电子技术基础试卷1
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《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷一、单项选择题1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。
(2 分)A.R×1B.R×10C.R×100或R×1kD.R×10k2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。
(2 分)A.变大B.先变大后变小C.变小D.不变3.二极管正反向电阻相差( )。
(2 分)A.越小越好B.越大越好C.无差别最好D.无要求4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。
(2 分)A.正、反向电阻都为零B.正、反向电阻都为无穷大C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧5.变容二极管工作时,应加( )。
(2 分)A.反向电压B.正向电压C.正向电压或反向电压6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。
(2 分)A.基本正常B.击穿C.烧坏D.电流为零7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。
(2 分)A.正偏B.反偏C.零偏8.2AP9表示( )。
(2 分)A.N型材料整流管B.N型材料稳压管C.N型材料普通管D.N型材料开关管9.变容二极管常用在( )电路中。
(2 分)A.高频B.低频C.直流10.用于整流的二极管型号是( )。
(2 分)A.2AP9B.2CW14CC.2CZ52BD.2CK84A二、判断题11.( )发光二极管可以接收可见光线。
(2 分)12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。
(2 分)13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。
(2 分)14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
(2 分)15.( )有两个电极的元件都叫二极管。
电子技术基础试题(一)一、选择题:(每小题3分,共30分)1、D 触发器在D=1时,输入一个CP 脉冲,其逻辑功能是( )。
A .置1 B .清0 C .保持 D .翻转2、如图电路中,设二极管为硅管,正向压降为 0.7V ,则Y= ( )。
A .0.7V B .3.7V C .10VD .1.5V3、以下表述正确的是( )。
A .组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B .组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C .组合逻辑电路有记忆能力,而时序逻辑电路没有记忆能力。
D .组合逻辑电路没有记忆能力,而时序逻辑电路有记忆能力。
4、逻辑函数式Y=A+A ,化简后的结果是( )。
A .2AB .AC . 1D .A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为( )。
A .EFB .EF C . 0 D . 16、基本 RS 触发器电路中,触发脉冲消失后,其输出状态( )。
A .恢复原状态 B .保持现状态 C .出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时,应选择的档位( )。
A . Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏,集电极反偏时,晶体三极管的工作状态是( )。
A . 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A . I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ,当输入电压为10mV 时,测得输出电压为500mV ,则电压放大倍数是( )。
A . 10 B. 50 C. 500 D.100 二.填空题:(每题3分,共30分)1.半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。
数字电子技术试卷(1)一.填空(16)1.十进制数123的二进制数是 1111011 ;十六进制数是 7B 。
2.是8421BCD 码,其十进制为 861 。
3.逻辑代数的三种基本运算是 与 , 或 和 非 。
4.三态门的工作状态是 0 , 1 , 高阻 。
5.描述触发器逻辑功能的方法有 真值表,逻辑图,逻辑表达式,卡诺图,波形图 。
6.施密特触发器的主要应用是 波形的整形 。
7.设4位D/A 转换器的满度输出电压位30伏,则输入数字量为1010时的输出模拟电压为 。
8.实现A/D 转换的主要方法有 , , 。
三.化简逻辑函数(14)1.用公式法化简--+++=A D DCE BD B A Y ,化为最简与或表达式。
解;D B A Y +=-2.用卡诺图化简∑∑=mdD C B A Y ),,,,()+,,,,(84210107653),,,(,化为最简与或表达式。
四.电路如图1所示,要求写出输出函数表达式,并说出其逻辑功能。
(15)解;C B A Y ⊕⊕=, C B A AB C )(1++=,全加器,Y 为和,1C 为进位。
五.触发器电路如图2(a ),(b )所示,⑴写出触发器的次态方程; ⑵对应给定波形画出Q 端波形(设初态Q =0)(15)解;(1)AQ Q Q n +=-+1,(2)、A Q n =+1六.试用触发器和门电路设计一个同步的五进制计数器。
(15)七.用集成电路定时器555所构成的自激多谐振荡器电路如图3所示,试画出V O ,V C 的工作波形,并求出振荡频率。
(15)数字电子技术试卷(2)二.填空(16)1.十进制数的二进制数是;十六进制数是。
2.逻辑代数中逻辑变量得取值为 0、1 。
3.组合逻辑电路的输出状态只与当前输入有关而与电路原状态无关。
4.三态门的输出有0、1、高阻,三种状态,当多个三态门的输出端连在一根总线上使用时,应注意只能有1个三态门被选通。
5.触发器的基本性质有有两个稳态,在触发信号作用下状态可相互转变,有记忆功能6.单稳态触发器的主要应用是延时。
电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性,特性和特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答:0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。
答:小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即极、极和极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答:NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。
