光继电器规格-Toshiba

光mos继电器光mos继电器是一种新型的电子元器件，它采用光电隔离技术，能够实现高速、高精度的电气隔离和信号转换。

相比传统的机械继电器，光mos继电器具有更高的可靠性、更长的寿命和更小的体积，因此在工业自动化、通信、医疗等领域得到了广泛的应用。

光mos继电器的工作原理是利用光电隔离器将输入信号转换成光信号，再通过光耦合器将光信号传递到输出端，最终实现信号的隔离和转换。

由于光信号具有高速、低噪声、不受电磁干扰等优点，因此光mos继电器能够实现高速开关和精确控制，适用于需要高速、高精度的场合。

光mos继电器的优点之一是可靠性高。

传统的机械继电器由于机械结构复杂，容易出现接触不良、接点烧坏等故障，而光mos继电器采用光电隔离技术，没有机械接触，因此不会出现这些故障。

此外，光mos继电器还具有抗振动、抗冲击、抗腐蚀等特点，能够适应恶劣的工作环境。

光mos继电器的另一个优点是寿命长。

传统的机械继电器由于机械接触，容易磨损，寿命较短，而光mos继电器没有机械接触，寿命较长。

一般来说，光mos继电器的寿命可以达到数十万次甚至数百万次，比传统的机械继电器要长得多。

光mos继电器的体积也比传统的机械继电器要小得多。

由于光mos继电器采用光电隔离技术，不需要机械结构，因此体积可以做得很小。

这对于一些空间有限的场合非常有用，比如在手机、平板电脑等移动设备中，光mos继电器可以实现更小的尺寸和更高的性能。

光mos继电器的应用非常广泛。

在工业自动化领域，光mos继电器可以用于控制电机、气动元件、液压元件等，实现高速、高精度的控制。

在通信领域，光mos继电器可以用于光纤通信、光电转换等，实现高速、低噪声的信号传输。

在医疗领域，光mos继电器可以用于医疗设备的控制和信号处理，实现更高的安全性和可靠性。

光mos继电器是一种非常有前途的电子元器件，具有可靠性高、寿命长、体积小等优点，适用于工业自动化、通信、医疗等领域。

随着科技的不断进步，光mos继电器的应用前景将会越来越广阔。

继电器型号尺寸标准
继电器型号尺寸标准通常因制造商和不同型号而异。

继电器主要用于控制低电压和低电流的电路，其体积一般比较小。

一般来说，小功率继电器主要分为DIP型和SMD型两种封装类型。

其中，DIP型是插入式封装，适用于插座式安装；而SMD型是表面贴装式封装。

继电器的尺寸也是因制造商和不同型号而异，常见的外形尺寸有
10mm××8mm、13mm×19mm×、××12mm等。

此外，小功率继电器的输出引脚通常分为4个和5个两种，其中4个引脚
的继电器通常被称为单切继电器，5个引脚的继电器通常被称为双切继电器。

单切继电器的引脚布置在两端，而双切继电器的引脚布置在中间。

引脚间距大小也因制造商和不同型号而异，一般来说，DIP型继电器的引脚间距为，而SMD型继电器的引脚间距为。

如需了解更多关于继电器型号尺寸标准的信息，建议咨询专业技术人员获取帮助。

固态继电器规格书固态继电器是一种在电路中起到开关作用的电子元件，相比传统的机械继电器，固态继电器具有体积小、寿命长、响应速度快等优点。

在本文中，将详细介绍固态继电器的规格书内容。

一、产品概述固态继电器是一种半导体器件，由输入端、输出端和控制端组成。

根据不同的工作原理，固态继电器可以分为三种类型：AC输出型、DC输出型和AC/DC双输出型。

AC输出型适用于交流电路，DC输出型适用于直流电路，而AC/DC双输出型则同时适用于交流和直流电路。

二、技术参数1. 额定负载电流：固态继电器的额定负载电流决定了其可以承受的最大电流大小。

根据实际需求选择合适的额定负载电流，以确保电路正常工作。

2. 控制电压范围：固态继电器的控制电压范围是指其可以正常工作的输入电压范围。

需要根据实际控制信号的电压确定选择合适的固态继电器。

3. 额定输入电流：固态继电器的额定输入电流是指其正常工作时所需的输入电流大小。

根据实际控制信号的电流确定选择合适的固态继电器。

4. 额定输出电压：固态继电器的额定输出电压是指其可以正常工作的输出电压范围。

根据实际负载的电压确定选择合适的固态继电器。

5. 隔离电压：固态继电器的隔离电压是指其输入端和输出端之间的绝缘程度。

较高的隔离电压可以有效防止电路间的干扰和电气安全问题。

三、特性和功能1. 响应速度快：固态继电器由于采用半导体器件，其响应速度远快于机械继电器，可以实现快速的开关动作。

2. 寿命长：固态继电器没有机械接触，因此不存在机械磨损的问题，寿命远远高于机械继电器。

3. 体积小：固态继电器采用半导体技术，体积较小，可以节省空间，方便安装和布线。

4. 静音工作：固态继电器在工作过程中没有机械震动和噪音，可以实现静音工作。

5. 低功耗：固态继电器在工作时的功耗较低，可以节省能源。

6. 宽工作温度范围：固态继电器可以在较宽的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境。

四、应用领域固态继电器广泛应用于各种自动化控制系统中，如工业自动化、家用电器、电力电气等领域。

常见继电器及参数一览表1. 继电器简介继电器是一种电控制器，在电路中起到电流放大、电路隔离和电路保护等作用。

它可以将微小的控制信号转换成较大的能量输出，常用于自动控制领域。

2. 常见继电器参数3. 常见继电器类型和特点3.1 电磁继电器- 特点：具有可靠的开关能力和较长的使用寿命。

- 应用：广泛用于电力系统、自动化控制系统等领域。

3.2 固态继电器- 特点：快速开关速度、低噪音、高可靠性。

- 应用：适合高频，高速，高精度控制要求的系统。

3.3 热继电器- 特点：具有过载保护功能。

- 应用：适用于电动机、家用电器等领域。

3.4 时间继电器- 特点：能够按照预定的时间顺序开关电路。

- 应用：广泛用于时间控制系统、照明控制系统等。

4. 继电器选型注意事项- 根据实际需求选择合适的继电器类型。

- 注意继电器的额定负荷电流和额定负荷电压是否与被控制设备匹配。

- 考虑继电器的动作时间和释放时间。

- 继电器需要满足工作环境的要求，如温度、湿度等。

5. 继电器应用案例- 家庭电路控制系统：通过继电器实现电灯、窗帘等的自动控制。

- 工业自动化控制系统：利用继电器进行电机的启停和方向控制。

- 电力系统保护系统：使用继电器对电路进行过载、短路等保护。

6. 总结本文介绍了常见继电器及其参数，包括电气参数、接触参数、动作参数、绝缘参数和环境参数。

