模拟电子技术基础试卷1答案
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模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。
期末模拟试卷一答案课程名称:模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ,B 、减小,C 、不变 答案:A2. 在N 型半导体中,空穴浓度____电子浓度。
A 、大于,B 、小于 ,C 、等于 答案:B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同,B 、交流通路不同,C 、直流通路不同 答案:C4. 在长尾式的差分放大电路中,Re 对__有负反馈作用。
A 、差模信号,B 、共模信号,C 、任意信号 答案:B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ,可能是因为_____。
A 、CC V 过大 , B 、c R 开路, C 、b R 开路, D 、β 过大答案:C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ,测得I =1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时,I 将____。
A 、 为2μA 左右,B 、为0.5μA 左右,C 、变化不大,D 、远大于2μA 答案:C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V,UE=0.3V,UC=3V,则此晶体管工作在____状态。
A.截止B.饱和C.放大 D. 开关答案:C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号,抑制共模信号;B. 既放大差模信号,又放大共模信号;C. 放大共模信号,抑制差模信号;D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
答案:A9.互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案:D10.集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案:C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路,其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案:B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(A、低通,B、高通,C、带通,D、带阻,E、全通)。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
模拟电子技术基础试卷一及参考答案(总分150分)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。
在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。
)1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态,设R「RMR L,则电路的电压增益为()g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺; d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为( a.Rg+(l?jj//7?g2) c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指()a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是() a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮,A 为理想运放,a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中,若输入电压△5尸80诃,二60mV,则差模输入电压为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo) b. /?g.//(/?g]+/?g2) d. [R g +(心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声 则电路的输出电压约为()c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。
A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 8.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。
a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点:( B )。
A. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0,差模输入电阻R id =∞,输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ) ,则说明引入的是负反馈。
[东北大学]20秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 15 道试题,共 60 分)
1.作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器,集成运放应选用()。
A.通用型
B.高阻型
C.高速型
D.高精度型
[正确选择是]:D
2.选用差分放大电路的原因是()。
A.克服温漂
B.提高输入电阻
C.稳定放入倍数
[正确选择是]:A
3.LC并联网络在谐振时呈
A.容性
B.阻性
C.感性
[正确选择是]:B
4.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
[正确选择是]:D
5.为了稳定放大电路的输出电压,应引入()负反馈
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
[正确选择是]:A
6.欲将正弦波电压移相+90O,应选用
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
[正确选择是]:C
7.在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的。
