放射线被ばくに関する基础知识第2报

福島原発から遠くに退避したいときの考え方2011/03/21藤林徹（元東芝原子炉設計部長）福島原発事故について、「正しい危機感」をもって対処して欲しい、東京の人が原発からさらに遠方に退避する必要はないと、友人の皆様に説明しました。

その後、多くの方から安心したとの連絡を受けましたが、一方では、悲観的な情報がネットに流れ、また米国人は80kmより遠く退避するようにとの米国政府の推奨話もあり、日本の行政機関の公表データは信用してよいのか、健康上影響はないと言われても心配だから遠くに行きたいなどの反応もあります。

皆様の不安のお気持ちはよくわかります。

数字があってもそれを信用しなければ意味がありません。

また、自分で確かめないと納得できないでしょう。

幸いなことに、このところ、多くの新聞の見出しはショッキングではありますが、書かれている内容は非常に技術的に正確でまた有用なものが多くなりました。

それで、自分が在住しているところの毎日のデータを基にして、自分が日常生活でどの程度の放射線を受けているか計算してみましょう。

この後のデータは文部科学省がまとめた、毎日の午前９時までの都道府県ごとの大気中放射線の値です。

これは全国紙に毎日、前日の値が掲載されていると思います。

このような、統計データは計算機処理して得られるため、人為的な操作をすることが難しく、内緒にしておきたいデータが外されることはまずありません。

信用して間違いありません。

また、ここでは、茨城県と東京都にそれぞれ住んでいる方について分析してみます。

新聞に掲載されている県内の放射線の最大値（場所ごとに違うのでその最大値を示している）は次のとおりです。

（単位はマイクロシーベルト）一時間あたりの放射線の値このまま続くとすると、東京の人が１年間に受ける放射線の量は、0.067×24時間×365日＝58７マイクロシーベルト（0.587ミリシーベルト）です。

2010年秋季学期日本語概説期末試験レポート1065407009 付丽修辞技法の視点から見る「頭」に関する慣用句——メトニミーとメタファーを踏まえて先行研究：身体慣用句について、李瑛、文旭が書いた「从“头”认知——转喻、隐喻与一词多义」の中に、①メタファーに基づく慣用句はメトニミーに基づく慣用句よりずっと多い、②メタファーの作用はメトニミーより大きい、③メトニミーは連鎖のように発展する一方、メタファーは放射のように発展する、④語義は連鎖のように発展する時、本義と遠ければ遠いほど修辞性が高い、という四つの観点を示す。

刘珏、李冬松の「浅谈日本人对日语惯用句中身体词汇的理解」という文章に、また、巫永芳の「メタファー・メトニミーに基づく頭部身体語彙慣用句の分析——頭」の論文にも数例を通じて、以上の四つの観点を支持している。

一方、陈昌勇、高蕾は「再来探析——“头”，转喻、隐喻和一词多义——与李瑛、文旭教授商榷」という文章の中に、この四つの観点に対して、主にメタファーとメトニミーの作用について、いくつの疑問が提出する。

