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第4章内存

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第4章 内存

第4章 内存

1．PCB板 2．金手指（针脚） 3．内存固定卡缺口 4．金手指缺口 5．内存芯片 6．SPD芯片 7．内存颗粒空位 8．电容 9．电阻 10．标签

11. 散热器
4.2.2 内存芯片的封装

1．TSOP封装

2．BGA封装

3．CSP封装
4.3 内存条的技术标准

1．DDR SDRAM内存条

2．DDR2 SDRAM内存条

3．DDR3 SDRAM内存条
4.4 内存的时间参数

ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ



4.4.1 内存的参数 1.CAS Latency（CL或tCL） 2.RAS to CAS Delay（tRCD） 3.RAS Precharge（tRP） 4.RAS Active Delay（tRAS） 4.4.2 内存的参数标识
第4章 内
存
本章介绍的内存是指主板上的主储存器，也就 是内存条。内存直接与CPU连接，存放当前正 在使用（即执行中）的数据和程序，因此它的 大小和性能影响着整机的性能。
4.1 内存条的分类

1. 按内存条的技术标准（接口类型）分类
根据内存条的不同技术标准或称内存接口 类型，内存DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM等。目前主板上使用的主流 内存类型是DDR3 SDRAM。
4.5 内存的选购

1．内存条的品牌

2．内存颗粒 3．频率要搭配 4．容量
4.6 实训

4.6.1 内存条的安装及拆卸

4.6.2 查看内存默认频率及默认SPD参数
4.7 思考与练习

DELTA PLC 手操器手册4

DELTA PLC 手操器手册4
744 點
M0999
M0512 停電保持用 輔助繼電器
M0767 256 點
M1000 特殊用 M1279 輔助繼電器
T00 100ms 時基 計時器
T63 64 點
T64 10ms 時基 計時器
T126 63 點
1ms 時基 T127 計時器
1點
C0 C111
一般用 計數器 112 點
C112 停電保持用 計數器
極限開關 輸入位址X7
字元組位址
極限開關為開啟；位元為0
極限開關 輸入位址X7
字元組位址
極限開關閉合；位元7為1
1-24
相同地，在输出表格区中为一数组式字节合，其控制着 PLC 输出接口到数字输出装置的状态。如下 图所示：
051ON 位元為；輸出為
輸出 輸出位址Y5
字元組位址
輸出
050OFF 位元為；輸出為
适合在系统中重新烧录程序，而不需拆下来，例如 AT29C256 和 AT29C512。
1-21
4-2 随机存取内存（Random Access Memory-RAM） RAM 又可分为 Static RAM（静态 RAM，SRAM）和 Dynamic RAM（动态 RAM，DRAM），分别叙
述如下： SRAM 相当于由正反器组成，当电源在 ON 时，能保持资料不变，只有写入时才会改变。 DRAM 相当于电容器的储电，电容器会因为漏电流而电荷逐渐消失，必须定期刷新（refresh），故要
保存，而 ROM 又大致可分为以下五大类： 1. Mask ROM：罩幕式 ROM，由制造工厂根据程序内容制成罩幕，再大量生产，基于成本考量，不适
于少量生产。 2. PROM（Programmable ROM）：可规划的 ROM，只能烧录一次。 3. EPROM（Erasable PROM）：可抹除的 PROM，利用紫外线清洗器抹除后，可重新烧录，为目前最

