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杭州电子科技大学 半导体物理 2016年硕士研究生考研真题

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2016年电子科技大学811大学物理真题

2016年电子科技大学811大学物理真题

y (m) u P O x0 x (m)
1 y 0.03 cos( 500 t ) (SI). 2
(1) 按图所示坐标系， 写出相应的波的表达式； (2) 在图上画出 t = 0 时刻的波形曲线．
23 （10 分） 电荷以相同的面密度分布在半径为 r1＝10 cm 和 r2＝20 cm 的两个同心球面 上．设无限远处电势为零，球心处的电势为 U0＝300 V． (1) 求电荷面密度． (2) 若要使球心处的电势也为零，外球面上应放掉多少电荷？ ［0＝8.85×10 12 C2 /(N·m2)］ 24（5 分）在一无限长载有电流 I 的直导线产生的磁场中，有一长度为 b 的平行于导线的 短铁棒，它们相距为 a．若铁棒以速度 v 垂直于导线与铁棒初始位置组成的平面匀速运动， 求 t 时刻铁棒两端的感应电动势 的大小． 25（5 分）观察者 A 测得与他相对静止的 Oxy 平面上一个圆的面积是 12 cm2，另一观察者 B 相对于 A 以 0.8 c (c 为真空中光速)平行于 Oxy 平面作匀速直线运动， B 测得这一图形为一 椭圆，其面积是多少？ 26（10 分）一物体与斜面间的摩擦系数 = 0.20，斜面固定，倾角 = v0 45°．现给予物体以初速率 v 0 = 10 m/s，使它沿斜面向上滑，如图所 示．求： h (1) 物体能够上升的最大高度 h； (2) 该物体达到最高点后，沿斜面返回到原出发点时的速率 v ． 27（5 分）有二根导线，分别长 2 米和 3 米，将它们弯成闭合的圆，且分别通以电流 I1 和 I2， 已知两个圆电流在圆心处的磁感强度大小相等．求圆电流的比值 I1 / I2． 28（8 分） 一定量的刚性双原子分子理想气体，开始时处于压强为 p0 = 1.0×105 Pa，体积 为 V0 =4×10-3 m3，温度为 T0 = 300 K 的初态，后经等压膨胀过程温度上升到 T1 = 450 K，再 经绝热过程温度降回到 T2 = 300 K，求气体在整个过程中对外作的功． 29（10 分）图中所示为在一次光电效应实验中得出的曲线 (1) 求证：对不同材料的金属，AB 线的斜率相同． (2) 由图上数据求出普朗克恒量 h． (基本电荷 e =1.60×10 19 C)

2015-2016年电子科技大学考研试题840物理光学

2015-2016年电子科技大学考研试题840物理光学

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：840 物理光学注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、选择题（每小题3分、共60分）1.可以用复振幅表示光波的条件是。

A. 线性运算B. 非线性运算C. 单色光D. 复色光2. 部分偏振光可以表示为。

A. 两正交线偏振光的叠加B. 线偏振光和圆偏振光的叠加C. 线偏振光和自然光的叠加D. 线偏振光和椭圆偏振光的叠加3. 自然光正入射到界面，其反射光为。

A．椭圆偏振光B．线偏振光C．部分偏振光D．自然光4. 两振动方向正交、频率相同、振幅相等、相位差为p/2线偏振光叠加成电矢量为E的圆偏振光，则此线偏振光的振幅E0为。

A. EB. 2EC.D.5. 采用分波面法和分振幅法获得相干光是为了保证。

A. 叠加光的相位固定B. 叠加光的初相位固定C. 叠加光的相位差固定D. 叠加光的初相位差固定6. 双光束干涉条纹的可见度与下列因素有关的是。

A. 叠加光的光强B. 叠加光的光强之和C. 叠加光的光强之比D. 叠加光的光强之差共5页第1页共5页 第2页7. 如图所示，波长为l 的单色光正入射，若要完全消反射，此单层膜要满足的条件是 。

A. ()121, 21,0,1,2,3,4n n n h k k l <=+=×××B. ()11 21,0,1,2,3,4n n h k k l ==+=×××C. ()11 21,0,1,2,3,2n n h k k l ==+=××× D. ()121, 21,0,1,2,3,2n n n h k k l >=+=××× 8. 光栅光谱的干涉级次m 增大，则 。