同时对不同类型的继电器进行了简要介绍，并给出了继电器选型的注意事项。

最后，列举了继电器在实际应用中的案例。

通过本文的了解，读者可以更好地选择和应用继电器。

固态继电器的技术参数工作原理及其选型固态继电器（Solid State Relay，SSR）是一种使用半导体器件作为控制元件，替代传统电磁继电器的电器开关装置。

固态继电器具有快速响应、可靠性高、抗干扰能力强等特点，广泛应用于自动化控制系统、电力系统、机械设备等领域。

下面将对固态继电器的技术参数、工作原理及其选型进行详细介绍。

一、固态继电器的技术参数1.额定电压：固态继电器的额定电压指的是继电器能够承受的最大电压。

常见的额定电压有3-32VDC、5-60VDC、12-380VAC等。

2.额定电流：固态继电器的额定电流指的是继电器能够承受的最大电流。

常见的额定电流有10A、25A、40A、80A等。

3.输入电阻：固态继电器的输入电阻是指在控制端接入继电器时，继电器对输入信号的阻抗大小。

输入电阻越大，控制电流所消耗的功率越小。

4.输出电阻：固态继电器的输出电阻是指在输出端的负载上产生的电阻。

输出电阻越小，继电器输出的电压越稳定。

5.工作温度范围：固态继电器的工作温度范围是指继电器能够正常工作的温度范围。

一般情况下，工作温度范围为-40℃到+80℃之间。

二、固态继电器的工作原理当控制电路输入的电流大于等于继电器的激活电流时，继电器将被激活并输出电压。

反之，如果输入电流小于继电器的激活电流，则继电器保持断开状态。

三、固态继电器的选型在选型固态继电器时，需要考虑以下几个方面的因素：1.负载类型：根据实际应用需求选择适合的负载类型，固态继电器可用于交流负载和直流负载。

2.额定电压和额定电流：根据负载的额定电压和额定电流选择对应的固态继电器。

额定电压和额定电流应略大于负载的实际值，以保证稳定可靠的开关动作。

3.工作温度范围：根据实际工作环境的温度范围选择适合的固态继电器。

4.响应时间：对于需要快速响应的应用场合，需要选择响应时间较短的固态继电器。

5.安装方式：根据实际安装方式选择合适的固态继电器，可以是面板安装、导轨安装或者插座安装。

TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−TransistorTLP620, TLP620−2, TLP620−4Programmable ControllersAC / DC−Input ModuleTelecommunicationThe TOSHIBA TLP620, −2 and −4 consists of a photo−transistoroptically coupled to two gallium arsenide infrared emitting diodeconnected in inverse parallel.The TLP620−2 offers two isolated channels in an eight lead plastic DIP,while the TLP620−4 provides four isolated channels in a sixteen plasticDIP.· Collector−emitter voltage: 55V (min.)· Current transfer ratio: 50% (min.)Rank GB: 100% (min.)Pin Configurations (top view)TLP6201 2431 : ANODECATHODE2 : CATHODEANODE3 : EMITTER4 : COLLECTOR1, 3 : ANODECATHODE2, 4 : CATHODEANODE5, 7 : EMITTER6, 8 : COLLECTOR234561, 3, 5, 7 : ANODE, CATHODE2, 4, 6, 8 : CATHODE, ANODE9, 11, 13, 15 :EMITTER10, 12, 14, 16 : COLLECTORTOSHIBA 11−5B2Weight: 0.26 gTOSHIBA 11−10C4Weight: 0.54 gTOSHIBA 11−20A3Weight: 1.1 gUnit in mmMade In Japan Made In Thailand UL recognized E67349 *1E 152349 *1BSI approved7426, 7427*27426, 7427*2*1 UL 1577*2 BS EN60065: 1994, BS EN60950: 1992· Isolation voltage: 5000V rms (min.)· Option (D4) typeVDE approved: DIN VDE0884 / 06.92, certificate no. 68384 Maximum operating insulation voltage: 890V PK Highest permissible over voltage: 8000V PK(Note) When a VDE0884 approved type is needed,please designate the “Option(D4)”.· Creepage distance: 6.4mm (min.)Clearance: 6.4mm (min.)Insulation thickness: 0.4mm (min.)Maximum Ratings (Ta = 25°C)RatingCharacteristic SymbolTLP620TLP620-2 TLP620-4UnitForward current I F (RMS) 60 50 mAForward current derating ∆I F / °C -0.7 (Ta ≥ 39°C)-0.5 (Ta ≥ 25°C)mA / °CPulse forward current I FP 1 (100µs pulse, 100pps) APower dissipation (1 circuit) P D 100 70 mW Power dissipation derating ∆P D / °C-1.0-0.7 mW / °CL E DJunction temperature T j125 °CCollector -emitter voltage V CEO 55 VEmitter -collector voltage V ECO 7 VCollector currentI C 50 mA Collector power dissipation (1 circuit)P C 150 100 mW Collector power dissipation derating (1 circuit) (Ta ≥ 25°C) ∆P C / °C-1.5-1.0 mW / °CD e t e c t o rJunction temperature T j 125 °CStorage temperature range T stg -55~125 °COperating temperature range T opr-55~100 °CLead soldering temperature T sold 260 (10s) °C Total package power dissipation P T 250 150 mW Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C, 1 circuit) ∆P T / °C-2.5-1.5 mW / °CIsolation voltageBV S 5000 (AC, 1 min., RH ≤ 60%)V rmsRecommended Operating ConditionsCharacteristic Symbol Min.Typ.Max.UnitSupply voltage V CC ― 5 24 V Forward current I F (RMS) ― 16 20 mA Collector current IC ― 110 mAOperating temperatureT opr-25― 85 °CIndividual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitForward voltage V F I F = ±10mA 1.01.151.3 VFoward currentI FV F = ±0.7V ― 2.5 20 µA L E DCapacitance C T V = 0, f = 1MHz ― 60 ― pF Collector -emitterbreakdown voltage V (BR) CEO I C = 0.5mA55―― VEmitter -collector breakdown voltage V (BR) ECOI E = 0.1mA 7 ― ― V V CE = 24V―10100nACollector dark current I CEO V CE = 24V, Ta = 85°C ― 2 50 µA D e t e c t o rCapacitance(collector to emitter)C CEV CE = 0, f = 1MHz―10― pFCoupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition MIn. Typ. Max.Unit50 ― 600Current transfer ratioI C / I FI F = ±5mA, V CE = 5V Rank GB100― 600%― 60 ― Saturated CTRI C / I F (sat)IF = ±1mA, V CE = 0.4V Rank GB30 ――%I C = 2.4mA, I F = ±8mA―― 0.4― 0.2 ― Collector -emitter saturation voltageV CE (sat)I C = 0.2 mA, I F = ±1 mA Rank GB― ― 0.4 VOff -state collector current I C (off) V F = ± 0.7V, V CE = 24V ― 110 µACTR symmetryI C (ratio)I C (I F = -5mA) / I C (I F = +5mA)0.331 3 ―Isolation Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitCapacitance input tooutputC S V S = 0, f = 1MHz ― 0.8 ― pF Isolation resistanceR SV S = 500V 1×1012 1014 ― Ω AC, 1 minute5000 ― ― AC, 1 second, in oil ― 10000 ― V rms Isolation voltageBV SDC, 1 minute, in oil―10000―V dcSwitching Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitRise time tr ― 2 ―Fall time t f ― 3 ― Turn -on time t on ― 3 ― Turn -off time t off V CC = 10V I C = 2mA R L = 100Ω― 3 ― µsTurn -on time t ON ― 2 ― Storage time t s ―15―Turn -off timet OFFR L = 1.9k Ω (Fig.1)V CC = 5V, I F = ±16mA ― 25 ―µsFig. 1 Switching time test circuitI FV CCV CECCTLP620-2 TLP620-4 I F – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )100-2060400 20 40 60 80 100 8020120TLP620 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )240-20 4016060100120080200120204080TLP620-2 TLP620-4 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )1200-20400 40 10080602020 60 80 100 120TLP620 I FP – D RDuty cycle ratio D R A