N型高效单晶电池技术发展现状(2015)
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电池技术的现状和未来发展趋势现代社会离不开电池,无论是家用电器、移动设备还是汽车等都需要用到电池。
随着科技的不断发展,电池技术也在不断革新,从铅酸电池、镍镉电池、镍氢电池一直到锂离子电池,每一种电池技术都有其特点和优缺点。
本文将介绍电池技术的现状和未来发展趋势。
一、电池技术的现状目前,市面上使用最广泛、应用最为成熟的电池技术是锂离子电池。
相比于其他电池技术,锂离子电池具有更高的能量密度、更长的使用寿命、更快的充电速度和更低的自放电率。
因此,锂离子电池被广泛应用于移动设备、家用电器、电动工具、电动汽车等领域。
但是锂离子电池也存在其不足之处,比如充电时间过长、安全性不高、在极端温度下表现差等问题。
为了解决这些问题,科学家们正在开展新的电池技术研究和转化。
下面将介绍一些新型电池技术。
1. 固态电池技术固态电池,顾名思义,是一种无液体电解质的电池。
相较于传统的锂离子电池,固态电池具有较高的安全性和稳定性。
这种电池不容易泄漏或过热,还能在不同温度下工作,因此广受关注。
另外,固态电池的容量也非常可观,其能量密度可以比锂离子电池高出20%以上,电池寿命也比普通电池长。
未来,随着科技的不断发展,固态电池有望逐渐取代传统的锂离子电池。
2. 二氧化硅电池技术二氧化硅电池技术作为一种新型电池技术,具有很高的能量密度,可以将电池容量提高数倍。
而且二氧化硅电池的成本低、绿色环保,也大大提高了其应用前景。
目前,二氧化硅电池还处于研究阶段,还有待于进一步发展和完善。
3. 基于生物质的电池技术在回收利用生物质的同时,人们也将农作物渣滓和食品废物转化为能源的领域称为“生物质能源”。
类似的思路也运用在电池领域中,将生物质的化学成分转化为电能。
目前,这项技术还处于研究阶段,而且其能量密度和稳定性都不如锂离子电池和固态电池。
但是,由于生物质资源的可持续性和环保性,这种新型电池技术有望在未来被重视。
二、电池技术的未来趋势未来的电池技术将专注于提高电池的能量密度、安全性、可持续性和环保性。
高效晶体硅电池技术综述以及商业化现状摘要:太阳能、风能、水能等清洁能源随着能源危机的初现端倪已经越来越为人们所重视和提倡,能源问题已经成为制约国家经济发展的重要战略问题。
其中太阳能不论从资源的数量、分布的普遍性、技术的成熟度和对环境的影响都体现出巨大的优势。
光伏发电也逐渐从传统发电的补充能源形式过渡到替代能源形式。
这当中发电成本始终是制约推广的首要因素。
寻求新技术、新材料、新工艺,以提高太阳电池转换效率,大幅度降低生产成本是整个光伏行业面临的紧迫课题。
晶体硅电池是目前商业化程度最高,制备技术最成熟的太阳能电池。
以晶体硅技术为基础,着力于降低生产成本,提高发电效率的高效晶体硅电池研发始终是国际光伏领域研究的热点之一。
本文旨在从影响常规晶体硅电池转换效率的几个可能方面出发,简介目前欧美,日本等光伏技术发达国家以及业界几种较为流行的高效晶体硅制备技术及其商业化现状。
关键词:高效、晶硅、太阳能电池、光伏发电前言太阳能光伏发电是太阳能利用的一种重要形式,随着技术不断进步,光伏发电成为最具发展前景的发电技术之一。
光伏发电的基本原理为半导体的光伏效应,即在太阳光照射下产生光电压现象。
20世纪50年代,美国贝尔实验室三位科学家首次研制成功具有实用价值的单晶硅太阳电池,诞生了将太阳的光能转换为电能的实用光伏发电技术,在太阳电池发展史上起到了里程碑的作用。
太阳能电池主要有两大类,一类是以单晶硅和多晶硅硅片为基础的晶体硅太阳能电池;另一类是非晶硅、铜铟硒和碲化鎘薄膜太阳能电池等。
晶体硅太阳能电池是目前应用技术最成熟、市场占有率最高的太阳能电池,至2009年止超过90%,薄膜太阳电池市场占有率不足10%[1]。
晶体硅太阳能电池在可预见的未来仍将占主导地位。
现行光伏发电技术推广的最大制约因素是发电成本,围绕降低生产成本的目标,以高效电池获取更多的能量来替代低效电池一直是科学研究的热门课题之一。
