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•层叠栅存储单元
半导体存储器和可编程逻辑器件
•叠层栅MOS管剖面示意图
•控制栅 •与字线 相连,控制信息 的读出和写入
•浮栅 •埋在二氧化硅绝缘层, 处于电“悬浮”状态, 不与外部导通,注入电 荷后可长期保存
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半导体存储器和可编程逻辑器件
•信息写入
•1 信息: •出厂时所有存储单元的浮栅均无电荷,可认为全部存储了1 信息。
•7.2.1 半导体存储器概述
•半导体存储器是用半导体器件来存储二值 信息的大规模集成电路。
•优点:集成度高、功耗小、可靠性高、价 格低、体积小、外围电路简单、便于自动 化批量生产等。
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半导体存储器和可编程逻辑器件
•1. 半导体存储器的分类 •(1)按存取方式分类
•只读存储器 •(Read Only Memory,ROM)
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半导体存储器和可编程逻辑器件
•(1)一次性可编程 ROM(PROM)
•PROM的结构图
•位线 •字线
•当在该位上需要存0时,通过 •编程,烧断熔丝;当需存1时, •保留熔丝.
•编程为一次性的,烧断的熔丝 •不能再接上.
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半导体存储器和可编程逻辑器件
•(2)光可擦除可编程ROM (EPROM)
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半导体存储器和可编程逻辑器件
•信息读出
•读出1:
•擦写栅加+3V电压,字线加+5V正常电平,这时T2管 导通,若浮栅上有注入电子,则T1不能导通,在位线 上可读出1.
•读出0:
•若浮栅上没有注入电子,则T1导通,在位线上可 读出0。
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