铟锡合金靶材

产品名称铟锭化学名 : Indium (In)执行标准 YS/T257－1998牌号 In99.993 In99.97 In99.9 In99.99产品性质 :特性 : 具有延展性 , 银白光泽性金属，质软，可塑性、延展性好。

溶于酸 , 不溶于碱 , 无毒性比重: 7.31 ( 20 ℃ )熔点: 156 ℃沸点: 2075 ℃铟锭 Indium Ingot主要用途供制作多种合金、特殊焊料、涂层、生产高纯铟等。

产品规格2000g±100g3200元/公斤铟是昂贵的稀散金属，在元素周期表中，铟的最铟的毒性较轻，对皮肤无刺激作用，主要化合物有三临近元素为镓、铊、锡及镉。

金属铟具有银白色光氧化二铟、氢氧化铟、三甲基铟和氯化铟。

铟及其化泽，熔点很低，沸点却很高。

铟的塑性很好，在加压合物在电子、合金、催化剂等领域有着广泛的应用。

下几乎能加工成各种形状。

铟的化学性质与铁相似，原子半径与镉、汞、锡相近。

铟在空气中很稳定，不易氧化，不会失去光泽，在冷酸中溶解缓慢，在热铟及其几种常见化合物的物理性质和用途归纳的稀酸或浓酸中，溶解很快，与热水和碱不起作用。

铟在地壳中的分布量很小而且分散，虽然确定有5种独立矿种（硫铟铜矿、硫铟铁矿、水铟矿等），但这些矿物在自然界很少遇见，铟的基本量是以杂质成分分散在其他元素的矿物中，63％以上分散在铅锌矿中，因此铟与类似特征的镓、铊、锗、硒、碲、铼等一起划入稀散金属。

