二极管的分类及参数(精)
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二极管的分类与特性参数二极管是一种最简单的电子器件,它由一个p型半导体和一个n型半导体组成。
它具有一个正向电压下导通的特性,也就是只允许电流从p端流向n端,不允许从n端流向p端。
根据不同的应用需求,二极管可以分为多种类型,每种类型的二极管都有其独特的特性参数。
首先是整流二极管,也称为标准二极管。
整流二极管用来将交流电转换为直流电,常见的有1N4007、这类二极管的特性参数主要包括峰值反向电压(VRRM)、电流(IFAV)、瞬时峰值电流(IFSM)和导通电压(VF)。
其中,VRRM表示二极管可以承受的最大反向电压,IFAV表示二极管的最大平均整流电流,IFSM表示二极管可以承受的最大瞬时反向电流。
导通电压VF则展示了二极管在正向电压下的压降。
其次是稳压二极管,也称为Zener二极管。
稳压二极管用于提供稳定的电压。
它的特性参数主要包括稳压电压(VZ)、稳压电流(IZ)和动态电阻(rZ)。
稳压电压VZ表示二极管正向电压下的稳定值,IZ表示在VZ 下流过的稳压电流,rZ则表示在不同电流下二极管的变化率。
再次是肖特基二极管,也称为Schottky二极管。
肖特基二极管具有快速开关的特性,其特性参数主要包括正向峰值电压(VFM)和正向漏电流(IR)。
正向峰值电压VFM表示肖特基二极管在正向电压下的压降,正向漏电流IR则表示在给定电压下二极管正向导通时的漏电流。
最后是光电二极管,也称为光敏二极管。
光电二极管能将光能转换为电能,其特性参数主要包括光电流(IL)和光电流灵敏度(S)。
光电流IL表示光电二极管在给定光照下的输出电流,光电流灵敏度S则表示光电二极管输出电流和光照强度之间的比例关系。
综上所述,二极管的分类与特性参数多种多样,不同类型的二极管具有不同的应用场景和特点。
通过了解和掌握这些特性参数,可以更好地选择和应用二极管,满足电子器件设计和应用的需求。
二极管的分类及参数二极管是最基本的半导体器件之一,广泛应用于电子设备中。
它具有单向导电性质,即只允许电流在一个方向上流动。
二极管可以通过对其工作电压、额定电流、频率等参数的不同分类和定义。
下面将详细介绍二极管的分类及参数。
1.按材料分类:(1)硅二极管:由硅(Si)材料制成,常用于中高功率电子设备中。
(2)锗二极管:由锗(Ge)材料制成,常用于低功率电子设备中。
(3)碳化硅二极管:由碳化硅(SiC)材料制成,具有较高的工作温度和电压能力,适用于高温、高频和高功率应用。
2.按结构分类:(1)点接触二极管:也称为瞬变二极管,使用金属-半导体结构制作。
(2)悬浮底座二极管:也称为漂移二极管,使用浮动喷射结构制作。
(3)整流器二极管:也称为整流二极管,使用P-N结构制作。
3.按工作模式分类:(1)正向偏置二极管:当正向电压施加到二极管上时,电流可以流过二极管。
(2)反向偏置二极管:当反向电压施加到二极管上时,电流几乎不能流过二极管。
4.参数定义:(1) 最大工作电压(Umax):指二极管能够承受的最大正向或反向电压值。
(2) 最大额定电流(Inom):指二极管能够承受的最大正向电流值。
(3) 最大功率(Pmax):指二极管能够承受的最大功率值,计算公式为Pmax = Umax * Inom。
(4) 额定频率(fnom):指二极管能够承受的最大工作频率。
频率越高,二极管的响应速度越快。
(5)正向导通压降(Vd):指正向电流流过二极管时的电压降。
不同类型的二极管具有不同的正向导通压降。
二极管的分类和参数可以根据具体应用的需求进行选择。
一般而言,硅二极管具有较高的工作电压能力和较低的正向导通压降,适用于中高功率电子设备。
锗二极管具有较低的工作电压能力和较高的正向导通压降,适用于低功率电子设备。
碳化硅二极管具有较高的工作温度和电压能力,适用于高温、高频和高功率应用。
总结:二极管作为最基本的半导体器件之一,在电子设备中有着广泛的应用。
二极管的种类二极管是电子元件中最基本和最常见的一种。
它是一种基于半导体材料制成的控制电流流动方向的器件。
二极管具有两个电极,分别是阳极(Anode,A)和阴极(Cathode,K)。
通过对二极管施加正向电压(正向偏置),就可以促使电流经过二极管;而当施加反向电压时(反向偏置),二极管则会阻止电流的流动。
根据不同的应用场景和电学性能,二极管可以分为多种不同的类型。
下面就让我们来具体了解一下这些二极管的分类和特点。
1. 硅二极管:硅二极管是最常见且使用最广泛的二极管类型之一。
它以硅材料制造,具有较高的工作温度和较低的漏电流。
硅二极管的正向电压降较大,约为0.6-0.7伏特。
在低频和高频电路中,硅二极管经常用作检测、整流和开关器件。
2. 锗二极管:锗二极管是最早被发明和使用的二极管类型之一。
它以锗材料制造,与硅二极管相比,锗二极管具有较低的工作温度和较高的漏电流。
锗二极管的正向电压降约为0.2-0.3伏特。
由于其特殊的电学性能,锗二极管广泛应用于放大器、检波器和高速开关等领域。
3. 快恢复二极管:快恢复二极管(Fast Recovery Diode)具有较高的响应速度和较短的恢复时间。
它们被设计用于需要频繁开关的电路,以减少开关过程中的能量损失。