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2018.8.15目录第1章习题及答案1第2章习题及答案15第3章习题及答案37第4章习题及答案46第5章习题及答案55第6章习题及答案71第7章习题及答案87第8章习题及答案106第9章习题及答案118第10章习题及答案134模拟电子技术试卷1147模拟电子技术试卷2153模拟电子技术试卷3159第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)P N结加正向电压时,空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽(3)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小(4)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解:(1)A、C(2)A(3)A(4)C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值,设二极管是理想的。
(1)(2)(3)图P1.2.1解:(1)二极管导通U O1=2V(2)二极管截止U O2=2V(3)二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
(1)(2)(3)图P1.2.2解:(1)二极管截止U O1=0V(2)二极管导通U O2=-1.3V(3)二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示,设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解:二极管D1截止,D2导通,U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示,已知u i=10s i nωt(v),试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解:当u i>0V时,D导通,u o=u i;当u i≤0V时,D截止,u o=0V。
u i和u o的波形如解图1.3.2所示。
模拟电子技术基础试题及答案一、选择题1. 以下哪个元器件用于将交流信号转换为直流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻2. 以下哪个元器件用于放大电流或电压?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器3. 以下哪个元器件用于储存电荷并释放电荷?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器4. 以下哪个元器件用于控制电流的流动?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电感5. 以下哪个元器件用于将直流信号转换为交流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 变压器二、填空题1. NPN晶体管有_三层_和_两个PN结_。
2. 集成电路是将多个_电子元器件_集成到一块_半导体_芯片上。
3. 交流信号的频率是指单位时间内信号_周期_的个数。
三、判断题1. 电压是指电流通过导体时导体两端的电势差。
(正确/错误)2. 电容器可以储存电荷并释放电荷。
(正确/错误)3. 二极管可以放大电流或电压。
(正确/错误)4. 集成电路是将多个电子元器件集成到一块半导体芯片上。
(正确/错误)5. 交流信号是指电流方向和大小都随时间变化的信号。
(正确/错误)四、简答题1. 请简要解释PN结和作用。
PN结是一种由P型半导体和N型半导体结合而成的二极管结构。
它的作用是可以实现单向导电性,即只允许电流在一个方向上通过。
在正向偏置时,电流可以流过PN结;而在反向偏置时,电流基本上无法流过PN结。
2. 请简要介绍晶体管的工作原理。
晶体管由三个区域(发射区、基区和集电区)的半导体材料组成。
当在基区加上一小电流时(基电流),可以控制从发射区到集电区的大电流(集电电流)的流动。
晶体管的工作原理是通过控制基区的电流来控制集电区的电流,实现信号的放大。
五、综合题请根据以下电路图,回答问题。
电路图:[图片未提供]1. 请标注图中所示电子元器件的名称和性质。
- 元件1: 二极管,用于将交流信号转换为直流信号。
福建省中等职业学校学业水平考试《电子技术基础》合格性考试模拟试卷1一、单项选择题(每题4分,共40分)1. 二极管的正向导通电压约为:A. 0.2VB. 0.5VC. 1VD. 2V2. 硅稳压二极管的主要功能是:A. 发光B. 整流C. 稳压D. 放大3. 在共射放大电路中,若基极电流增加,则集电极电流将如何变化?A. 减少B. 不变C. 增加D. 先减少后增加4. 集成运算放大器的理想输入阻抗应该是:A. 很低B. 很高C. 等于输出阻抗D. 等于电源电压5. 数字电路中,二进制数1011转换为十进制数是:A. 8B. 9C. 10D. 116. 以下哪个不是三极管的三个工作状态?A. 截止B. 饱和C. 放大D. 振荡7. 一个完整的电容滤波电路通常由哪些部分组成?A. 仅电容B. 仅电阻C. 电容和负载D. 电容和二极管8. 触发器的主要功能是:A. 放大信号B. 稳压C. 存储信息D. 滤波9. 时序逻辑电路的输出状态与以下哪个因素有关?A. 仅当前输入B. 仅之前的输入状态C. 输入信号的时序D. 电源电压10. 以下哪个逻辑门可以实现“非”逻辑功能?A. 与门(AND)B. 或门(OR)C. 非门(NOT)D. 与非门(NAND)二、判断题(每题2分,共20分)11. 二极管的反向击穿电压通常高于其正向导通电压。
()12. 发光二极管(LED)可以用于信号的接收。
()13. 共射放大电路的放大倍数主要取决于集电极电流。
()14. 集成运放的输出阻抗很低,适合驱动小负载。
()15. 数字信号是由离散的电压或电流变化组成的。
()16. 组合逻辑电路的输出状态可以受到之前输入状态的影响。
()17. 触发器可以用于数字电路中的计数功能。
()18. 时序逻辑电路的输出状态与输入信号的时序无关。
()19. 编码器通常用于将多个输入信号转换为单个输出信号。
()20. 在数字电路中,一个3位二进制计数器可以表示的最大计数值是8。
《模拟电子技术基础》样卷一一、判断题(每题1 分,共 10分。
若提法正确,在括号内打√;提法错误,在括号内打×。
)1.外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。
()2.当二极管的外加反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加(反向击穿),所以二极管不能工作在反向击穿区。
()3.在H参数中,h ie为基极—发射极间的直流输入电阻。
()4.场效应管是利用一种多子导电,其受温度的影响很小。
()5.三种组态中,共基电路输入电阻最大。
()6.为改善放大器的高频响应,应该增大三极管的结电容CπCμ。
()7.两发射极之间串电阻后,可以扩大差分放大的线性范围。
()8.设反馈系数为F ,电流负反馈时放大器输入阻抗上升1+F A 倍。
()9.振荡器具有较稳定振荡的原因,是振荡系统中具有选频网络。
()10.全波整流电路有4个整流管,所以流过每个整流管的电流为负载电流的四分之一。
()二、填空题(每空1 分,共 10分)1.三极管的发射结,集电结时,三极管工作在饱和区。