第4章内部存储器

第4章内部存储器
386 DX ~ Pentium Pro 有 32 位地址线，寻址空间 4GB ；PⅡ、PⅢ、P 4 和 Core 有 36 位地址线，寻址空间 64GB。 地址空间通常大于内存容量，二者关系密切，但概念不同。地址 空间表示 CPU 寻址能力，内存容量表示实际拥有的存储容量。 2．内存的扩容与升级 各个时期对内存容量的需求不同，各个时期内存条的结构、容量 也不同，因此有扩容和升级的要求。扩容是在原有内存的基础上增加 新的内存以提高容量，而升级则是去除旧的内存换上新的内存。
速度应相同，同一主板上的不同存储体的内存条存取速度也应相同或
尽量接近，否则可能出问题。 当两个存储体存取速度不同时，若低速存储体放置在前，高速存
储体放置在后，则高速存储体降频使用，不出现故障，若相反则低速
存储体超频使用，可能引发存储故障。
10.03.2019 Ch4 内部存储器 43/52 9
4．2．5 内存区域划分（1）
4．闪存 Flash memory 代表芯片为 28F010、29EE010、29EE020 等。存储容量大为 1 ~ 2Mb ( 128 ~ 256KB )，易于在线刷新，目前已基本取代 EPROM。 闪存容量大、易修改性是它的优点，其内部程序便于刷新，但也 是它的缺点，容易受到攻击，无法保证数据安全。 ROM 系统由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成。
10.03.2019 Ch4 内部存储器 43/52 10
4．2．5 内存区域划分（2）
4．系统保留区
E0000 ~ EFFFF 早期为内存盲区，后期为 ROM BIOS 扩展区。
5．系统 ROM BIOS 区 最高端 64KB 用于存放主板 BIOS，BIOS 主要功能如下：
⑴ 上电自检 POST ( Power On Self – Test )。电源开启后进行自诊

第四章内存及其与CPU连接

第四章内存及其与CPU连接

选中存储芯片，即进行片选；然后再从选中
旳芯片中根据地址码选择出相应旳存储单元，
以进行数据存取，这称为字选。
• 1、线选译码法
线选法就是用除了片内寻址外旳高位地址线直接（或经反 相器）接至各个存储芯片旳片选端，当某条地址线信息为“0” 时，就选中与之相应旳存储芯片。
2、全译码法
全译码法是用除了片内寻址外旳全部高位地址线作 为地址译码器旳输入，把经过译码器译码后旳输出作 为各芯片旳片选信号，将它们分别接到存储芯片旳片 选端，以实现对存储芯片旳选择。
芯片 RAM1
RAM芯片组地址范围
A15 A14 A13 A12 A11 A10
其可存储二进制位旳数量为2x×y。 • 3)控制信号：
CS*：片选信号 OE*：输出允许信号 ME*：写入允许信号
• 存储芯片内部由存储矩阵、地址译码电路和 读/写控制电路等构成。
• 1、存储矩阵
存储矩阵是存储单元旳集合，一种存储 单元能够存储一位或多位二进制数数据。所 以，能够把存储器芯片分为位片构造和字片 构造两种类型。
• 2、地址译码电路
• 译码器将地址锁存器输入旳地址码转换 成译码器输出线上相应旳有效电平，表达选 中了某一存储单元，并由驱动器提供驱动电 流去驱动相应旳读/写电路，完毕被选中单 元旳读/写操作。
• 译码驱动方式分为 一维地址译码和二维 地址译码两种。
• 3、读/写控制电路
控制逻辑接受CPU送来旳开启、读、写等命令， 经控制电路处理后，由控制逻辑产生一组时序信号来 控制存储器旳读出和写入操作。
缓存 主存 辅存 图1 微型计算机存储器旳三级构造
• 高速缓冲存储器（Cache）：主要由双极 型半导体存储器构成，速度快。为了弥 合主存和CPU旳速度上旳较大差别而设置。 存储正在执行旳程序和数据，速度与CPU 相匹配。有片内片外之分。

第四章 内存及其与CPU的连接

第四章 内存及其与CPU的连接
A0~A7 RAS CAS W E 2164 Din Dout Vcc GND
三、主存储器设计
1、芯片选择 、 2、存储器芯片的基本地址 、 3、 存储器芯片的容量扩充 、 4、存储器芯片与 、存储器芯片与CPU连接 连接
1、芯片选择 、
连接， ①SRAM与CPU连接，不需要外围电路， 与 连接 不需要外围电路， 连接简单，用于小型控制系统。 连接简单，用于小型控制系统。 常用于大型系统， ②DRAM常用于大型系统，因为需要刷 常用于大型系统 新电路，比如PC机的内存条 机的内存条。 新电路，比如 机的内存条。 通常用于存放固定的系统程序。 ③ROM通常用于存放固定的系统程序。 通常用于存放固定的系统程序
CS
片选信号 H L L
OE
输出允许信号 × L ×
WE
写允许信号 × H L
A0~A10
方式 未选中 读出 写入 I/O 引脚 高阻 DOUT DI N
I/O0~I/O I/O~I/O7 CS W E OE 6116 +5V GND
常用的SRAM还有 还有6232，6264、62256，适用于 常用的 还有 ， 、 ， 较小系统。 较小系统。
(3)可靠性 (3)可靠性
存储器的可靠性用MTBF来衡量。 来衡量。 存储器的可靠性用 来衡量 MTBF即Mean Time Between 即 Failures —— 平均故障间隔时间，MBTF 平均故障间隔时间， 越长，表示可靠性越高。 越长，表示可靠性越高。
二、典型芯片举例
1、SRAM芯片 、 芯片HM 6116(简称 简称6116）— 芯片 简称 ） — 静态随机存取存储器，11条地址线，8位 静态随机存取存储器， 条地址线 条地址线， 位 数据线， 条控制线 两条电源线， 条控制线， 数据线，3条控制线，两条电源线，单片存 储容量2K× 储容量 ×8 。

