下载文档原格式
第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 带通，带阻3.4.13不变、增加、减少；3.4.14电阻性，电容性； 3.4.15 LC π21，阻抗，电流；3.4.16 1rad/s ，4；3.4.17 Ω10；3.4.18 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.19 P L 3U U =，P L I I =，超前。
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
第7章 场效应管及其基本放大电路·174·图4.3 习题4.6电路图解： (a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大（d ）不能放大，共漏1<uA ，可增加R d ，并改为共源放大 4.7 电路如图4.4所示，MOSFET 的U th = 2V ，K n = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。
解：)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =−=⨯−=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯−=−=R I V U4.8 试求图4.5所示每个电路的U DSQ ，已知|I DSS | = 8mA 。
第7章 场效应管及其基本放大电路 ·177·(d) U DSQ =12－2.25×3=5.25(V)>U GSQ －U th =1V ∴处于恒流区4.12 电路如图4.9所示，已知场效应管VT 1的K n = 0.16mA/V 2、U th = 3.5V ；VT 2的I DSS= －2mA 、U P = 2V 。
试分析这二个电路中的场效应管各工作在截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。
VT 1R g1.2M ΩR d3k Ω10V2VVT 2R g 1.2M ΩR d3k Ω10V(a)(b)图4.9 习题4.12图解：(a) U GSQ =2V<U th ，截止(b) U GSQ =0V 假设处于恒流区，则I DQ =I DSS =－2mA → U DSQ =－10+2×3=－4(V)<U GSQ －U P =－2V ∴处于恒流区4.13 图4.10所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。
跨导为m 1ms g =。
参考答案（第1套）一、1．电流、正向、反向；电压。
2．线性、非线性。
3．共基、共射、共集。
4．差模、共模、ocodA A 。
5．低通、200、200。
6．乙类、0、LCC R V22、0.2。
二、2．放大状态。
4．电压－串联、增大、宽。
三、1．V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2．115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为：电压－串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。
更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、 1．R R TH U U R R U 3221-=-=；＝，＝时，当；＝，＝－时，当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式，反相端输入为U I ，同相端输入I IU U ~0='。
I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2．电路由四个部分构成：（1）由R 1、R 2和R W 构成的取样电路；（2）由运放构成负反馈误差放大器；（3）由R 和D W 构成基准电压电路；（4）由T1和T2复合管构成调整管。
3．V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案（第2套）一、1． 反向击穿；2． 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3． 零点漂移；4． （串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5． 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6． （1）0.5； （2）5； （3）20； 二、1．W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2．W P P o T 8.12.0max max == 三、1．10=umA 2．)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3．输出电压会失真。
习 题 44.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。
-1012u GS / V-3i D / mA-4-2u GS / V -i D / mA0123-3-1u GS / V i D / mA0-2(a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解： (a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ；(b) P 沟道 增强型FET U th =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。
4.2 图4.2所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（增强型、耗尽型、N 沟道或P 沟道），说明它的夹断电压p U （或开启电压th U ）为多少。
0510150.51.01.5-u DS / V -i D / mA-1V -2V-3V (a)u GS =-4V510150123u DS / V i D / mA-1V 0V 1V (b)u GS = 2V4图4.2 习题4.2图解： (a) 增强型MOSFET ，P 沟道 U th = －1V ；(b) 耗尽型 N 沟道FET U P =－1V4.3 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。
(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？ (2) 计算U GS = －3V 时的I D ； (3) 计算U GS = 3V 时的I D 。
解：(1) N 沟道；(2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 4.4 画出下列FET 的转移特性曲线。
(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ； (2) U th = 8V ，K n = 0.2mA/V 2的MOSFET 。
解：(1) i D /mAu GS /Vo－63(2) i D /mAu GS /Vo8123.24.5 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET 的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
解：i Du GSo－－－N －－－－－N －－U PU TU PU T－－－N －－－－－P －－4.6 判断图4.3所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
电容对交流信号可视为短路。
图4.3 习题4.6电路图解： (a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大（d ）不能放大，共漏1<uA ，可增加R d ，并改为共源放大 4.7 电路如图4.4所示，MOSFET 的U th = 2V ，K n = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。
