电力电子技术知识点

1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT，以及这些元件的应用范围、基本特性。

2.解释什么是整流、什么是逆变。

3.解释PN结的特性，以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。

4.肖特基二极管的结构，和普通二极管有什么不同？5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。

6.如何选配二极管（选用二极管时考虑的电压电流裕量）7.单相半波可控整流的输出电压计算（P44）8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪？9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化？（P45）10.单相桥式全控整流电路中，元件承受的最大正向电压和反向电压。

11.保证电流连续所需电感量计算。

12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压（思考题，书上没答案，自己试着算）13.什么是自然换相点，为什么会有自然换相点。

14.会画三相桥式全控整流电路电路图，波形图（P56、57、P58、P59、P60，对比着记忆），以及这些管子的导通顺序。

15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。

16.为什么会有换相重叠角？换相压降和换相重叠角计算。

17.什么是无源逆变？什么是有源逆变？18.逆变产生的条件。

19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定？公式。

做题：P95：1 3 5 13 16 17，重点会做27 28，非常重要。

20.四种换流方式，实现的原理。

21.电压型、电流型逆变电路有什么区别？这两个图要会画。

22.单相全桥逆变电路的电压计算。

P10223.会画buck、boost电路，以及这两种电路的输出电压计算。

24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点？做题，P138 2 3题，非常重要。

25.什么是PWM,SPWM。

26.什么是同步调制？什么是异步调制？什么是载波比，如何计算？27.载波频率过大过小有什么影响？28.会画同步调制单相PWM波形。

29.软开关技术实现原理。

电力电子必背知识点1.电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件（Power Electronic Device）。

2.电力电子器件的基本特性注：很重要，一定记住（1）电力电子器件一般都工作在开关状态。

（2）电力电子器件的开关状态由（驱动电路）外电路来控制。

（3）在工作中器件的功率损耗（通态、断态、开关损耗）很大。

为保证不至因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，在其工作时一般都要安装散热器。

3.按器件的开关控制特性可以分为以下三类：① 不可控器件：器件本身没有导通、关断控制功能，而需要根据电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。

如：电力二极管（Power Diode）；②半控型器件：通过控制信号只能控制其导通，不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。

如：晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件等；③全控型器件：通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件，称为全控型器件。

如：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor ）、功率场效应管（Power MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor）等。

4.前面已经将电力电子器件分为不可控型、半控型和全控型。

按控制信号的性质不同又可分为两种：① 电流控制型器件：此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制。

如：晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT等；② 电压控制半导体器件：这类器件采用电压控制（场控原理控制）它的通、断，输入控制端基本上不流过控制电流信号，用小功率信号就可驱动它工作。

如：代表性器件为MOSFET管和IGBT管。

5.几点结论（重要）1.晶闸管具有单向导电和可控开通的开关特性。

2.晶闸管由阻断状态转为导通状态时，应具备两个条件：从主电路看，晶闸管应承受正向阳极电压；从控制回路看，应有符合要求的正向门极电流。

电力电子复习资料一、简答题1、晶闸管导通和关断的条件是什么？解：晶闸管导通条件是：1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压；2）晶闸管门极和阴极之间必须加上适当的正向脉冲电压和电流。

在晶闸管导通后，门极就失去控制作用，欲使其关断，只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下，可采用阳极加反向电压、减小阳极电压或增大回路阻抗等方式。

2、有源逆变实现的条件是什么？（1）晶闸管的控制角大于90度，使整流器输出电压Ud为负（2）整流器直流侧有直流电动势，其极性必须和晶闸管导通方向一致，其幅值应大于变流器直流侧的平均电压3、什么是逆变失败，造成逆变失败的原因有哪些？如何防止逆变失败?4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点？答：按照逆变电路直流测电源性质分类，直流侧是电压源的称为逆变电路称为电压型逆变电路，直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变电路电压型逆变电路的主要特点是：①直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。

直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。

②由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。

而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。

③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。

电流型逆变电路的主要特点是：①直流侧串联有大电感，相当于电流源。

直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。

②电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流侧输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。