计算机基础实施第4章内存

计算机基础实施第4章内存

2、 杂牌内存引起的系统不稳定？ 故障现象： 才配置的机器为：PIII 733CPU， 升技SA6主板，七彩虹Geforce 2NV显卡，杂牌 128MB内存，星钻20G硬盘，声卡是集成的， 爱国者770FT显示器。机器硬件装好后，开始 安装Windows Me，可是磁盘扫描结束进行安 装程序时，机器就死机了，试了几次都是如此， 于是改装Windows 98 Windows 98，这次进了安装程序，安 装也算顺利，只是在拷系统文件时报错，但按 了“取消”就没事了。装完后进入Windows 98， 一打开程序就报“非法操作”，然后被告之 “系统内部出错，请重新安装系统”，任何程 序都无法运行，开机只能进入桌面。
化学镀金工艺金手指特写(金手指下面是平边)
目前金手指制作工艺有两种，一种是 电镀金，另一种是化学镀金。电镀金比 化学镀金金层更厚，能够提高抗磨损性 和防氧化性。
电镀金工艺金手指特写(金手指下面多出一个小引线)
（4）、SPD
SPD（Serial Presence Detect，串行存在 检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编 程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正 面的右侧，采用SOIC封装形式，容量为256字 节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多 重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工 作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、 列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂 前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际 性能写入到ROM芯片中。
在挑选内存芯片时最好优先原厂原字芯片，因 为这些产品都经过了晶圆厂最为严格的检测和 测试，因此品质最有保障。此外，目前很多模 组厂商为了产品形象统一，特别将内存芯片表 面的字迹印刷成自己的LOGO，给消费者选购 造成了一定的不便。其实，只要是知名模组厂 商的产品，用户都可以放心选购，但千万不要 贪图便宜而购买杂牌小厂产品。

第四章存储器管理

考点一内存管理概念一、单项选择题在下面关于存储功能的论述中正确的是（）A.即使在多道程序管理下用户也可以编制用物理地址直接访问内存的程序。

B.内存分配的基本任务是为每道程序分配内存空间，其追求的目的则是提高内存的利用率。

C.为提高内存保护的灵活性，内存保护通常由软件完成。

D.地址映射是指将程序物理地址转变为内存的逻辑地址二、综合应用题1.请列举出逻辑地址和物理地址的两个不同之处。

2.一个进程被换出内存，它就失去了使用CPU的机会。

除了换出内存这种情形，请列举出其它一种情形，进程虽然失去了使用CPU的机会，但它并没有被换出内存。

3.存储管理的主要研究内容是什么？4.什么是动态链接？用何种内存分配方法可以实现这种链接技术？5.某系统把任一程序都分成代码和数据两部分。

CPU知道什么时候要指令（如取指令周期），什么时候要数据（如取数据周期或存数据周期）。

所以，需要两种寄存器（基地址寄存器、界限寄存器），一组用于指令，一组用于数据。

用于指令的是只读的，以便于用户的共享。

请分析这种策略的优缺点。

6.什么是地址的重定位？有哪几种常用的地址重定位的方法？7.在现代计算机系统中，存储器是十分重要的资源，能否合理有效的使用存储器，在很大程度上反映了操作系统的性能，并直接影响到计算机系统作用的发挥。

