清华大学831半导体物理 、器件及集成电路考研参考书目、考研真题、复试分数线
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831半导体物理考试大纲
对于半导体物理考试大纲,我们需要从多个角度来进行分析和
回答。
首先,我们可以从课程内容和重点知识点入手,其次可以探
讨考试形式和题型,最后可以谈论备考方法和建议。
从课程内容和重点知识点来看,半导体物理考试大纲通常涵盖
以下内容,半导体的基本概念、晶体结构与晶格常数、载流子的统
计物理、半导体的能带结构、半导体的导电性质、PN结与二极管、
场效应晶体管、光电子器件等。
学生需要掌握半导体物理的基本理
论知识,包括晶体结构、能带理论、载流子的行为以及半导体器件
的工作原理等内容。
在考试形式和题型方面,半导体物理考试大纲可能涵盖选择题、填空题、计算题和简答题等多种题型。
选择题考察学生对知识点的
掌握程度,填空题和计算题考察学生对公式和理论的运用能力,而
简答题则考察学生对概念的理解和分析能力。
针对备考方法和建议,学生可以通过系统地复习课本内容、做
大量的习题和模拟试卷来巩固知识,同时也可以结合实际应用场景,加深对知识的理解。
此外,建议学生多与老师和同学讨论,多加强
实验操作,以便更好地理解和掌握半导体物理的知识。
总的来说,半导体物理考试大纲涵盖了广泛的知识点和题型,
学生需要通过系统的复习和实践来全面准备,以取得理想的成绩。
希望以上回答能够帮助你对半导体物理考试大纲有一个全面的了解。
清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题经验参考书清华大学832半导体器件与电子电路考试科目,2020年初试考试时间为12月22日下午14:00-17:00进行笔试,清华大学自主命题,考试时间3小时。
一、适用院系及专业清华大学026微电子与纳电子学系085400电子信息专业学位二、考研参考书目清华大学832半导体器件与电子电路2019年没有官方指定的考研参考书目,盛世清北根据专业老师指导及历年考生学员用书,推荐使用如下参考书目:《电子线路基础》高教出版社,1997 高文焕,刘润生《数字电子技术基础》高等教育出版社,第4版阎石《半导体物理与器件》(第三版)电子工业出版社,ISBN: 7-121-00863-7 (美) Donald A. Neamen著; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译盛世清北建议:参考书的阅读方法目录法:先通读各本参考书的目录,对于知识体系有着初步了解,了解书的内在逻辑结构,然后再去深入研读书的内容。
体系法:为自己所学的知识建立起框架,否则知识内容浩繁,容易遗忘,最好能够闭上眼睛的时候,眼前出现完整的知识体系。
问题法:将自己所学的知识总结成问题写出来,每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。
尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。
三、考研历年真题2018年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题(回忆版)今年的题整体来看与往年风格略不同半器四道题证明费米能级给半导体掺杂浓度算内建电场,画载流子分布画n+n结的能带图计算接触电势老生常谈的mos管电流计算数电4道题给真值表化简并画电路图3-8译码+数据选择器的真值表求一个组合逻辑的表达式并画状态转换图最要吐槽的就是这个!流水线给延时求周期模电也与往年风格略不同3道题分别是电流镜、集成运放以及波特图。
2010年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题(回忆版)选择天空全是半导体与电子器件的概念大题:1、算二极管参数2、算MOS阈值电压3、MOS放大2级算静态工作电流电压增益米勒电容去零点电阻4、负反馈5、集成预防搭电路6、二进制数反补原+ 运算7、卡诺图8、2个电阻2个非门组合问工作原理电压传输曲线正负阈值电压9、D触发器时序图10、画COMS 异或门盛世清北建议:认真分析历年试题,做好总结,对于考生明确复习方向,确定复习范围和重点,做好应试准备都具有十分重要的作用。
