晶体学试卷

结晶学试题答案一、选择题1. 结晶学是研究（）的科学。

A. 晶体的形态与结构B. 晶体的生长机制C. 晶体的物理性质D. 所有上述内容答案：D2. 晶体的三个基本特征是（）。

A. 规则的几何形态B. 固定的熔点C. 各向异性D. 所有上述内容答案：D3. 以下哪种晶体属于压电晶体？（）。

A. 石英晶体B. 食盐晶体C. 冰晶体D. 金属晶体答案：A4. 晶体的对称性是由（）决定的。

A. 原子的排列方式B. 晶体的生长速度C. 外部环境条件D. 晶体内部结构答案：D5. 在结晶学中，（）是指晶体内部原子或分子按照一定的规律排列形成的三维网络。

A. 晶格B. 晶面C. 晶胞D. 晶界答案：A二、填空题1. 晶体的生长速度受到多种因素的影响，其中（）和（）是两个主要的影响因素。

答案：温度、溶液饱和度2. 在结晶学中，（）是指晶体内部原子或分子的排列方式，它决定了晶体的对称性和形态。

答案：晶格3. 晶体的熔点是指晶体从固态转变为液态时所需的（）。

答案：温度4. 晶体的各向异性表现在（）和（）等方面。

答案：物理性质、化学性质5. 晶体的形态通常受到（）的影响，这种影响可以通过宏观的晶体形态来推断晶体内部的微观结构。

答案：外部环境条件三、简答题1. 请简述晶体与非晶体的区别。

答案：晶体和非晶体的主要区别在于它们的内部结构。

晶体具有规则的几何形态和固定的熔点，其内部原子或分子按照一定的规律排列，形成晶格结构。

而非晶体则没有固定的几何形态和熔点，其内部原子或分子排列无规律，不形成晶格结构。

2. 描述晶体的X射线衍射实验原理。

答案：晶体的X射线衍射实验是基于晶体内部原子或分子规则排列的晶格结构。

当X射线通过晶体时，由于晶体内部原子或分子的规则排列，X射线会在晶面上发生散射，形成特定的衍射图案。

通过分析这些衍射图案，可以获得晶体的晶格参数、原子或分子的位置等信息。

3. 解释什么是晶体的压电效应。

答案：晶体的压电效应是指某些晶体在受到外部力的作用时，其内部会产生电荷的现象。

结晶学试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列哪种物质属于晶体？A. 玻璃B. 珍珠C. 橡胶D. 食盐答案：D2. 结晶学中，晶体的对称性由什么决定？A. 原子大小B. 原子间距离C. 晶体的晶格结构D. 晶体的颜色答案：C3. 下列哪项不是晶体的基本性质？A. 各向异性B. 自范性C. 均匀性D. 可塑性答案：D4. 晶体生长的驱动力是什么？A. 温度升高B. 压力增大C. 化学势梯度D. 重力作用答案：C5. 晶体的晶面间距与晶面指数之间的关系是什么？A. 正比关系B. 反比关系C. 没有关系D. 指数关系答案：B6. 下列哪种晶体结构不属于七大晶系？A. 立方晶系B. 四方晶系C. 三方晶系D. 十二面体晶系答案：D7. 布拉格定律适用于哪种类型的晶体？A. 单晶B. 多晶C. 非晶D. 纳米晶答案：A8. X射线衍射分析中，布拉格定律的公式是什么？A. nλ = 2d sinθB. nλ = d sinθC. nλ = d cosθD. nλ = 2d cosθ答案：A9. 下列哪种物质不具有晶体结构？A. 金刚石B. 石墨C. 沥青D. 石英答案：C10. 晶体的熔点与其对称性有什么关系？A. 熔点随对称性增加而升高B. 熔点随对称性增加而降低C. 没有关系D. 熔点与对称性成指数关系答案：B二、填空题（每题2分，共20分）11. 结晶学中的“晶格”指的是_____________________。