2.已知一个场效应管的输出特性曲线,试判别:管型,U GS(off)或U GS(th)。
3.在交流放大电路中,若静态工作点选得太高,则容易产生失真,若静态工作点选得太低,则容易产生失真。
4.大信号差分放大器差模传输特性为函数。
5.电流负反馈放大器的输出电阻较。
6.运算放大器引入相位补偿的目的是为了。
7.管子的导通周期为称乙类。
8.同相比例运算电路的输入电阻为,输出电阻为零。
9.在理想情况下,当f→∞时的电压增益就是它的通带电压增益,这种电路属于滤波电路。
10.文氏电桥振荡器的振荡频率f0= 。
三、选择题(每题2分,共 10分。
在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将其字母标号写在题后的括号内。
)1.如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接,则该管()A、击穿B、电流为0C、电流过大使管子烧坏D、正常导通2.差分放大器左管输入电压+100mV,右管输入-300mV,其共模输入()A、100mVB、-100mVC、200mVD、-200mV3.电流串联负反馈电路的放大参量为()A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、转移电阻D、转移电导4.希望单级运算电路的函数关系是y=a1x1+a2x2—a3x3(其中a1、a2、a3是常数,且为正值)应选用()A、比例电路B、反相求和电路C、双端求和运算电路D、带通滤波电路5.在全波整流电容滤波电路中,如果有一个二极管开路,则输出电压()A、极性改变B、等于零C、下降一半D、稍有下降四、分析计算题(共 70分)1.设图示电路中的二极管是理想的,输入电压为u i=5sinωt,画出输出电压的波形和该电路的电压传输特性曲线。
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反应;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反应。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,假设uI = 20 mV,那么电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。
2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须()它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。
第一章半导体二极管和三极管第一部分客观题1、正偏二极管端电压增加5%,通过二极管的电流()。
A 增大约5%B 增大小于5%C 增大大于5%D 基本不变。
图1-12、图1-1可用于测量二极管的直流电阻RD 。
当图中电源电压E加倍时,RD会()。
A 加倍B 变大C 不变D 变小3、工作在放大区的某三极管,如果当从12增大到22时,从1变为2,那么它的约为()。
A 70B 83C 91D 1004、在本征半导体中加入()元素可以形成N型半导体。
A 五价B 四价C 三价D 二价5、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A 前者正偏、后者正偏B 前者正偏、后者反偏C 前者反偏、后者正偏D 前者反偏、后者反偏6、稳压管的稳压区是其工作在()A 正向导通B 方向截止C 反向击穿7、关于晶体管特性曲线的用途,下述说法中的()不正确。
A. 判断BJT的质量B. 估算BJT的一些参数C. 计算放大电路的一些指标D.分析放大器的频率特性8、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()9、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()10、若耗尽层N沟道MOS管的大于零,则其输入电阻会明显变小。
()11、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()12、若测得一支BJT 的电流IB=50uA,IC=2.5 mA ,则该管的≈IC/IB=50。
()13、工作点是指BJT 的电流和电压在其特性曲线上对应的点。
()14、放大区IC IB。
因>>1, 故BJT适于电流放大,不适于作电压放大。
()15、放大管集电结反向电压增大,会使集电极电流iC 增大,这是因为此时集电结对从基区扩散过来的载流子吸引力增大的结果。
()16、PNP和NPN是一种对称结构。
因此将发射极与集电极对调使用,BJT仍然能正常放大信号。
()17、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………《模拟电子技术基础》试卷1 答案一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。
每空2分,共22分)1.在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。
2.当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。
(填“增大”或者“减小”或者“不变”)。
3.电路如图1-1所示,设二极管导通电压D 0.7U =V ,则该电路的输出电压值U = V 。
4.电路如图1-2所回示,则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 IO-du u RCdt= 。
5.已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数um ||A •为 100,电路的下限频率L f = 10 Hz 。
I•102040图1-1 图1-2 图1-36.按照滤波电路的工作频率,通过某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为带通 滤波器。
7.正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ••= 。
8.正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路,其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。
9.直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。
10.在串联型线性稳压电源中,调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。
院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………二、单项选择题(从下列各小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将其代号填在答题线上。