快恢复二极管通常采用多晶硅材料合金制造,以实现更高的频率响应和更低的开关损耗。
4. 肖特基二极管:肖特基二极管(Schottky Diode)是一种由金属和半导体材料组成的二极管。
它具有较低的正向电压降和较快的开关速度,适用于高频应用。
肖特基二极管在整流器、混频器和功率放大器等电路中发挥重要作用。
5. 整流二极管:整流二极管主要用于将交流信号转换为直流信号。
它们被广泛应用于电源和电子设备中,用于将电源交流电转换为供电设备所需的直流电。
整流二极管具有较高的正向电压降和较大的导通电流承载能力。
6. 可控整流二极管:可控整流二极管,也称为双向可控整流二极管(Thyristor),是一种特殊的二极管,它具有双向导电特性。
二极管的分类与特性参数(精)二极管的分类与参数一、半导体二极管1.1二极管的结构半导体二极管简称二极管,由一个PN 结加上相应的电极引线和管壳构成,其基本结构和符号如图1所示。
图1 二极管的结构及符号1.2 二极管的分类1、根据所用的半导体材料不同,可分为锗二极管和硅二极管。
2、按照管芯结构不同,可分为: (1)点接触型二极管由于它的触丝与半导体接触面很小,只允许通过较小的电流(几十毫安以下),但在高频下工作性能很好,适用于收音机中对高频信号的检波和微弱交流电的整流,如国产的锗二极管2AP 系列、2AK 系列等。
(2)面接触型二极管面接触型二极管PN 结面积较大,并做成平面状,它可以通过较大了电流,适用于对电网的交流电进行整流。
如国产的2CP 系列、2CZ 系列的二极管都是面接触型的。
(3)平面型二极管它的特点是在PN 结表面被覆一层二氧化硅薄膜,避免PN 结表面被水分子、气体分子以及其他离子等沾污。
这种二极管的特性比较稳定可靠,多用于开关、脉冲及超高频电路中。
国产2CK 系列二极管就属于这种类型。
3、根据管子用途不同,可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管及发光二极管等。
1.3 二极管的特性引外壳触丝基PN二极管的电路P N阳阴极点接面接1、正向特性二极管正向连接时的电路如图所示。
二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就处于导通状态(灯泡亮),如同一只接通的开关。
实际上,二极管导通后有一定的管压降(硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V)。
我们认为它是恒定的,且不随电流的变化而变化。
但是,当加在二极管两端的正向电压很小的时候,正向电流微弱,二极管呈现很大的电阻,这个区域成为二极管正向特性的“死区”,只有当正向电压达到一定数值(这个数值称为“门槛电压”,锗二极管约为0.2V,硅二极管约为0.6V)以后,二极管才真正导通。
此时,正向电流将随着正向电压的增加而急速增大,如不采取限流措施,过大的电流会使PN结发热,超过最高允许温度(锗管为90℃~100℃,硅管为125℃~200℃)时,二极管就会被烧坏。
二极管分类1>按结构材料分:(1)锗二极管(2)硅二极管2>按制作工艺分:(1)点接触型二极管:pn结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。
(2)面接触型二极管:结面积大,用于工频大电流整流电路。
(3)平面型二极管:往往用于集成电路制造工艺中。
pn结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。
3>按功能用途分:(1)硅整流二极管:硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外,还可用作限幅、保护、钳位等。
(常用整流二极管主要是1n、2cz系列)(2)检波二极管:检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小,但允许流过的最大正向电流小、内阻大。
多用于小信号、高频率的电路,用作检波、鉴频、限幅。
(常用检波二极管主要是2ap系列) (3)稳压二极管:利用稳压二极管的反向击穿特性,用作稳压基准电压、保护、限幅、电平转换等。
其中2dw230~2dw232稳压管内部具有温度补偿,电压温度系数低,可用于精密稳压电路。
(常用稳压二极管主要是1n、2cw、2dw系列)(4)光敏二极管:利用光敏二极管在光的照射下,反向电流与光照成正比的特性,应用于光电转换及光控、测光等自动控制电路中。
(常用硅光敏二极管主要是2cu、2du系列)(5)变容二极管:变容二极管的结电容可以随外加偏压的不同而变化,主要应用于lc调谐、自动频率控制稳频等场合。
(常用变容二极管主要是2cc、1n系列)(6)发光二极管:发光二极管能把电能直接快速地转换成光能,在电子仪器、仪表中用作显示器件、状态信息指示、光电开关和光辐射源等。
(常用发光二极管主要是2ef系列)(7)肖特基二极管:肖特基二极管具有反向恢复时间很短、正向压降较低的特性,可用于高频整流、检波、高速脉冲箱位等。
(常用肖特基二极管主要是1n、mbr系列)(8)快速恢复二极管:快速恢复二极管的正向压降与普通硅整流二极管相似,但反向恢复时间小,耐压比肖特基二极管高得多,用作中频整流元件。