而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。

③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电感起缓冲无功能量的作用。

因为反馈无功能量时直流电流并不反向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。

5、换流方式有哪几种？分别用于什么器件？6、画出GTO,GTR ,IGBT,MOSFET 四种电力电子器件的符号并标注各引脚名称7、单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的，两者的区别？答：区别在于是：1）、单相全波可控整流电路中变压器的二次绕组带中心抽头，结构复杂；2）、单相全波可控整流电路中只用2个晶闸管，比单相全控桥式可控整流电路少数民族个，相应地，晶闸管的门极驱动电路也少数民族个；但是在单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大电压为22U 2，是单相全控桥式整流电路的确倍；3）、单相全波可控整流电路中，导电回路只含1个晶闸管，比单相桥少1个，因而也少了一次管压降。

电力电子技术知识点总结一、电力电子器件1. 晶闸管：晶闸管是一种具有双向导电性能的电子器件，可以控制大电流、大功率的交流电路。

其结构简单，稳定性好，具有一定的可逆性，可用作直流电压调节元件、交流电压调节元件、静止开关、逆变器等。

2. 可控硅：可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件，具有控制开关特性，可用于控制大电流、大功率的交流电路。

可控硅具有可控性强，工作稳定等特点，适用于电力调节、交流电源、逆变器等领域。

3. MOSFET：MOSFET是一种以金属氧化物半导体栅极场效应晶体管为基础的器件，和普通的MOS晶体管相比，MOSFET在导通电阻上有较低的压降、耗散功率小、寄生电容小、开关速度快等优点，适用于开关电路、逆变器、电源调节等领域。

4. IGBT：IGBT是一种继承了MOSFET和双极晶体管的特点的半导体器件，具有高阻塞电压、低导通压降、大电流、耐脉冲电流等特点，适用于高频开关电路、变频器、电源逆变器、电机调速等领域。

5. 二极管：二极管是最基本的电子元件之一，具有正向导通和反向截止的特点，广泛用于整流、短路保护、开关电源等方面。

以上所述的电力电子器件是电力电子技术的基础，掌握了这些器件的特性和应用，对于电力电子技术的学习和应用具有重要的意义。

二、电力电子拓扑结构1. 变流器拓扑结构：变流器是电力电子技术中的一种重要装置，用于将直流电转换为交流电或者改变交流电的频率、电压和相数等。

常见的变流器拓扑结构包括单相全桥变流器、三相全桥变流器、单相半桥变流器、三相半桥变流器等。

2. 逆变器拓扑结构：逆变器是电力电子技术中的一种重要装置，用于将直流电转换为交流电，逆变器可以选择不同的拓扑结构和控制策略，以满足不同的电力系统需求。

常见的逆变器拓扑结构包括单相全桥逆变器、三相全桥逆变器、单相半桥逆变器、三相半桥逆变器等。

3. 母线型柔性直流输电系统：母线型柔性直流输电系统是一种新型电力电子系统，用于将大容量的交流电转换为直流电进行长距离输电。

第一章电力电子器件1、电力电子技术就是用电力电子器件对电能进行变换与控制的技术流(AC—AC)。

常用电力电子器件、电路图形文字符号与分类:二、晶闸管的导通条件:阳极正向电压、门极正向触发电流、三、晶闸管关断条件就是:晶闸管阳极电流小于维持电流。

导通后晶闸管电流由外电路决定实现方法:加反向阳极电压。

3、晶闸管额定电流就是指:晶闸管在环境温度40与规定的冷却状态下,稳定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

4、IT(AV)与其有效值IVT的关系就是IT(AV)=IVT/1、575、晶闸管对触发电路脉冲的要求就是:1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 2)触发脉冲应有足够的幅度3)所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极电压,电流与功率额定且在门极伏安特性的可靠触发区域之内4)应有良好的抗干扰性能,温度稳定性与主电路的电气隔离。

第二章:整流电路1、单相桥式全控整流电路结构组成:A.纯电阻负载:α的移相范围0~180º,Ud 与Id的计算公式,要求能画出在α角下的Ud ,Id及变压器二次测电流的波形(参图3-5);B.阻感负载:R+大电感L下,α的移相范围0~90º,Ud 与Id计算公式要求能画出在α角下的Ud ,Id,Uvt1及I2的波形(参图3-6);2、三相半波可控整流电路:α=0 º的位置就是三相电源自然换相点A)纯电阻负载α的移相范围0~150 ºB)阻感负载(R＋极大电感L)①α的移相范围0~90 º②Ud IdIvt计算公式③参图3-17 能画出在α角下能Ud IdIvt的波形(Id电流波形可认为近似恒定)3、三相桥式全控整流电路的工作特点:A)能画出三相全控电阻负载整流电路,并标出电源相序及VT器件的编号。