每小题3分,共18分)1.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12μA 增大到22μA 时,C I 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 B 。
A .109B .100C .91D .83 2.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 C 。
A .β B .2β C .2β D .ββ 3.集成运放的互补输出级采用共集接法的原因是 D 。
A .频带宽B .放大电压的能力强C .输入电阻大D .带负载能力强4.放大电路中引入交流负反馈后,其性能会地得到多方面的改善,下列表述中不正确的是 C 。
A .可以稳定放大倍数 B .可以改变输入电阻和输出电阻 C .使频带变窄 D .可以减小非线性失真 5. LC正弦波振荡电路中选频网络在0f f ==时呈 A 。
A .阻性B .感性C .容性D .无法确定6.在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压有效值2U 为10V ,测得输出电压平均值O(AV)U 可能的数值为 B 。
A .14VB .12VC .9VD .三、判断题(判断以下论述的正误,认为正确的就在相应答题位置打“√”,错误的打“×”。
每小题1分,共10分)1.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
( √ ) 2.只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × ) 3.处于放大状态的晶体管,其发射极电流是多子扩散运动形成的。
( √ ) 4.场效应管是由电压即电场来控制电流的器件。
( √ ) 5.功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。
( × ) 6.电压反馈能稳定输出电压,电流反馈能稳定输出电流。
( × ) 7.阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后越容易产生低频自激振荡。
( √ ) 8.只要满足正弦波振荡的相位条件,电路就一定能振荡。
( × )9.放大电路产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( √ ) 10.在滞回比较器中,当输入信号变化方向不同时其阈值将不同。
( √ )院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………四、计算题(写出主要计算步骤及结果。
第1,5小题12分,第2小题10分,第3,4小题各8分,共50分)1. 电路如图4-1所示,晶体管的100β=,BE 0.7U =V ,bb'100r = Ω,CC 12V =V ,B 565R = k Ω,C 3R =k Ω。
(1) 计算电路的静态工作点;(2) 若负载电阻L R =∞,晶体管饱和压降CES 0.6U =V ,试计算电路的最大不失真输出电压的有效值。
(3) 若负载电阻L 3R =k Ω,求u A •、i R 和o R 。
解:(1)电路的静态工作点CC BEQBQ C120.7mA 20μA 565V U I R --===,CQ BQ 20mA I I β== CEQ CC CQ C (1223)V 6V U V I R =-=-⨯=------------------------------------(3分)(2)当负载电阻L R =∞时,因CC CEQ CEQ CES ||||V U U U ->-,所以电路的最大不失真输出电压的有效值为||3.82V U U -=≈--------------------(3分)(3)若L 3R =k Ω,电路的交流等效电路如图所示,(图略) 图4-1则T be bb'EQ (1) 1.41k ΩU r r I β=++≈,C L u be(//)106R R A r β•=-≈-,i B be // 1.41k ΩR R r =≈,o C 3k R R ==Ω。
-------(6分) 2.在如图4-2所示的电路参数理想对称,晶体管的100=β,bb'100r =Ω,BEQ 0.7U =V ,c 10R =kΩ,e 5.1R =kΩ,W 100R =Ω,CC 12V =V ,EE 6V =V ,试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ,以及动态参数A d 和R i 。
解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ 如下:WBEQ EQ EQ e EE 22R U I I R V ++= EE BEQ EQWe 0.517mA 22V U I R R -=≈+----------------------------(4分)A d 和R i 分析如下:Tbe bb'EQ(1)5.18k ΩU r r I β=++≈ cd Wbe 97.75(1)2R A Rr ββ=-≈++i be W 2(1)20.5k ΩR r R β=++≈----------------------------(6分)图4-2院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………3.电路如图4-3所示。
(1) 判断电路中引入了哪种组态的交流负反馈; (2) 求出在深度负反馈条件下的f A •和uf A •。
解:(1)电压串联负反馈;-------------------------------------------(3分)(2)因为1f o 12R U U R R ••=+,则f 1uu 12o U R F R R U •••==+在深度负反馈条件下,o 2uf u 1uui11RU A A R U F •••••==≈=+--------(5分)图4-34.电路如图4-4所示,试求输出电压与输入电压的运算关系式。
解:第一级电路为同相比例运算电路,因而o1I1I110(1) 1.520u u u =+=-----------(3分) 利用叠加定理,第二级电路的输出为o o1I2I2I12020(1)3()1010u u u u u =-++=--------------(5分)图4-45.OCL 功率放大电路如图4-5所示。
(1)静态时,输出电压o U 应是多少调整哪个电阻能满足这一要求(2)动态时,若输出电压波形出现交越失真,应调整哪个电阻如何调整 (3)设 CC 15V =V ,输入电压为正弦波,晶体管的饱和管压降CES 3U =V ,负载电阻L 4R =Ω。
试求负载上可能获得的最大功率om P 和效率η。
解: (1)静态时,输出电压o 0U =,调整1R 或3R 可满足要求。
------(3分)(2)应调整2R ,增大2R 即可。
---------------------------------------------(3分)(3)负载上可能获得的最大功率为22CC CES o L ()(153)W 18W 224V U P R --===⨯效率为CC CESCC12378.5%62.8%412V U V πη--=≈⨯=g---------------------(6分) 图4-5。