答案：晶体内部的三维结构排列12. 晶体的三个基本特征包括____________、____________和____________。

答案：自范性、均一性和各向异性13. 晶体生长过程中，晶核的形成是____________的结果。

答案：过饱和溶液或过冷液体14. 晶体的晶面指数通常用____________表示。

答案：米勒指数15. 在晶体中，晶格常数是指晶格中相邻原子间的平均距离。

物理晶体试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列关于晶体的叙述中，正确的是（）。

A. 晶体具有规则的几何外形B. 晶体内部的原子排列是无序的C. 晶体具有各向异性D. 晶体的熔点比非晶体高2. 单晶体与多晶体的主要区别在于（）。

A. 单晶体具有规则的几何外形，多晶体没有B. 单晶体内部原子排列有序，多晶体原子排列无序C. 单晶体具有各向异性，多晶体具有各向同性D. 单晶体和多晶体的熔点相同3. 晶体的熔点与非晶体相比，通常是（）。

A. 相同B. 较低C. 较高D. 无法比较4. 下列关于晶体缺陷的叙述中，错误的是（）。

A. 晶体缺陷会降低晶体的熔点B. 晶体缺陷会增加晶体的硬度C. 晶体缺陷会影响晶体的电导性D. 晶体缺陷会影响晶体的光学性质5. 晶体的各向异性主要体现在（）。

A. 物理性质B. 化学性质C. 光学性质D. 所有性质二、填空题（每题2分，共20分）1. 晶体的三种基本类型包括单晶体、多晶体和______。

2. 晶体的熔点比非晶体高，主要是因为晶体具有______。

3. 晶体的各向异性是由晶体内部原子的______排列造成的。

4. 晶体缺陷包括点缺陷、线缺陷和______。

5. 晶体的光学性质与晶体的______有关。

三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述晶体与非晶体的区别。

2. 晶体缺陷对晶体性质的影响有哪些？3. 举例说明晶体的各向异性在实际应用中的重要性。

四、计算题（每题15分，共30分）1. 已知某单晶体的熔点为1000℃，非晶体的熔点为800℃，计算晶体与非晶体熔点的差值。

2. 假设晶体的熔点与原子间结合能成正比，若某晶体的原子间结合能是另一晶体的1.5倍，计算后者晶体的熔点（已知前者晶体的熔点为1200℃）。

答案：一、选择题1. A2. C3. C4. B5. A二、填空题1. 非晶体2. 规则的几何外形3. 有序4. 面缺陷5. 各向异性三、简答题1. 晶体与非晶体的区别主要在于内部原子排列的有序性。

晶体化学基础复习题答案一、选择题1. 晶体的基本结构单元是什么？A. 原子B. 分子C. 离子D. 晶胞答案：D2. 晶体的对称性是由什么决定的？A. 原子大小B. 原子质量C. 原子排列方式D. 原子电荷答案：C3. 以下哪种晶体结构不属于晶体的七大晶系？A. 立方晶系B. 四方晶系C. 六方晶系D. 八面体晶系答案：D4. 晶体的晶格常数是指什么？A. 晶胞的体积B. 晶胞的边长C. 晶胞的面积D. 晶胞的高度答案：B5. 晶体的布拉维格子是什么？A. 晶体的最小重复单元B. 晶体的宏观结构C. 晶体的微观结构D. 晶体的化学组成答案：A二、填空题6. 晶体的晶格能是指晶体中_________之间的相互作用能。

答案：晶格点阵点7. 晶体的晶面指数通常用_________表示。

答案：(hkl)8. 晶体的密堆积结构是指原子或离子在空间中以_________的方式排列。

答案：最紧密9. 晶体的熔点与其晶格能成_________关系。

答案：正比10. 晶体的X射线衍射现象是由于晶体内部_________的周期性排列所引起的。

答案：原子或离子三、简答题11. 请简述晶体和非晶体的区别。

答案：晶体具有规则的几何外形和内部原子、离子或分子的周期性排列，而非晶体则没有规则的几何外形和内部结构的周期性排列。

12. 什么是晶体的各向异性？答案：晶体的各向异性是指晶体的物理性质（如电导率、热导率等）在不同方向上表现出不同的特性。

13. 请解释什么是晶体缺陷，并简述其类型。

答案：晶体缺陷是指晶体中偏离理想周期性排列的区域，包括点缺陷（如空位、替代杂质）、线缺陷（如位错）、面缺陷（如晶界）和体缺陷（如空洞）。

四、计算题14. 假设一个简单立方晶格的晶胞边长为a，计算其晶胞体积。

答案：晶胞体积 V = a³15. 如果已知某晶体的晶格常数a和晶格能U，如何计算其晶格点阵点之间的平均作用能？答案：平均作用能 E_avg = U / (晶胞内原子数)五、论述题16. 论述晶体生长的基本原理及其在材料科学中的应用。