A ．自由光谱范围增大B ．色散率增大C ．分辨本领降低D ．分辨本领不变9. 与光栅刻线数N 无关的量是 。

电子科技大学2016年《834物理化学》考研专业课真题试卷

电子科技大学2016年《834物理化学》考研专业课真题试卷

共 3 页 第 3 页
c 。式中 σ 为纯水的 0 ) c
时的吸附量。
c ＞＞１时，吸附量为多少?此时丁酸在表面上可认为构成单分子层紧密排列， c
则丁酸分子的截面积为多少?
9． （10 分）某溶液中含 Zn2+和 Fe2+，活度均为 1。已知氢在铁上的超电压为 0.4V，如欲使离 子析出次序为 Fe、H2、Zn，则： （1）298.15K 时溶液的 pH 值最大不得超过多少?（2）在此 pH 溶液中，H2 开始析出时 Fe2+的活度降为若干?

1
， 计 算 Hg 2Cl2 ( s) 的
2 f Gm ； （3）计算 298K 时反应 Hg 2Cl2 ( s) Hg 2 (aq) 2Cl (aq) 的平衡常数。已知 298K
时 f Gm [ Hg 2 (aq)] 152 .0kJ mol 。

2
1
Kf
R(T f* ) 2 fus H m ( A)
M A。
3. （15 分）有一电池： Cu ( s) CuAc2 (0.1mol kg ) AgAc( s) Ag ( s) ，已知 298K 时该电池 的电动势 E (298K ) 0.372V ，温度为 308K 时 E (308K ) 0.374V ，设该电动势 E 随温度 的变化是均匀的。又知 298K 时， ( Ag / Ag ) 0.799V ， (Cu
7.（15 分）已知 25℃时： △fHθm/kJ.mol-1 CO(g) H2(g) CH3OH(g) -110.52 0 -200.7 Sθm/J.mol-1.K-1 197.67 130.68 239.8 △fGθm/kJ.mol-1 -137.17 0 -162.0

2016年电子科技大学840物理光学真题

2016年电子科技大学840物理光学真题

共8页 第1页电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：840 物理光学注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、 选择题（每小题2分，共50分）1. 对于频率为ω，初相位为0ϕ错误!未找到引用源。

且沿z 轴负方向传播的单色平面光波，其复数形式应表示为_____________。

A. []00exp ()E E i t kz ωϕ=--+B. []00exp ()E E i t kz ωϕ=-++C. []00exp ()E E i t kz ωϕ=---D. []00exp ()E E i t kz ωϕ=-+-2. 当单色平面光波在两种折射率不等的介质中振幅相等时，_____________。

A. 其强度比等于两种介质的折射率之比B. 其强度相等C. 其强度比不确定D. 其光频率不相等3. 下述关于自然光的描述，不正确的为_____________。

A. 自然光属于非偏振光B. 自然光各个振动方向上振幅平均值相等C. 两种自然光的混合依然为自然光D. 自然光可以视为振幅相等、振动方向垂直且相位差恒定的两线偏振光的合成4. 下述关于单色平面光波的描述，正确的是_____________。

A. 单色平面光波的电矢量和磁矢量在同一平面B. 自然界的光波通常可以表示为单色平面光波的叠加C. 单色平面光波属于纵波D. 持续时间有限的光波可能是单色平面光波5.一束右旋圆偏振光（迎着光传输方向看）以布儒斯特角从空气入射到玻璃界面时，它的反射光为_____________。

A. 右旋圆偏振光（迎着光传输方向看）B. 左旋圆偏振光（迎着光传输方向看）C. 电矢量垂直于入射面的线偏振光D. 电矢量平行于入射面的线偏振光6.一束线偏振光从光密介质射向光疏介质，下述描述正确的是_____________。

A. 若正入射，则反射光为圆偏振光B. 入射光的偏振方向和入射方向发生改变，折射光可能会发生相位突变C. 若发生全反射，则反射光可能为椭圆偏振光D. 若发生全反射，则衰逝波电场随离界面距离增加按线性规律衰减7.平行平板的等倾干涉图样定域在_____________。