北京大学830半导体物理考研参考书、历年真题、复试分数线一、课程介绍本书针对半导体材料与器件的发展趋势,有必要向读者介绍新型半导体材料相关的知识和基本工作原理,以介绍基本物理概念为主,尽量避免复杂的数学推导和过分细致的器件细节,并尽可能多地利用量子力学知识分析、解释半导体材料和器件涉及的物理原理。
本书内容较广,适合于本科生、研究生以及相关研究人员参考。
近年来,半导体科学技术在许多方面都有了深入的发展,并逐渐形成了若干分支。
虽然各分支之间有共同的半导体物理基础,但是各自的侧重点和具体要求很不相同。
本书主要讲述与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。
第1章、第2章介绍半导体的一般原理,但内容着重于硅平面器件,对一些微观理论只作浅显的介绍。
在第3章、第4章中对pn结和半导体表面的物理原理以较大篇幅进行了具体而深入的分析。
第5章尽量结合半导体实际,介绍有关晶体和缺陷的基础知识。
二、北京大学830半导体物理考研复试分数线根据教育部有关制订分数线的要求,我校按照统考生、联考生等不同类型分别确定复试基本分数线。
考生能否进入复试以各院系所规定的各项单科成绩和总成绩确定的复试名单为准。
我校将按照德、智、体全面衡量,择优录取,保证质量,宁缺毋滥的精神和公开、公正、公平的原则进行复试与录取工作。
一、复试基本分数线:(1)、统考:考试科目学科门类政治外语数学专业课总分备注哲学(01)50509090360经济学(02)55559090370法学(03)50509090345教育学(04)5050180360文学(05)505090345北大-新加坡国立大学汉语言文字学双硕士班为340。
历史学(06)5050180345理学(07)50509090320工学(08)50509090320管理学(12)50509090350艺术学(13)505090350(2)、联考:考试科目专业学位政治外语数学专业或综合课总分备注应用统计02520050509090340金融硕士02510050509090340税务硕士02530050509090340保险硕士02550050509090340法律(法学、非法学)505090360深圳研究生院总分为340。
清华考研辅导班-清华大学集成电路工程考研参考书目专业介绍集成电路工程是包括集成电路设计、制造、测试、封装、材料、微细加工设备以及集成电路在网络通信、数字家电、信息安全等方面应用的工程技术领域。
该领域工程硕士学位授权单位培养集成电路设计与应用高级工程技术人才和集成电路制造、测试、封装、材料与设备的高级工程技术人才。
研修的主要课程有:政治理论课、外语课、高等工程数学、半导体器件物理、固体电子学、电子信息材料与技术、电路优化设计、数字信息处理、数字通讯、系统通信网络理论基础、数字集成电路、模拟集成电路、集成电路CAD、微处理器结构及设计、集成电路测试方法学、微电子封装技术、微机电系统(MEMS)、VLSI数字信号处理、集成电路与片上系统(SoC)、集成电路制造工艺及设备、现代管理学基础等。
集成电路的发明和应用,是人类二十世纪最重要的科技进步之一。
集成电路是现代信息社会的基础,是当代电子系统的核心。
它对经济建设、社会发展和国家安全具有至关重要的战略地位和不可替代的核心关键作用,其重要性和产业规模仍在迅速提高。
集成电路工程目前已经成为渗透多个学科的、战略性与高技术产业相结合的综合性的工程领域。
集成电路工程领域是集成电路设计、制造、测试、封装、材料、设备以及集成电路在网络通信、数字家电、信息安全等方面应用的工程技术领域。
集成电路工程技术包含了当今电子技术、计算机技术、材料技术和精密加工等技术的最新发展。
集成电路高密度、小尺度、高性能的特点,使得集成电路工程技术成为当今最具有渗透性和综合性的工程技术领域之一。
集成电路的应用范围涉及网络通信、计算系统、信息家电、汽车电子、控制仪表、生物电子等众多方面。
设计并制造集成电路作为应用产品的核心,是现代电子系统面向用户、面向产品、面向应用赢得竞争力的要求,同时也是传统产业升级和改造的关键。