晶体结构与性质练习题晶体是由一定的周期性排列的原子、分子或离子组成的固体物质。

晶体的结构与性质有着密切的联系，不同的晶体结构会导致不同的晶体性质。

为了帮助大家更好地理解晶体结构与性质之间的关系，下面将提供一些练习题，供大家进行学习和思考。

题目一：简单晶体结构1. 以NaCl为例，简述其晶体结构的特点。

2. 请说出以下晶体中的阴离子和阳离子：CaF2、K2SO4、MgO。

3. 解释为什么NaCl和KCl的晶体结构相似，但是它们的性质却有所不同。

题目二：晶体缺陷1. 什么是点缺陷？举例说明。

2. 简述晶体中的位错缺陷以及其对晶体性质的影响。

3. 解释为什么金刚石可以成为优质的宝石。

题目三：晶体的导电性1. 解释为什么金属晶体具有良好的导电性。

2. 什么是半导体晶体？举例说明其应用。

3. 简述离子晶体的导电性及其应用。

题目四：晶体的光学性质1. 什么是吸收谱和荧光谱？它们对于研究晶体结构和性质有何意义？2. 简述偏光现象产生的原因以及其应用。

3. 解释为什么金属外观呈现出不同的颜色。

题目五：晶体的热学性质1. 解释晶体的热膨胀现象及其原理。

2. 简述晶体的热导性质以及其在热散热领域的应用。

3. 解释为什么铁磁性晶体具有自发磁化特性。

题目六：晶体的力学性质1. 解释为什么晶体呈现出不同的硬度。

2. 简述晶体的弹性性质以及其应用。

3. 什么是形状记忆合金？简述其工业应用。

以上是晶体结构与性质练习题，希望能够帮助大家加深对晶体结构与性质之间关系的理解。

通过思考与学习这些问题，相信大家能够更好地掌握晶体学知识，并在实际应用中发挥自己的才能。

祝你们学习进步！。

《晶体学》各章练习题及答案解析第一章复习题答案一、是非题：1、在物体诸态中，晶体是最稳定的。

（√）2、空间群包含了宏观晶体中全部要素的总和以及它们相互间的结合关系。

（×）3、离子晶体的结构取决于其正负离子半径之比。

（×）4、空间点阵中按平行六面体选取原则所得到的空间格子的基本单位称为晶胞。

（×）5、六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的（001）面。

（×）6、在单质晶体中，原子作等大球体的紧密堆积，不论是六方还是立方其每个原子的配位数CN=12。

（√）7、阳离子在配位数相同的情况下，其配位多面体形状都是完全相同的。

（×）8、八面体空隙的空间小于四面体空隙的空间。

（×）9、立方晶系的单位平行六面体参数为a0≠b0≠c0，α=β=900，γ=1200。

（×）二、选择题1、下列性质中 B 不是晶体的基本性质。

A、对称性B、有限性C、均一性D、各向异性2、点群L6PC属 C 晶族 C 晶系。

A、高级等轴B、高级六方C、中级六方D、低级正交3、在Si—O四面体中，一般采用 A 方式相连。

A、共顶B、共面C、共棱D、不确定4、晶体结构中一切对称要素的集合称为 D 。

A、对称性B、点群C、微观对称要素的集合D、空间群5、晶体在三结晶轴上的截距分别为2a、3b、6c。

该晶面的晶面指数为 C 。

A 、（236）B 、（326）C 、（321）D 、（123）6、依据等径球体的堆积原理得出，六方密堆积的堆积系数 C 面心立方堆积的堆积系数。

A 、大于 B 、小于 C 、等于 D 、不确定7、晶体中具有方向性的化学键为 A 。

A 、共价键 B 、离子键 C 、金属键 D 、分子键8、某晶体AB ，A —的电荷数为1，A —B 键的S=1/6，则A +的配位数为 B 。

（n/CN=1/6） A 、4 B 、6 C 、8 D 、129、在单位晶胞的NaCl 晶体中，其八面体空隙和四面体空隙的数量分别为 A 。

晶体：内部质点在三度空间成周期性重复排列的固体或者说晶体是具有格子状构造的固体。

空间格子：晶体内部质点在空间作格子状排列。

空间格子要素：质点,行列，网面，平行六面体。

形成过程：（非）自发形成晶芽。

对称：物体相同部分有规律的重复。

对称要素：对称面，对称中心，对称轴，旋转反身轴。

对称型：全部对称要素的组合。

单形：以对称要素联系着的一组晶面的总称，依空间格子规律，格子中相同面网所形成的总和。

聚形：两个以上的单形的聚合。

三大晶族：低中高。

七大晶系：三斜，单斜，四方，三方，六方，等轴。

晶面符号：晶体定向后，晶面在空间的相对位置即可根据它与晶轴的关系予以确定。

这种相对位置可以用一定的符号来表征。

表征晶面空间方位的符号，称为晶面符号。

整数定律：晶面在晶轴上的截距系数之比为简单整数比。

矿物中的水：吸附水，结晶水，沸石水，层间水，结构水。

类质同象：晶体结构中某种质点为他种类似的质点所替代，仅使晶格常数发生不大的变化。

同质多象：同种化学成分的物质，在不同的物理化学条件下，形成不同结构的晶体现象。

矿物物理性质：光学（颜色，条痕，透明度，光泽）、力学（解理，压电性，热点性，介电性）、热学性质、磁学、矿物的放射性、其他（挥发性，易燃性，吸水性）。

硅酸盐结构类型：岛（镁橄榄石，锆石），环（绿柱石，电气石），链（透辉石，透闪石），层（滑石，高岭石，云母），架状结构（霞石，石榴石）。

钾长石：肉红色、玻璃光泽，厚板状晶体，有（001）（010）两组完全解理，无断口，解理夹角近似90度，硬度6。

石英：乳白色成白色、油脂光泽、铁污染后表面为黄褐色、无解理、有贝壳状断口、常见六方柱和六方双锥的聚行晶体、本多为致密快状**体，硬度7。

光率体：光波震动方向与相应折射率值之间关系的一种光性指示体。

显微镜调节：1装卸镜头、2调节照明灯光、3调节焦距、4校正中心、5视域直径的测定6目镜十字丝的检查7偏光镜的校正。

贝克线成因：相邻两物质折射率值不同，光通过接触界面时发生折射、反射作用引起。