まずは、「頭」に関する語義の区分が不明瞭である。

つまり一つの語義がメタファーに属するか、それともメトニミーに属するかは不明瞭である。

次に、「頭」の語義だけ分析したので、メタファーの作用がメトニミーより大きいという結論を出るのはまだ早い。

そして三番目は、メトニミーの発展する範囲は局限性があるとは言えない。

また、メトニミーの域は具体的な範囲だけではなく、抽象的な範囲もある。

最後は連鎖型と放射型について、二人が「メタファーはメトニミーと同じで、連鎖型と放射型との両方を含めることが可能である」という観点を支持する。

本論：一、メタファーとメトニミーメタファーとメトニミーは、慣用句意味展開の中に重要な機能を担っている。

両方によって、慣用句の意味を一層生き生きと表されている。

したがって、両方の関係と区別を明らかにならなければいけない。

2024年射线探伤工理论知识考试题库及答案（核心题）一、单选题1.康普顿效应指的是入射光子与原子中的()相互作用后,除波长不变的光子外,还出现了波长变长的光子的现象A、原子核B、核外库仑场C、壳层电子D、中子参考答案：C2.习惯上把能量在0.1MeV以上的中子叫做()A、快中子B、慢中子C、中能中子D、共振中子E、热中子F、冷中子参考答案：A3.影像放大率与几何不清晰度()A、实际上是一回事B、没有直接关系C、可以共同构成总的不清晰度D、前者指影像放大系数,后者指影像的半影参考答案：D4.对于标志为“6FE12”的我国线型像质计,下面列出的叙述中,存在错误的是()A、线型像质计由6-12号丝组成B、线型像质计有7根金属丝C、丝径值等比数列的公比近似为1.25D、最细金属丝编号为6参考答案：D5.射线和物质作用,使物质发出电子,而射线能量衰减、方向改变,这种现象称为()A、光电效应B、康普顿效应C、电子对生成效应D、都不是参考答案：B6.当射线通过厚度为X的物质后,射线强度的衰减规律是:()(式中:μ-线吸收系数[衰减系数];e-自然对数的底;I0-射线原有的强度;I-射线通过物质后的强度)A、I=I0eμxB、I=I0e-μxC、I0=Ie-μxD、I=I0e-2μx参考答案：B7.选择小焦点的X射线管目的是为了获得()A、对比度高的影像B、黑度大的影像C、清晰度高的影像D、以上都不对参考答案：C8.放射线同位素的能量()A、随时间增加而增加B、随时间增加而减弱C、不受时间的影响D、以上都不对参考答案：C9.相同厚度的同一材料分别承受不同波长的射线照射,哪种情况下对射线的吸收较少?()A、承受波长短的射线照射B、承受波长长的射线照射C、两种情况下都一样D、以上都不对参考答案：A10.连续X射线束是()A、异种X射线束B、特征X射线束C、单一波长的X射线束D、含有多种波长的X射线束参考答案：D11.下列关于X射线机使用过程中老化训练目的表述中,正确的是()A、提高输出电压稳定性B、提高射线管真空度C、提高穿透能力D、提高检测灵敏度参考答案：B12.X射线或伽玛射线,其能使标准状况下的1Cm3空气产生1个静电单位的能量称为():A、1CiB、1RC、1RADD、1Rem参考答案：B13.下面列出的射线照相影像质量基本因素中,错误的是()A、影像黑度B、影像对比度C、影像颗粒度D、影像不清晰度参考答案：D14.瓦特是什么量的单位?()A、磁场强度B、电感C、电功D、电功率参考答案：D15.X射线属于()A、直接电离辐射B、非电离辐射C、间接电离辐射D、以上都不对参考答案：C16.光量子与质子、中子、电子的一个重要不同是()A、质量更小B、不带电荷C、速度更快D、以上都不是参考答案：D17.原子序数是标志元素在元素周期表中次序的序号,亦即是该元素原子()A、核中的质子数B、核中的中子数C、核外的电子数D、A和C都对参考答案：D18.X射线和γ射线跟物质相互作用的机理主要是和()相互作用A、核外电子B、原子核C、中子D、质子参考答案：A19.铁、钴、镍的原子序数分别为26、27、28,当钴60释放出伽玛射线和其他射线而蜕变时,最可能产生的核种是()A、铁B、钴C、镍D、铱参考答案：C20.单色X射线束是()A、异种X射线束B、特征X射线束C、单一波长的X射线束D、含有多种波长的X射线束参考答案：C21.将X射线管靶极金属由钼靶改为钨靶,而管电压和管电流都一定时,所发生标识X射线的能量与波长是否相同?()A、能量与波长都相同B、能量不同,波长相同C、能量与波长都不同D、能量相同,波长不同参考答案：C22.为了提高曝光的经济效果,用快速胶片代替慢速胶片,但这样会带来什么后果?()A、对胶片必须经过严格处理B、必须提高底片的清晰度C、降低了图像分辨能力D、需配制特殊的显影剂参考答案：C23.钴60或铱192用于无损检测是利用其所发出的()A、阿尔法(α)粒子B、中子C、伽马射线D、X射线参考答案：C24.射线照相法和荧光屏观察法的图像之间的基本区别是什么?()A、荧光屏显像更灵敏B、荧光屏显像较暗C、两者之间无差别D、荧光屏显像是正的透明图像,而射线照相是负的透明图像参考答案：D25.将X射线管靶极金属由钼靶改为钨靶,而管电压和管电流都一定时,所发生连续X射线的线质有何变化?()A、变硬B、变软C、不变D、随环境而变硬参考答案：C26.当射线波长一定时,如果被穿透物质的原子序数和密度越大,则衰减系数μ也越大,试指出下列哪种物质的μ最大?()A、铸铁B、铸铝C、铸铜D、铸镁参考答案：C27.当射线波长一定时,如果被穿透物质的原子序数和密度越大,则衰减系数μ也越大,试指出下列哪种物质的μ最大?()A、中碳钢B、硬铝C、镍基高温合金D、钛合金参考答案：C28.胶片的增感因子在40-400KV之间时的变化情况是()A、相同的B、不规则的C、随着管电压增大而增大D、随着管电压降低而减小参考答案：B29.在胶片特性曲线上,使底片获得例如D=1.5的一定密度所需曝光量的倒数称为该胶片的()A、感光度B、胶片速度C、A和BD、以上都不对参考答案：C30.下述哪种粒子或射线在空气中的电离效应最高?()A、α粒子B、β粒子C、中子D、γ射线及X射线参考答案：A31.一个已知伽玛射源的射线通过物质后其被吸收的量视什么而定?()A、该物质的杨氏弹性模量B、该物质的原子量、密度及厚度C、该物质的机械性质D、射源的比活性参考答案：B32.以X光机(有效焦点尺寸3mm)检测厚度10mm的钢板,若要求几何不清晰度Ug为0.5,则射源至底片的距离至少应为多少?()A、60mmB、50mmC、70mmD、80mm参考答案：C33.α、β、γ三种射线的穿透力大小次序为()A、α>β>γB、β>α>γC、β>γ>αD、γ>β>α参考答案：D34.在X射线管中,电子的动能在靶上的能量转换形式为()A、大部分转换成热能,少部分转换成X射线能B、大部分转换成X射线能,少部分转换成热能C、全部转换成热能D、全部换成X射线能参考答案：A35.下列哪种原因会导致几何不清晰度减小?()A、射源尺寸减小B、试件厚度减小C、射源至物件距离增加D、以上都是参考答案：D36.影响X射线管寿命的最主要因素是下面哪种情况?