电子线路(非线性部分)习题完全答案(谢嘉奎第四版)

电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的容。

一、选择填空题1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。

2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。

3、N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。

4、P型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。

5、PN结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。

除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。

6、PN结的伏安特性方程式：正偏时：反偏时：其中：热电压倍。

7、硅PN结：VD（on）=0.7V锗PN结：VD（on）=0.3V8、PN结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。

9、PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。

10、三极管部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积大。

11、三极管的工作状态及其外部工作条件：放大模式：发射结正偏，集电结反偏；饱和形式：发射结正偏，集电结正偏；≈26mV（室温）；温度每升高10℃，Is约增加一截止模式：发射结反偏，集电结反偏。

12、三极管工作在放大模式下：对NPN管各极电位间要求：Ve<Vb<Vc对PNP管各极电位间要求：Ve>Vb>Vc解：电压值都为正，可判断为NPN管；假设三极管工作在放大状态，根据电位间要求：Ve<Vb<Vc，可判断U1=10V 为C极电压，U2-U3=0.7V，可判断U2=3V为B极电压；U3=2.3V为E极电压；且UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管，且工作在放大状态，假设成立。

13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ14、公式：15、三极管的三种组态：16、混合Π型小号电路模型：vB Er b ei BQiEvB EiBiEQ26(1)re(1)ICQrce三极管输出电阻，数值较大。

1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？解：否。

还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。

1-3 一功率放大器要求输出功率P。

= 1000 W，当集电极效率ηC由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？解：当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1 -P o=1500 W当ηC2 = 70%时，P D2 = P o/ηC =1428.57 W，P C2 = P D2-P o = 428.57 W可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q 点在负载线中点，充分激励。

解：(1) R L = 10 Ω时，作负载线(由V CE = V CC- I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 =220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW 26421cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，ηC = P L / P D = 24%(2) 当 R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 15621cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，ηC =P L / P D = 12%(3) 当 R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 =4.6mA ， I bm = 2.4mA相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。

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第一章1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？解：否。

还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。

1-3 一功率放大器要求输出功率P 。

= 1000 W ，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？解：当ηC1 = 40% 时，P D1 = P o /ηC = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W当ηC2 = 70% 时，P D2 = P o /ηC =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、ηC （运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q 点在负载线中点，充分激励。

解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW 26421cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 =1.1 W ，ηC = P L / P D = 24%(2) 当 R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA所以 mW 15621cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，ηC = P L / P D = 12%(3) 当 R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)，由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。

⾮线性电⼦线路（谢嘉奎第四版）第2章参考习题
1、已知某⾼频功率放⼤器原⼯作在临界状态，当改变负载电阻的⼤⼩时，管⼦发热严重，说明功放管进⼊了( )。

A）⽋压状态 B）过压状态 C）仍在临界状态
2、并联谐振回路外加信号频率等于回路谐振频率时回路呈（）
A）感性 B）容性
C）阻性 D）容性或感性
3、谐振功率放⼤器输⼊激励为余弦波，放⼤器⼯作在临界状态时，集电极电流为（）
A．余弦波 B．尖顶余弦脉冲波 C．有凹陷余弦脉冲波4、为了有效地实现集电极调幅，调制器必须⼯作在哪种⼯作状态（）A．临界 B．⽋压 C．过压
5、某⾼频功率放⼤器原来⼯作在临界状态，测得Ucm=22v，Ico=100mA，RP=100Ω，Ec=24v，当放⼤器的负载阻抗RP变⼩时，则放⼤器的⼯作状态过渡到状态，回路两端电压Ucm将，若负载阻抗增加时，则⼯作状态由临界过渡到状态，回路两端电压Ucm将。

6、为了有效地实现基极调幅，调制器必须⼯作在状态，
为了有效地实现集电极调幅，调制器必须⼯作在状态。

7、丙类谐振功率放⼤器根据集电极电流波形的不同，可分为三种⼯作状态，分别为状态、状态、状态；欲使功率放⼤器⾼效率地输出最⼤功率，应使放⼤器⼯作在状态。

8、在谐振功率放⼤电路中，若U BB、U bm及U cm不变，⽽当U CC改变时I c1
有明显的变化，问放⼤器此时⼯作在何种状态？为什么？
9、谐振功率放⼤器的输⼊激励信号为余弦波时，为什么集电极电
流为余弦脉冲波形？但放⼤器为什么⼜能输出不失真的余弦波电压？。