晶体基础知识试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 晶体的三种基本对称操作是什么？A. 平移、旋转、反射B. 平移、旋转、对称中心C. 旋转、反射、对称中心D. 平移、旋转、滑移2. 以下哪个是晶体的七大晶系之一？A. 立方晶系B. 六角晶系C. 斜方晶系D. 所有选项3. 晶体学中，晶面族是指：A. 具有相同米勒指数的一组晶面B. 具有相同晶面间距的一组晶面C. 具有相同晶面取向的一组晶面D. 具有相同晶面形状的一组晶面4. 晶体中原子排列的周期性是由什么决定的？A. 原子的大小B. 原子的排列方式C. 晶格的对称性D. 晶格的周期性5. 晶体的晶格常数指的是：A. 晶格中原子间的距离B. 晶格中原子的数量C. 晶格的基本重复单元的边长D. 晶格中原子的电荷6. 晶体的X射线衍射图样是由什么决定的？A. 晶体的形状B. 晶体的表面状态C. 晶体的晶格结构D. 晶体的化学成分7. 晶体的熔点与其对称性的关系是：A. 对称性越高，熔点越高B. 对称性越低，熔点越高C. 对称性与熔点无关D. 对称性越高，熔点越低8. 晶体的滑移面是指：A. 晶体中原子排列发生滑移的平面B. 晶体中原子排列发生旋转的平面C. 晶体中原子排列发生反射的平面D. 晶体中原子排列发生平移的平面9. 晶体的晶面间距与晶面指数的关系是：A. 晶面指数越大，晶面间距越小B. 晶面指数越小，晶面间距越小C. 晶面间距与晶面指数无关D. 晶面间距与晶面指数成反比10. 晶体的米勒指数表示的是：A. 晶面的取向B. 晶面的面积C. 晶面的体积D. 晶面的形状二、填空题（每题2分，共20分）1. 晶体的对称操作包括_______、_______、_______、_______、_______。

2. 晶体的晶格可以被分为_______、_______、_______、_______、_______、_______、_______七大晶系。

3. 晶体的色散是指宝石对光线的折射率随波长变化的现象。（ ）
4. 红宝石和蓝宝石的主要成分相同，都是刚玉。（ ）
5. 钻石的4C指的是克拉重量、颜色、净度和切工。（ ）
6. 在晶体学中，一个晶体的对称性越高，其晶系的种类越多。（ ）
7. 宝石的热处理是一种不可逆的处理方法。（ ）
8. 所有宝石都具有一定的透明度。（ ）
D. 钻石
18. 以下哪个不是矿物学中晶体的分类依据？（ ）
A. 化学成分
B. 结晶形态
C. 物理性质
D. 地质成因
19. 下列哪种宝石具有明显的多色性现象？（ ）
A. 玛瑙
B. 蓝宝石
C. 红宝石
D. 黄玉
20. 以下哪个不是宝石的常见处理方法？（ ）
A. 热处理
B. 辐照处理
C. 油浸处理
D. 激光切割
B. 晶面生长
C. 晶须生长
D. 晶体突变
15. 下列哪种宝石的颜色是由铁元素引起的？（ ）
A. 红宝石
B. 蓝宝石
C. 玛瑙
D. 黄玉
16. 以下哪个不是宝石加工中常见的切割形状？（ ）
A. 圆形
B. 梯形
C. 椭圆形
D. 心形
17. 下列哪种宝石的折射率最高？（ ）
A. 玛瑙
B. 红宝石
C. 蓝宝石
C. 祖母绿
D. 钻石
8. 以下哪个过程不是晶体生长的过程？（ ）
A. 凝华
B. 结晶
C. 溶解
D. 沉积
9. 下列哪种宝石属于等轴晶系？（ ）
A. 玛瑙
B. 红宝石
C. 黄玉
D. 钻石
10. 以下哪个不属于晶体学中的基本晶体学参数？（ ）

第一章习题1.晶体与非晶体最本质的区别是什么?答：晶体和非晶体均为固体，但它们之间有着本质的区别。

晶体是具有格子构造的固体，即晶体的内部质点在三维空间做周期性重复排列。

而非晶体不具有格子构造。

2晶体具有远程规律和近程规律，非晶体只有近程规律。

2.从格子构造观点出发，说明晶体的基本性质。

答：晶体具有六个宏观的基本性质，这些性质是受其微观世界特点，即格子构造所决定的。

现分别叙述：a.自限性晶体的多面体外形是其格子构造在外形上的直接反映。

晶面、晶棱与角顶分别与格子构造中的面网、行列和结点相对应。

从而导致了晶体在适当的条件下往往自发地形成几何多面体外形的性质。

b.均一性因为晶体是具有格子构造的固体，在同一晶体的各个不同部分，化学成分与晶体结构都是相同的，所以晶体的各个部分的物理性质与化学性质也是相同的。

c.异向性同一晶体中，由于内部质点在不同方向上的排布一般是不同的。

因此，晶体的性质也随方向的不同有所差异。

d.对称性晶体的格子构造本身就是质点周期性重复排列，这本身就是一种对称性；体现在宏观上就是晶体相同的外形和物理性质在不同的方向上能够有规律地重复出现。

e.最小内能性晶体的格子构造使得其内部质点的排布是质点间引力和斥力达到平衡的结果。

无论质点间的距离增大或缩小，都将导致质点的相对势能增加。

因此，在相同的温度条件下，晶体比非晶体的内能要小；相对于气体和液体来说，晶体的内能更小。

f.稳定性内能越小越稳定，晶体的稳定性是最小内能性的必然结果。

第二章习题1.说明层生长模型与阶梯生长模型有什么联系和区别。

4.论述晶面的生长速度与其面网密度之间的关系。

答：根据布拉维法则图示可知，垂直于面网密度小的方向是晶体生长速度快的方向，垂直于面网密度大的方向是晶体生长速度慢的方向。

这样生长速度快的方向的晶面尖灭，生长速度慢的晶面保留，从而导致了实际晶面往往与面网密度大的面网平行的现象。

5.说明布拉维法则与PBC理论有什么联系和区别。

《晶体缺陷理论》试卷（20XX 级材料科学与工程研究生）一、基本概念（20分，每小题4分）1.不全位错与扩展位错2.柏氏矢量和压杆位错3.内禀层错和外延层错4.柯氏气团和胞状亚结构5.F-R 空间位错源和Bardeen-Herring 位错源二、简要回答下列问题，并说明原因。