()A、环境温度B、环境湿度C、使用时间D、工作负荷参考答案：D37.各种物质对中子的衰减(吸收),以下哪种材料为最大?()A、铅B、钢C、铝参考答案：D38.下列同位素中以哪一种同位素的半衰期最长?()A、170TmB、137CsC、192IrD、60Co参考答案：B39.入射X射线由于与物质的相互作用,使它将被(),从而导致透射射线强度发生衰减A、电离与激发B、反射与折射C、散射与吸收D、以上都是参考答案：C40.光电效应发生的或然率随光子的能量()A、增加而减少B、增加而增加C、不一定D、与光子能量无关参考答案：C41.在射线照相检验时,下面因素对所得到的影像颗粒度没有影响的A、胶片性质B、射线能量C、焦点尺寸D、显影条件参考答案：C42.铅箔增感屏能使底片产生增感效应是由于()A、辐射短波被增感屏所吸收B、可消除掉背面地板所产生的散射C、降低在底片上的辐射照相效应D、由射源侧的增感屏上射出电子参考答案：D43.工业射线照相检验过程中,下面关于胶片选用的叙述中,存在错误的是()A、不允许使用增感型胶片B、按照标准技术级别规定选用C、优先选用粗颗粒胶片D、检验裂纹时必须用性能好的胶片参考答案：C44.γ射线的穿透力主要取决于()A、射源尺寸B、射源种类C、曝光时间D、源活度参考答案：B45.γ射线通过被检查物质时,其强度的衰减与被检查物质的()有关A、导电性B、导磁性C、导热性D、原子序数参考答案：D46.采用中子照相法时,下列哪一种曝光方法是正确的?()A、直接用X射线胶片曝光B、利用镉屏和钆屏受中子激发后再使用X射线胶片曝光C、利用铅箔增感屏加X射线胶片曝光D、利用荧光增感屏加X射线胶片曝光参考答案：B47.X射线管的管电压值影响射线的哪一参数?()A、X射线的穿透力B、X射线束的强度C、X射线束的穿透力和强度D、X射线束的硬度参考答案：C48.射线的频率增高,则其()A、波长增高,能量增高B、波长减小,能量减小C、波长减小,能量增高D、波长增高,能量减小参考答案：C49.当管电流一定,降低X射线管的管电压时,连续X射线的线质、波长、穿透能力有何变化?()A、线质不变,波长不变,穿透能力不变B、线质变硬,波长变短,穿透能力增加C、线质变软,波长变长,穿透能力降低D、线质逐渐变软,波长变长,穿透能力增加参考答案：C50.针对单色射线概念的下列表述中,正确的是()A、能量高的射线B、能量低的射线C、由单一波长组成的射线D、由连续谱组成的射线参考答案：C51.对某一γ射线源来说,通过物质时射线被吸收的程度取决于()A、物质的杨氏模量B、物质的泊松比C、物质的原子序数、密度和厚度D、放射源的放射性比度参考答案：C52.通常所谓20kVX射线是指()A、能量为0.2MeV的单能射线B、能量高于0.2MeV的所有射线成分C、最大能量为0.2MeV的“白色”X射线束D、平均能量为0.2MeV的X射线参考答案：C53.X射线管焦点的大小直接影响下面哪个参数?()A、穿透深度B、影像清晰度C、管子的功率比D、散热效果参考答案：B54.产生高速电子打在X射线管内哪个部件上产生X射线?()A、聚焦罩B、阳极靶C、灯丝D、阴极参考答案：B55.关于X射线机主要技术性能指标,下面所列项目中,错误的是()A、辐射强度B、曝光量C、焦点尺寸D、辐射角参考答案：B56.不带电荷的粒子是()A、α粒子B、β粒子C、中子D、质子参考答案：C57.β粒子带()A、正电B、负电C、不带电D、可能带正电,也可能带负电参考答案：B58.下述哪个句子的叙述是正确的?()A、若仅从清晰度高的需要出发,应使焦距尽可能长B、只要不超出几何不清晰度的允许值,应使焦距尽可能长C、若仅从清晰度高的需要出发,应使焦距尽可能短D、为了保证X射线能穿透工件,焦距应尽可能短参考答案：A59.最容易发生康普顿效应的射线能量为()A、10KeV-500KeVB、100KeV-10MeVC、1.02Mev以上D、10KeV以上参考答案：B60.最容易发生光电效应的射线能量为()A、10keV-500keVB、100keV-10MevC、1.02MeV以上D、10keV以下参考答案：A61.人工放射性同位素钴60在核衰变过程中辐射出β和γ射线射线后变成()A、钴59B、镍60C、铁D、铱参考答案：B62.某物质对某线质的X射线的半值层为1.8mm,如其线质在透过物质时不变,则其(1/20)值层应为()A、7.8mmB、6.8mmC、5.8mmD、4.8mm参考答案：A63.α射线属于()A、直接电离辐射B、非电离辐射C、间接电离辐射D、以上都不对参考答案：A64.射线照相的原理主要是利用了X射线与γ射线的()A、穿透力强B、能使底片感光C、成直线行进不会折射D、以上都是参考答案：D65.应用几何原理的原则是()A、选取尺寸尽量大的射线源B、射线源到被透照工件的距离尽可能小C、胶片离被透照工件尽可能远D、中心射线尽可能垂直于胶片平面参考答案：D66.伽玛射源的r.H.m/Ci是指()A、距离1英尺,每居里每小时的伦琴数B、距离1公尺,每居里每小时的伦琴数C、距离1公尺,每伦琴每小时的居里数D、距离1英尺,每伦琴每小时的居里数参考答案：B67.物质对辐射的吸收是随什么而变?()A、直接与距离射源的距离平方成正比B、直接与物质的厚度成正比C、与物质中产生的散射量成反比D、与物质厚度成指数比参考答案：D68.已知2.5mm厚的铅吸收相当于30mm厚钢的吸收,如果原来使用6毫米厚的铅板作防护,现改用钢板的话,应用多厚的钢板可以代替原来的铅板?A、90mmB、72mmC、60mmD、100mm参考答案：B69.连续X射线穿透厚工件时,有何特征?()A、第二半价层小于第一半价层B、第二半价层等于第一半价层;C、第二半价层大于第一半价层D、实际半价层小于计算值参考答案：C70.强度一定的两种同位素源,若其放射性比活度值不同,则对于放射性比活度值较高的源来说,下面哪种叙述是正确的?()A、其半衰期比放射性比活度低的源短B、其外形尺寸比放射性活度低的源小C、其外形尺寸比放射性活度低的源大D、其能量比放射性活度低的源大参考答案：B71.改善透照底片的几何不清晰度可采用()A、小焦点、大焦距透照B、小焦点、小焦距透照C、选细微粒胶片D、铅箔增感参考答案：A72.投射到胶片单位面积上的射线辐照量是()A、单位时间的射线强度B、与强度成反比,而与时间成正比的量C、射线辐照强度与时间的乘积D、随时间按指数变化的与强度成反比的量参考答案：C73.由于荧光物质具有直接吸收X射线而发出可见光的特点,从而达到增感的目的,这称之为(C)A、互易效应B、屈光效应C、叠加效应D、光电效应参考答案：C74.当射线通过()时能够产生自由电子,能够引起固有的不清晰度A、空气B、工件C、胶片D、暗盒参考答案：C75.对于β射线,其剂量当量D中的线质系数Q值为()A、0.5B、1C、10D、100参考答案：B76.某像质计灵敏度级别为4-1T,下列像质计中采用该表示方式的是()A、线型像质计B、阶梯孔型像质计C、平板孔型像质计D、槽型像质计参考答案：C77.关于X射线与物质相互作用发生衰减的原因,下列表述中,正确的是()。