l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1 310311 3 3TLP620-2 TLP620-4 I FP – D RDuty cycle ratio D RA l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I FP (m A )111 310 310 3100103TLP620 I F – TaAmbient temperature Ta (°C) A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )0-208040200 20 40 60 8010060100120∆V F / ∆Ta – I FForward current I F (mA)F o r w a r d v o l t a g e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t ∆V F / ∆T a (m V/ °C ) 1-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.10.331030I D – T aAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r d a r k c u r r e n t ID (µA )4080120160101010-10-10-10-I FP – V FPPulse forward voltage V FP (V)P u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1100.40.81.21.6 2.01 2.4C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )I C – V CECollector-emitter voltage V CE (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )24610I F – V FForward voltage V F (V) F o r w a r d c u r r e n tI F (m A )110.0.40.60.81.01.21.41.6I C – V CECollector-emitter voltage V CE(V)1100.40.61.4V F – I FForward voltage V F (V)F o r w a r d v o l t a g e I F (m A )-- 20.313103010011I C / I F – I FForward current I F (mA)C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o I C / I F (%)I C – V FForward voltage V F (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.0.0I C – I FForward current I F (mA) C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.I C – TaAmbient temperature Ta (°C)110. C o l l e c t o r c u r r e n t I C (mA )1111R L – Switching TimeLoad resistance R L (k Ω)S w i t c h i n g t i m e (µs )V CE (sat) – TaAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i on v o l t a g e V C E (s a t ) (V )2040600.10.10· TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.. · The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in this document shall be made at the customer’s own risk. · Gallium arsenide (GaAs) is a substance used in the products described in this document. GaAs dust and fumes are toxic. Do not break, cut or pulverize the product, or use chemicals to dissolve them. When disposing of the products, follow the appropriate regulations. Do not dispose of the products with other industrial waste or with domestic garbage. · The products described in this document are subject to the foreign exchange and foreign trade laws.· The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA CORPORATION for any infringements of intellectual property or other rights of the third parties which may result from its use. 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固态继电器原理及应用电路固态继电器(SOLID STATE RELAYS)，简写成“SSR”，是一种全部由固态电子元件组成的新型无触点开关器件，它利用电子元件(如开关三极管、双向可控硅等半导体器件)的开关特性，可达到无触点无火花地接通和断开电路的目的，因此又被称为“无触点开关”，它问世于70年代，由于它的无触点工作特性，使其在许多领域的电控及计算机控制方面得到日益广范的应用。