集成电路应用相关的工程领域包括电子科学与技术、电子与通信工程领域、信息与通信工程、计算机科学与技术、控制科学与工程、仪器科学与技术、核科学与技术、电气工程、汽车工程、光学工程、生物医学工程、兵器工程、航天工程等。
2011年清华大学研究生入学考试半导体物理、器件及集成电路试题150分,180分钟(请将答案写在答题纸上)一、 图示比较BJT 和MOSFET 饱和区,解释其产生物理机制二、 (15分)列举MOSFET 由于尺寸缩小引起的四种非理想效应,简要说明其产生的物理机制及对晶体管电学特性的影响三、 (10分)考虑一个npn 硅双极性晶体管,T=300K ,参数如下:3-18E cm 10N =,3-16B cm 10N =,s /cm 10D 2E =,s /cm 25D 2B =, s 107-0E 0B ==ττ,m μ1x E =,m μ7.0x B =。
已知复合系数为1,求共基极电流增益α、共发射极电流增益β。
四、 (15分)n+多晶硅P 型MOSFET ,空穴浓度3-16A cm 103N ⨯=,氧化层电荷2-1101=Qss'cm ,氧化层厚度为m μ05.0tox =,相对介电常数为,9.3ox =κ7.11s =κ,cm /F 1085.814-0⨯=κ,室温下310i /105.1cm n ⨯= ,V 0259.0qT k V 0t ==。
求以下三种情况的阈值电压:(a )V 0V BS =;(b )V 2V BS =;(c )V 2-V BS =五、(15分)均匀的n 型Si 样品,在左半部用稳定的光照均匀产生电子空穴对,产生率为g0,若样品足够长,求稳态时样品两边的空穴浓度分布。
(已知p0、p0τ、Lp)六、(15分)n+多晶硅P 型mos 系统,空穴浓度3-16A cm 103N ⨯=,氧化层电荷2-1101=Qss'cm ,相对介电常数为,9.3ox =κ7.11s =κ,cm /F 1085.814-0⨯=κ,室温下310i /105.1cm n ⨯= ,V 0259.0qT k V 0t ==。
若测得阈值电压为V 65.0V t0=,求氧化层厚度tox七、有一种硅材料形成的n +n 结,n +区掺杂浓度为5*1018 cm -3,n 区掺杂浓度为5*1014 cm -3。
清华考研复试班-清华大学集成电路工程考研复试经验分享初试排名靠前并不等于录取,压线也并不等于没戏。
考研复试,其实就是综合素质的竞争,包含学校,本科成绩,复试外语,个人自述,科研经历,论文,笔试,面试。
考研复试是初试过线学生关注的重中之重,因为复试决定着考研的成败,无论是初试中的佼佼者,还是压线者,大一或盲目自大,就意味着自我放弃改变命运的机会;相反,把握好复试机会,就能通过复试翻盘逆袭,成功实现自己人生目标。
但是,考研复试备考时间短,缺少学长导师及内部信息,个人自述及笔试面试无从下手,加上各校面试没有显性的统一标准,以及复试淘汰率较低,一般再1:1.2左右(具体还需根据学校及专业情况查证),造成复试难的局面。
面对这一情况,启道考研复试班根据历年辅导经验,编辑整理以下关于考研复试相关内容,希望能对广大复试学子有所帮助,提前预祝大家复试金榜题名!专业介绍集成电路是二十世纪的人类最重要科技发明之一,它的发明标志着人类进入信息时代。
集成电路被广泛运用于国家经济建设、社会发展和国防安全的方方面面,起到了不可替代的核心作用。
集成电路工程是研究生层次招生专业,属于电子科学与技术、仪器科学与技术、电气工程、控制科学与工程、信息与通信工程等一级学科交叉领域。
本专业是信息科学的重要组成部分,其主要理论和方法已广泛应用于信息科学的各个领域。
全国共有所开设了集成电路工程专业的大学参与了排名,其中排名第一的是华中科技大学,排名第二的是天津大学,排名第三的是大连理工大学招生人数与考试科目清华大学集成电路工程属于微电子与纳电子学系,区分2个研究方向(01(全日制)集成电路工程、02(全日制) 成电路技术与管理),2019年计划招生37人,其考试科目为:01(全日制)集成电路工程①101 思想政治理论②201 英语一③301 数学一④828 信号与系统或831半导体物理、器件及成电路或832半导体器件与电子电路深圳研究生,复试时专业综合考试内容:成电路与系统。