第一章辐射与物质的相互作用与物质相互作用:1.带电粒子与靶原子核的核外电子非弹性碰撞(电离,激发)2.带电粒子与靶原子核的非弹性碰撞(辐射损失)3.带电粒子与靶原子核弹性碰撞(核阻止)4.带电粒子与核外电子弹性碰撞电离损失能量:入射带电粒子与核外电子发生非弹性碰撞使靶物质原子电离或激发而损失的能量(电离:核外层电子客服束缚成为自由电子,原子成为正离子激发:使核外电子由低能级跃迁到高能级而使原子处于激发状态)辐射损失能量:入射带电粒子与原子核发生非弹性碰撞以辐射光子损失能量轫致辐射:入射带电粒子与原子核之间的库仑力作用使带电粒子的速度和方向改变,并伴随发射电磁辐射阻止本领:单位路径上的能量损失S=-dE/dx=S ion+S rad重:S=S ion=(1/4πε0)2(4πz2e4/m0v)2NBBethe公式结论:1.电离能了损失率和入射带电粒子速度有关,质量无关2.和电荷数平方z2正比3.S ion随粒子E/n变化曲线:a段:入射粒子能量E较低时, S ion与z2成正比,曲线上升b段(0.03MeV-3000MeV):相对论项作用不显著, S ion与E成反比,曲线下降c段:能量较高时,相对论修正项起作用, S ion与B成正比,曲线上升4.高Z 和ρ物质阻止本领高布拉格曲线:随穿透距离增大而上升,接近径迹末端,由于拾取电荷而下降。