一、固态继电器的原理及结构SSR按使用场合可以分成交流型和直流型两大类，它们分别在交流或直流电源上做负载的开关，不能混下面以交流型的SSR为例来说明它的工作原理，图1是它的工作原理框图，图1中的部件①-④构成交流SSR的主体，从整体上看，SSR只有两个输入端(A和B)及两个输出端(C和D)，是一种四端器件。

工作时只要在A、B上加上一定的控制信号，就可以控制C、D两端之间的“通”和“断”，实现“开关”的功能，其中耦合电路的功能是为A、B端输入的控制信号提供一个输入/输出端之间的通道，但又在电气上断开SSR中输入端和输出端之间的(电)联系，以防止输出端对输入端的影响，耦合电路用的元件是“光耦合器”，它动作灵敏、响应速度高、输入/输出端间的绝缘(耐压)等级高；由于输入端的负载是发光二极管，这使SSR的输入端很容易做到与输入信号电平相匹配，在使用可直接与计算机输出接口相接，即受“1”与“0”的逻辑电平控制。

触发电路的功能是产生合乎要求的触发信号，驱动开关电路④工作，但由于开关电路在不加特殊控制电路时，将产生射频干扰并以高次谐波或尖峰等污染电网，为此特设“过零控制电路”。

所谓“过零”是指，当加入控制信号，交流电压过零时，SSR即为通态；而当断开控制信号后，SSR要等待交流电的正半周与负半周的交界点(零电位)时，SSR才为断态。

这种设计能防止高次谐波的干扰和对电网的污染。

吸收电路是为防止从电源中传来的尖峰、浪涌(电压)对开关器件双向可控硅管的冲击和干扰(甚至误动作)而设计的，一般是用“R-C”串联吸收电路或非线性电阻(压敏电阻器)。

TLP112‎A东芝小型扁平‎耦合器TLP‎112A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

TLP112‎A包含一个高‎输出功率的砷‎化镓铝发光二‎极管，该二极管光耦‎合到一个高速单‎片光电晶体管‎探测器。

TLP112‎A（P112A）特性∙隔离电压：2500Vr‎m s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ）∙兼容TTL∙UL 认证：UL1577‎,file no.E67349‎TLP112‎A（P112A）应用∙晶体管逆变器‎∙数字逻辑隔离‎∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源TLP113‎A概述：东芝小型扁平‎耦合器TLP‎113是一个‎小外型耦合器‎，适用于贴片安‎装。