清华大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:普通物理 科目代码:836 考试时间: 月 日(注:特别提醒所有答案一律写在答题纸上,直接写在试题或草稿纸上的无效!) ———————————————————————————————一、选择题(将下列每小题中的正确答案选出,并将其号码填写在括号内)1、质点M 作曲线运动,共速度和加速度如图所示,试指出哪几个是正确的( )2、如图所示,光滑球B 置于斜柱体A 的斜面上,在棒作用下球B 处于静止状态,则~对~的作用力为( )A 、θsin g mB B 、θcos g m BC 、θsin g m BD 、θcos g m B 3、把一单摆拉开一小角度0>ϕ,然后放开,任其自由振动并从此计时,则其振动的初位相是( )A 、πB 、ϕC 、0D 、ϕ-4、一质量为m 的物体以初速度0v ,抛射角 30=θ从地面斜上抛出,若不计空气阻力,当物体落地时,其动量增量的大小和方向为:( )A 、增量为零B 、增量的大小为0mv ,方向竖直向上C 、增量大小为0mv ,方向竖直向下D 、增量大小为03mv ,方向水平 5、在做自由落体运动的升降机内,某人竖直上抛一弹性球,此人会观察到:( )A 、 球匀速地上升,与顶板碰撞后匀速下落B 、 球匀加速地上升,与顶板碰撞后停留在那里C 、 球匀减速地上升,达到最大高度后加速下落D 、 球匀关速地上升,达到最大高度后停留在那里6、质量为M 的平板小船以0v 的速率向右运动,若水的阻力可以忽略,船上原来静止、质量为m 的人,现以相对船的速率u 向左跑,则在左端人跳离船前船的速率为:( )A 、M mu v m M -+0)(B 、m M mu v m M +++0)(C 、m mu v m M -+0)(D 、mM mu v m M --+0)( 7、质量为m 的宇宙飞船返回地球时,将发动机关闭,可以认为它仅在地球引力作用下运动,当它从地球中心距离为1R 下降至2R 时,它的动能增量为:( )(已知G 为引力恒量,e M 为地球质量)A 、2R m GM eB 、2121)(R R R R m GM e - C 、2121)(R R R m GM e - D 、222121)(R R R R mGM e -- 8、如图所示,园柱体A ,半径为R ,可绕固定水平轴转动,原为静止,现有一质量为M 的木块,从左方光滑面上向右方光滑面滑动,速率为1v ,水平地经过园柱体而达到右方虚线位置,当木块和园柱体接触时,因摩擦而带动园柱体转动,且由于摩擦力足够大,以致木块在则离开园柱体时有22ωR v =成立(即A 作纯滚动),2ω为此时转动角速度,设园柱体转动惯量为I ,则木块最后的速度2v 的大小为:A 、3213MR I v MR +B 、211MR I v + C 、122v MR MR I + D 、211MR I v +二、填空题(请将正确答案填写在横线上的空白处)1、设静止为0m 的粒子的初速度为c v 3.00=,若粒子速度增加为初速度的2倍,则粒子最后具有的动量约为初动量的 倍。
爱考机构考研-保研-考博高端辅导第一品牌电子工程系电子与通信工程专业招生目录院系所、专业及研究方向招生人数考试科目备注023 电子工程系10 含深圳研究生院5名080900电子科学与技术01物理电子学与光电子学①101思想政治理论②201英语一③301数学一④829电磁场理论复试时专业综合考试内容:激光原理或微波技术或电子电路(含数字电路和模拟电路)(三选一)02电路与系统①101思想政治理论②201英语一③301数学一④828信号与系统复试时专业综合考试内容:现代通信原理或电子电路(含数字电路和模拟电路)(二选一)03电磁场与微波技术①101思想政治理论②201英语一③301数学一④829电磁场理论复试时专业综合考试内容:微波技术或电子电路(含数字电路和模拟电路)(二选一)081000信息与通信工程01通信与信息系统02信号与信息处理03信息网络与复杂系统04空天信息工程①101思想政治理论②201英语一③301数学一④828信号与系统复试时专业综合考试内容:现代通信原理或电子电路(含数字电路和模拟电路)(二选一)085208电子与通信工程12 专业学位,含深圳研究生院12名01电子与通信工程领域①101思想政治理论②201英语一③301数学一④828信号与系统或829电磁场理论复试时专业综合考试内容:激光原理、微波技术、电子电路(含数字电路和模拟电路)、现代通信原理(四选一)电子工程系电子与通信工程专业简介从2005年起,为了适应学科的快速发展和宽口径培养的需要,电子系的本科生按照电子信息科学大类招生,每年的招生容量约300人,包括一个30人左右的国防定向班。