(完整版)半导体工艺试卷及答案

(完整版)半导体工艺试卷及答案

杭州电子科技大学研究生考试卷（B卷）1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。

（12分）答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。

这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。

当外来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就可能诱发闩锁，这种外来干扰噪声常常是随机的，如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。

闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种情况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出有关的地方，另一种是闩锁可能发生在芯片的任何地方，在使用中前一种情况遇到较多。

2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。

（10分）答：（1）原因：因为区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。

区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。

柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。

另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。

整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内（2）CZ和FZ区别：CZ是直拉法，就是首先把多晶硅置于坩埚内加热熔化，然后采用小的结晶“种子”——籽晶，再慢慢向上提升、结晶，获得大的单晶锭。

（3）CZ和FZ优缺点比较：FZ是水平区域熔化生长法，就是水平放置、采用感应线圈加热、并进行晶体生长的技术。

直拉法在Si单晶的制备中更为常用，占75％以上。

直拉法制备Si单晶的优点是：1）成本低；2）能制备更大的圆片尺寸，6英吋（150mm）及以上的Si单晶制备均采用直拉法，目前直拉法已制备出400mm（16英吋）的商用Si单晶；3）制备过程中的剩余原材料可重复使用；4）直拉法制备的Si单晶位错密度低，0～104cm-2。

2016年电子科技大学832微电子器件真题

2016年电子科技大学832微电子器件真题

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。

掺杂浓度越高，内建电势将越（）。

2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。

5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。

7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。

（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。

（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。

12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。

13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。

14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。

一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。

（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。

杭电大学物理2016期中考试试卷(附答案)


7. 在 双 缝 干 涉 实 验 中 ， 为 使 屏 上 的 干 涉 条 纹 间 距 变 大 ， 可 以 采 取 的 办 法 是 (A) 使 屏 靠 近 双 缝 ． (B) 使 两 缝 的 间 距 变 小 ． (C) 把 两 个 缝 的 宽 度 稍 微 调 窄 ． (D) 改 用 波 长 较 小 的 单 色 光 源 ． ［ B
m．
12.（ 本 题 4 分 ） 惠 更 斯 引 进 子 波 （ 或 次 波 ） 的 概 念 提 出 了 惠 更 斯 原 理 ， 菲 涅 尔 再 用 子 波 相 干 叠 加 (或 子 波 干 涉 )的 思 想 补 充 了 惠 更 斯 原 理 。 发 展 成 了 惠 更 斯 － 菲 涅 耳 原 理 ． 16.（ 本 题 12 分 ）设 入 射 波 的 表 达 式 为 y1 = A cos 2π( 射点为一固定端．设反射时无能量损失，求 (1) 反 射 波 的 表 达 式 ； 13. （ 本 题 4 分 ）在 单 缝 的 夫 琅 禾 费 衍 射 实 验 中 ，屏 上 第 三 级 暗 纹 对 应 于 单 缝 处 波 面 可 划分为 6 个半波带， 若将缝宽缩小一半， 原来第三级暗纹处将是明纹 （填 “明” 或 “暗” ） ． 三、计算题（必做） （ 本 大 题 共 43 分 ） 14. （ 本 题 12 分 ） 一 物 体 作 简 谐 振 动 ， 其 速 度 最 大 值 vm = 3× 10 2 m/s， 其 振 幅 A = 2×
［ B
］
10. 在 迈 克 耳 孙 干 涉 仪 的 一 条 光 路 中 ， 放 入 一 折 射 率 为 n， 厚 度 为 d 的 透 明 薄 片 ， 放 入 后，这条光路的光程改变了 (A) 2 ( n- 1 ) d． (D) nd． (B) 2nd． (E) ( n- 1 ) d． (C) 2 ( n- 1 ) d+λ / 2． ［ A ］