答:0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。
答:I C=βI B。
(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是,,和。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。
2020—2021学年上学期电子信息科学与技术专业《电子技术基础》期末考试题试卷(试卷一)一、填空题。
1.可控硅又称____,常用的有_____和_____两大类,广泛应用于______和_____设备中。
2.利用_________元件的_________特性可实现整流,若要实现可控整流可采用_________元件。
3.单向可控硅内部有___个PN 结,双向可控硅有___个PN 结。
4.要使导通的可控硅关断,必须____________。
5.可控硅具有____电控制_____电的作用。
6.单向可控硅触发电路常用___________组成触发电路,双向可控硅常用___________组成触发电路。
7.单结晶体管的负阻特性指的是当___________电流增加时,_______________反而减少。
8.双向可控硅有三个电极________、______和________。
院(系) 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………9.二极管的状态有_________和________,三极管的状态有___________、_________、__________,可控硅的状态有___________和_____。
10.单向可控硅导通必须具备两个条件:一是:________________,二是:________________。
11.电子线路中的电信号按其信号形式分为________和___________两大类,其中__________和_______都是离散的信号叫数字信号。
12.数字信号的基本工作信号是___________进制的数字信号,对应在电路上需要在______种不同状态下工作,即________和________。
13.数字电路主要研究电路的输出信号与输入信号之间的_______关系。
14.二极管作为开关使用时,应满足条件:其______电阻和___________电阻有_______差别。
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题,总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大,反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示,RF1和RF2均为反馈电阻,其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈,RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈,RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示,通常振荡幅度应稳定在()。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示,其振荡频率为()。
(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示,直流电压表V(内阻设为无穷大)的读数均为90 V,二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中()。
7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大,则正向转折电压()。
(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号(D7 ~ D0),输出为 0~ 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”,则输出的模拟电压为( )。
(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示,已知U CC=12V,RC=3k,β=40且忽略U BE,若要使静态时U C E=9V,则R B应取()。
《电子技术基础》考试试卷(附参考答案)一.填空(40分,每题5分)1.负反馈对放大电路性能的影响主要体现在(1)(2)(3)(4),闭环Auf= 。
2.通常使用来判断正负反馈,共射极放大电路反馈信号从基极注入为反馈,从发射极注入为反馈,当输出端短路后,反馈元件上有电压是反馈,若无电压是反馈。
3.负反馈在放大电路中的应用其主要类型有(1),,(2),,(3),(4)。
射极输出器是属于反馈。
4. OCL,OTL是功率放大电路,消除交越失真的方法是,它们电路上的共同特点是,不同点有,实用电路常工作在状态。
5. 集成运放主要功能是,运算电路有(1)(2)(3)(4);基本转换电路是(1)(2)。
6.功率放大电路的主要任务是,主要要求有(1)(2)(3)(4)。
7.直流稳压电源的功能是,晶体管串联型稳压电路是由,,和四部分电路组成。
8.放大电路设置偏置的目的是,引入负反馈目的是。
功率放大电路的工作状态分为,,。
二.判断(8分,在括号里打“√”或打“X”)1.放大器负反馈深度越大,放大倍数下降越多。
()2.由集成稳压电路组成的稳压电源其输出电压是不可调节的。
()3.负反馈能修正信号源的失真。
()4.直流负反馈的作用可以稳定静态工作点。
()5.零点漂移是放大器输出不能为零。
()6.抑制零点漂移最有效的是采用差动放大为输入级。
()7.放大器引入负反馈可以提高电压放大倍数稳定工作状态。
()8.集成运放的基本运算是加法和减法运算。
()三.识读电路(24分,写出电路名称,信号传输方式和所采用的偏置)1. 2.3. 4.5. 6.四.简答(18分)1.指出电路运算功能,并写出运算公式。
(1).(2)(3). (4).2.简述万用表检测电阻的使用方法。
五.计算(10分)1. 求如图所示放大电路的静态工作点和输入,输出电阻,电压放大倍数。
2.如图所示电路已知Rf=120k,U。
=1.5v,Ui=0.5v。
求R1的大小。
参考答案一,1,提高放大电路工作稳定性(降低了电压放大倍数)减小失真展宽通频带改善输入,输出电阻Au/(1+FAu)。
电子技术第一二章考试题
一、填空(2×15=30分)
1.三极管根据结构不同,可分为NPN、PNP类型
2.三极管最重要的特性是具有电流放大的作用
3.当三极管处于放大区时,它的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置
4.通常采用的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合
5.反馈有正反馈和负反馈两种类型
6.二极管的主要特性是单向导电性,硅二极管的导通压降为0.6~0.8V,锗管的导通压降为
0.1~0.3V
7.画出稳压二极管的符号
8.判断正、负反馈的方法叫瞬时极性法
二、简答(20分)
1.什么叫反馈?