请问：（1）主存利用率不高主要体现为哪几种形式？（2）可以通过哪些途径来提高主存利用率8.内存保护是否可以完全由软件来实现？为什么？考点二交换与覆盖一、单项选择题1.存储管理方案中，（）可采用覆盖技术。

A.单一连续存储管理B.可变分区存储管理C.段式存储管理D.段页式存储管理2.在存储系统管理中，采用覆盖技术与交换技术的目的是( )。

A.节省主存空间B.物理上扩充主存容量C.提高CPU利用率D.实现主存共存二、综合应用题1.在存储管理中，覆盖和对换技术所以解决的是什么问题？各有什么特点？2请写出你对交换过程和覆盖过程的认识，它们的主要区别有哪些？考点三连续分配管理方式一、单项选择题1.在可变式分区分配方案中，某一作业完成后，系统收回其主存空间并与相邻空闲区合并，为此需要修改空闲区表，造成空闲区域减1的情况是（）。

第四章 内存管理

操作系统原理
2022/12/21
1
第四章 内存管理
4.0 问题导入
在现代操作系统中同时有多个进程在运行，每 个进程的程序和数据都需要放在内存中，那么 程序员在编写程序时是否需要知道程序和数据 的存放位置呢？
如果不知道，那么多个进程同时在内存中运 行，每个进程应占用哪些空间呢，
如何保证各个进程占用的空间不冲突呢？ 内存空间如何进行分配和管理呢？
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第四章 内存管理
4.1 内存管理概述 4.2 内存管理的基础 4.3 连续内存分配存储方式 4.4 虚拟存储
2022/12/21
2
4.1 内存管理概述
4.1.1 存储结构
存储层次
➢ CPU寄存器
➢ 辅存：固定磁盘、可移动 介质
层次越高，访问速度越快，
价格也越高，存储容量也
最小
7
4.1 内存管理概述
4.1.3 操作系统在内存中的位置
图4-2 仅有RAM时操作系统与用户程序的内存分配
2022/12/21
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4.1 内存管理概述
4.1.3 操作系统在内存中的位置
图4-3 备有ROM时操作系统和用户程序之内存分配
2022/12/21
9
4.1 内存管理概述
4.1.3 操作系统在内存中的位置
多个小分区 适量中分区 少量大分区
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内存分配例子
分区号 大小(K) 起始地址(K) 状态
1
12
20
已分配
2
32
32
已分配
3
64
64
已分配
4
128
128
未分配
固定分区使用表

精品课件-微型计算机原理及应用(第二版)-第4章


第4章 存储系统
图4.2 6264全地址译码器
第4章 存储系统
图4.3 另一种译码电路
第4章 存储系统
2) 部分地址译码 部分地址译码就是只用部分地址线译码控制片选来决定 存储器地址。一种部分地址译码的连接电路原理图如图4.4 所示。
第4章 存储系统
图4.4 6264部分地址译码连接
第4章 存储系统
第4章 存储系统
2) 金属氧化物(MOS)RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存储器(SRAM)和 动态读写存储器(DRAM)。当前的微型计算机中均采用这种类 型的金属氧化物(MOS)RAM。 静态RAM的主要特点是，其存取时间为几到几百纳秒 (ns)，集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容 量为几十字节到几十兆字节。SRAM的功耗比双极型RAM低， 价格也比较便宜。
第4章 存储系统
CS1、CS2为两条片选信号引线。当两个片选信号同时有 效时，即 C=S01、CS2=1时，才能选中该芯片。不同类型的芯 片，其片选信号多少不一，但要选中芯片，只有使芯片上所有 片选信号同时有效才行。一台微型计算机的内存空间要比一块 芯片的容量大。在使用中，通过对高位地址信号和控制信号的 译码产生(或形成)片选信号，把芯片的存储容量放在设计者所 希望的内存空间上。简言之，就是利用片选信号将芯片放在所 需要的地址范围上。这一点，在下面的叙述中将会看到。
第4章 存储系统
2．存取时间 存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时 间。 当拿到一块存储器芯片的时候，可以从其手册上得到它的存 取时间。CPU在读写RAM时，它所提供给RAM芯片的读写时间 必须比RAM芯片所要求的存取时间长。如果不能满足这一点， 微型机则无法正常工作。 3．可靠性 微型计算机要正确地运行，必然要求存储器系统具有很 高的可靠性。内存的任何错误都足以使计算机无法工作。而 存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导 体存储器芯片的平均故障间隔时间(MTBF)大概为5×106～ 1×108 h左右。