解：)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =-=⨯-= )V (2.112.09.6324d D Q D D D SQ =⨯-=-=R I V U4.8 试求图4.5所示每个电路的U DSQ ，已知|I DSS | = 8mA 。
R g1VT+V DD 24VR g2100k Ω15k ΩR d 200ΩVT+V DD 12VR g10M ΩR d1.0k ΩVT+V DD -9VR g10M ΩR d560Ω(a)(b)图4.4 习题4.7电路图 图4.5 习题4.8电路图解：(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 12－8×1=4(V) (b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA)U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×0.56=－4.52(V)4.9 电路如图4.6所示，已知VT 在U GS = 5V 时的I D = 2.25mA ，在U GS = 3V 时的I D = 0.25mA 。
现要求该电路中FET 的V DQ = 2.4V 、I DQ = 0.64mA ，试求：(1) 管子的K n 和U th 的值； (2) R d 和R S 的值应各取多大？ 解：（1）I D =K n (U GS -U th )22.25= K n (5-U Th )2 0.25= K n (3-U th )2 → U th1=3.5(V) (不合理，舍去)，U th2=2(V) 求得：K n =0.25mA/V 2，U th =2V（2）V DQ =V DD -I DQ ·R d 2.4=12－0.64R d →R d =15k Ω2G SQ )2(25.064.0-=U →U GSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) U GSQ2=3.6(V)U GSQ =10－0.64·R s ∴R s =10k Ω4.10 电路如图4.7所示，已知FET 的U th = 3V 、K n = 0.1mA/V 2。
现要求该电路中FET 的I DQ = 1.6mA ，试求R d 的值应为多大？VT+V DD 12V R SR d-V SS -10VVT+V DD 15VR g R d1.2M Ω图4.6 习题4.9图 图4.7 习题4.10图解：1.6=0.1(U GSQ －3)2∴U GSQ1=7(V) U GSQ2=－1(V)(不合理，舍去)U DSQ =U GSQ =7(V) U DSQ =15－1.6×R d ∴R d =5k Ω4.11 电路如图4.8所示，已知场效应管VT 的U th = 2V ，U (BR)DS = 16V 、U (BR)GS = 30V ，当U GS = 4V 、U DS = 5V 时的I D = 9mA 。
请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)？VTR g R S 1.2M Ω2k ΩR d 5k Ω15VVTR g 1.2M ΩR d 5k Ω20V1VVTR g 1.2M ΩR d 5k Ω12V3V VTR g 1.2M ΩR d 3k Ω12V3V(a)(b)(c)(d)图4.8 习题4.11图解：(a) 截止(b) U DSQ =20V>U (BR)DS ，击穿(c) I D =K n (U GS -U th )2 9= K n (4－2)2 ∴K n =2.25mA/V 2 U GSQ =3V I DQ =2.25(3－2)2 ∴I DQ =2.25mA → U DSQ =12－2.25×5=0.75(V)<U GSQ －U th =1V ∴处于可变电阻区(d) U DSQ =12－2.25×3=5.25(V)>U GSQ －U th =1V ∴处于恒流区4.12 电路如图4.9所示，已知场效应管VT 1的K n = 0.16mA/V 2、U th = 3.5V ；VT 2的I DSS= －2mA 、U P = 2V 。
试分析这二个电路中的场效应管各工作在截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。
VT 1R g1.2M ΩR d3k Ω10V2VVT 2R g1.2M ΩR d3k Ω10V(a)(b)图4.9 习题4.12图解：(a) U GSQ =2V<U th ，截止(b) U GSQ =0V 假设处于恒流区，则I DQ =I DSS =－2mA → U DSQ =－10+2×3=－4(V)<U GSQ －U P =－2V∴处于恒流区4.13 图4.10所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。
跨导为m 1ms g =。
（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数u A ∙和源电压放大倍数us A ∙；（3）求输入电阻i R 和输出电阻o R 。
图4.10 习题4.13电路图解：R sR g3R g2R g1R 1R d R iR osU iU gsU gsm U g +－+－oU+－(2) R i =R g3+R g2//R g1=2+0.3//0.1=2.075(M Ω)R o =R d =10k Ω(3) 3.321110111m d -=⨯+⨯-=+-==R g R g U U A m i o u 3.33.3001.0075.2075.2-≈⨯+-=+=u s i i usA R R R A 4.14 电路如图4.11所示，已知FET 在Q 点处的跨导g m = 2mS ，λ=0，试求该电路的uA 、R i 、R o 的值。
u iC 1C 2R g1VTu o+V DD 20VR g2R S 2M Ω0.5M Ω3k ΩR L 10k Ω图4.11 习题4.14电路图解：R g2R g1R sR iR oiU gsU gsm U g +－+－oU +－R LR i =R g2//R g1=2//0.5=0.4(M Ω) R o =R s //mg 1=3//21=429(Ω)822.010//32110//32//1//L s L s =⨯+⨯=+=R R g R R g A m m u4.15 电路如图4.12所示，场效应管的m 11.3ms g =，ds r 忽略不计。
试求共漏放大电路的源电压增益us A ∙、输入电阻i R 和输出电阻o R 。
图4.12 习题4.15电路图解：R sR g2R g1R R iR osU iU gsU gsm U g +－+－oU+－R i =R g2//R g1=240//240=120(k Ω) R o =R //mg 1=0.75//3.111=79.2Ω894.075.03.11175.03.111=⨯+⨯=+=R g R g A m m u866.0894.04120120=⨯+=+=us i iusA R R R A 4.16 放大电路如图4.13所示，已知场效应管的DSS 1.6mA I =，p U = -4V ，ds r 忽略不计，若要求场效应管静态时的GSQ 1V U =-，各电容均足够大。
试求：（1）g1R 的阻值；（2）u A ∙、i R 及o R 的值。
图4.13 习题4.16电路图解：mA 9.0)411(6.1)1(22PGSQ DSS DQ =-⨯=-=U U I I1DQ DD g2g1g2GSQ R I V R R R U -+=∴R g1=1.2(M Ω)ms 6.049.06.122PDQDSS m =-⨯-=-=U I I gR sR g3R g2R g1R L R dR iR osU iU gsU gsm U g +－+－oU +－R i =R g3+R g2//R g1=2+0.05//1.2=2.048(M Ω)R o =R d =10k Ω0.310//106.0//Ld m -=⨯-=-=R R g A u 4.17 图4.14(a)所示电路中的场效应管的转移特性为图4.14(b)所示，试求解该电路的GS U 、D I 和DS U 。