（共20分）1.一根位错线形状发生改变时，柏氏矢量是否也随之发生改变？2.不同类型的位错运动时，滑移矢量与位错线的关系如何？3.位错的存在都会导致晶体体积发生变化？4.在密排六方结构中，密排面上的原子仅靠一次滑移能否产生层错。

5.小角度晶界都是由位错所构成的吗？6.凡是位错都能发生交滑移和双交滑移吗？7.面心立方结构中的肖克莱不全位错只可能是刃型位错吗？8.造成刃型位错攀移的是正应力σyy 吗？三、Peierls-Nabarro 点阵模型（10分）1.在何种条件下，P-N 模型与连续介质模型结果相近？2.何为位错宽度？位错宽度与P-N 力的关系？密排结构金属的P-N 力是大还是小？3.P-N 模型成功之处何在？四、螺型位错在z 轴上，位错线和柏氏矢量指向z 轴正向；正刃型位错与螺型位错平行，柏氏矢量指向x 轴正向，由Peach-Koehler 公式求螺型位错与刃型位错之间的相互作用力。

（10分）五、令位错的攀移作用力为渗透力Fs ，攀移阻力为Fm 。

（10分）1.当位错仅在渗透力Fs 作用下发生攀移时的空位浓度C 应为何值？2.如果样品从T 1淬火到T 2（T 1﹥ T 2），Fs 与Fm 和△T （△T =T 1-T 2）关系如何？ 六、在面心立方()111上全位错柏氏矢量为[]a 2011，()111面上全位错柏氏矢量为[]a 2110，两根位错运动到两个面交汇处形成了新的位错，该新位错的柏氏矢量和可动性如何？若两位错相遇前就分解成扩展位错，在两个面交汇处，不全位错能否反应？可动性又如何？写出反应式。

（20分）七、在密排六方晶体中，最常观察到的层错是哪一种？为什么？不全位错切动能否使E 型层错转化为I 1型层错，若可以，请指出该不全位错的类型和柏氏矢量，画出切动示意图。

高二化学晶体的结构与性质专项训练单元易错题难题检测试题一、晶体的结构与性质1．萤石(CaF2)属于立方晶体（如图），晶体中每个Ca2＋被8个F－包围，则晶体中F－的配位数为A．2B．4C．6D．82．碳有多种同素异形体，其中石墨烯与金刚石的晶体结构如图所示，下列说法错误的是（）A．在石墨烯晶体中，每个C原子连接3个六元环B．石墨烯晶体中的化学键全部是碳碳单键C．在金刚石晶体中，C原子采用sp3杂化D．在金刚石晶体中，六元环中最多有4个C原子在同一平面3．已知C3N4晶体具有比金刚石还大的硬度，且构成该晶体的微粒间只以单键结合。

下列关于C3N4晶体的说法错误的是A．该晶体属于原子晶体，其熔、沸点很高B．该晶体中每个碳原子上连有4个氮原子，每个氮原子连接3个碳原子C．该晶体中碳原子和氮原子都满足最外层8电子结构D．该晶体的结构与金刚石类似，都是原子间以非极性键形成的空间网状结构4．二茂铁[(C2H5)2Fe]的发现是有机金属化合物研究中具有里程碑意义的事件，它开辟了有机金属化合物研究的新领域。

已知二茂铁的熔点是173℃(在100℃以上能升华)，沸点是249℃，不溶于水，易溶于苯、乙醚等有机溶剂。

下列说法不正确的是（）A．二茂铁属于分子晶体B．在二茂铁中，C5H5-与Fe2+之间形成的化学键类型是离子键C．已知环戊二烯的结构式为，则其中仅有1个碳原子采取sp3杂化D． C5H5-中一定含有 键5．KO 2的晶体结构和NaCl 相似，KO 2可以看作是Na +的位置用K +代替，Cl -的位置用O 2-代替，则关于KO 2晶体结构的描述正确的是（ ）A ．如图一个超氧化钾小晶胞中含有4个KO 2B ．和K +距离相同且最近的O 2-构成的多面体是正六面体C ．和K +距离相同且最近的K +有8个D ．和K +距离相同且最近的O 2-共有8个6．下列说法不正确的是A ．有化学键断裂的过程不一定是化学过程B ．NH 4Cl 和 Na 2SO 4 晶体中含有的化学键类型相同C ．H 2O 比 H 2S 更稳定，是因为氧的非金属性更强D ．离子晶体中一定含有离子键，分子晶体中一定含有共价键7．碳元素不仅能形成丰富多彩的有机化合物，而且还能形成多种无机化合物，同时自身可以形成多种单质，碳及其化合物的用途广泛。