计算机组成与维护第4章 内存

计算机维护与维修
第四章 内存
精选课件
第4章 内存
4.1 内存的基础知识 4.2 内存储器的性能指标 4.3 内存储器的分类 4.3 内存容量与识别
精选课件
4.1 内存的基础知识
什么是内存 内存的作用
精选课件
什么是内存?
内存广义的定义
用来存储程序和数据的部件。
内存狭义的定义
内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接 与之沟通，并对其存储数据的部件。存放当 前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它 的物理实质就是一组或多组具备数据输入输 出和数据存储功能的集成电路。
精选课件
第5章 内存
5.1 内存的基础知识 5.2 内存储器的性能指标 5.3 内存储器的分类 5.3 内存容量与识别
精选课件
早期内存条
早期IBM-PC机的主存储器都是固定安装在主板 上，由许多存储芯片组成的，见前面图4-1，容量为 256KB。
随着系统对内存容量越来越大，已无法在主板 有限的空间上排列更多的芯片了，因此采用ISA总线 扩展卡来解决，通常为384KB，将内存扩充到640KB。 ISA总线的数据线是16位，速度又相当慢。
精选课件
内存的主要技术指标
7、内存电压
内存正常工作所需要的电压值，SDRAM内存一般 工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3 伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右， 上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2 SDRAM内存的 工作电压一般在1.8V左右。
精选课件
内存选配指南
精选课件
图4-4 30线SIMM内存条电路图
精选课件
早期内存条 (续)
内存条插槽的一种叫做SIMM（Single In line Memory Module）即单列直插存储器模块，分为30 线（引脚）和72线两种标准。另一种叫做DIMM （Double In line Memory Module）即双列直插存 储器模块，为168线标准。
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第四章 内部存储器
6．内存的电压 早期的FPM内存和EDO内存均使用5V电压， SDRAM内存一般使用3.3V电压，现在使用的 DDR和Rambus内存都是2.5 V电压。
第四章 内部存储器
4.4.1 Cache
Cache（高速缓冲存储器），Cache速度与CPU相当， CPU直接访问Cache可从计算机整体提高速度，并具有 预测功能。 计算机中运行速度的由快到慢为：CPU——CPU内部 L1 Cache——CPU内部L2 Cache——主板上的Cache— —内存——硬盘中的Cache（光盘中的Cache）——硬 盘中的数据（光盘中的数据）。 容量分别为：L1 Cache：16KB----64KB，甚至达到 512KB；L2 Cache：128KB----512KB，甚至达到8M； 主板上Cache：512KB----1MB； 硬盘上：128KB----4MB； CDROM：64KB----256KB，甚至达到512KB。
第四章 内部存储器
4.6.1 细挑内存颗粒
在选购内存时必须仔细查对内存编号以 选择性能尽可能好的内存。 1、认准类型 2、芯片的品牌 3、芯片的品质 ⑴.小心次品 ⑵.警惕Remark
第四章 内部存储器
4.6.2 内存芯片编号
HY XX ⑴ ⑵ X ⑶ XX ⑷ XX ⑸ X ⑹ X ⑺ X ⑻ XX ⑼ X ⑽ XX ⑾
第四章 内部存储器
4.3
常见内存条类型
1、EDO内存 EDO（Extended Data Out RAM,，扩展数 据输出内存），可分为30pin和72pin （pin为线），用5V电压，数据宽度为 32Bit，奔腾以上数据宽度都是64Bit甚至 更高，所以EDO RAM在586主板上必须 成对使用。
第4章 内部存储器
