2017年西安理工大学820模拟电子技术基础考研大纲硕士研究生入学考试大纲

《模拟电子技术》课程教学大纲英文名称：Analog Electronics课程编号：12314020适用专业：应用电子技术总学时数：80学分：4一、课程的性质、目的与任务：《模拟电子技术基础》是电子类专业在电子技术方面入门性质的技术基础课。

它具有自身的体系，是实践性很强的课程。

通过教学使学生掌握模拟电路中的基本概念、基本原理和基本实验技能，掌握基本的分析方法和基本的测试手段，培养分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的容，以及为电子技术在专业中应用奠定基础。

二、课程教学容及要求第一章半导体器件1、教学容1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3半导体三极管1.4场效应三极管2、本章的重点和难点重点：三极管的电流放大原理及其伏安特性、PN结及其单向导电性、半导体二极管伏安特性难点：三极管的电流放大原理3、教学基本要求掌握：三极管的电流放大原理及其伏安特性。

理解：PN结及其单向导电性、半导体二极管伏安特性。

了解：场效应管基本知识。

第二章放大电路基础1、教学容2.1 放大电路的基础知识2.2 放大电路工作状态的分析2.3 放大电路的偏置电路2.4 放大电路性能指标的估算2.5 放大电路的三种基本组态2.6 场效应管放大电路2.7多级放大电路2.8放大电路的频率特性2、本章的重点和难点重点：放大电路工作状态分析、放大电路的偏置电路、放大电路性能指标的估算难点：放大电路性能指标的估算3、教学基本要求掌握：放大电路工作状态分析、放大电路的偏置电路、放大电路性能指标的估算。

理解：放大电路的三种基本组态。

了解：场效应管放大电路、多级放大电路、放大电路的频率特性。

第三章集成运算放大器1、教学容3.1 零点漂移3.2 差动放大电路3.3 集成运算放大器介绍2、本章的重点和难点重点：差动放大电路难点：基本差动放大器电路结构、工作原理和用途3、教学基本要求掌握：基本差动放大器电路结构、工作原理和用途；共模抑制比的计算。

《模拟电子技术》课程考试大纲一、考试大纲说明1、考试目标和要求考查学生对模拟电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能的掌握情况，以及考查学生分析问题和解决问题的能力。

2、教学参考书梅开乡梅进军主编.模拟电子技术.北京：北京理工大学出版社.2009年1月第1版.二、考试内容和具体要求（一）半导体器件（1）考核知识点本征半导体、杂质半导体；PN结及其单向导电性、PN结的形成及特性、半导体二极管、二极管的伏安特性与主要参数、特殊二极管、半导体二极管的应用；绝缘栅场效应管与结型场效应管、MOS场效应管的主要参数、场效应管使用的注意事项；双级型三极管的结构、电流分配与放大原理、特性曲线与主要参数。

（2）考核要求1、了解本征半导体、杂质半导体的基本结构及PN结的形成。

2、掌握绝缘栅场效应管（MOSFET）的外部特性（包括输入特性和转移特性）、主要参数、典型应用、场效应管使用的注意事项，正确理解其工作原理。

3、掌握普通二极管与稳压二极管的外部特性、主要参数及典型应用，正确理解其工作原理。

4、正确理解双极型三极管（BJT）的外部特性（包括输入特性和转移特性）、主要参数、典型应用及其工作原理。

5、了解常用新型半导体器件的型号、性能参数、引脚排列图及期应用。

（二）基本放大电路（1）考核知识点放大器的用途与分类、放大器的主要性能指标；场效应放大电路的直流偏置电路与静态分析、场效应管的小信号等效电路、共源极放大电路、共漏极放大电路、共栅极放大电路、场效应管三种放大电路的比较；双极型晶体三极管共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路及其性能的比较；双极型晶体管三极管放大电路静态工作点对非线性失真的影响、放大电路的频率响应；差分放大电路。