TLP113‎（包含一个高输‎出功率的砷化‎镓铝发光二极‎管，该二极管光耦‎合到一个高增‎益，高速单片光探‎测器。

探测器的输出‎为肖特基钳位‎晶体管，集电极开路输‎出。

TLP113‎A特性：∙输入电流阀值‎：IF=10mA（最大）∙转换速度：10MBd（典型值）∙兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V∙性能保证温度‎范围：0～70℃∙隔离电压：2500Vr‎m s（最小）∙UL 认证：UL1577‎file no.E67349‎TLP113‎A应用：∙隔离线路接收‎器∙单/多路数据传输‎∙计算机外设接‎口∙微处理器系统‎接口∙A/D,D/A转换数字隔‎离TLP114‎A东芝小型扁平‎耦合器TLP‎114A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

TLP114‎A含有一个高‎输出功率的砷‎化镓铝发光二‎极管，该二极管光耦‎合到一个高速‎单片光电晶体‎管探测器。

TLP114‎A特性∙隔离电压：3750Vr‎m s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（RL=1.9kΩ）∙兼容TTL UL∙认证：UL1577‎,file no.E67349‎TLP114‎A应用∙数字逻辑隔离‎∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源∙晶体管逆变器‎TLP115‎A概述：东芝小型扁平‎耦合器TLP‎115A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

PhotoMOS继电器(上)作者：松下电工(中国)有限公司松下电工的PhotoMOS继电器使用光电元件和功率MOSFET进行输出。

该继电器通过光结合使输入输出间完全绝缘，与原来的机械继电器有所不同的是用LED和光电元件进行输入输出传送，其寿命可谓类似永久性的。

本刊分上中下三部分对PhotoMOS继电器的概要、控制电路、可靠性进行介绍。

本期介绍PhotoM OS 继电器概要部分。

前言PhotoMOS继电器针对小型、轻量、薄型化的需要，作为适应电子化的继电器，增加了高灵敏性、高速响应；从传感器输入信号电平到高频的控制；从声音信号到高频用途的对应；高可靠性和长寿命；可表面安装的SMD型；多功能化和静音化等新的功能。

图1 PhotoMOS继电器的等价电路图2 负载电压-电流特性的比较图3 使用装置的输出信号比较图4 开路时的漏电流PhotoMOS继电器的动作原理PhotoMOS继电器的输出是使用功率MOSFET在输入输出间实现电绝缘(1,500VAC·1分钟) 的半导体继电器。

其等价电路如图1所示。

动作原理是通过光电元件(太阳能电池)将发光元件(LED)的光进行电压变换，通过功率MOSFET的导通、非导通，进行负载控制。

PhotoMOS继电器的特点PhotoMOS继电器具备EMR (有触点机械继电器) 和SSR (无触点继电器) 两种功能，特点如下文所述。

?可控制微小模拟信号晶闸管或光电耦合器及一般的SSR，不能控制数百mV以下的信号，但PhotoMOS继电器闭路时的偏置电压极低，因此，即使是对微小电压信号或模拟信号也可不变形控制(如图2、3所示)。

?电路板小型化和设计容易化可将发光元件、光电元件、功率MOSFET集中到一个封装中，而且MOSFET的电路门电极也在封装中，因此抗干扰或静电能力较强。

另外，内置有自身发电功能的光电元件，所以，不需要外部电源来驱动功率MOSFET。

?用小输入信号可控制大负载与光电耦合器相比，因增幅率较大，所以可实现EMR所没有的高灵敏度参照表1。

继电器型号规格
继电器是一种电气控制器件，用于控制大电流、高电压开关电路。

不同的继电器型号对应不同的规格，下面将介绍几种常见的继电器型号规格。

型号1
•额定负载电流：10A
•额定负载电压：250V AC
•最大切换电流：15A
•动作电压：12V DC
•接触电阻：≤100mΩ
这种型号的继电器适用于一般家用电器等低功率电路的控制。