B)纯电阻负载α的移相范围0~120 ºC)阻感负载R＋L(极大)的移相范围0~90 ºUd IdIdvtIvt的计算及晶闸管额定电流It(AV)及额定电压Utn的确定D)三相桥式全控整流电路的工作特点:1)每个时刻均需要两个晶闸管同时导通,形成向负载供电的回路,其中一个晶闸管就是共阴极组的,一个共阳极组的,且不能为同一相的晶闸管。

电力电子技术考试要点第一章1、 什么是电力电子技术？电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，即应用于电力领域的电子技术。

第二章 2、 电力电子器件的损耗通态损耗、断态损耗、开关损耗（开通损耗、关断损耗）通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。

当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。

3、 使晶闸管导通的条件晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发点流（脉冲）。

4、 维持晶闸管导通的条件，怎样使晶闸管关断？ 使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的维持电流。

可以利用外加电压或外电路的作用，使晶闸管的电流低于维持电流，可使导通的晶闸管关断。

5、 触发延迟角、导通角的概念从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加脉冲止的电度角称为触发延迟角，用α表示，也称为触发角或控制角。

晶闸管在一个电源周期中处于通态的电度角称为导通角，用θ表示，θ=π-α。

6、 单相半波可控整流电路的特点 VT 的移相范围为0~180°简单，输出脉动大，变压器二次电流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化。

7、 单相桥式半控整流电路续流二极管的作用加设续流二极管以避免可能发生的而失控现象，有利于降低损耗。

8、自然换向点：电流由一个二极管向另一个二极管转移的交点，是各晶闸管能触发导通的最早时刻，将其作为计算各晶闸管触发角α的起点，即α=0° 9、 计算三相桥式全控整流电路各种负载下的工作原理、公式、波形、移相范围。

（有大题） 三相桥式全控整流电路原理图 α≦60 α>60 Id = Ud / Rαωωπαπαπcos 34.2)(sin 63123232U t td U U d ==⎰++⎥⎦⎤⎢⎣⎡++==⎰+)3cos(134.2)(sin 63232απωωππαπU t td U U d阻感负载：α≦30 α>30Id = Ud/R10、变压器漏感对整流电路影响的一些结论 出现换相重叠角γ，整流输出电压平均值U d 降低。

电力电子技术1.以电力为处理对象的电子技术称为电力电子技术。

它是一门利用电力电子器件对电能进行控制和转换的学科。

2.电力交换分为：交直变换（AC-DC 整流）直交变换（DC-AC 逆变）交交变换（AC-AC 交交变换）直直变换（DC-DC 斩波）3.1957年美国的通用电气公司研制出第一个晶闸管。

4.电源：直流电源，恒压恒频交流电源，变压变频电源。

5.电源涉及不间断电源、电解电源、电镀电源、开关电源（SMPS）、计算机及仪器仪表电。

6.高压直流输电（HVDC）晶闸管控制电抗器（TCR）晶闸管投切电容器（SVC）有源电力滤波（APF）7.为了减小本身的损耗，提高效率，电力电子器件一般工作在开关状态。

8.低频时通态损耗电力电子器件功率损耗的主要成因;器件开关频率较高，开关损耗随增大而成为器件功率损耗主要因素。

9.电力二极管:螺栓型和平板型两种封装。

10.当施加的反向电压过大时，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，这就是反向击穿。

反向电流未被限制住,使得反向电流和反向电压的乘积超过了PN 结所容许的耗散功率，就会因热量散发不出去而导致PN结温度上升，直至过热而烧毁，这就是热击穿。

PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现一定的电容效应。

11.正向平均电流IF（Av）是指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温皮平均值取标散热条件下，其允许流过的最大工频正弦平波电流的平均值。

肖特基二极管是单极器件12.为保证可靠，安全触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率都限制在可靠触发区。

13.实际中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使其充分恢复对正向电压的阻断能力，才能使晶闸管可靠关断。

14.GTR一般采用共发射极接法。

为了保证安全，最高工作电压Ucem要比BUceo低的多。

15.当GTR的集电极电压升高至一次击穿电压临界值BUcEo时，集电极电流Ic会迅速增大，出现雪崩击穿，称之为一次击穿，一次击穿也称为电压击穿。