（2）考核要求1、掌握放大、放大电路的静态与动态、直流通路与交流通路的基本概念。

2、掌握放大电路的静态工作点及动态技术指标Au、Ri和Ro等的分析方法。

3、重点理解场效应管组成的共源、共漏极、共栅极放大电路的组成、工作原理和性能特点。

西安理工大学研究生招生入学考试《供电技术》考试大纲科目代码：816科目名称：供电技术第一部分课程目标与基本要求一、课程目标《供电技术》课程是电气工程及其自动化专业的专业技术课程。

本课程主要考查考生对电力系统尤其是中低压配电系统的基本概念、供配电系统设计计算方法、供配电系统的主要电气设备选择、供配电系统的保护与安全和供配电系统的电能质量等方面的掌握、理解与运用程度。

二、基本要求《供电技术》课程的任务是，论述电力系统的基本概念，阐明中低压配电系统的设计思想、设计方法、参数计算、设备选择、保护设置与整定，在供配电系统设计的基础上，加强电能质量基本概念、标准评估和治理措施的了解，使学生从保障电力供给和保证电能质量两方面认识供电系统设计与运行的重要性。

第二部分课程内容与考核目标第一章绪论1、理解电力系统的组成、额定电压和中性点运行方式的基本概念；2、理解用户供配电系统在电力系统中的地位；3、掌握供电质量的主要技术指标；4、掌握中性点不接地系统发生单相接地时的系统电压电流变化分析。

第二章用户供电系统1、理解负荷曲线的意义及其主要特征参数；2、理解平均负荷、最大负荷、负荷系数、需要系数、年最大负荷利用小时数的含义；3、掌握负荷计算的常用方法：单位产品耗电量法、负荷密度法和需要系数法；4、掌握无功补偿的方式和补偿容量的计算；5、掌握电源电压选择所要综合考虑的因素；6、理解影响线路电压损失的因素和电压损失的计算方法；7、掌握主要电气设备的功能、主要电气参数及其要求；8、熟悉几种常用母线制，能够根据对电气主接线的基本要求设计主接线并比较分析主接线的优劣；9、掌握供电系统中的主要电能损耗来源及其电能损耗的计算，熟悉电能节约的基本途径和方法。

第三章短路电流计算1、了解电力系统中短路的基本类型及其特点；2、掌握三相对称短路电流的分析过程；掌握短路电流的几个特征参数；3、掌握三相不对称短路电流的基本分析方法，明确两相短路电流与三相短路电流的关系；4、能够绘制系统等值电路并计算元件等值参数，能够利用标幺值法计算简单电力系统的短路电流和短路容量；5、理解短路电流的力效应和热效应，能够校验电气设备的力稳定和热稳定；。

2017年硕士研究生入学考试自命题科目考试大纲科目代码：883 科目名称：科学技术与国家安全学基础一. 考试要求主要考查学生对科学技术与国家安全学基本概念的理解与掌握；对四大文明古国的科学技术、古希腊科学精神的形成和基本内容、古希腊和古罗马时代的科学技术、科学革命与近代科学的兴起、近代以来的科技发展、中国火器史、世界火器史的理解与掌握；对科技发展与军事变革的互动过程、模式、机制的理解与掌握；对国家安全的基本概念、基本理论的理解与掌握；以及运用基本理论和方法，分析解决现实国家安全问题的能力。

二、考试内容1．古代科学技术与军事技术四大文明古国的科学技术与军事技术、古希腊科学精神的形成和基本内容、古希腊和古罗马时代的科学技术与军事技术，中世纪的科学技术与军事技术。

2．近现代科学技术与军事变革科学革命与近代科学的兴起，近代以来的科技发展，热兵器的发展与军事变革，海洋技术的发展及其对军事变革的影响，核能的利用与控制技术及其对军事变革的影响，空天技术的运用及其对军事变革的影响，信息技术的运用及其对军事变革的影响。