化学性质：铟在空气中很稳定，不易氧化，不会失去光泽。

在冷的稀酸中溶解缓慢，可以较剧烈地溶于热的稀酸或浓酸中。

铟与沸水或碱通常不起作用。

铟磨碎后与水接触时能形成氢氧化物。

铟具有良好的抗腐蚀性能。

铟可与许多其它元素形成二元、三元、四元和更多元合金。

通常，在一些金属中加入少量铟就能使金属表面硬化，提高强度和提高抗腐蚀能力。

机械性能：铟的塑性十分优良，在压力下几乎可以加工成任意形状。

加工时，铟不会硬化，所以其延伸率很好。

ito靶材成分介绍ITO（Indium Tin Oxide）是一种重要的透明导电材料，具有广泛的应用前景。

ITO 靶材是制备ITO薄膜的原材料，其成分对薄膜性能具有重要影响。

本文将深入探讨ITO靶材的成分及其对薄膜性能的影响。

ITO靶材组成ITO靶材是由两种主要元素组成的化合物，即铟（Indium）和锡（Tin）氧化物。

在靶材中，铟和锡的摩尔比例可根据具体应用的要求进行调节。

一般而言，ITO靶材中铟的摩尔含量在90%到95%之间，而锡的摩尔含量则在5%到10%之间。

ITO成分的影响ITO靶材的成分对薄膜的导电性、透明性以及机械性能等方面都有重要影响。

下面将分别介绍成分对这些性能的影响。

1. 导电性ITO靶材的主要应用之一是制备透明导电薄膜。

靶材的成分对薄膜的导电性能有直接影响。

一般来说，靶材中锡含量的增加可以提高薄膜的导电性能。

这是因为锡在氧化物中具有更多的自由电子，能够更有效地传导电荷。

2. 透明性ITO薄膜常用于液晶显示器、光伏电池等领域，因此其透明性是一个重要的性能指标。

靶材中铟含量的增加可以提高薄膜的透明性。

这是因为铟有较高的电子亲和力，能够促使氧化物形成致密的晶格结构，从而降低散射。

3. 机械性能ITO薄膜通常需要在柔性基底上制备，因此其机械性能也非常重要。

靶材中铟和锡的摩尔比例对薄膜的机械稳定性有影响。

含有较高铟含量的靶材可以提高薄膜的柔韧性。

ITO靶材制备ITO靶材制备通常采用物理气相沉积（PVD）技术，如磁控溅射等。

下面将介绍ITO 靶材的制备步骤。

1. 材料选择制备ITO靶材的关键是正确选择铟和锡的前驱体。

常用的铟前驱体有铟粉、氧化铟等，而锡前驱体则有锡粉、氧化锡等。

这些前驱体需要具备较高的纯度和可溶性。

2. 目标制备目标是实际用于沉积薄膜的ITO靶材。

通过将铟和锡前驱体混合，加热并进行特定处理，可以制备出具有所需成分的ITO靶材。

为了达到更高的纯度和均匀性，通常会采用多次烧结和热压的方法。

中国ITO靶材市场现状与发展趋势分析一、ITO靶材行业概况ITO（氧化铟锡）靶材是溅射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一种，在显示靶材中占比将近50%。

ITO靶材就是将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结（1600度，通氧气烧结）形成的黑灰色陶瓷半导体。

ITO靶材有中低端和高端之分：中低端ITO靶材有玻璃镀膜靶材、发热膜和热反射膜靶材，包括汽车的显示屏、一些仪器仪表的显示。

高端ITO靶材主要用于显示器薄膜靶材、集成电路薄膜靶材以及磁记录和光记录膜靶材，尤其用于大面积、大规格的LED、OLED等领域，具备高密度、高纯度、高均匀性等特点。

ITO靶材分类ITO靶材可应用于以下领域：（1）平板显示器（FPD）产业，如薄膜晶体管显示器（TFT-LCD）、液晶显示器（LCD）、高触摸屏（TouchPanel）、等离子管显示器（PDP）、有机电致发光显示（OLED）等；（2）光伏产业，如薄膜太阳能电池；功能性玻璃，如红外线反射玻璃、抗紫外线玻璃如幕墙玻璃、飞机、汽车上的防雾挡风玻璃、光罩和玻璃型磁盘等。

其中，平板显示器及太阳能电池是其主要应用领域。

ITO靶材下游应用领域二、ITO靶材行业相关政策2011年6月，国家发改委、科技部、工信部、商务部、知识产权局《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年度）》，提出要重点发展“TFT-LCD用靶材”；2012年2月，工信部发布的《新材料产业“十二五”发展规划》将ITO靶材、平板显示玻璃（TFT/PDP/OLED）列为发展重点；2013年2月，发改委将“新型显示器件及其关键件”列为《产业结构调整指导目录》鼓励类项目；2017年6月，工信部发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2017年版）》，提出了平板显示用ITO 靶材、平板显示用高纯钼靶材等重点新材料的应用领域。

