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哈工大材料物理性能金属导电阻碍晶体中电子运动的原因：电子与点阵的非弹性碰撞。
机理：1 晶格热振动（温度引起的离子运动振幅的变化）2 杂质的引入杂质存在，使金属正常结构发生变化，引起额外的散射。
3 位错及点缺陷影响因素：1.温度温度升高，离子振幅越大，电子越易受到散射，电阻率增大。
在不同温度范围内电阻率与温度变化的关系不同。
金属熔化时，电阻率突然增大。
铁磁体在居里温度处变化反常。
2.压力在流体静压下，大多数金属的电阻率下降，有时大的压力使材料由半导体和绝缘体变为导体。
原因：金属原子间距变小，内部缺陷形态、电子结构、费米能和能带结构都将发生变化，因而电阻率下降。
3.冷加工和缺陷除了K状态，大部分金属冷加工和电阻率增大。
机理：晶格畸变（空位、间隙原子以及它们的组合，位错使金属电阻增加，前二者作用远大于后者）。
冷加工后退火，电阻率减小，可以回复到加工前电阻值。
4.固溶体形成固溶体时，合金导电性能降低。
机理：1. 加入溶质原子——溶剂的晶格发生扭曲畸变——破坏了晶格势场的周期性——增加了电子散射几率。
2. 固溶体组元的化学相互作用。
合金有序化后电阻率下降。
离子导电机制：1.本征导电晶体点阵的基本离子由于热振动离开晶格，形成热缺陷。
2.杂质导电参加导电的载流子主要是杂质。
本质：离子导电是离子在电场作用下的扩散现象（空位扩散、间隙扩散、亚晶格间隙扩散）。
影响因素：1.温度升高，电导率升高。
2.晶体结构（导电激活能不同）熔点高，电导率下降晶体有较大间隙，电导率上升碱卤化物：负离子半径增大电导率升高；一价正离子比高价正离子电导率高。
3.点缺陷降低电导率4.快离子导体半导体导电杂质半导体电导率较本征半导体高。
加入P形成施主能级，加入Al形成受主能级。
极化——电介质在电场作用下产生束缚电荷的现象。
电介质——在电场作用下能建立极化的物质。
弛豫时间——电介质完成极化需要的时间。
极化机制：1.电子位移极化（可逆；与温度无关）2.离子位移极化（可逆；温度升高，极化增强）3.电子弛豫极化（不可逆；随温度升高极化强度有极大值）4.离子弛豫极化（不可逆；随温度升高有极大值）5.取向极化（能保存下来；随温度升高有极大值）6.空间电荷极化（随温度升高减弱）电导率小的介质承受的场强高，大的介质承受的场强低。
