(完整版)电子技术基础期末复习资料(含答案解析),推荐文档

2015 学年第 1 学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）考试形式：闭卷一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。

）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。

2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR 越大，抑制零漂的能力越强。

3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。

4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。

5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。

6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。

7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。

8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。

9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。

10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。

《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。

《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。

❑导电能力介于导体和绝缘体之间。

❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。

❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。

◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。

◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。

当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。

2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。

◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。

❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。

◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。

❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。

❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。

◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。

◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。

一、填空题1、多极放大电路常用的耦合方式有三种： 耦合、 耦合和 耦合。

2、半导体中中存在两种载流子： 和 。

纯净的半导体称为 ，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为 。

杂质半导体分为两种： 半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是 。

当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 ，这是制造半导体器件的基础。

3、在本征半导体中加入5价元素可形成 半导体，加入3价元素可形成 半导体。

4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的 通路。

若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。

非线性失真分为 失真和 失真。

5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。

6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数 ；负反馈使放大倍数 ；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是 ，交流负反馈能够 改善放大电路的 。

7、电压负反馈使输出 保持稳定，因而 了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而 了输出电阻。

串联负反馈 了放大电路的输入电阻；并联负反馈则 了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态： 式、 式、 式和 式。

8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的 成分，同时，尽量保留其中的 成分。

滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。

电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于 电流。

在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低 成分。

9、直流稳压电源一般由变压器电路、 及 和稳压电路四部分组成。

10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是 放大器，Av2是 放大器，Av3是放大器。

11、集成运算放大器在状态和条件下，得出两个重要结论他们是：和( )12、基本门电路有门、门和门。

第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1．以下代码中为无权码的为。

A. 8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码2．以下代码中为恒权码的为。

A.8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。

A. １B. ２C. ４D. 164．十进制数25用8421BCD码表示为。

A.10 101B.0010 0101C.100101D.101015．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。

A.（256）B.（127）C.（FF）D.（255）1016 10 106．与十进制数（53.5）等值的数或代码为。

10 A.(0101 0011.0101) B.(35.8) C.(110101.1) D.(65.4)8 8421BCD1627．矩形脉冲信号的参数有。

A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期：数为)等值的7.与八进制数(438．8 B.(27.6) C.(27.011)3 ) D. (100111.11).A. (1001112162169. 常用的BCD码有。

码三 D.余421码格 B.雷码 C.8偶A.奇校验码10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。

A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题（正确打√，错误的打×）1. 方波的占空比为0.5。

（）2. 8421码1001比0001大。

（）3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。

（）4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。

（）5．八进制数（18）比十进制数（18）小。

（）108）（。

1为应值上位验校的码验校奇1248在，时5数制进十送传当．6．7．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。

（）8．占空比的公式为：q = t / T，则周期T越大占空比q越小。

（）w9．十进制数（9）比十六进制数（9）小。

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一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。

A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。

A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。

A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。

精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

2014级电气自动化技术专业《电子技术基础》复习资料一、填空题。

1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通, 若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。

2、晶体管从内部结构可分为NPN 型和PNP型。

3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为C＞VB＞VE，基极和发射极电位之差约等于0.7。

V4、在晶体管放大电路中，测得IC=3mA，IE=3.03mA，则IB=0.03，= 100 。

5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。

6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。

若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。

7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。

8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。

9、n个输出端的二进制编码器共有2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。

10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。

11、1位加法器分为半加器和全加器两种。

12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。

13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。

14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使净输入量减小的反馈，称为负反馈。

为了判别反馈极性，一般采用瞬时极性法。

16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V。

17、施加深度负反馈可使运放进入线性区，使运放开环或加正反馈可使运放进入非线性区。

18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时与非门。

19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用4位二进制代码。

11级电子技术基础期末复习资料一．概念填空：1．电路由电源负载中间环节三部分组成。

2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。

3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。

4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。

5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。

6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。

7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。

8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。

9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。

11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。

12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管的阴（或负）极。

13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

40. N型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

14．若三极管工作在放大区，其发射结必须正偏、集电结必须反偏；三极管最重要的特性是具有电流放大作用。

15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电感电流i l (0+)= i l (0-) 。

16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___截止状态_____。

38．3个输入的译码器，最多可译出__8____(2×2×2)____ 路的输出。

17.4个输入的译码器，最多可译出__16___（2×2×2×2）______ 路的输出。

18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和时序________逻辑电路两大类。

电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。

(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。

(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。

(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。

(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。

(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90 V，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（）。

7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大，则正向转折电压（）。

(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~ 的模拟电压。

若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。

(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示，已知U CC＝12V，RC＝3k，β＝40且忽略U BE,若要使静态时U C E＝9V，则R B应取（）。