绝密★启用前人教版高中化学选修三第三章晶体结构与性质测试题本试卷分第Ⅰ卷和第Ⅱ卷两部分，共100分第Ⅰ卷一、单选题(共20小题,每小题3.0分,共60分)1.不能用金属键理论解释的是( )A．导电性B．导热性C．延展性D．锈蚀性2.下列对各组物质性质的比较中，不正确的是()A．熔点：Li＞Na＞KB．导电性：Ag＞Cu＞Al＞FeC．密度：Na﹤Mg﹤AlD．空间利用率：体心立方堆积＜六方最密堆积＜面心立方最密堆积3.下列说法中错误的是（）A．在NH4+和Fe（CO）5中都存在配位键B． SO2、SO3都是极性分子C．元素电负性越大的原子，该元素的原子吸引电子的能力越强D．离子晶体的晶格能随着离子间距的减少而增大，晶格能越大，晶体的熔点越高4.仅由下列各组元素所组成的化合物,不可能形成离子晶体的是()A． H、O、SB． Na、H、OC． K、Cl、OD． H、N、Cl5.下列关于晶体的说法一定正确的是()CaTiO3的晶体结构模型（图中Ca2+、O2-、Ti4+分别位于立方体的体心、面心和顶点）A．分子晶体中都存在共价键B． CaTiO3晶体中每个Ti4+和12个O2-相紧邻C． SiO2晶体中每个硅原子与两个氧原子以共价键相结合D．金属晶体的熔点都比分子晶体的熔点高6.物质结构理论推出：金属晶体中金属离子与自由电子之间的强烈相互作用，叫金属键．金属键越强，其金属的硬度越大，熔沸点越高，且据研究表明，一般说来金属原子半径越小，价电子数越多，则金属键越强．由此判断下列说法正确的是( )A．镁的硬度大于铝B．镁的熔沸点低于钙C．镁的硬度小于钾D．钙的熔沸点高于钾7.下列叙述正确的是()A．金属受外力作用时常常发生变形而不易折断，是由于金属原子之间有较强的作用B．通常情况下，金属里的自由电子会发生定向移动而形成电流C．金属是借助自由电子的运动，把能量从温度高的部分传到温度低的部分D．金属的导电性随温度的升高而减弱8.金属的下列性质中，不能用金属的电子气理论加以解释的是()A．易导电B．易导热C．易腐蚀D．有延展性9.关于SiO2晶体的叙述正确的是（）A．通常状况下，60克SiO2晶体中含有的分子数为NA（NA表示阿伏加德罗常数的数值）B． 60克SiO2晶体中，含有2NA个Si－O键C．晶体中与同一硅原子相连的4个氧原子处于同一四面体的4个顶点D． SiO2晶体中含有1个硅原子，2个氧原子10.下面关于SiO2晶体网状结构的叙述正确的是（）A．存在四面体结构单元，O处于中心，Si处于4个顶角B．最小的环上，有3个Si原子和3个O原子C．最小的环上，Si和O原子数之比为1：2D．最小的环上，有6个Si原子和6个O原子11.有关晶体的叙述中正确的是()A．在SiO2晶体中，由Si、O构成的最小单元环中共有8个电子B．在12 g金刚石中，含C—C共价键键数为4N AC．干冰晶体熔化只需克服分子间作用力D．金属晶体是由金属原子直接构成的12.对于离子键的说法正确的是()A．阴阳离子间的静电引力是离子键B．阴阳离子间的静电吸引是离子键C．阴阳离子间的相互作用即为离子键D．阴阳离子间强烈的相互作用是离子键13.如图所示是晶体结构中具有代表性的最小重复单元(晶胞)的排列方式，图中○—X、●—Y、⊗—Z。

A.集成电路
B.光伏发电
C.纳米技术
D.结构材料
5.下列哪些技术可以用于半导体材料的表面处理？( )
A.化学气相沉积
B.光刻
C.蚀刻
D.离子注入
6.在晶体生长过程中，以下哪些因素可能导致晶体出现位错？( )
A.温度梯度不均匀
B.生长速度过快
C.晶体与容器壁的接触
D.溶液中的杂质
7.以下哪些材料常用于半导体器件中的n型掺杂？( )
晶体生长技术与半导体材料考核试卷
考生姓名：__________答题日期：_______年__月__日得分：____________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.晶体生长过程中，以下哪种方法属于溶液生长法？( )
二、多选题
1. ABC
2. ABCD
3. ABC
4. ABCD
5. ABCD
6. ABCD
7. AB
8. ABD
9. ABCD
10. ABCD
11. ABCD
12. ABC
13. ABC
14. ABCD
15. ABC
16. AB
17. ABC
18. ABCD
19. ABCD
20. ABCD
三、填空题
B.区熔法
C.化学气相沉积
D.碳弧法
8.在半导体材料的导电性方面，以下哪个概念与其无关？( )
A.导带
B.价带
C.禁带
D.电导率
9.以下哪种晶体生长技术适用于生长大尺寸的蓝宝石晶体？( )
A.提拉法
B.硼硅酸生长法