伴随ITO技术和产能突破瓶颈，国产ITO靶材凭借成本和性价比优势将逐步占领市场。

磁控溅射靶材的根瘤的形成磁控溅射是由于各种各样的行业，如薄膜太阳能电池，半导体，光学，装饰涂料，耐磨和防腐蚀保护应用的高度重视的技术。

据观察，在过去，在某些情况下，当溅射金属或陶瓷材料，结节表面形成溅射赛马场附近地区（自动转存面积），有时甚至在赛马场区域目标（图1）。

他们通常拥有一个到岗，圆锥或金字塔形状。

结节往往沉积运行收益增长。

最终，他们可以覆盖超过30％的目标的表面区域。

形成结节会带来不同的效果，如溅射速率，溅射原子的角分布的变化，增强电弧放电过程中漂移和不稳定，这反过来缺陷的结果，并导致质量差溅射薄膜。

涂层系统已被关闭经常清洗目标表面结节和碎片。

这会导致非预期的停机时间和降低生产速度。

目标表面上形成结节，因此极不可取的。

尽管这是一个严重的工业问题，一般有什么结果结节的增长，这是很重要的工艺参数的理解缺乏，以及如何解决这个问题。

因此，这篇文章的目的是阐明根瘤的形成机制，对靶材的关键工艺参数和提供解决方案以及一些轻。

图1。

A）扫描电镜图像显示结节形态。

从Lippens等。

[4] B）ITO靶材的黑色结节（图像- Gencoa有限公司提供）; C）在Si 靶材结节（图像- Faradox储能公司提供）。

根瘤的生长机制观察视锥细胞的离子轰击阴极的历史可以追溯到早在1942年[1]。

从那时起，这种现象一直受到学术界和工业界的科学家和工程师的兴趣。

韦纳锥的形成[2]进行了广泛的研究工作。

基于实验证据韦纳的结论，在溅射从另一个源提供的某些杂质原子或原子的极少量可以给离子轰击surfaces.The比种子诱导锥增长所需的主要原子可以上升到种子锥形成低至1 500人，分别为钼- 铜的情况下证明。

有趣的是，它也表明，种子原子材料具有较低的溅射率，但必须表现出了较高的熔点。

存款锥也可以出现更大的通量是一个较低的熔点金属热的熔点较高的金属，它是离子轰击下存放。

在低离子轰击能量（<1keV，即典型的磁控溅射应用）高温（〜⅓的熔点）为种子锥现象发生的重要。

铟锡氧化物（ITO）靶材铟(In)元素的发现已有100多年的历史，经过了约60年才开始在工业和技术上得到应用。

In是一种多用途的金属，主要以与其他有色金属组成一系列的化合物半导体、光电子材料、特殊合金、新型功能材料及有机金属化合物等形式应用于电子、冶金、仪表、化工、医药等行业，其应用范围不断扩大。

中国是全球最大的In生产国，由于国内需求有限，In产品以初级原料方式大量出口，成为全球In市场主要供应国。

In是现代高新技术产业的重要支撑材料，关系到国力的增强。

因此我国大量出口In初级原料不符合国家的根本利益。

目前全球In消耗量的50％以上用于加工铟锡氧化物(indiumtin oxides，IT0)靶材，制造透明电极用于生产平面显示器。

平面显示器的ITO薄膜含In约78％，这种神奇的混合物通过一层透明而又导电的薄膜将玻璃转化成彩色显示屏。

在可见光区是透明的，可吸收紫外线，反射红外线，有利于环保，具有良好的热稳定性。

近年国内对ITO靶材的需求量大幅增长。

目前国内生产的ITO靶材密度低，无法满足高端平板显示器行业对于靶材质量的要求．仅仅部分用于低端液晶产品中。

目前世界上只有日本、美国、德国等少数发达国家和地区能生产ITO靶材，而我国平板显示器产业所需求的ITO靶材的98％依赖于进口，因此，研制开发ITO靶材生产技术是现有In生产企业开发In深加工技术的首选目标。

2 ITO靶材的主要制备方法国外ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定。

其主要制备方法有热等静压法、热压法和烧结法。

2．1热等静压法热等静压法(hot isostatic pressing，HIP)既可以认为是加压下的烧结，也可以认为是高温下的压制。

相对于传统的无压烧结而言，热等静压法可以在相对较低的温度下(一般约为物料熔点的0．5～0．7倍)获得完全致密化，而且可以很好地控制组织结构，抑制晶粒生长，获得均匀的、各向同性的组织，可以“净成型”加工成具有一定复杂外形的产品。

ITO膜制作方面详细资料ITO膜，全称为氧化铟锡膜（Indium Tin Oxide Film），是一种广泛应用于光电子领域的透明导电薄膜。

它具有高透明度、低电阻率、良好的导电性和光学性能等特点，适用于液晶显示器、触摸屏、太阳能电池板等领域。

下面将详细介绍ITO膜的制作过程和相关技术。

ITO膜的制备通常采用物理气相沉积（PVD）方法，包括磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射等技术。