型号2
•额定负载电流：30A
•额定负载电压：400V AC
•最大切换电流：40A
•动作电压：24V DC
•接触电阻：≤50mΩ
这种型号的继电器适用于较大功率的电路，如电动机控制等。

型号3
•额定负载电流：50A
•额定负载电压：600V AC
•最大切换电流：60A
•动作电压：48V DC
•接触电阻：≤30mΩ
这种型号的继电器适用于工业控制等高功率电路的控制。

继电器的规格不仅包括额定负载电流和电压，还包括接触电阻、动作电压等参数，用户在选择型号时需根据实际需求进行匹配，以确保继电器正常工作并具有较长的使用寿命。

固态继电器的技术参数及选用固态继电器（Solid State Relay，简称SSR）是一种由固态电子元器件组成的电子开关，常用于替代传统电磁继电器。

固态继电器具有体积小、寿命长、响应时间短、抗震动、抗振荡、可调功率等特点，广泛应用于自动化控制领域。

技术参数1. 额定电流（Rated Current）：固态继电器能够承受的最大工作电流。

额定电流通常以安培（A）为单位表示。

2. 工作电压（Working Voltage）：固态继电器能够正常工作的电压范围。

工作电压通常以伏（V）为单位表示。

3. 阻抗（Impedance）：固态继电器在正常工作状态下对电路的阻力。

阻抗通常以欧姆（Ω）为单位表示。

4. 绝缘电阻（Insulation Resistance）：固态继电器在断开状态下的绝缘能力。

绝缘电阻通常以兆欧姆（MΩ）为单位表示。

5. 继电器功率（Relay Power）：固态继电器能够承受的最大功率。

继电器功率通常以瓦特（W）为单位表示。

6. 转换时间（Turn-On and Turn-Off Time）：固态继电器从关闭状态转换到打开状态（Turn-On Time）和从打开状态转换到关闭状态（Turn-Off Time）所需的时间。

转换时间通常以微秒（μs）为单位表示。

选用固态继电器的考虑因素1.工作电流：根据所控制设备的工作电流选择固态继电器的额定电流。

若工作电流超过固态继电器的额定电流，则会导致过载损坏。

2.工作电压：根据所控制设备的工作电压选择固态继电器的工作电压范围。

若工作电压超过固态继电器的工作电压，则会导致击穿。

3.继电器功率：根据所控制设备的功率选择固态继电器的继电器功率。

若功率超过固态继电器的继电器功率，则会导致过载损坏。

4.环境温度：根据固态继电器所处环境的温度选择固态继电器的耐温范围。

若环境温度超出固态继电器的耐温范围，则会导致固态继电器无法正常工作或损坏。

5.绝缘电阻：根据需要选择固态继电器的绝缘电阻，确保能够满足电路的绝缘要求。

光伏继电器常用型号与参数
光伏继电器的常用型号与参数如下：
1. 触点负载：如200A型，额定负载(阻性)为接通55A，载流200A，断开55A/1000VCD。

2. 切换性能：如在85℃下的最大切换电流为200A，最大切换电压为
1000VAC，最大切换功率为200,000VA。

3. 触点材料：如银合金，接触电阻为1mΩ/at 20A (Max)，吸合时间为，
释放时间为。

4. 绝缘电阻：最小值为1000MΩMin.(DC500V)。

5. 介质耐压：触点与触点间为AC2,000V，50/，触点与线圈间为
AC5,000V，50/。

6. 抗振动和冲击性能：耐久条件下抗振动频率在10～55Hz之间，双振幅；而抗冲击耐久为100G Min。

7. 寿命：机械寿命达到每小时9,000次，总寿命为1,000,000 次。

8. 环境温度：为-40℃～+85℃（不冷凝）。

9. 重量：约为215g。

此外，某些型号的参数还包括保持功耗、耐压强度、绝缘空间距离等。

以上内容仅供参考，如需更多信息，建议查阅光伏继电器相关书籍或咨询专业人士。