电子系是清华大学学生人数最多的大系,招生质量也一直名列前茅,每年选择到电子系就读的全国各省区市高考前十名的学生有50多名,另外还有多名全国或国际竞赛的佼佼者。
电子系现有六个博士和硕士点,具体专业包括通信与信息系统、信号与信息处理、物理电子学、电路与系统、电磁场与微波技术、微电子学与固体电子学。
清华大学831半导体物理、器件及集成电路考研参考书目、考研真题、复试分数线831半导体物理、器件及集成电路课程介绍研究半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件内部电子过程的学科。
是固体物理学的一个分支。
研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础,主要研究半导体的晶体结构、晶体生长,以及晶体中的杂质和各种类型的缺陷。
研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础,主要研究半导体的电子状态,半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。
半导体物理学的发展不仅使人们对半导体有了深入的了解,而且由此而产生的各种半导体器件、集成电路和半导体激光器等已得到广泛的应用。
典型的半导体主要是由共价键结合的晶体。
如硅、锗的晶体具有半导体物理学金刚石结构(图1),Ⅲ-Ⅴ化合物以及一些Ⅲ-Ⅵ化合物具有闪锌矿结构(图2)或纤锌矿结构(图3)。
这些都是最典型的共价键结合的晶体结构,其中每个原子由四个共价键与近邻原子相结合。
能带的概念组成共价键的价电子呈现出相对集中于近邻原子之间的空间分布,它们同时又是运动于晶体中的共有电子,具有典型的连续能量分布(图4)就是由X射线电子谱所测的硅中价电子的能量分布)。
按照固体的能带理论,晶体中的电子态分属于若干能带,每个能带包含能量连续分布的2N个电子态(计入自旋),N代表晶体包含的元胞总数。
上述价电子的能量分布实际上包含着几个部分相互重叠的能带,它们正好被晶体中的价电子所填满,统称为价带。
原理能带中的电子态是用一个波数矢k标志的,它的意义近似于一个自由电子的德布罗意波的波数。
为了展示能带中的电子态,往往采用以k为坐标的“k空间”,k空间中的一点表示一个电子态(不计自旋),k的取值限于环绕原点的一个具有晶体对称性的多面体区域,称为布里渊区。
图5表示半导体物理学金刚石(或闪锌矿)晶体的布里渊区。
一个能带的具体结构是由k空间中的能量函数E(k)描述的,E(k)代表能带中电子态k的能量。
波矢k和E(k)函数决定着电子的动力学性质;将k称为电子的准动量,在外力F作用下,准动量的变化服从类似牛顿第二定律的规律:,等于在k状态的电子的平均速度,所以,在外力F作用下,电子产生下列加速度。
由此可见,起着类似于惯性质量的倒数作用,但它一般是一个张量,其倒数称为有效质量。
半导体价带以上的能带称为导带。
在价带最高量能(价带顶)和导带最低能量(导带底)之间的能区称为禁带隙(简称禁带)。
本征光谱和能带结构半导体的本征吸收光谱直接反映半导体的能带结构(实际测量则可以间接通过反射光谱及各种调制光谱的方法)。
本征吸收光谱是由价带电子吸收光子而跃迁到导带所产生的。
因为光子的动量很小,一个状态k的价带电子跃迁到导带中相同k的状态(准动量守恒),所吸收的光子能量为,Ec(k)和Ev(k)分别表示导带和价带的能量函数。
这个跃迁过程形象地表示在图6中;由于k可以遍及整个布里渊区,因而形成连续的本征吸收光谱。
计算方法在布里渊区的某些对称点(如图5中的Γ,X,L等),E(k)-Ev(k)的一次微商为0,因此可以是极小值、极大值或是鞍点,反映在本征光谱上成为几种不同形式的奇点。