3．国家安全学及其主要内容国家安全学的对象、任务和学科性质，国家安全的产生与发展，国民安全的含义和主要内容，国土安全的含义和主要内容，主权安全的含义和主要内容，政治安全的含义和主要内容，军事安全的含义和主要内容，文化安全的含义和主要内容，科技安全的含义和主要内容，生态安全的含义和主要内容，信息安全的含义和主要内容，民族、宗教问题与国家安全。

4．世界主要国家的国家安全战略美国的国家安全战略及领导体制，俄罗斯的国家安全战略及领导体制，英、法、日的国家安全战略及领导体制，中国的国家安全战略及领导体制。

三、考试形式考试形式为闭卷、笔试，考试时间为3小时，满分150分。

题型包括：名词解释、简答题、论述题、材料分析题等。

四、参考书目1．《自然科学与军事技术史》．刘戟锋．湖南科学技术出版社，2003。

第一版2．《国家安全学》．刘跃进．中国政法大学出版社，2004。

2017年硕士研究生入学考试自命题科目考试大纲
科目代码：871 科目名称：光电技术
一. 考试要求
主要考查学生对光电技术的理论基础、常用光电器件的原理与应用技术以及光电信号的变换与处理技术等基础知识的理解与掌握，考查学生对典型光电系统的分析能力和对简单光电系统的设计能力。

二、考试内容
1．光辐射源
光辐射源工作的理论基础，包括辐射度学与光度学基础、半导体基础、黑体辐射等知识，热辐射源、黑体辐射器、激光二极管和发光二极管等典型光源结构、特性及应用。

其中，辐射度学和半导体等内容侧重考查基本概念，黑体辐射知识侧重考查基本概念及在光电工程的应用。

2．光电探测器
光电探测器的分类、工作原理，光电导探测器、光伏探测器、光电倍增管、热电偶、测辐射热计、热释电探测器等常见探测器的结构、原理、特性及应用。

光电成像器件的工作原理，MCP像增强器、CCD/CMOS摄像器件和红外焦平面阵列器件的结构、原理、特性及应用。

3．光电信号的变换与处理
光电信号的变换的概念、分类、意义和作用，光学信号调制的概念和方法，直接探测和相干探测原理及应用，检测电路带宽与低噪声设计、相关检测等电学信号处理方法。