10.激光晶体通常采用的材质是________，因其具有良好的激光产生和放大特性。
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.晶体生长过程中，生长速率越快，晶体质量越好。（）
2.在溶液生长法中，溶质浓度越高，晶体生长速度越快。（）
3.分子束外延（MBE）技术可以用于生长具有原子级别精度的薄膜材料。（√）
A.生长速率过快
B.温度梯度不均匀
C.溶质浓度波动
D.晶体生长方向不明确
13.以下哪些方法可以用来控制晶体生长过程中的溶质浓度？（）
A.添加溶质
B.降温
C.调整生长速率
D.改变气氛
14.以下哪些材料具有良好的透明导电性？（）
A.硅
B.氧化铟锡
C.碳纳米管
D.铝
15.以下哪些晶体生长方法适用于生长大尺寸单晶体？（）
A.光学显微镜
B.扫描电子显微镜
C.原子力显微镜
D. X射线衍射
10.以下哪些情况下晶体生长可能采用封闭系统？（）
A.需要控制气氛
B.需要防止氧化
C.需要高纯度材料
D.需要高速生长
11.以下哪些材料可以用于制造太阳能电池？（）
A.硅
B.砷化镓
C.铜铟镓硒
D.铝
12.以下哪些因素可能导致晶体生长过程中出现多晶体？（）
D.晶体形状发生变化
17.下列哪种材料具有压电性质？（）
A.硅
B.铜氧化物
C.钛酸锶
D.稀土金属
18.以下哪种晶体生长方法属于熔体生长法？（）
A.化学气相沉积
B.溶液浸泡法
C.区熔法
D.分子束外延法
19.在晶体生长过程中，以下哪种因素会影响晶体的完整性？（）

结晶学选择题(答案)结晶学选择题(答案)结晶学满分:80分 您是第6位自测者单项选择题(每题2分,共40题)1、晶体的科学定义是：A 、晶莹透明的固态物质B 、具有天然规则多面体的物质C 、具有内部质点周期重复排列格子构造的固体D 、不具有格子构造的物质2、从三维空间看，空间格子中的最小重复单位是：A 、单位晶胞B 、平行六面体C 、晶格D 、简单格子3、空间格子中，网面密度与对应的面网间距之间的关系为：A 、网面密度越大，面网间距越小。