其中，磁控溅射是最常用的制备方法。

该方法通过在真空环境中，将含有铟和锡的合金靶材置于溅射室内，施加高电压和高频磁场，使靶材表面的铟和锡被电离并溅射出来，最终在基底上形成ITO膜。

磁控溅射法制备ITO膜的工艺流程大致如下：1.基底准备：选择适合的基底材料（如玻璃、塑料等），并进行清洗和表面处理，以提高ITO膜与基底的附着力。

2.真空环境建立：将基底放置在溅射室内，通过抽气系统将室内的气体抽空，建立高真空环境。

3.靶材加载：将铟锡合金靶材放置在溅射室内，并通过电极连接到溅射装置。

4.溅射过程：通过施加高电压和高频磁场，使靶材表面的铟和锡被电离并溅射出来，形成高能离子束，沉积在基底上形成ITO膜。

同时，通过气体控制系统，将氧气引入溅射室，与溅射出来的金属粒子反应形成氧化物。

5.控制膜层厚度：通过控制溅射时间和溅射速率，可以控制ITO膜的厚度。

通常，ITO膜的厚度在100-300纳米之间。

6.膜层退火：制备完毕的ITO膜需要进行热处理，以提高其导电性能。

一般采用退火或热处理的方式，在高温下（通常达到200-300℃）对膜层进行加热和保温，以去除内部应力和提高结晶度。

以上是磁控溅射法制备ITO膜的一般工艺流程。

除此之外，还有其他制备方法，如离子束溅射、电子束蒸发等，它们在膜层性能和制备效率上有所不同。

此外，ITO膜的质量和性能也受到制备条件的影响。

制备ITO膜时，需要控制溅射功率、气体流量、基底温度等参数，以获得理想的膜层厚度、电阻率和透明度。

利用ITO靶材回收制备金属铟的开题报告一、研究背景ITO（Indium Tin Oxide）作为一种重要的透明导电材料，在显示器、太阳能电池等领域有广泛应用。

其主要成分为铟（In）、锡（Sn）和氧（O），其中铟作为主要成分，占比约为90%。

由于铟资源的稀缺性和成本较高，利用ITO靶材回收制备金属铟的方法备受关注。

二、研究目的本研究旨在探究利用ITO靶材回收制备金属铟的可行性和优化方法，为铟资源的节约和高效利用提供技术支持。

三、研究内容1.对ITO靶材进行物理、化学分析，确定总铟含量和分布情况；2.探究ITO靶材中铟的回收方法，包括化学法、物理法等；3.优化铟回收过程中的工艺参数，包括反应温度、反应时间、pH值等因素；4.对回收得到的铟进行表征，包括形貌、结构、组成等。

四、研究意义1.节约铟资源，降低生产成本；2.提高ITO靶材的回收利用率，减少废弃物排放；3.为制备ITO靶材提供重要的支持技术。

五、研究方法本研究将采用物理-化学方法对ITO靶材进行分析和处理，包括化学溶解、离子交换、沉淀等方法。

通过对反应条件和参数的优化，实现铟的高效回收和提纯。

采用SEM、XRD、ICP等分析方法对铟进行表征，获得其形貌、结构、组成等信息。

六、研究进展目前研究已完成ITO靶材的样品采集和预处理工作，正在对样品进行物理、化学分析，以确定总铟含量和分布情况。

同时，正在进一步探究ITO靶材中铟的回收方法和优化工艺参数。

七、预期成果通过本次研究，将实现ITO靶材中铟的高效回收和提纯，为其高效利用提供技术支持。

同时，将获得铟的形貌、结构、组成等表征信息，为后续ITO靶材制备提供参考。

氧化铟锡靶材1范围本文件规定了氧化铟锡靶材（以下简称ITO）的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于由In2O3和SnO2按照一定比例混合的氧化铟锡靶材（简称ITO），是制作透明导电薄膜的核心材料。

