轻松识别DDR内存颗粒编号!

我们关注哪些厂商在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。

在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。

所有相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。

这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。

但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。

这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。

因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。

那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。

从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。

这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于2004年年底退出这一领域。

力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发上似乎并不上心，公司主页也非常简单。

随着内存技术的进步，现在DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。

以下为各大品牌的DDR内存的测评报告。

三星（SAMSUNG）三星电子DDR2内存芯片外观三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。

因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。

以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。

海力士（Hynix）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。

因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。

根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。

尔必达（ELPIDA）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。

因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。

根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。

教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。

该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。

其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。

比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。

2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。

轻松识别DDR内存颗粒编号！现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候，往往会选择性价比最高的内存，呵呵，DDR内存就是目前最好的选择了。

可是DDR到底是什么呀？（我倒～～～）DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为DDR。

由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。

DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。

但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。

（明白什么是DDR了吧！）既然我们现在已经知道了DDR为何物了，那么我们就开始选够吧。

可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生，为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者，我特地教给你们一手，如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存，不让JS的奸计得成！一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。

由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。

现代DDR内存：随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。

既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。

双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。

HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。

内存是电脑必不可少的部件，也是影响电脑性能的关键部件。

而对于内存颗粒，则是内存条上必不可少的一部分，同时也与内存的性能息息相关。

一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。

而正因为颗粒的重要性，颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。

因此，我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识，从而更好的选购内存。

一、内存颗粒巡礼1、内存颗粒介绍相对于市面上越来越多的内存品牌，内存颗粒的生产厂商要显得少了很多，目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。

这些内存颗粒厂商都具有相当实力，其中名列三甲的有三星、现代以及美光。

现代D43颗粒(Hynix D43)在很多玩家心目中，现代D43内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点，而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧。

如果我们将它细分的话，D43内存颗粒又根据生产批次的不同，在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。

其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好的。

三星UCCC内存颗粒三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为DDR时代的终结者，它在512MB时代的TCCD和TCC5颗粒，1GB时代的UCCC颗粒都是内存界的佼佼者。

UCCC颗粒早期专供服务器高端ECC内存使用，后来才逐渐进入民用领域。

前期的产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。

但三星为了重夺高频内存之王的宝座，在520周期以后生产的UCCC颗粒做了进一步制程优化，使得高频、海量、稳定三全齐美。

三星TCCC颗粒(SAMSUNG TCCC)除了上面提到的TCCD、TCC5、UCCC内存颗粒，三星还有一TCCC颗粒，TCCC也是一款非常优秀的内存颗粒，被用于三星原厂的“金条”中，它的价格要比TCCD便宜得多，而且兼容性也非常好，不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。

看ddr内存代数的方法
内存有三种分为ddr，ddr2，ddr3，那么怎么去区分这些内存呢?为此店铺为大家整理推荐了，希望大家喜欢。

怎么看ddr内存代数
识别DDR内存条具体有三种方法
方法一：看外观
由上图可以不难看出，它们之间有明显的特点，即断口。

它们的断口处是绝对不一样的。

并且，DDR的内存条所使用的内存颗粒是长方形，有引脚的;而DDR2与DDR3内存颗粒是贴片的，具体请查看度娘。

方法二：看频率
一般情况，内存条上面的标签除了有内存条的制造厂商，还会有内存条型号及频率和工作电压等信息。

比如一个内存条上的标签为：Kington KVR 1333D3N9/4G-SP 1.5V。

由此可以看出此内存条是：金士顿4G，频率是DDR3 1333HZ的。

所以，看内存上面贴的标签。

标签上有写，最简单的方法是看内存标签上面的频率。

DDR的内存是266,333,400的频率
DDR2的内存是533,667,800的频率
DDR3的内存是1066,1333,1600的频率
方法三：看内存条的工作电压
同方法二，看内存条上面的标签。

如上图，即可看出上图金士顿4G内存条的工作电压为1.5V。

所以，我可以告诉大家：DDR内存的工作电压是2.5v，DDR2的工作电压是1.8v，DDR3的工作内存电压是1.5v。

如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。

但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。

而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。

一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。

现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。

虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。

我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。

这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。

从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。

究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。

内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。

现在我们就详细列出内存编号的各项含义。

（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。

其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

一：samsung内存具体含义解释：例：samsungk4h280838b-tcb0主要含义：第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

内存的具体品牌和型号是什么令狐采学内存条是由一个PCB电路板上焊接上内存颗粒构成的，电路板只是连接电路的作用，真正内存的大小要看内存颗粒，一条内存条上的单颗粒容量都相同，内存条的容量等于颗粒容量*颗粒数。

通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。

虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H 代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

DDR内存识别部分主流显存颗粒识别MT——Micron 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。

LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

8M8——内存颗粒容量为8M。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

Infineon 亿恒也叫英飞凌Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。

目前，Infineon 在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。

它的编号简单，编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。

它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。

所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

对它颗粒编号的简单介绍：HYB－内存编号开头25－25是时间（周）D－D代表DDR颗粒，S代表SDR颗粒128－128代表单颗容量为128/8=16M32－32表示位宽32bit3.3－3.3代表颗粒速度这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。

