电阻器、电位器的命名

电位器型号命名方法和主要参数1．电位器型号命名方法电位器型号命名方法见表3-6。

2．电位器主要参数电位器的参数比较少，识别也较为方便。

(1)标称阻值。

标称阻值指两个定片引脚之间的阻值，电位器按标称系列分为线绕和非线绕电位器两种。

常用的非线绕电位器标称系列是1.0、1.5、2.2、3.2、4.7、6.8，再乘上10的胛次方（门为正整数或负整数），单位为Q。

(2)允许偏差。

非线绕电位器允许偏差分为3个等级，l级为±5%，I|级为±l0%，Ⅲ级为±20%。

(3)额定功率，它是指电位器在交流或直流电路中，当大气压力为650～800mmHg(1mmHg=1.3332×l02Pa)、在规定环境温度下所能承受的最大允许功耗。

非线绕电位器的额定功率系列为0.05W、O.lW、0.25W、0.5W、1W、2W、3W。

(4)噪声。

这是衡量电位器性能的一个重要参数，电位器的噪声有3种。

①热噪声。

②电流噪声。

热噪声和电流噪声是动片触点不滑动时两个定片之间的噪声，又称静噪声。

静噪声是电位器的固定噪声，很小。

⑧动噪声。

动噪声是电位器的特有噪声，是主要噪声。

产生动噪声的原因很多，主要原因是电阻体的结构不均匀，以及动片触点与电阻体的接触噪声，后者随着电位器使用时间的延长而变得越来越大。

3．电位器参数识别方法电位器的参数表示方法采用直标法，LG-JT02通常将标称阻值及允许偏差、额定功率和类型标注在电位器的外壳上，一些小型电位器上只标出标称阻值。

举例说明：某电位器外壳上标出51k-0.25/X，其中“51k”表示标称阻值为51k(l，“0.25”表示额定功率为0.25W，“X”表示是X型电位器。

电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分的意义分别如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V—微波管、W-稳压管、C-参量管、Z—整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U—光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（f<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管(f〉3MHz，Pc〈1W)、D-低频大功率管(f<3MHz，Pc〉1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc〉1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件。

第四部分:用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0—光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。

S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

命名方法
根据部颁标准（SJ-73）规定，电阻器、电位器的命名由下列四部分组成：第一部分（主称）；第二部分：（材料）；第三部分（分类特征）；第四部分（序号）。

它们的型号及意义见下表。

电阻器的型号命名法
示例：RJ71-0.125－5.1kI型的命名含义：R电阻器-J金属膜-7精密-1序号-0.125额定功率-5.1k标称阻值-I误差5%。

选用常识
根据电子设备的技术指标和电路的具体要求选用电阻的型号和误差等级；额定功率应大于实际消耗功率的1.5-2倍；电阻装接前要测量核对，尤其是要求较高时，还要人工老化处理，提高稳定性；根据电路工作频率选择不同类型的电阻。

电阻种类及特点简介电阻，英文名resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。

欧姆定律说，I=U/R，那么R=U/I，电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”表示，有这样的定义：导体上加上一伏特电压时，产生一安培电流所对应的阻值。

电阻的主要职能就是阻碍电流流过。

事实上，“电阻”说的是一种性质，而通常在电子产品中所指的电阻，是指电阻器这样一种元件。

师傅对徒弟说：“找一个100欧的电阻来！”，指的就是一个“电阻值”为100欧姆的电阻器，欧姆常简称为欧。

表示电阻阻值的常用单位还有千欧（kΩ），兆欧（MΩ）。

一、电阻器的种类电阻器的种类有很多，通常分为三大类：固定电阻，可变电阻，特种电阻。

在电子产品中，以固定电阻应用最多。

而固定电阻以其制造材料又可分为好多类，但常用、常见的有ＲＴ型碳膜电阻、ＲＪ型金属膜电阻、ＲＸ型线绕电阻，还有近年来开始广泛应用的片状电阻。

型号命名很有规律，Ｒ代表电阻，Ｔ－碳膜，Ｊ－金属，Ｘ－线绕，是拼音的第一个字母。

在国产老式的电子产品中，常可以看到外表涂覆绿漆的电阻，那就是ＲＴ型的。

而红颜色的电阻，是ＲＪ型的。

一般老式电子产品中，以绿色的电阻居多。

为什么呢？这涉及到产品成本的问题，因为金属膜电阻虽然精度高、温度特性好，但制造成本也高，而碳膜电阻特别价廉，而且能满足民用产品要求。

电阻器当然也有功率之分。

常见的是1/8瓦的“色环碳膜电阻”，它是电子产品和电子制作中用的最多的。

当然在一些微型产品中，会用到1/16瓦的电阻，它的个头小多了。

再者就是微型片状电阻，它是贴片元件家族的一员，以前多见于进口微型产品中，现在电子爱好者也可以买到了（做无线窃听器？）二、电阻器的标识这些直接标注的电阻，在新买来的时候，很容易识别规格。

可是在装配电子产品的时候，必须考虑到为以后检修的方便，把标注面朝向易于看到的地方。

所以在弯脚的时候，要特别注意。

在手工装配时，多这一道工序，不是什么大问题，但是自动生产线上的机器没有那么聪明。

导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。

一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。

如R表示电阻，W表示电位器。

第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。

1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。

第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。

2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。

3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。

4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。

三、主要特性参数1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。

允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00）、±2%-0.2(或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。

电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。