第四章 内部存储器
本章要点
计算机内存的分类 常见内存条的类型 从软件角度看内存的划分形式 内存的选购及维护
第四章 内部存储器
计算机的存储器由两大部份组成内存和外存 计算机硬盘(或者是软盘和CD–ROM)就像是这 个文件柜，桌面就相当于电脑的内存，桌面越 大，可以摆放的文件数量就越多，使用者就不 必经常打开文件柜抽取或存放文件，这样他的 工作效率也就会提高。同理内存越大，计算机 的速度也越快。 内存的主要作用是用来临时存放数据，再与 CPU协调工作，从而提高整机性能。内存作为 个人计算机硬件的必要组成部分之一，其地位 越来越重要，内存的容量与性能已成为衡量计 算机整体性能的一个决定性因素。
第四章 内部存储器
SDRAM内存
第四章 内部存储器
3、DDR RAM内存 DDR RAM（Double Data Rage RAM，双倍速 率SDRAM），比SDRAM的速度高一倍，工作 电压在2.5V，特点是在时钟周期内的上升沿和 下降沿各传输一次数据，为184pin。 现在主场上以出现了DDRII，DDRII的工作电 压由DDR的2.5V下降到了1.8V , 184Pin升级为 232Pin ,内存总线为64位，现在的初期产品运行 频率在DDR400～DDR533之间，能达到3.24.3GB/秒的带宽
第四章 内部存储器
DDR RAM内存
第四章 内部存储器
三星金条 DDRII
ห้องสมุดไป่ตู้
第四章 内部存储器
4、RDRAM RDRAM（Rambus DRAM,存储器总线式 动态随机存取存储器），由Rambus公司 和Intel公司推出的一种内存规格，184pin， 使用2.5V电压，根据速度分600MHz、 700MHZ和800MHZ三种，可在单个时钟 内的上升沿和下降沿各传输数据 。
第四章 内部存储器
⑴.DRAM DRAM（Dynamic RAM）动态随机存取存储器， 主要应用在计算机中的主存储器，如内存条由 此构成。 特点：集成度高、结构简单、功耗低、生产成 本低。 ⑵. SRAM SRAM（Static RAM）静态随机存取存储器， 主要应用在计算机中的高速小容量存储器，如 Cache则是由此构成. 特点：结构复杂，造价高，速度快、生产成本 高。
第四章 内部存储器
4、内存颗粒空位 在内存条上你可能常看到这样的空位，这是因 为采用的封装模式预留了一片内存芯片为其它 采用这种封装模式的内存条使用。这块内存条 就是使用9片装PCB，预留ECC校验模块位置。 5、电阻 电阻也是采用贴片式设计，一般好的内存条电 阻的分布规划也很整齐合理。
第四章 内部存储器
6、电容 电容采用贴片式电容，因为内存条的体积较小， 不可能使用直立式电容，但这种贴片式电容性能 一点不差，它为提高内存条的稳定性起了很大作 用 注：PCB板上必不可少的电子元件就是电容和电阻 了，这是为了提高电气性能的需要。 7、内存固定卡缺口 内存插到主板上后，主板上的内存插槽会有两个 夹子牢固的扣住内存，这个缺口便是用于固定内 存用的。
第四章 内部存储器
4.5 从软件角度看内存
从软件角度看，内存可以分为常规内存、上位 内存等，形式具体如下：
1、常规内存 只有640K 又称低端内存、基本内存、自由内存，即 0—640KB 2、上位内存 UMA 指系统内存中第一个1M字节中保留的384K部分 又称上端内存、保留内存或适配器内存，即640K— 1024K。 3、扩展内存 XMS 是1MB以上的所有内存
第四章 内部存储器
4.1
内存的分类
内存是计算机系统中存放数据和指令的 半导体存储单元。按工作原理的不同， 内存可分为只读存储器ROM(Read only Memory)和随机存储器RAM(Random Access Memory)两种。由于RAM是其中 最主要的存储器，整个计算机系统的内 存容量主要由它的容量决定，所以人们 习惯将RAM直接称为内存。
第四章 内部存储器
2、金手指 这一根根黄色的接触点是内存与主板内存槽接 触的部分，数据就是靠它们来传输的，通常称 为金手指。金手指是铜质导线，使用时间长就 可能有氧化的现象，会影响内存的正常工作， 易发生无法开机的故障，所以可以隔一年左右 时间用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。 3、内存芯片 内存芯片又称内存颗粒，它是内存的灵魂所在， 内存的性能、速度、容量都是由内存芯片组成 的。