32也就是单颗32位。

顺便说一下，这是DDR SGRAM 显存颗粒。

Samsung 韩国三星目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。

【菜鸟进阶】必读猛文---【教你识别显存颗粒编号】〔包括4870的DDR5显存〕【转贴】识至少要延伸到对显存的认识，这样你才能对一个显卡的性能做出较为准确的判断，这是我个人看过的推荐给大家。

显卡的性能是由GPU(核心)和显存共同决定的,GPU的好坏最关键,最受关注显存却往往被2版HD3850/GPU-Z截图,GDDR2显存频率低得可怜 ,严重影响HD3850性能发挥真是一个惨痛的教训那么详解这个问题先讲解一下有关显存性能的知识显的换算两者呈倒数关系,不过如今大多数显存都是GDDR3显存,它的等效频率是实际频率的2倍(GDDR4和频率都特指等效频率例如本人使用的七彩虹HD3850黄金版512M采用的是GDDR3 1.2NS显存其理论速度1/1.2=0.833GHz=833MHz(即GPU-Z上显示的)st等等)看到的显存频率都是它的实际频率,换算成等效频率要乘以2,如上图的换算,我们平时讲的显存是实际频率的4倍,目前采用GDDR5显存的显卡只有HD4870和HD4870X2颗显存位宽*显存数量...举两个例上图用数字标出GTX280的16颗显存,每颗显存(容量/位宽)64M/32bit,16颗共1G/512bit下载 (182.67 KB)2021-5-19 15:20,GTX260相对于GTX280取掉其中两颗显存,每颗显存64M/32bit,所以GTX260的显存位宽是512bit-32b 你也许有一个很"妙"的想法,把GTX260空焊的那2颗显存加上去,组成16颗32bit,共512bit,多加两颗显存本钱就换似显存的参数,但是决定显存位宽的却是GPU,因为显存位宽控制器是集成在GPU里面,NV已经将GTX260的核心屏蔽掌控在NV这个GPU制造商手里显存带宽=显存位宽*显存频率(MHz).显卡性能是显存带宽,这是"第二把手",而最后才是显存容量显存位宽就像河宽,宽度越大流量就越大,GPU交易量就水速越大流量就越大,GPU交易量就越大从上面两个形式图可以看出显存带宽犹如一条河,显存位宽是河的有一定提升,但远没有显存位宽的翻倍来得直爽,这就是大多数玩家极为看重位宽的原因,但是更大的位耗难于控制,象512bit的2900XT和GTX280的本钱和功耗那都是惊人的这一次ATI的RV770设计非常聪弥补带宽上缺乏,事实上只有256bit的HD4870的带宽已经超过了对手GTX260,一种新的显存技术极大的512bit,显存2200MHz,由此算出带宽=512bit*2.2GHz=1126.4Gb/s=(1126.4GB/s)/8=141GB 宽=256bit*2.2GHz=563.2Gb/s=(563.2GB/s)/8=70GB/s(注意:1MB=8Mbit,1GB=8Gb,1个大B等于8个小2M/8=256KB,所以我们下载速度也就200KB/s左右)显存带宽越大,GPU与显存瞬间数据交易量越大,GPU 频率 ,殊途同归都是"想方设法加大显存带宽",从而提升显卡性能,这是相当有效的理解了影响后再来看看显存的封装方式l Outline Package"即"薄型小尺寸封装",它在显存芯片的周围做出引脚,焊点和PCB板的接触面积较小对困难.而且TSOP封装的显存超过一定频率后,会产生较大的信号干扰和电磁干扰,目前已被淘汰有焊球的面阵引脚构造,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸,可以使显存在体积不变的情况下显存容好的散热性能和电性能------------ -显存颗粒编号文)------------三星显存GDDR3,U表示GDDR4,N表示GDDR2单颗容量:51或52表示512Mb=64M,55或56表示256Mb=32M(换算如数字小但容量大;55,56数字大但容量小)单颗位宽:32表示32位,16表示16位功耗等级:J表示高功耗:08表示0.8ns速度(中间想象成1个小数点).比拟特殊的有:1A表示1.0ns,1B表示0.95ns,7A表示0.77---------------------------------------------------奇梦达显存示1.8V,25表示2.5V类型:H表示GDDR3,T表示GDDR2单颗容量:512表示512Mb=64M,256表示256Mb=3位宽:32表示32位,16表示16位显存速度:10表示1.0ns,比拟特殊的-XP介于1.4ns-1.2ns注意:GDDR5显存不再强调ns,转而直接用MHz来标识---------------------------------------------------现代显存示GDDR3,5F表示GDDR4,5P表示GDDR2单颗容量:12或11表示512Mb=64M,57或56表示256Mb=32M,1G表表示32位,16表示16位显存速度:11表示1.1ns得学习的好文。

学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。

1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。

二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。

1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。

DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料 空白 表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70 L 大众商用型能 、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别 注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量 略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。