二极管的分类及参数二极管是电子器件中最简单的一种,广泛应用于电子电路中。
它具有单向导通性,即只有在正向电压作用下才会导电,而在反向电压作用下则会截止电流。
根据二极管的结构和功能,可以将其分为普通二极管、恒压二极管、整流二极管和特殊二极管等多个类别。
下面分别介绍这些二极管的分类及参数。
1.普通二极管:普通二极管是最基础、最常见的一类二极管。
它主要由一个PN结构组成,一般用硅(Si)或砷化镓(GaAs)等半导体材料制作而成。
普通二极管具有正向压降特性,即在正向电压作用下,从P区到N区的电子会流动,形成电流;而在反向电压作用下,由于P区的导电性差,电流无法流动,二极管截止。
普通二极管的主要参数有以下几个:-数字型号:例如1N4148、1N4007等;-最大正向电流:最大能够通过的正向电流;-最大反向电压:最大能够承受的反向电压;-正向压降:正向导通时的电压降;-反向漏电流:反向电压作用下的漏电流。
2.恒压二极管:恒压二极管,也称为稳压二极管或Zener二极管,是一种特殊的二极管。
它基本上与普通二极管相同,但能够在逆向击穿时产生一个稳定的电压(即Zener电压),并以此为参考进行稳压。
恒压二极管广泛应用于电源稳压电路、测量电路和放大器的偏置电路等。
恒压二极管的主要参数有以下几个:-数字型号:例如BZX55C5V1、BZV55-C24等;- Zener电压:逆向击穿时稳定的电压值;- 最大反向电流:在Zener电压下能够通过的最大反向电流;-最大功耗:能够承受的最大功耗,一般由封装类型决定。
3.整流二极管:整流二极管,也称为信号二极管或电势二极管,是一种特殊的二极管,用于将交流信号转换为直流信号。
整流二极管通常用于电源电路、继电器、调制解调器等电子器件中。
整流二极管的主要参数有以下几个:-数字型号:例如1N4148、1N4007等;-最大正向电流:最大能够通过的正向电流;-最大反向电压:最大能够承受的反向电压;-正向压降:正向导通时的电压降。
二极管的符号判别参数和分类一、二极管的符号和判别二极管是一种电子器件,用于将电流限制在单一方向上。
它有一个正极(阳极)和一个负极(阴极),可以作为整流器、开关、信号调整器等多种应用。
```------/\\/------```二极管的正极(阳极)用一个竖线表示,而负极(阴极)用一个三角形表示。
箭头指向的方向表示了电流流动的方向。
二极管的判别可以通过以下几个方面进行:2.使用万用表进行测试:-使用万用表的二极管测试档,将测试引线接到二极管的两端。
-当二极管连接正确时,万用表显示正常的导通状态,电流从正极(阳极)流向负极(阴极)。
-如果显示为导通状态,但电流方向相反,说明二极管连接反了,需要重新接线。
-如果万用表显示为不导通状态,则二极管可能是损坏的。
1.二极管的参数-额定电压(VRRM):二极管能够承受的最大反向电压。
-最大连续工作电流(IF(AV)):二极管所能承受的最大平均电流。
-最大脉冲工作电流(IFM):二极管所能承受的瞬时最大电流。
-正向压降(Vf):在正向条件下,二极管所产生的电压降。
-反向漏电流(IR):在反向条件下,二极管中的漏电流。
- 反向恢复时间(trr):当二极管从正向工作状态切换到反向状态时,恢复到正常的反向状态所需要的时间。
2.二极管的分类-硅二极管:这是最常见和广泛使用的二极管类型。
它具有较高的工作温度范围,高耐压能力和高速性能,通常用于整流、开关和放大器等电路中。
-锗二极管:它具有更低的正向压降和更高的工作频率,但较低的耐压能力。
它通常用于低功率应用,如收音机、无线电等。
-快恢复二极管:它的反向恢复时间较短,能够更快地从正向工作状态切换到反向状态,通常用于高频和高速应用。
-肖特基二极管:它具有较低的正向压降和较快的开关速度,广泛应用于功率电子器件和高频电路中。
-隧道二极管:它的特殊结构使电子能够以隧道效应穿越势垒,具有负阻特性,通常用于高频振荡器和高速开关等应用。
总结:二极管是一种电子器件,用于限制电流在单一方向上流动。
3.开关二极管的主要参数5.温度对二极管参数的影响6.二极管的简单检测方法7.稳压管的简单应用电路组成部分将PN 结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成半导体二极管。
P 区引出线为二极管正极,区引出线为二极管负极。
二极管组成与电路符号如下图所示,图中箭头方向为地极管单向导电时的电流方向.+普通二极管符号-稳压二极管符号Dz自由电子P 区与N 区中载流子的扩散运动平衡状态下的PN 结小信号检波的灵敏度高线性好;用于检波和高频电路.反向电流小;允许工作温度高;击穿电压高及热稳定性好;用于整流和逻辑电路.按材料分类结的静电容量发生变化.用于自动频率二极管按用途分类图示出常用硅二极管的伏安特性际表示的是加在二极管两端的电压和流过二极管的电流间的关系。
当电压在零值附近时,电流为零。
当电压为流开始出现(通常将这个正向压称为死区电压)IF 电流明显增大。
当在二极管加上电流随不增加,当时,IR 结被击穿,不具有单向导电性能,这个电压称为击穿电压稳压二极管一般用硅半导体材料制成,与开关二极管有相类似的伏安特性。