答:将放大电路输出端的电压或电流信号的一部分或全部,通过某种电路引回到放大电路的输入端。
2.对于电压放大电路,我们对它有什么要求?
答:能够得到符合要求的电压放大倍数
失真尽量小
三、计算(30分)
1.如图,已知Ucc=12V,R B1=20kΩ, R B2=10kΩ,R C=R E=2 kΩ,硅管的β=50,求静态工作
点(I B、I C、U CE)
2.如图所示,已知Ucc=12V,R B1=22kΩ, R B2=4.7kΩ,R C=1 kΩ,R E=2.5 kΩ,硅管的β=50,
r be=1.3 kΩ,求:
1)静态工作点
2)空载时的电压放大倍数
3)带4 kΩ负载时的电压放大倍数。
..平鲁职中2017年对口升学《电子技术基础》模拟考试试卷一、判断题(10分)1、二极管导通时,电流是从其正极流出,从负极流入的。
()2、二极管的反向漏电流越小,其单向导电性越好。
()3、在整流电路中,整流二极管只有在截止时,才有可能发生击穿现象。
()4、整流电路在加电容滤波后,其输出电压波动性减小,故输出电压也随之减小。
()5、稳压二极管正常工作时,其工作点在伏安特性曲线的反向截止区。
()6、晶体三极管的输入特性曲线反映υBE与i C之间的关系。
()7、晶体三极管的主要性能是具有电流和电压放大作用。
()8、NPN管处于放大状态时,发射结加正向电压,集电结加反向电压。
()9、放大电路通常用i b、i c、υce表示静态工作点。
()10、为消除放大电路的截止失真,应将上偏置电阻R b调小些。
()二、填空题(40分)1、半导体中存在着两种载流子,其中带正电的载流子称为,带负电的载流子称为。
2、二极管的主要特性是具有。
3、锗二极管的死区电压是V,硅二极管的死区电压是V,锗二极管导通时的电压降是V,硅二极管正向导通时的电压降是V.4、在二极管的四个主要参数中,反向截止时应注意的参数是和。
5、半波整流与桥式整流相比,输出电压脉动成分较小的是电路。
6、若半波整流电路负载两端的平均电压为4.5V,则二极管的最高反向电压应大于V.7、若桥式整流电路中变压器二次单相电压为10V,则二极管的最高反向工作电压就不小于V,若负载电流为800mA,则每只二极管的平均电流应大于mA。
8、在整流电路与负载之间接入滤波电路,可以把脉动直流电中的成分滤除掉。
当负载功率较小时,采用滤波方式效果最好。
而当负载功率较大时,则应改用滤波方式较好。
9、整流电路的功能是,滤波电路的作用是工作电压。
10、发光二极管的功能是,光电二极管的功是。
11、三极管具有两个PN结:(1)结,(2)结;还有三个区:(1),(2),(3) 。
12、放大电路的基本性能是具有能力。
第 1 页 共 2 页《电子技术基础》试题时间:90分钟一、填空题(1*35=35)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 、 、 和 三类。
2、PN 结正偏时,P 区接电源的 极,N 区接电源的 极。
3、二极管的主要特征是 ,硅二极管的死区电压为 ,锗二极管的死区电压为 。
6、晶体三极管有两个PN 结,即 结和 结;有三个电极,即 、 和 。
7、晶体三极管的输出特性可以分为三个区域,即 、 、和 。
8、放大电路按三极管连接方式可分为 、 、和 。
9、放大器中晶体三极管静态工作点是指 、 和 。
10、画放大电路的直流通路时,把 看成开路;画放大电路的交流通路时,把 和 看成短路。
11、多级放大电路常用的级间耦合方式有 、 、和 。
12、通常采用 法判别正反馈还是负反馈。
13、射极输出器也叫 ,是 负反馈放大器;它的电压放大倍数 ,输出电压与输入电压相位 。
14、要使电路产生稳定的振荡,必须满足 和 两个条件。
二、判断题。
(2*5=10)1、( )PN 结正向偏置时导通,反向偏置时截止。
2、( )晶体二极管是线性元件。
3、( )负反馈提高了放大器放大倍数的稳定性。
4、( )直接耦合放大器级数越多,零漂越小。
5、( )理想集成运放的同相输入端和反相输入端之间不存在“虚短”、“虚断”现象。
三、选择题。
( 3*10=30 )1、如果晶体二极管的正反向电阻都很大,则晶体二极管( )。
A 、正常B 、已被击穿C 、内部断路2、当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,该管工作在( )。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态3、NPN 型晶体三极管中,管子各极电位是U B =4、7V , U C =4、3V ,U E =4V ,则该晶体三极管的工作状态是( )。
