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DDR3内存条测试治具专利结构，零磨损金线导电，不烧焊盘和IC过压力保护，导电胶寿命更长压力自适应，兼容不同厚度的颗粒限位框可更换，兼容不同大小的内存颗粒参数:产品型号:DDR3-GF6U63外壳材质:铝合金,电木导电体:金线导电胶(GCR)绝缘电阻:1000mΩ?Min,At DC500V耐电压:700AC/1Minute接触阻抗:<30mΩ机械寿命:100，000Times工作温度:From-40℃to+155℃特点:手动翻盖滚轴式结构，省力又方便，零磨损，专利号：ZL201220056976.7压块浮动结构，延长导电胶寿命，适用不同厚度的IC通用性高，只需换限位框，即可测试尺寸不同的颗粒（宽度≤13MM长度≤16MM）金手指镀金厚度是普通PCB的10倍（30μm），保证测试治具有更好的导通和耐磨性金线导电胶减短IC与PCB之间数据传输距离，测试更稳定，最高频率可达2000MHZ，且更换方便，成本更低全新设计更薄，不需转接槽可直接插到测试板上进行测试，频率衰减更低，减少误测.同探针类治具的比较:项次项目名称金线导电胶治具探针治具备注1治具价格低高导电胶治具价格大概是探针治具的20%~50%2导电性能高低3接触稳定性高低4测试频率高低5电流过载损坏程度极低高探针容易烧坏；导电胶几乎可以做到不烧治具，不烧IC；6维修操作容易难导电胶可整条更换，操作极其简单7维护成本低高导电胶成本远低于探针，且不会烧坏；导电胶治具维护人员技能要求低、人数配置少；与同类治具比较:项次项目名称斯纳达公司“A”备注1治具价格低高2治具磨损低高专利结构，除PCBA与导电胶2个耗材外，其他一律保修1年3导电胶过压保护有无浮动压块，压力自适应，导电胶寿命延长1倍以上4不同厚度芯片的兼容性好不好浮动压块，压力自适应，兼容不同厚度的颗粒测试5售后服务好一般本地支持，服务响应速度快。
DRAM的测试方法、装置、可读取存储介质与电子设备与流程概述DRAM全称为动态随机访问存储器（Dynamic Random Access Memory），是计算机领域中最常用的存储器之一。
在使用DRAM 时，需要对其进行测试以确保其稳定可靠。
本文将详细介绍 DRAM 的测试方法、装置以及可读取存储介质与电子设备与流程等内容。
DRAM的测试方法DRAM 的测试方法可分为漏失测试和功能测试两类。
漏失测试漏失测试是指测试 DRAM 的存储单元是否可以正确地存储和读取数据，主要是测试 DRAM 存储单元的“0”和“1”是否能够在规定时间内正常切换。
漏失测试通常采用以下两种方法：1. 光刻线方法光刻线方法是一种基于测试芯片的逆向工程技术。
其基本原理是利用微影技术在测试芯片上制作一些特定形状的导线，从而实现 DRAM 存储单元的漏失测试。
2. 固件探针方法固件探针方法是一种利用固件探针实现 DRAM 存储单元漏失测试的方法。
其基本原理是在 DRAM 存储单元上插入一个固件探针，通过探针读取 DRAM 存储单元中的电压信号，再根据信号判断存储单元是否可以正常存储和读取数据。
功能测试功能测试是指测试 DRAM 存储单元是否可以正确地执行其功能。
DRAM 功能测试通常需要测试以下方面：1. 先进先出（FIFO）FIFO 是一种先进先出的缓存。
测试FIFO的目的是检测它的缓冲处理特性是否符合规定要求。
2. 随即访问随机访问是指 DRAM 能够随时存储和读取数据。
测试 DRAM 的随机访问功能是为了检测其对读写访问数据的效率是否符合要求。
3. 列选列选是指 DRAM 能够按照列地址读写数据。
列选测试是为了检测 DRAM 的列地址识别是否正确。
4. 行选行选是指 DRAM 能够按照行地址读写数据。
行选测试是为了检测 DRAM 的行地址识别是否正确。
DRAM的测试装置DRAM 测试通常需要配备特定的测试装置。
常用的 DRAM 测试装置主要包括测试板、探针、测试设备等。
半导体行业中DRAM的制造与测试一、DRAM器件的基本介绍二、DRAM器件的晶圆制造流程三、DRAM器件的封装流程四、DRAM器件的电性测试与良品率五、DRAM器件晶圆制造的新工艺一、DRAM的基本介绍1.DRAM的基本介绍A.内存的种类谈起DRAM,我们就要先从memory谈起。
Memory -存储器或称内存，是我们在计算机或电子行业里面常用的一种存储载体。
以其构成方式和工作原理，存储器可分为以下几种,如图一所示。
图一：存储器种类RAM (Random Access Memory): 随机存储器,数据可以被迅速的读写并且内存单元可以被随机得访问道。
ROM (Read Only Memory): 只读存储器,一般用于存储不会频繁改动的数据,其中存储的信息,是在工厂里被永久性写入的。
DRAM (Dynamic Random Access Memory):动态随机存储器，数据被以充电的形式写入电容,但由于漏电的原因,存储的电荷会最终失去,所以存储器中的数据需要周期性地被更新，这也正是“动态”一词的来源。
一般来讲，一个最基本的存储单元由一,OS管和电容所组成，而典型的DRAM需要5〜50毫秒的数据更新周期。
SRAM (Static Random Access Memory): 静态随机存储器,数据被存储在两个耦合的逻辑反向器中。
与DRAM相比，SRAM中的数据不需要被周期性的更新，而这也导致其具有低功耗的特点；典型的SRAM存储单元由6个MOS管所组成，但这也导致在同等的器件面积上，它所存储的数据量比DRAM少。
PROM (Programmable Read Only Memory):可编程只读存储器Mask ROM (Mask Read Only Memory): 一种只读存储器，其中存储的信息是在晶圆的制造过程中,以掩模版的形式被复制在器件上。
EPROM (Electrical Programmable Read Only Memory):电可编程只读存储器。