B、网面密度越大，面网间距越大。

C、面网间距与对应的网面密度无关。

4、菱面体和六方柱相聚后，其对称型属于：A、3B、3mC、ˉ3mD、6/mmm5、以下关于晶胞的说法，正确的有：A、晶胞是格子构造中划分出来的平行六面体。

B、晶胞是空间格子中划分出来的最小重复单位。

C、晶胞是具体晶体结构中，根据平行六面体的划分原则所划分出来的最小重复单位。

D、晶胞是晶体内部的格子构造。

6、某晶体为单斜晶系，其晶胞参数为：A、a0=0.8570nm b0=0.1298nm c0=0.7220nm α=90°41ˊ β=115°59ˊ γ=87°30ˊB、a0=0.8561nm b0=0.1299nm c0=0.7192nm α=90° β=116°06ˊ γ=90°C、a0=0.8870nm b0=0.5450nm c0=0.7140nm α=90° β=90° γ=90°D、a0=0.3472nm b0=0.3472nm c0=0.4374nm α=90° β=90° γ=90°7、晶体测量的理论依据是：A、晶体的对称定律B、面角守恒定律C、布拉维法则D、整数定律8、在极射赤平投影中，其投影基圆的直径相当于：A、倾斜对称轴的投影B、直立对称轴的投影C、倾斜对称面的投影D、直立对称面的投影9、根据晶体对称定律，晶体中不可能出现的对称要素有：A、对称面B、对称轴C、对称中心D、旋转反伸轴E、高于六次的对称轴10、中级晶族中，L2与高次轴Ln 可能的空间方位关系有：A 、平行B 、垂直C 、斜交11、单斜晶系的（001）与Z 轴一定是：A 、垂直B 、平行C 、斜交12、对称要素L4+P‖的组合应为：A 、L44PB 、L44PCC 、L44L25PC13、轴角β是：A 、Y∧ZB 、X∧YC 、Z∧X14、对称型2/m 定向时，将2定为：A 、X 轴B 、Y 轴C 、Z 轴15、对称型L33L24P 属于：A 、低级晶族B 、高级晶族C 、六方晶系D 、三方晶系16、微观对称要素43垂直纸面的图示符号为：A 、图1B 、图2C 、图3D 、图417、斜方晶系中，晶面（111）在X 、Y 、Z 轴上的截距：A 、都相等B 、都不相等C 、在X 、Y 轴上相等D 、以上都不是18、三斜晶系对称特点是只有一个：A 、mB 、2C 、ˉ1D 、2/m19、（111）在哪个晶系中与三个晶轴等距相交？A 、三斜B 、单斜 C、斜方D 、四方E 、等轴20、下列哪组单形可以相聚：A 、四面体、八面体和立方体B 、三方柱、六方柱和菱面体C、四面体、八面体和四方柱21、等轴晶系中，{111}所代表的单形是：A、八面体B、菱形十二面体C、四方双锥D、立方体22、四方晶系中，{111}所代表的单形是：A、斜方双锥B、八面体C、四方双锥D、四面体23、ˉ43m是：(ˉ4为4的上划线)A、四方晶系B、三方晶系C、空间群符号D、对称型的国际符号24、在对称型222中，不可能出现的单形有：A、斜方四面体 B、斜方柱C 、平行双面D 、斜方双锥25、{100}在四方晶系中所表示的单形为：A 、平行双面 B、四方柱C、立方体D 、四方双锥26、同属于[010]晶带的晶面为：A 、（010）（0ˉ10）（001）（00ˉ1）（011）（0ˉ11）（01ˉ1）（0ˉ1ˉ1） B 、（100）（ˉ100）（010）（0ˉ10）（110）（1ˉ10）（ˉ110）（ˉ1ˉ10）C 、（100）（ˉ100）（001）（00ˉ1）（101）（ˉ101）（10ˉ1）（ˉ10ˉ1）D 、（010）（0ˉ10）（100）（ˉ100）（001）（00ˉ1）（ˉ1ˉ10）（0ˉ1ˉ1）27、同种几何形态的单形，可以出现于不同的晶类中，这种单形称为：A、特殊形B、一般形C、几何单形D、结晶单形28、等轴晶系中的单形，全部都是：A、开形B、闭形C、定形D、变形29、八面体的配位数是：A、8B、6C、12D、430、双晶的主要类型有：A、燕尾双晶和膝状双晶B、卡斯巴双晶和聚片双晶C、接触双晶和穿插双晶D、道芬双晶和巴西双晶31、双晶要素不包括：A、双晶面B、双晶轴C、双晶中心D、双晶接合面32、下列哪些是具有类质同象混晶的化学式：A、刚玉Al2O3B、闪锌矿ZnSC、铁闪锌矿 (Zn,Fe2+)SD、白云石CaMg[CO3]233、最紧密堆积原理适于分析具有什么化学键的晶体？A、共价键B、分子键C、金属键或离子键D、氢键34、同种物质它们的结构单元层相同，仅叠置方式有所不同，它们是：A 、类质同象B 、同质多象C 、多型D 、有序—无序35、多型符号6H ，6是表示：A 、晶系B 、一个重复周期内的结构单元层的层数C 、配位数D 、对称轴E 、分子数36、根据晶带方程，由[111] 和 [110] 决定的晶面符号为：A 、（ˉ110）B 、（1ˉ10）C 、（11ˉ1）D 、（ˉ111）37、金红石的空间群为D4h14-P42/mnm ，是由钛离子（Ti4+）和氧离子（O2-）两组等质点构成的，它们属于：A 、两种单形B 、两个结构单元C 、两个等效点系D 、两种点群38、对称型2/m 包含3个对称要素2，m ，ˉ1，其点群即为每个对称要素所对应的操作，可表示为：A 、2/m{2，m ，ˉ1}B 、2/m{2，m ， ˉ1，1}C 、2/m{2，m }D 、2/m{2，m1，m2=1 }39、根据晶体生长的布拉维法则，晶体上的实际晶面为：A 、生长速度最快的面网B 、垂直于面网密度大的面网C 、面网密度最小的面网D 、平行于面网密度大的面网40、电气石晶体属于3m 点群，是热电类晶体，其热电性是因为它的下列对称特点所决定的：A、不具有对称中心B、有一个对称轴C、具有单向极轴L3D、具有3个对称面。

晶体学习题库竞答试题-公司工会一、填空题1.硅的密度是2.33 /厘米3；硅的熔点是1420 ℃；硅的沸点是2355 ℃；硅的化学符号是 Si ；原子序列号 14 。

2.单晶硅的晶向分别有 100 、 110 、 111 。

3.ISO是_国际标准化__组织的英语简称。

4.我公司目前推行ISO9001:2008__质量管理__体系。

5.常见的单晶生长方法有两种，分别是悬浮区熔法(FZ) 和直拉法(CZ) 。

6.硅片的厚度是由槽距、线径、砂子粒径决定的。

7.N型是电子导电，P型是空穴导电。

8.公司的体系文件分为三阶，其中一阶文件为质量手册__，二阶文件为_程序文件_，三阶文件包括__管理文件_，作业指导书和_工艺文件_等。

9.20世纪中期,线切割机是由前苏联拉扎林科夫妇发明的。

10.P型6.5寸硅片面积 154.8cm2，P型8寸硅片面积 239 cm2，N型6.3寸硅片面积 153.3 cm2。

11.目前我公司现有的线切机的型号是 MWM442DM 、 PV800H 、DS264-4、PV500D、 PV500HD 、DW288 。

12.单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。

直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。

直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。

外延片主要用于集成电路领域。

13.2002年环欧公司成功拉制出中国第一颗Φ6英寸区熔硅单晶，2011年成功拉制出中国第一颗Φ8英寸区熔硅单晶并形成自主知识产权。

14.拉制N型单晶所掺合金为P-Si合金，拉制P型单晶所掺合金为B-Si合金。

15.内蒙古中环光伏材料有限公司成立于2009年3月10日，由天津市环欧半导体材料技术有限公司和上海航天汽车机电股份有限公司共同投资组建，项目共分为四期，建成后为年产能800-1000MW的太阳能单晶硅锭、硅片生产基地。