同样能量的入射带电粒子经过一定距离后,各个粒子损失的能量不会完全相同,是随机性的,发生了能量离散,即能量歧离. 射程歧离:单能离子的射程也是涨落的为何峰值上升?因为部分粒子已经停止运动,相当于通道变窄,剩余粒子能量集中,导致峰值上升.沿x方向,能量降低,离散程度变大,峰值降低.射程R带电粒子沿入射方向所行径的最大距离路程:实际轨迹长度解释各种粒子的轨迹:重带电粒子质量大,其与物质原子的轨道电子相互作用基本不会导致运动方向有偏差,径迹几乎是直线:由于次级电离,曲线会有分叉:质子和α粒子粗细差别:能量提高,径迹变细.电子的径迹不是直线,散射大. 射程R正比于m/z21.v同两种粒子同物质R1/R2=m1/m2*（z2/z1）22.v同一种粒子两物质R a/R b=√A a/√A b *(ρb/ρa)α粒子空气射程R0=0.318Eα1.5R=3.2*10-4√A/ρ*R air比电离:带电粒子在穿透单位距离介质时产生的离子对的平均数δ射线:带电粒子在穿透介质时产生的电子-离子对中的具有足够能量可以进一步电离的电子电子S rad/S ion=EZ/800快电子S rad正比于z2E/m2*NZ2屏蔽电子材料:当要吸收、屏蔽β射线时,不宜选用重材料:当要获得强的X射线时,选用重材料做靶.电子反散射及效应:电子由原入射方向的反方向反射回来,从入射表面射出.对于放射源,反散射可以提高产额:对于探测器,会产生测量偏差. When反散射严重:对于同种材料,入射电子能量越低反散射越严重:对同样能量的入射电子,原子序数越高的材料,反散射越严重光电效应:光子把全部能量转移给某个束缚电子,使其发射出去而光子本身消失的过程.是光子和整个原子的作用结果,主要集中在内层电子,还会有俄歇电子或特征X射线.(为何不与自由电子-因为入射光子有部分能量传递给原子,使其发生反冲,否则能量不守恒)采用高Z材料可提高探测效率,有效阻挡γ射线:γ光子能量越高,光电效应截面σph 越小. 入射光子能量低时,光电子趋于垂直方向发射:入射光子能量高时,光电子趋于向前发射.康普顿效应:γ射线和核外电子非弹性碰撞,入射光子一部分能量传递给电子,使之脱离原子成为反冲电子,光子受到散射,运动方向和速度改变,成为散射光子. 散射角θ=180时即入射光子和电子对心碰撞,散射光子沿入射光子反方向射出,反冲电子沿入射方向射出-反散射.能量高的入射光子有强烈的向前散射趋势,低的向前向后散射概率相当.康普顿坪:单能入射光子所产生反冲电子的能量为连续分布,在能量较低处反冲电子数随能量变化小,呈平台状:康普顿边缘:在最大能量处,电子数目最多,呈尖锐的边界.峰值Ee=hν-200keV电子对效应:当入射光子能量较高,从原子核旁边经过时,在库伦场作用下转换成一个正电子和一个负电子.电子对效应出现条件:hν>2m0c2=1.022MeV 电子和正电子沿入射光子方向的前向角度发射,能力越高,角度越前倾. 湮没辐射:正电子湮没放出光子的过程.实验上观测到511kev的湮没辐射为正电子的产生标志单双逃逸峰:发生电子对效应后,正电子湮没放出的两个511keV的γ光子可能会射出探测器,使得γ射线在探测器中沉积的能量减小.低能高Z光电,中能低Z康普顿,高能高Z电子对.线形衰减系数μ=σγN 质量衰减系数μm=μ/ρ质量厚度x m=ρx平均自由程: 表示光子每经过一次相互作用之前,在物质中所穿行的平均厚度λ=1/μ 宽束N=N0Be-μd窄束I(x)=I0e-μx半减弱厚度:射线在物质中强度减弱一半时的厚度D1/2= λ ln2第二章气体探测器信息载流子:气体(电子离子对w=30eV,F=0.2-0.5)闪烁体(第一打拿极收集到的光电子w=300ev,F=1)半导体(电子空穴对w=3ev,F=0.1 )平均电离能:带电粒子在气体中产生一对离子对所平均消耗的能量电子和离子相对运动速度:电子漂移速度为离子1000倍,约106cm/s雪崩:电子在气体中碰撞电离的过程. 条件:足够强的电场和电离产生的自由电子非自持放电:雪崩只发生一次自持放电:通过光子作用和二次电子发射,雪崩持续发展R0C0<<1/n脉冲(电子T-<<R0C0n<<T+、离子R0C0n>>T+)、R0C0>>1/n累计(电流、脉冲束)1.仅当正离子漂移时外回路才有离子电流i+(t)2.正离子从初始位置漂移到负极过程,流过外回路电荷量不是离子自身的电荷量e,而是在正极感应电荷量q1 电子电流i-(t)同理本征电流i(t)=i+(t)+i-(t) q1+q2=e电离室构成:高压极,收集极,保护极和负载电阻工作气体:充满电离室内部的工作介质,应选用电子吸附系数小的气体.圆柱型电子脉冲原理:利用圆柱形电场的特点来减少Q-对入射粒子位置的依赖关系,达到利用”电子脉冲”来测量能量的目的.能量分辨率η=ΔE/E*100%=Δh/h*100%=2.36ΔE能谱半高宽FWHM=ηE=2.36=2.36σ探测效率:入射到脉冲探测器灵敏体积内辐射粒子被记录下的百分比总输出电荷量Q=N*e=E/W*e脉冲电离室饱和特性曲线:饱和区斜率成因:灵敏体积增加,对复合的抑制,对扩散的抑制饱和电压V1-对应90%饱和区的脉冲幅度放电电压V2工作电压V=V1+(V2-V1)/3 坪特性曲线:描绘电离室计数率和工作电压关系成因:甄别阈不同电压小于V1时在符合区,但不是每个粒子都能形成一个电子离子对.