数电模电第二章知识点

数电模电第二章①电压放大倍数Au ：放大电路输出电压与输入电压的比值。

Au =u0/ui② 电流放大倍数Ai ：放大电路输出电流与输入电流的比值。

Ai = i0/ii集电极电源，为电路提供能量。

并保证集电结反偏。

基极电源与基极电阻，使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。

非线性失真有两类：截止失真和饱和失真级与级之间的连接，称为耦合，常见的耦合方式有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合和光电耦合等多级放大电路的电压放大倍数为各级放大电路电压放大倍数之积1、对功率放大电路的要求输出功率要大非线性失真要小效率要高知识点一 分压式共发射极放大电路（很重要）（课本P42）分压式共发射极放大电路可以稳定静态工作点。

分压式共发射极放大电路分析B 点的电流方程为：B 点的电位： ≈B U b2CC b1b2R V R R +12B I I I =+(1) 静态分析：由于I 1>>I B ，(2) 动态分析① 电压放大倍数②输入电阻R i③ 输出电阻R o知识点二 共集电极放大电路 C C E E E E e BE B E B C ()T I I U U I R U U U I I ↑→↑→↑→↑=→=-↓→↓→↓b2B CC b1b2R U V R R =+C B I I β=()CE CC C c e U V I R R =-+o c L b L u i R i R β''=-=-L c L //R R R '=i b be e e b be e [(1)]u i r i R i r R β=+=++o L ui be e(1)u R A u r Rββ'==-++b be e i i be e b b [(1)](1)i r R u R r R i i ββ++'===++i b1b2i i i b1b2i i i b1b2be e (////)////////[(1)]i R R R u R R R R i i R R r R β''====++1、静态分析：求静态工作点2、动态分析(1) 电压放大倍数Au(2) 输入电阻R i(3) 输出电阻R o ：将信号源短路，负载开路，在输出端加入测试电压u ，产生电流i ，如图通常知识点三 多级放大电路（有可能考） .多级放大电路的电压放大倍数为各级放大电路电压放大倍数之积题型：详见书P58例2-7知识点四 差分放大电路 be s o e //1r R u R R i β'+==+s s b //R R R '=be s e 1r R R β'+>>+be s o 1r R R β'+≈+1.功能：差分放大电路抑制了温度引起的零点漂移2.差模输入信号：在差分放大电路两输入端分别加上一对大小相等，极性相反的信号，u i1=u id1，u i2=u id2=-u id1共模输入信号不要求知识点四功率放大电路（无大题）1.对功率放大电路的要求：输出功率大、非线性失真小、效率高2.分类：静态工作点Q设置在交流负载线的中间，在整个信号周期内，三极管都有电流流过，称为甲类功率放大电路。

目录：《模电》第一章重点掌握内容： (1)《模电》第二章重点掌握内容： (4)《模电》第四章重点掌握内容： (10)《模电》第五章集成运算放大电路重点掌握内容： (10)《模电》第六章重点掌握内容： (10)《模电》第七章模拟信号运算电路重点掌握内容 (11)《模电》第九章波形发生电路重点掌握内容： (12)《模电》第十章重点掌握内容： (12)《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如硅和锗。

34、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

5、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

67、P P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而自由电子为少子。

8、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

9、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

10、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

11、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

P6,图1.2.5二极管的伏安特性。

其死区电压：S i 管约0.5V ，G e 管约为0.1 V 。

其导通压降：S iG e 管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10（压降为0.7V ，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U ﹥U Z ）时便稳压为U Z 。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

数电和模电知识点————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。