4．典型光电系统的分析与设计
光电系统概念，测量检查、控制跟踪、图像测量等功能的典型光电系统的分析方法，简单光电测量系统设计的基本方法。

其中，光电系统限制在参考书目（或相近光电类书目）中的应用实例。

三、考试形式
考试形式为闭卷、笔试，考试时间为3小时，满分150分。

题型包括：选择题、简答题、分析计算题和系统设计题等。

四、参考书目
1．《光电技术》．江文杰，施建华等编著．科学出版社，2014.1, 第二版。

模拟电子技术复习提纲资料-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII;;βαβ=∆=⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅∆=C C I I模拟电子技术复习提纲（各章重点及公式汇编） 第三章1. 半导体2．PN 结正偏时： 反偏时 ：削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄，导通； PN 结变宽，截止第四章1、三极管工作在放大区2、电流分配关系条件关系式 NPN 型PNP 型BE 结正偏BC 结反偏Ic=βIb放大功能V = 0.7V(Si)0.2V(Ge) U ＞1VV =- 0.7V (Si)-0.2V (Ge) U ＞-1V3、三极管热稳定性差; I ≥ I ＞＞I半导体 N 型 P 型 掺杂5价施主杂质 3价受主杂质 多子 电子 空穴 少子 空穴 电子中小值和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CESCEQ omLCQ omU U U U U URI U -==L C LbBEBQ R R R R V Vcc I //;='⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅-=反向饱和电流I ；穿透电流I = (1+β) I4、共射放大器 （2）最大不失真V om （振幅）计算 （1）图解方法：U 为饱和压降（3）NPN 管共射放大的失真及消除方法 U （t ）截止失真波形U （t ）饱和失真波形 （4）直流通路和交流通路要求能熟练掌握（5）三极管小信号等效电路（6）放大电路的计算共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大VS be beL i O V A Rs Ri Ri Vs Vo A Rc Ro r RbRi r R Rc V V A +====-==//)//(βVS be beL i O V A RsRi Ri Vs Vo A RcRo r Rb Rb Ri r R Rc V V A +====-==//2//1)//(β()[]RbRs R sR r Ro RbR r Ri R r R V V A beL be Lbe L i O V //1Re////Re//11Re//)1())(Re//1(='+'+=++=≈+++==ββββ①∣A v ∣＞1； Vo 与Vi 反相； ① A v ≈1 电压跟随 ②A i = Io/Ii ≈β＞1 ② A i =1+β③Ri ，Ro 中等. ③ Ri 大，Ro 小应用于中间放大级 应用于输入级,输出级,中间隔离级（8）增益的db 表示方法电 路静态工作点Q的计动 态 特点和应共基放大等点: ① A v ＞1； Vo 与Vi 同相, ②A i =α＜1, ③ Ri 小，Ro 大)(电源功率V oP P =η()O V T OV omim om Lom O P P P P P VccV V V R VP -==⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅==⋅⋅⋅⋅⋅⋅=214)(212单管功耗ηπη()%5.782222=≈-=m LLCES omR cc V R V Vcc P ηOMCM CC CEO BR LCC CM P P V V R V I 2.02)(≥≥≥OMCM CC CEO BR LCC Cm P P V V R V I 2.02/)(≥≥≥第五章FET N 沟道JFET 耗尽型N-MOS 增强型N-MOS1、符号及等性（包括转移特性和输出特）2、FET 的特点：① Ri 大(I=0); ② V 控制I; ③多子导电为单极型晶体管,噪声小,热稳定性好.3、参数及 等效电路第8章1、功放主要指标：①输出功率Po ② 效率 ③非线性失真小；④功放安全工作。