2016年电子科技大学813电磁场与电磁波真题


五、 （16 分）如题五图所示，无限长直导体圆柱由电导率不相同的两层导体构成，内层导体的 半径 a1 a ，电导率 1 2 0 ；外层导体的外半径 a2 2a ，电导率 2 0 。导体圆柱 中流过的电流为 I ，试求导体圆柱中的电场强度 E 和磁场强度 H 。
a
d
0

e 1 A A
2u
2
e A
ez ， z Az
er 1 A 2 r sin r Ar
re rA
r sin e r sin A
1 u 1 2u 2u ( ) 2 2 2 z
共 4 页第 2 页
d
O
题三图
X
四、 （14 分） 已知介电常数为 的无限大均匀介质中存在均匀电场分布 E ，介质中有一个底 面垂直于电场、半径为 a、高度为 d 的圆柱形空腔，如题四图所示。当 a d 和 a d 时，分别求出空腔中的电场强度 E0 、电位移矢量 D0 和介质表面的极化电荷分布（边缘效 应可忽略不计） 。
Er ( y , z ) 。
附： 圆柱坐标系和球坐标系的 A 、 A 和 2u
A A
1 1 A Az ( A ) z 1 2 1 1 A (r Ar ) (sin A ) 2 r r r sin r sin
，从而建立了完整的麦克斯韦方程组。
5. 时变电磁场可以用矢量位 A 和标量位 来描述， 但是位函数一般是不唯一的， 如要得到唯 一确定的位函数，可以规定 6. 。
均匀平面波在某一均匀媒质中传播，其电磁波的电场强度 E 与磁场强度 H 不同相位，则 这种媒质是 。

2016年电子科技大学818固体物理真题

最近邻 ik Rn e 的有效质量及带顶空穴的有效质量。(注： E ( k ) E 0 C s J 0 Rn
ik Rn
2 K hkl
，求晶格常数为 a 的面心立
(r ) 的形式，针对一维周期势场中电子波函数：
x 3x （2） k ( x) i cos （3） k ( x) f ( x la) 。求电子在这 ； ； a a l
电子科技大学 2016 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：818 固体物理
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 30 分，每空 1 分） 1、半导体材料 Si 具有金刚石型晶体结构，晶格常数为 a，布喇菲格子是 用元胞（结晶学元胞）内的原子数 ④ ；第一布区体积 ⑦ ⑤ ② ，其配位数为 ③ ① ；一个惯

；(3). 晶格振动的频率数为
4、螺位错线与滑移矢量之间的方向关系是 系是 ② 。
5、电子在三维周期性晶格中波函数方程的解具有 下保持不变。 6、金属电子论中，金属晶体中自由电子遵从 ② 为 ④ ，其能量波矢关系（E～k）为 ；低温时金属晶体的比热为 ③ ⑤ ①
①
形式？式中
②
在晶格平移
，其占据能量 E 的几率函数为 。金属电子论中，高温时金属晶体的比热
)
共 2 页 第 2 页
。 ① 。
7、在边长为 L 的立方金属中，自由电子的能量可以用一组量子数表示为 8、晶体的第 n 个禁带宽度 Eg 为 ① 。
共 2 页 第 1 页
二、简答题（共 60 分，每题 10 分）
c 8 1 ( )2 a 3 1、作图证明六方密堆积结构中，
1.633
。

电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案..讲解学习

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试半导体物理 课程考试题 A 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分一、选择题（共25分，共 25题，每题1 分）A ）的半导体。

A. 不含杂质和缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（ D ）。

A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E F 随温度上升而（ D ）。

A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值趋近EiD. 经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ C ）。

A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体5、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的（ C ）。

A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间6、下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（ A ） A. 含硼1×1015cm -3的硅 B. 含磷1×1016cm -3的硅 C. 含硼1×1015cm -3，磷1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅7、室温下，如在半导体Si 中，同时掺有1×1014cm -3的硼和1.1×1015cm -3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级为（ G ）。

将该半导体由室温度升至570K ，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级为（ I ）。

（已知：室温下，n i ≈1.5×1010cm -3；570K 时，n i ≈2×1017cm -3）A 、1×1014cm -3B 、1×1015cm -3C 、1.1×1015cm -3D 、2.25×105cm -3E 、1.2×1015cm -3F 、2×1017cm -3G 、高于EiH 、低于EiI 、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ C ）附近，常见的是（ E ）陷阱。

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