当稳压二极管加VZ 反向电压的数值大到一定程度时则击穿,在此击穿区随着IZ 反向电流的变化,而VZ 反向电夺保持基本不变,表现出很好的稳压特性。
只要控制IZ 反向电流不超过一定值,管子不会因过热而损坏。
VVF IRIzt二极管正向特性在环境温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,在室温附近,温度每升高正向压降减少结论:二极管的特性对温度很敏感。
V20℃温度每升高约增大一倍。
温度系数变化1℃稳定电压小于负温度系数,即温度升高稳定电压值下降;稳定电压在大于电压上升;稳压值在u开关整流二极管主要工作参数1.最大整流电流是二极管长期运行是允许通过的最大正向平均电流,其值与及外部散热条件等有关。
在规定散热条件下,二极管正向平均电流若超过此值,则将因结温过高而烧坏。
2.最高反向工作电压是二极管长期运行是允许外加的最大反向电压,若超过此值,二极管有可能因反向击穿而损坏。
二极管的分类及选型 (2011-09-06 10:45)分类:电源技术一.半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为:普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等;特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1.反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下,硅管的IR为纳安(10-9A)级,锗管的IR为微安(10-6A)级。
2.额定整流电流IF指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
5.最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7.最高工作频率fM由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高,在100MHz以上;整流二极管的fM较低,一般不高于几千赫。
8.反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时,二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上,一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。
二极管的分类及参数
一.半导体二极管的分类
半导体二极管按其用途可分为:普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等;特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数
1.反向饱和漏电流I
R
指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料
和温度有关。
在常温下,硅管的I
R 为纳安(10-9A)级,锗管的I
R
为微安(10-6A)
级。
2.额定整流电流I
F
指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整
流二极管的I
F
值可达1000A。
3. 最大平均整流电流I
O
在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流I
FSM
允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
5.最大反向峰值电压V
RM
即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加
的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压V
RM
指为避免
击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的V
RM
值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压V
R
上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,V
R
是连续加直流电压时的值。
用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.
7.最高工作频率f
M
由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变
差。
点接触式二极管的f
M 值较高,在100MHz以上;整流二极管的f
M
较低,一般
不高于几千赫。
8.反向恢复时间T
rr
当工作电压从正向电压变成反向电压时,二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上,一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。
也即当