仅少数可达到计数阈值h,V0上升至饱和电压后电子离子对N基本不变分辨时间(死时间):能分辨开两个相继入射粒子间的最小时间间隔时滞:入射粒子的入射时刻和输出脉冲产生的时间差累计电离室工作状态要求输出信号的相对均方涨落V I2≈1/nT<<1 V V2≈1/2R0C0n<<1 饱和特性曲线斜率:灵敏体积增大,复合的抑制,漏电流灵敏度η=输出电流或电压值/射粒子流强度(采用多级平行电极系统可提高) why曲线后部分离:部分电子离子对复合,未达到饱和电压,引起输出电流信号偏小正比计数器是一种非自持放电的气体探测器,利用碰撞电荷讲入射粒子直接产生的电离效应进行放大,使得正比计数器的输出信号幅度比脉冲电离室显著增大输出电荷信号主要由正离子漂移贡献r处场强E(r)=V0/rlnb/a V T=ET*alnb/a 只有V0>V T才工作于正比工作区,否则电离室区气体放大倍数A=n(a)/n(r0)A仅于V0V T有关,与入射粒子位置无关气体放大过程(电子雪崩)当电子到打距极丝一定距离r0后,通过碰撞电离过程电子数目不断增加电子与气体分子碰撞过程中碰撞电离,碰撞激发(气体退激发射子外光子,阴极打出次级电子,次级电子碰撞电离) 光子反馈:次级电子在电场加速下发生碰撞电离A t=A/1-γA 光子反馈很快;加入少量多原子分子气体M可以强烈吸收气体分子退激发出的紫外光子变成M*,后来又分解为小分子(超前离解) 气体放大过程中正离子作用:1.停止电子倍增2.再次触发电子倍增(离子反馈)输出信号:1.电流脉冲形状一定,与入射粒子位置无关,电压脉冲为定前沿脉冲2.响应时间快3.R0C0>>T+时,获得最大输出脉冲幅度ANe/C0分辨时间/死时间τD与脉冲宽度正比,τD内产生的脉冲不会被记录造成计数损失,死时间可扩展. m=n/1-nτD m真实n测量时滞:初始电子由产生处漂移到阳极时间时间分辨本领:正比计数器对时间测量的精度正比计数器坪特性曲线斜率:由于负电性气体、末端与管壁效应等,有部分幅度较小的脉冲随工作电压升高而越来越多地被记录下来GM放电过程:1.初始电离和碰撞电离:电子加速发生碰撞电离形成电子潮-雪崩 2.放电传播(光子反馈):Ar*放出紫外光子打到阴极上打出次级电子 3.正离子鞘向阴极漂移,形成离子电流4.离子反馈:正离子在阴极表面电荷中和缺点GM死时间长,仅计数A t=A/1-γA自持放电:阴极新产生电子向阳极漂移引起新的雪崩,从而在外回路形成第二个脉冲,周而复始.-实现自熄:改变工作高压,增加猝熄气体-有机(阻断光子,离子反馈;工作机制:1.电子加速发生碰撞电离形成电子潮-雪崩过程 2.Ar*放出紫外光子被有机气体分子吸收3. 正离子鞘向阴极漂移实现电荷交换4.有机气体离子在阴极电荷中和),卤素(工作机制:1.电离过程靠Ne的亚稳态原子的中介作用形成电子潮2.Ne*退激发出光子在阴极打出电子,或被Br2吸收打出新点子3.正离子鞘Br+向阴极漂移4.Br+在阴极表面与电子中和超前解离)GM管和正比计数器区别:GM输出信号幅度和能量无关,只能计数,死时间非扩展型死时间校正:m=n(mτD+1)GM坪特性曲线坪斜成因:随工作电压增高,正离子鞘电荷量增加,负电性气体电子释放增加,灵敏体积增大,尖端放电增加死时间t d:电子再次在阳极附近雪崩的时间复原时间t e:从死时间到正离子被阴极收集,输出脉冲恢复正常的时间分辨时间t f:从0到第二个脉冲超过甄别阈的时间GM计数管离子对收集数N与工作电压关系图:1.复合区(电压上升,复合减少,曲线上升)2.饱和区(电荷全被收集)3.正比区N=N0M(碰撞电离产生气体放大,总电荷量正比于原电荷量)4.有限正比区N>>N0(M过大,过渡区)5.盖格区(随电压升高形成自持放电,总电离电荷与原电离无关,几条曲线重合)第三章闪烁体探测器优点:1.探测效率高,可测量不带电粒子,对于中子和γ光子可测得能谱2.时间特性好,可实现ns的时间分辨工作过程：射线沉积能量,电离产生荧光,荧光转换为光电子,光电子倍增,信号流经外回路闪烁体探测器组成:闪烁体,光电倍增管,高压电源,低压电源,分压器和前置放大器分类:无机闪烁体(无机盐晶体,玻璃体,纯晶体),有机闪烁体(有机晶体,有机液体闪烁体,塑料闪烁体)气体闪烁体(氩、氙)无机闪烁体发光机制:入射带电粒子可以产生电子空穴对,也可以产生激子(相互转化) 有机闪烁体发光机制:由分子自身激发和跃迁产生激发和发光气体闪烁体发光机制:入射粒子径迹周围部分气体被激发,返回基态时发射出光子产生电子空穴对需要三倍禁带宽度能量光能产额Y ph=n ph/E=4.3*104/MeV 闪烁效率C ph=E ph/E=13%闪烁光子传输和收集通道:反射层,光学耦合剂,光导反射层:把光子反射到窗:镜面反射和漫反射耦合剂(折射系数较大的透明介质,周围介质折射系数n1,闪烁体n0,全反射的临界角θc=sin-1n1/n0):排除空气,减少由全反射造成的闪烁光子损失光导:具有一定形状的光学透明固体材料,连接闪烁体和光电倍增管,有效地把光传输到光电转换器件上:具有较高折射系数,与闪烁体和光电转换器光学接触好. 光电倍增管PMT:把光信号转换为电信号并放大;由入射窗,光阴极,聚焦电极,电子倍增极(打拿极,次级电子产额δ=发射的次级电子数/入射的初级电子数),阳极和密封玻璃外壳组成.光谱效应:光阴极受到光照射后发射光电子的几率为波长的函数量子效率Q k(λ)=发射电子数/入射光子数光阴极的光照灵敏度S k=i k/F S a=i a/F S a=g c*M*S k第一打拿极的电子收集系数g c=第一打拿极收集到的光电子数/光阴极发出的光电子数PMT的电流放大倍数M=阳极收集到的电子数/第一打拿极收集到的电子数飞行时间(渡越时间)te:一个光电子从光阴极到达阳极的平均时间渡越时间离散Δte为te的分布函数的半宽度闪光照射到光阴极时,阳极输出信号可能不同-原因:1.