班级 姓名 学号A、截止状态B、饱和状态C、放大状态4、三极管放大作用的实质是()。
A、三极管可以把小电流放大成大电流。
B、三极管可以把小电流放大成大电压。
电子上期期末考试试卷
考号姓名
一、填空题(30空×1分=30分)
1、在N型半导体中是多子,在P型半导体中是少子。
2、PN结加正向电压时,加反向电压时,这种特性称为PN结的特性。
3、三极管的极限参数有:____________、____________和____________。
4、加在二极管两端的反向电压超过U(BR)时,二极管将被。
流过二极管的正向电流长时间超过I FM时,二极管将被。
5、三极管的发射极电流、集电极电流和基极电流关系为。
6、NPN三极管三个电极的电位关系是。
7、三极管输出特性曲线可以分为区、区和________________区。
8、放大器的放大倍数有____________、__________和____________。
9、放大器必须设置,能避免产生非线性失真。
10、二极管特性:________________性,它的符号________。
11、三极管有________、________、________三个电极,________和
________两个PN结。
12、基本共发射放大电路又称为____________,其缺点是____________,
它的输出电压与输入电压相位____ ______,因此这种放大电路又称为____________。
二、选择(将正确的答案填入对应的表格中10×2分=20分)
1、在N型半导体中()。
A、只有自由电子
B、只有空穴
C、有空穴也有自由电子
2、下列说法错误的是()。
A、I E =I B +I C适合各类三极管
B、I C =βI B适合各类三极管
C所有三极管放大都要满足发射结正偏,集电结反偏
D所有三极管放大,三极电位都要满足:Uc>Ub>Ue
3、工作在放大区的某三极管,当I B1=20μA时,I C1=1mA时,当I B2=40μA时,I C2=2.1mA,则其β值为( ).
A 、50
B 、52.5 C、55 D、57.5
4、三极管的两个PN结都反偏,则晶体三极管的状态是()。
A、放大
B、饱和
C、截止
D、导通
5、关于输入、输出电阻的说法,错误的是()。
A、输入输出电阻是一个等效电阻,并不是指电路中某一个实际电阻
B、输入、输出电阻可以用来分析电路的静态工作情况
C、对放大器的要求是输入电阻大、输出电阻小
D、从输入、输出电阻角度来看,共集电极电路性能最优
6、NPN三极管放大器中,若三极管基极和发射极短路,则三极管()。
A、发射结正偏
B、集电结正偏
C、截止
D、饱和
7、关于共集电极电路,下列说法错误的是()。
A、无任何放大作用
B、无反相作用
C 、Ri大Ro小D、无电压放大作用
8、希望电路的带负载能力强,可选用()
A、共射放大电路
B、共基放大电路
C、共集放大电路
D、那种都行
9、共射基本放大电路中的集电极电阻R C的主要的作用是()
A、实现电流放大;
B、提高输出电阻;
C、实现电压放大;
D、都不对
10、NPN型三极管在饱和区时的电位大小为()
A、U B最高
B、U E最高
C、U C最高
D、不能确定
三、简答题(16分)
1、甲、乙两人根据实测数据估算NPN硅管的ß值,甲测得Vce=5V,I b=20mA时,I c=1.4mA,甲认为三极管的ß值约为70;乙测得Vce=0.5V,Ib=0.1mA时,Ic=3mA,他认为ß约为30;分别判断他们的结论是否正确,说明理由。
2、三极管在哪三种工作状态?各状态下电压和电流各有什么特点?
3、共集电极放大电路的特点:
4、P型半导体N型半导体的异同点
三、画图题(14分)
1、请画出NPN型三极管组成的基本放大电路,并在图中标出I B,I C,U BE,U CE的位置。
(5分)
2、画出二极管和三极管的符号,并标出各极的电流方向(9分)
五、计算题(10分)
1、测得工作在放大电路中三极管各电极电位如图,
试问:(1)材料是什么?(2)类型是什么?
(3)指出管脚。
2、某放大电路中三极管的三个电极1、2、3的电流如图所示,用万用表直流电流档测得I1=2mA,I2=0.04mA,I3=-2.04mA,,试确定三极、管型,并计算其β。
六、实验题(10分)
1请叙述判断二极管极性与质量优劣的方法。