电子技术基础考试内容范围：本大纲适用于生物医学工程硕士学位研究生的入学考试。

考试科目由模拟部分和数字部分组成，该科目考试满分为150分。

一、模拟电子技术部分1．半导体器件基础1）一般了解半导体材料的基本特点。

2）掌握半导体二极管的工作原理；熟练掌握半导体二极管的应用及电路分析。

3）掌握半导体稳压二极管的工作原理及使用方法。

4）掌握半导体三极管的工作原理及特性曲线；深刻理解半导体三极管的主要参数；掌握半导体三极管的正确使用方法。

2．基本放大电路1）正确理解放大电路的一般表示方法及其性能指标。

2）掌握三极管放大电路的基本组成及放大原理。

3）掌握放大电路的图解分析法。

4）熟练掌握放大器的微变等效电路分析法。

5）正确理解三极管组成的恒流源电路的工作原理及特点。

6）熟练掌握三极管放大器的三种基本组态的电路组成及特点。

7）掌握多级放大器的电路结构、特点及分析方法。

8）掌握三极管放大电路频率响应的基本概念；正确理解基本放大器的频率响应计算方法。

3．场效应管放大器1）掌握场效应管器件的基本特点及工作原理。

2）掌握场效应管的特性曲线及主要参数。

3）掌握场效应管放大电路的组成及分析方法。

4．功率电子电路1）正确理解功率放大器的特点和分类。

2）掌握乙类、甲乙类互补对称功率放大器的工作原理。

3）熟练掌握互补对称功率放大器性能指标的分析计算。

5．集成运算放大器1）掌握差动放大器的特点及工作原理。

2）掌握差动放大器的分析计算。

3）掌握集成运算放大器的组成和特点。

4）正确理解集成运算放大器的主要性能指标及参数。

5）了解特殊型集成运算放大器的特点。

6．负反馈放大器1）掌握反馈的基本概念。

2）掌握负反馈放大器的四种类型。

3）掌握负反馈对放大器性能的影响。

4）熟练掌握深度负反馈放大器的分析计算方法。

5）一般了解负反馈放大器的自激振荡及消除方法。

7．信号运算与处理电路1）熟练掌握集成运算放大器组成的各种运算电路的分析方法。

2）掌握模拟集成乘法器的应用。

电子技术基础考试大纲硕士研究生入学考试《电子技术基础考试大纲》复习大纲本《电子技术基础》考试大纲适用于硕士研究生入学考试。

主要内容包括模拟电子技术基础和数字电子技术基础两大部分，每部分各占50%的比例。

要求考生能够全面系统地掌握电子技术基础的基本概念及基本电路，并且能灵活应用，具有较强的分析和设计电子电路的能力。

一、考试内容（一）．放大器概念与基本器件1．放大电路的表示方法2．二极管特性、参数，电流方程，特殊二极管3．晶体三极管（BJT）的工作原理、参数、伏安特性和交流小信号模型4．场效应三极管（FET）的工作原理、参数、伏安特性和交流小信号模型（二）．基本放大器及改进1．放大电路的主要性能指标2．晶体三极管（BJT）组成的放大电路（1）三种基本组态放大电路的静态分析（图解分析与估算法）（2）三种基本组态放大电路的交流分析（图解分析与估算法）（3）三种基本组态放大电路（共射、共集和共基）的比较3．放大电路的频率响应4．场效应三极管（FET）组成的放大电路（1）场效应三极管共源放大电路的静态分析与交流分析（2）三种基本组态放大电路（共源、共漏和共栅）的比较5．偏置电路的稳定性6．负反馈在放大器中的应用与影响（1）反馈的基本概念、反馈的组态及判断方法（2）四种负反馈放大电路的分析（3）深度负反馈条件下电压增益的计算（4）负反馈对放大器性能的影响（5）负反馈放大电路的自激和稳定，频率补偿技术（三）．模拟集成电路组成及应用1．多级放大电路的耦合，零点漂移，模拟集成运算放大器的构成2．差动放大电路的工作原理，静态分析与交流分析3．电流源电路4．互补功率放大器的工作原理，分析与计算5．虚短、虚断和虚地的概念和应用6．求和运算、比例运算及积分与微分电路7．比较器，施密特比较器组成与应用8．有源滤波器电路9．模拟乘法器的组成与应用（四）．振荡产生电路和直流稳压电源1．正弦波振荡电路的振荡条件与起振条件2．RC、LC、变压器反馈式、三点式和石英晶体振荡器的组成与振荡频率3．直流稳压电源的组成4．整流电路、滤波电路的工作原理和特点5．线性串联型稳压电路的工作原理，（五）．逻辑代数与集成门电路1．逻辑代数的基本概念、基本定律和基本法则2．最小项与最大项的定义、性质、与或标准型3．逻辑函数的真值表、表达式、逻辑图和卡诺图表示及相互转换4．逻辑函数的卡诺图化简5．TTL非门的结构、功能和特性6．集电极开路门和三态门电路结构、原理和应用7．CMOS反相器结构、工作原理及特性8．CMOS传输门结构、工作原理及特性（六）．组合逻辑电路1．组合逻辑电路的分析与设计2．逻辑函数式的最优与电路的竞争冒险3．中规模组合逻辑电路原理与应用（编、译码器、全加、数据选择和比较）4．组合逻辑电路的点阵图表示（七）．触发器与时序逻辑电路1．基本RS触发器2．时钟触发器（以D和JK为主）的逻辑功能、表示方法和相互转换3．时序逻辑电路的分析与设计方法4．中规模时序逻辑电路（移存器、计数器）的组成原理与应用5．实现任意进制计数器的方法（八）．定时器、存储器和接口电路1．555定时器的应用，用于单稳，多谐和施密特触发器2．只读存储器ROM和随机存储器RAM3．D/A转换电路的组成与原理，精度与误差，倒T型D/A，集成D/A电路4．A/D转换电路的组成与原理，精度与速度，逐次逼近型A/D，双积分式A/D。