二极管由导通突然反向时,反向电流由很大衰减到接近I
R
时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时,此项指标至为重要。
9. 最大功率P
二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。
三.几种常用二极管的特点
1.整流二极管
整流二极管结构主要是平面接触型,其特点是允许通过的电流比较大,反向击穿电压比较高,但PN结电容比较大,一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值。
2.快速二极管
快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的,但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长,约4~5ms,不能适应高频开关电路的要求。
快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等,其反向恢复时间可达10ns。
快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。
因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元件,高频电路中的限幅、嵌位等。
肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,其主要特点是正向导通压降小(约0.45V),反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,
)电它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO
2
场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成,如图所示。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。
肖特基二极管存在的问题是耐压比较低,反向漏电流比较大。
目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下,平均电流在100A以下,反向恢复时间在10~40ns。
肖特基二极管应用在高频低压电路中,是比较理想的。
3.稳压二极管
稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。
稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管,在电路中起稳定电压作用。
它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。
稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。
它既具有普通二极管的单向导电特性,又可工作于反向击穿状态。
在反向电压较低
时,稳压二极管截止;当反向电压达到一定数值时,反向电流突然增大,稳压二极管进入击穿区,此时即使反向电流在很大范围内变化时,稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。
但若反向电流增大到一定数值后,稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。
稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型。
稳压二极管根据其封装形式可分为金属外壳封装稳压二极管、玻璃封装(简称玻封)稳压二极管和塑料封装(简称塑封)稳压二极管。
塑封稳压二极管又分为有引线型和表面封装两种类型。
稳压管的主要参数有:①稳压值V Z。
指当流过稳压管的电流为某一规定值时,稳压管两端的压降。
②电压温度系数。
稳压管的稳压值V Z的温度系数在V Z 低于4V时为负温度系数值;当V Z的值大于7V时,其温度系数为正值;而V Z的值在6V左右时,其温度系数近似为零。
目前低温度系数的稳压管是由两只稳压管反向串联而成,利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数,可得到很好的温度补偿。
③动态电阻r Z。
表示稳压管稳压性能的优劣,一般工作电流越大,r Z越小。
④允许功耗P Z。
由稳压管允许达到的温升决定,小功率稳压管的P Z值为100~1000mW,大功率的可达50W。
⑤稳定电流I Z。
测试稳压管参数时所加的电流。
实际流过稳压管的电流低于I Z时仍能稳压,但r Z较大。
稳压管的最主要的用途是稳定电压。
在要求精度不高、电流变化范围不大的情况下,可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。
在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源,也有在集成运放中作为直流电平平移。
其存在的缺点是噪声系数较高,稳定性较差。