2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。

其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T 5163烧结金属材料(不包括硬质合金)可渗性烧结金属材料密度、含油率和开孔率的测定GB/T 1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法GB/T 13298金属显微组织检验方法GB/T 16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法GB/T 6569精细陶瓷弯曲强度试验方法GB/T 38389ITO 化学分析方法SL 499钻孔应变法测量残余应力的标准测试方法GB/T 8170数值修约规则与极限数值的表示和判断3术语和定义下列术语和定义适用于本标准。

3.1表观密度density每单位体积物质的质量。

3.2相对密度relative densityITO 表观密度与理论密度的比值。

ITO 质量百分比In 2O 3:SnO 2=90:10时，ITO 理论密度以7.155g/cm 3计算。

ITO 质量百分比In 2O 3:SnO 2=93:7时，ITO 理论密度以7.143g/cm 3计算。

ITO 质量百分比In 2O 3:SnO 2=95:5时，ITO 理论密度以7.134g/cm 3计算。

ITO 质量百分比In 2O 3:SnO 2=97:3时，ITO 理论密度以7.131g/cm 3计算。

ITO 质量百分比In 2O 3:SnO 2=98:2时，ITO 理论密度以7.115g/cm 3计算。

ITO 质量百分比In 2O 3:SnO 2=99:1时，ITO 理论密度以7.103g/cm3计算。

ito靶材铟含量概述ITO靶材是一种广泛应用于光学和电子领域的材料，其主要成分是氧化铟锡（ITO）。

在ITO靶材中，铟的含量是一个非常重要的参数。

本文将深入探讨ITO靶材中铟的含量对其性能和应用的影响，以及相关的研究和分析方法。

ITO靶材及其应用什么是ITO靶材？ITO（Indium Tin Oxide）靶材是一种由铟（In）、锡（Sn）和氧（O）组成的混合物。

它具有高透明度和良好的导电性能，在光学和电子领域中有广泛的应用。

ITO靶材通常以块状或薄膜的形式存在，可用于制备导电膜、光学涂层、平板显示器等。

ITO靶材的应用由于ITO靶材具有优异的导电和光学性能，其应用非常广泛。

以下是一些常见的应用领域： 1. 平板显示器：ITO靶材用于制备透明导电膜，用作液晶显示器的电极。

2. 太阳能电池：ITO靶材作为光透过电极或反射电极，提高太阳能电池的光电转换效率。

3. 触摸屏：ITO靶材用于制备触摸屏的导电层，实现触摸功能。

4. LED照明：ITO靶材用作LED照明器件的透明电极。

ITO靶材中铟含量的重要性ITO靶材中铟的含量对其性能和应用有着重要的影响。

以下是一些与铟含量相关的关键因素：导电性能铟是ITO靶材中的主要导电元素，其含量直接影响着靶材的导电性能。

较高含量的铟可以提高导电率，使得ITO靶材在电子器件中的导电效果更好。

光学透明度ITO靶材作为透明导电膜的基底材料，其光学透明度是一个重要指标。

过高或过低的铟含量都会对靶材的透明性产生负面影响。

适当的铟含量可以使ITO靶材既具有良好的导电性，又能保持较高的光学透明度。

耐久性ITO靶材在使用过程中需要具备良好的耐久性，以保证其长期稳定的性能。

研究表明，适当的铟含量可以提高ITO靶材的抗氧化性和耐腐蚀性，延长其使用寿命。

ITO靶材铟含量的研究方法为了准确地确定ITO靶材中铟的含量，研究人员开发了多种分析方法和技术。

以下是一些常用的研究方法：X射线荧光光谱法（XRF）XRF是一种非破坏性的分析技术，可以用于快速测定ITO靶材中的铟含量。