厚度d 成反比。