第四章 内部存储器
3、存取时间TAC： 存取数据时的时间，即存储器进行一次完整的 存取操作所需要的时间，单位为纳秒。 特点：时间越小，速度越快。 速度：相应在内存条上标有 -6、-7、-8、-10等 字样表地速度。 4、数据宽度 内存的数据宽度是指内存同时传输数据的位数， 以位（bit）为单位。内存的带宽指内存的数据 传输速率。
第四章 内部存储器
5．存取周期(TMC) 内存的速度用存取周期来表示。读入和写出是 存储器的两个基本操作，它指的是将信息在存 储器和寄存器之间进行读写。两次独立的存储 操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC， 单位为ns(纳秒)，这个时间越短，存取速度就 越快，也就标志着内存的性能越好。目前存储 器的存取周期一般为60 ns～100 ns
第四章 内部存储器
RDRAM内存
第四章 内部存储器
4.4 内存的技术指标与Cache
4.4.1 内存的技术指标
1、ECC校验： 在奇偶校验基础上开发的校验，奇偶校验指为 了防止内存中的数据传输中发生错误需要对字 节中的数据位进行的校验，可找出一位二进制 错误但不能更正。ECC可纠正一位二进制错误。 SDRAM 内存有双面和单面设计每一面有8颗或 9颗内存颗粒。 2、内存容量： 内存所存储数据的最大容量。
第四章 内部存储器
4.2
内存的物理结构
内存经过了EDO、SDRAM的发展，现在 已经进入DDR的时代。下面就以主流的 DDR内存来介绍内存的物理结构。
第四章 内部存储器
1、PCB板(复合树脂板) 内存条的PCB板多数都是绿色的。如今的电路 板设计都很精密，所以都采用了多层设计，例 如4层或6层等，所以PCB板实际上是分层的， 其内部也有金属的布线。理论上6层PCB板比4 层PCB板的电气性能要好，性能也较稳定，所 以名牌内存多采用6层PCB板制造。因为PCB板 制造严密，所以从肉眼上较难分辩PCB板是4 层或6层，只能借助一些印在PCB板上的符号 或标识来断定。
其中 ⑴：代表现代电子产品 ⑵：代表产品的芯片类型，57为SDRAM，5D为 DDR ⑶：代表电压，V为3.3V，U为2.5V，空白为5V ⑷：代表内存容量和刷新，64为64MB（4K刷 新）；65为64MB（8K刷新）；28为128MB（4K 刷新）；56为256MB（8K刷新）。
第四章 内部存储器
2、ROM
ROM（Read Only Memory）只读存储器，用来 永久存放程序和数据。 特点：只能从中读取信息而不能任意写入信息。 一般用于保存不可更改的数据，如BIOS。 可分为以下三种： ⑴.EPROM ：可擦可编程只读存储器，芯片上 有一个透明窗口。 ⑵.EEPROM：电可擦可编程只读存储器。 ⑶.闪速存储器Flash Memory：可以将BIOS存 储在其中，当需要时可以利用软件来自动升级 和修改BIOS，较为方便。
第四章 内部存储器
扩充内存 1M以上扩展内存
高端内存 64K 上们内存384K 常规内存640K
1088KB 1024KB 640KB
0KB
第四章 内部存储器
4.5 内存的选购
在电脑DIY的时代，内存已成为影响电脑系统 性能的一个主要原因。所以选购内存时首先要 考虑的是内存的种类和容量，这也是电脑性能 稳定的一个根本原因之一。 在目前，普通的消费者几乎没有理由不选择 DDR。内存的容量对系统性能的影响很大， 256MB内存的电脑明显比128MB内存的电脑快， 这应该是有目共睹的。内存容量可谓多多益善， 但价格也更高。 在确定要购买内存和种类和容量后，就可以试 着到电脑市场上进行选购了。
第四章 内部存储器
1、RAM
RAM （Random Access Memory）随机存取 存储器，用来暂时存放程序和数据。 特点：是存储的数据在掉电后会丢失。 系统动行时，首先将指令和数据从外部 存储器（外存）中调入内存，CPU再从 内存中读取指令和数据进行运算，并将 运算结果存入内存中。 分类：它可分为静态和动态两种。