特点:1)版图为4行结构,中间两行构成反相器,多晶从第2行延伸到第3行就形成反相器。 2)第1行和第4行构成传输门,虽然被第2、3行分隔开,但这两行MOS管不需要多晶共用,只用金属进行源漏连接,即使这些金属连线跨过中间两行有源区,也不会形成寄生MOS管。 3)CP多晶放在Vdd线下,CPb多晶沿Vss水平布线,在中央部位,这两条多晶都从有源区的空隙分别延伸到Vdd和Vss线附近,与传输门器件的栅级连接。 4)主触发器采用钟控反相器,节省一根金属连线。
中心区域多晶交叉连接细节图
M3和M4的宽长比很大,M3a、M3b、M4a和M4b都采用多管并联的结构。这四个MOS管的源已经连接到Metal1导线,为了避免和Metal1交叉短路, M3和M4的漏极要用Metal2连接。Metal2有很多通孔和很宽的导线,使电流能够a和M5b。
第九章 版图设计实例
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汇报人姓名
2018
CMOS门电路
01
2019
CMOS RAM单元及阵列
02
2020
CMOS D触发器
03
2021
CMOS放大器
04
2022
双极集成电路
05
主要内容
1. CMOS门电路 (1) 反相器
版图1特点:多晶栅竖直排列,MOS管源区面积小,因而反相器面积也小。 版图2特点:多晶栅水平排列,MOS管漏极金属与电源、地金属线之间的空档允许其它金属线通过,因水平尺寸较大而使面积稍大一些。
由于全部电流都要通过输入晶体管中的每一个,例如,有时整个电流完全在M3,当差分信号关断时,M3关断M4接通,整个电流又完全在M4,信号每摆动一次就切换一次,为了承受这一电流,在M3和M4之间的金属线需要达到一定的宽度,采用二条金属线连接M3和M4的源极,并且从M4b和M3b的中间向下,这样,M3导通时电流将通过M3a和M3b,即它的两半把电流向下送到中心导线。