光阴极的灵敏度在不同位置不同2.光阴极不同位置产生的光电子被第一打拿极收集的效率不同解决:1.改进光阴极均匀性 2.改进光电子收集均匀性 3.利用光导把光电子分散在整个光阴极输出信号:闪烁体发出闪烁光子数n ph=Y ph E 第一打拿极收集到光电子数n e=n ph T 阳极收集到电子数n A=n e M 输出电荷量Q=n A e=Y ph TMe电压脉冲型工作状态R0C0>>τ优:脉冲幅度大缺:脉冲前沿后沿慢电流脉冲型工作状态R0C0<<τ优: 脉冲前沿后沿快缺:脉冲幅度小小尺寸闪烁体:仅吸收次级电子的能量,大尺寸闪烁体:吸收全部次级电子、次级电磁辐射能量中尺寸闪烁体:吸收次级电子能量,可能吸收次级电磁辐射能量;康普顿边沿与全能峰之间连续部分-多次康普顿散射造成-康普顿效应产生的散射光子又发生康普顿效应;单逃逸峰-正电子湮没辐射时产生的两个511keV的湮没光子一个逃逸而另一个被吸收,双逃逸峰-两个光子都逃逸;全能峰-对应γ射线能量的单一能峰第四章半导体探测器本征半导体:理想的纯净半导体,价带填满电子,导带无电子禁带宽度硅300K-1.115ev 0K-1.165ev锗300K-0.665ev 0K-0.746ev 电子空穴密度硅n=p=2*1010/cm3锗n=p=2.4*1013/cm3半导体探测器分类:均匀型,PN结型,PIN结型,高纯锗HPG,化合物半导体,雪崩半导体,位置灵敏半导体半导体探测器的优点:1.非常好的位置分辨率 2.很高的能量分辨率3.很宽的线形范围4.非常快的响应时间Si:适合带电粒子测量,射程短Ge:纯度高,可以做成较大的探测器:可用于γ能谱测量掺有施主杂质的半导体中多数载流子是电子,叫做N型半导体:掺有受主杂质的半导体中多数载流子是空穴,叫P型半导体补偿效应:当p>n,N型转换为P型半导体p=n时完全补偿平均电离能特点:1.近似与入射粒子种类和能量无关,根据电子空穴对可推入射粒子能量 2.入射粒子电离产生的电子与空穴数目相等 3.半导体平均电离能约3eV,远小于气体平均电离能30eV 陷落和复合使载流子减少半导体探测器材料特性:长载流子寿命(保证载流子可被收集),高电阻率(漏电流小,结电容小)PN型半导体:适合测量α粒子这类短射程粒子,不适合测量穿透力强的射线势垒高度V0=eN d W2/2ε宽度W=(2εV0/eN d)1/2=(2εV0ρnμn)1/2PIN半导体:温度升高,Li+漂移变快;Li+形成PN结,Li+与受主杂质中和,实现自动补偿形成I区(完全补偿区,耗尽层,灵敏体积),形成PIN结why半导体PN结可作为灵敏区？1.在PN结区可移动的载流子基本被耗尽,只留下电离了的正负电中心,具有高电阻率 2.PN结上加一定负偏压,耗尽区扩展,可达全耗尽,死层极薄,外加电压几乎全部加到PN结上,形成高电场 3.漏电流小,具有高信噪比高纯锗:一面通过蒸发扩散或加速器离子注入施主杂质形成N区,并形成PN结,另一面蒸金属形成P+作为入射窗,两端引出电极第五章辐射探测中的统计学f(t)=me-mt t=1/m σt2=1/m2第六章核辐射测量方法符合事件:两个或以上在时间上相关的事件真符合:用符合电路选择同时事件反符合:用反符合电路来消除同时事件,当一个测量道没有输入信号时,另一道的信号才能从符合装置输出符合道计数率nc=Aεβεγ偶然符合:在偶然情况下同时达到符合电路的非关联事件引起的符合(偶然计数n rc=2τs n1n2) 电子学分辨时间τe=FWHM/2符合计数n c=n co+n rc 真偶符合比R=n co/n rc=1/2τs A电压工作状态脉冲幅度⎺h=Ne/C0 E=Κ1⎺h+K2=Gx+E0 G0增益E0零截α能量分辨率FWHMs=2.36√FEαW0探测器选择α:金硅面垒半导体探测器、屏栅电离室、带窗正比计数器β:半导体探测器、磁谱仪γ:单晶γ谱仪全能峰E f=Eγ单Es= Eγ-511keV双E d= Eγ-1022keVy(i)=y(I p)exp[-(i-I p)2/2σ2] η=FWHM/I p FWHM=2.36σ峰康比p=全能峰的峰值/康普顿平台的峰值半导体峰总比f p/T=特征峰面积/谱总面积第七章中子探测反应堆周期T:反应堆内中子密度变化e倍所需时间平均每代时间τ:上一代中子的产生到被吸收后又产生新一代中子的平均时间K=堆内一代裂变中子总数/堆内上一代裂变中子总数T=τ/K-1反应堆功率测量系统功能:为反应堆提供工况控制信息(控制方面),为反应堆的安全保护系统提供安全保护信号(安全方面)中子测量方法:核反冲法,核反应法,核裂变法,活化法中子能谱测量方法：核反应法,核反冲法,飞行时间法中子探测器原理:通过中子与核相互作用产生可被探测的次级粒子并记录这些刺激粒子探测过程:1.中子和辐射体发生相互作用产生带电粒子或感生放射性2.在某种探测仪表记录这些带电粒子或放射性中子探测器种类:1.气体探测器(BF3正比计数管,涂硼正比计数管,长计数管,平行板电离室,圆柱形电离室,γ补偿电离室,长中子电离室)2.固体探测器(硫化锌快中子屏,硫化锌慢中子屏,含锂闪烁体,有机闪烁体)堆芯外仪表:核仪表系统(2个源量程测量通道2个中间量程测量通道4个功率量程测量通道),提供信号,提供控制信号,监测功能堆芯内仪表:堆芯裂变电离室,涂硼室,γ温度计.自给能探测器堆芯中子注量率测量系统:驱动装置,组选择器,路选择器,中子探头。