解释本征半导体物理学光谱往往借助于对这类奇点的分析,从而与k空间的能带结构联系起来。
目前各种半导体的能带结构就是根据近似的理论计算结合实测的本征光谱求得的。
例如,为此常用所谓经验赝势的方法(见固体的能带)。
这种方法是用只包含几个参数的所谓“赝势”近似描述电子在晶体内的势能场,从理论上计算出能带结论,然后通过拟合本征光谱的数据(如各奇点处的光子能量)反过来确定赝势中的参数。
对于能量小于禁带宽的光子显然没有本征吸收;当光子能量达到禁带宽时,本征吸收开始,称为本征吸收边。
一般的半导体可以区分为两类情形,形象地表示在图7a和图7b中。
两图中的箭头都表示对应于吸收边的电子跃迁。
在图7a的情形,导带底和价带顶都位于k=0,所以吸收边的电子跃迁符合k不变的要求,这样的半导体称为直接带隙半导体。
在图7b的情形,导带底不在k=0,电子从价带顶跃迁到导带底,准动量是不守恒的,所以本来是不允许的;实际上实现这一跃迁是借助于同时还吸收或发射一个声子,以补偿电子准动量的变化。
这样的半导体称为间接带隙半导体。
反应状态本征吸收的过程在导带中产生一个电子,同时在价带中产生一个空穴(即价带中的空能级);其逆过程是电子与空穴复合(即导带电子填充价带中的空能级─空穴),同时发射光子。
直接带隙半导体(如砷化镓、锑化铟、磷化铟等),在吸收边的本征吸收和电子-空穴复合都比间接带隙半导体(如硅、锗、磷化镓等)强很多。
由于本征吸收产生的一对电子和空穴之间存在库仑吸引力,它们可以形成类似氢原子的束缚态,称为激子。
所以,实际上在低于禁带隙能量还存在相应的激子吸收谱线,同半导体物理学时电子和空穴间的库仑作用也影响吸收边附近的光谱强度分布。
图8是直接带隙半导体砷化镓的本征吸收边和激子谱。
强光照射下,本征吸收在锗、硅等半导体内产生高浓度的电子和空穴,它们迅速形成激子。
在足够低的温度下,发现这种激子气可以发生相变,形成由电子和空穴组成的“液滴”,称为电子-空穴液滴。
近年来,对这种电子-空穴液滴构成的特殊物质状态,从实验和理论上都进行了集中深入的研究。
杂质电子态实际的半导体都不是绝对完整和纯净的晶体。
一方面为了控制半导体的性质,往往有意在半导体中掺进某些杂质元素;另一方面,在半导体中还不可避免地存在由于原材料或制备过程引入的各种杂质。
而且,材料制备的高温过程还在半导体中引入空位和间隙原子等点缺陷,它们往往还要进一步发生凝聚或与杂质原子聚合等变化,构成更为复杂的缺陷及络合体。
所有这些杂质和缺陷都可以对半导体的物理性质发生重要的影响。
半导体中的杂质或缺陷可以束缚电子或空穴,形成能量在禁带中的局域态(即电子被限制在某一局部区域的量子态)。
一般把它们区分为浅能级和深能级。
浅能级指能量很靠近导带底的电子束缚态,或能量很接近价带顶的空穴束缚态。
浅能级中的电子或空穴,在稍高的温度(如室温)就基本上电离而成为在导带中的自由电子和价带中的自由空穴,起导电作用。
这样的自由的电子或空穴统称载流子。
杂质元素所谓类氢能级是最典型的浅能级。
Ⅴ族元素如磷、砷、锑掺入硅或锗,取代原来的Ⅳ族原子;或Ⅵ族元素掺入Ⅲ-Ⅴ化合物,取代其中Ⅴ族原子;都可以形成类氢能级。
在这类能级中,多一价的杂质原子构成正电荷中心,以其库仑电场束缚电子,类似于氢原子。
但是,由于介电作用和有效质量,束缚能一般只有几十毫电子伏,甚至更小。
这类杂质通过电离能在导带中释放电子,称为施主。
典型的空穴类氢能级可以通过掺入少一价的杂质原子(如Ⅲ族元素掺入硅、锗,或Ⅱ族元素掺入Ⅲ-Ⅴ化合物取代Ⅲ族原子等)形成负电荷中心,从而束缚空穴。
这样的杂质称为受主,因为它们电离(为价带提供空穴半导体物理学)实际上就是接受来自价带的电子。
类氢能级的杂质原子除形成正或负电中心,在原子以外的空间等效于点电荷外,在原子内的区域和原来的原子的势能是有差别的,这样就使类氢能级的基态在一定程度上偏离类氢的模型,称为中心胞修正。
在半导体中掺入同一族的原子有时也可以束缚载流子形成浅能级,称为等电子中心。
等电子中心与类氢能级不同,没有长程的库仑场,而主要靠中心原子势能场的短程作用形成束缚态,因而具有某些与类氢能级很不同的特征。
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