X射线探伤基础知识考试题库及答案一、单选题1.X射线移动探伤划定控制区后，应在其边界上设置清晰可见的“”警告牌，拉警戒绳，控制区的范围应清晰可见，工作期间要有良好的照明，确保没有人员进入控制区。

A、请勿靠近B、工作重地，闲人免入C、只允许探伤人员进入D、电离辐射，禁止进入答案：D2.X射线探伤适合于、工作面相对宽阔、检测对象(例如：锅炉壁、容器壁和管壁等)较薄(<20mm) 的情况。

A、无电源供电B、空气湿度较小C、有电源供电D、环境温度适中答案：C3.如果控制区太大或某些地方不能看到，应安排足够的人员进行。

A、说服劝阻B、巡查C、加大工作力度，尽快完成工作D、向领导汇报这一不足答案：B4.射线发生器通常就是X 射线管，它与高压电源之间采用一长达15m 左右的高压电缆连接，其作用是。

A、便于现场的防护和操作B、电缆长度短，降低电缆的电阻C、电缆长度长，增加电缆的电阻D、电缆长度适中，带来各种好处答案：A5.由于X 射线机移动方便，射线能量较低， ,是目前最常用的射线检测手段之一。

A、不易实施射线的防护B、不可实施射线的防护C、勉强易实施射线的防护D、易实施射线的防护答案：D6.采用适当的探测器(例如，X射线探伤照相中采用胶片)检测透射X射线的强度，从胶片上可显示出被测试工件的部位、大小和性质。

A、整体结构的B、原子微观结构差异的C、局部缺陷或结构差异的D、分子微观结构差异的答案：C7.X射线检测是无损检测(无损探伤)中的重要方法之一，它是利用来检查工件内部缺陷的一种方法。

A、γ射线B、X射线C、a射线D、β射线答案：B8.X射线机按照结构通常分为三类：便携式X射线机、移动式X射线机、。

A、防水X射线机B、固定式X射线机C、多用途X射线机D、高能X射线机答案：B9.X射线探伤室的控制台或X射线管头组装体上应设置的接口，当有人推门进入无损探伤室时，X射线管电压及高压能立即切断。

A、与固定式辐射剂量监测仪联锁B、与探伤人员手机联锁C、与无损探伤室防护门联锁D、与控制台电脑联锁答案：C10.由于X射线机移动方便，,易实施射线的防护，是目前最常用的射线检测手段之一。

核辐射科普知识
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本文概述：面对核辐射这种我们看不见、摸不着的致命威胁，我们要怎么保护自己？那么，核辐射科普知识呢？和我们小编一起来看看吧!
福岛核电站的核危机也是公众普遍关注的话题。

中国作为日本近邻，民众对日本核电站造成的影响颇为关切。

那么，核辐射科普知识呢？就让小编的小编和你一起去了解一下吧！
核辐射
核辐射，或通常称之为放射性，存在于所有的物质之中，这是亿万年来存在的客观事实，是正常现象。

核辐射是原子核从一种结构或一种能量状态转变为另一种结构或另一种能量状态过程中所释放出来的微观粒子流。

核辐射可以使物质引起电离或激发，故称为电离辐射。

电离辐射又分直接致电离辐射和间接致电离辐射。

直接致电离辐射包括质子等带电粒子。

间接致电离辐射包括光子、中子等不带电粒子。

核反应
核反应是指入射粒子与原子核（称靶核）碰撞导致原子核状态发生变化或形成新。