近年来高效单晶硅太阳能电池研究已取得巨大成就,在欧美,日本等商业化高效电池的转换效率已超过20%。
单晶硅太阳能电池技术的研究与发展一、引言太阳能电池作为绿色能源的代表之一,已经成为当前世界各国科学技术发展的热点和重点研究的对象。
其中,单晶硅太阳能电池技术因为其高效、可靠、稳定、长寿命等优点,已经成为主流的太阳能电池技术之一。
本文主要介绍了单晶硅太阳能电池技术的研究与发展。
二、单晶硅太阳能电池的基本原理单晶硅太阳能电池是太阳能电池中最常见的一种,它的基本原理是利用半导体材料与阳光的相互作用产生光生电效应,将太阳能转化成电能。
具体地说,当阳光照射到单晶硅太阳能电池的P-N结区域时,电子从半导体的价带跃迁到导带中,形成电子空穴对,同时,在P-N结区域内形成一个电场,使得电子、空穴在电场力下分别向N型、P型半导体集结,然后通过电路输出直流电能。
三、单晶硅太阳能电池的制造工艺1.单晶硅锭生长单晶硅锭生长是单晶硅太阳能电池制造的第一步,生产单晶硅锭所需的原料为硅源、掺杂原料和能源。
将这些原料混合后,通过高温熔解、晶核种植、拉晶和切割步骤,得到高纯度的单晶硅锭。
2.硅片制备将单晶硅锭研磨压成圆形、平整的硅片,然后通过化学氧化、扩散、光刻、蚀刻和金属化等步骤,制造出单晶硅太阳能电池的芯片。
3.电池片组装将单个单晶硅太阳能电池片组装成整块电池板,然后通过系列接线、密封、贴膜、填充树脂和包装等步骤,完成整体制造。
四、单晶硅太阳能电池的特点1.高效特性单晶硅太阳能电池的光电转换效率可以达到20%以上,较其他太阳能电池技术有更高的能量利用率和转化效率。
2.稳定性好单晶硅太阳能电池主要成分是硅,硅在太阳辐射下稳定性好,在高温、高湿度、长期使用等条件下,能保持较好的性能。
3. 寿命悠长单晶硅太阳能电池的寿命长达30年以上,在确定的使用条件下能够长期稳定输出电能。
五、单晶硅太阳能电池的应用前景单晶硅太阳能电池因为性能优良与可靠性高,已经在各领域得到了广泛应用。
它适用于太阳能发电、光伏路灯、太阳能电池板、太阳能电池组等领域,特别是在家庭和商业应用方面,如家庭光伏系统、储能系统、电动汽车等,具有广泛的市场前景。
2015年光伏及光伏材料行业简析一、全球需求增长喜人,后续空间巨大 (3)1、欧洲市场的影响力逐步势弱,2015年需求开始稳步上升 (4)2、美国市场增长迅速,模式创新引领行业 (4)3、日本市场补贴下调,增长趋势不改,高效单晶最佳验证地 (5)4、明年国内分布式项目有望大规模建设,大型电站建设和交易将两旺 (6)二、制造端回归常态,特别看好单晶硅片环节 (10)三、光伏产品价格走势平稳,明年价格继续趋稳 (10)2013 年我国以约12GW 的安装量成为光伏需求第一大国,传统欧洲市场逐渐势弱,2014 年行业热点在中国、日本、美国等光伏新兴市场。
国内从总量上看,今年能源局给的光伏配额量为14GW,其中分布式8GW,大型地面电站6GW,分布式得到重点支持。
今年上半年由于屋顶资源、银行贷款、电网接入、电费收取模式等等问题尚待政策给予明确,国内分布式光伏安装量大幅低于预期,且因为能源局今年重点支持分布式,西部地面大型电站配额受限,但业主建设积极性很高,配额呈现“供不应求”局面。
下半年,能源局对光伏电站的支持政策密集出台,国内光伏电站进展加快,但由于分布式电站大规模启动并非一蹴而就,而地面电站建设进程也受“倒卖路条”等影响,我们预计2014 年国内光伏新增并网量完成14GW 年初目标较难,实际量预计在10-12GW 之间。
展望明年,国内新能源配额制将正式出台,光伏作为重要一环,中长期内都将获得国家重点支持,今年能源局各项政策力度大,随着执行力度加强,明年政策效应将大幅显现,国内电站安装量有望大幅增长,明年有望呈现分布式真正大规模建设,大型地面电站建设和交易两旺的局面,同时随着国内利率水平的下降,光伏电站作为类固定收益资产,其吸引力正逐步提高,电站收购需求有望大幅增长,带动行业持续向好。
光伏制造端上,传统硅片、电池片、组件等环节竞争仍然激烈,硅料及单晶硅片环节的竞争格局较好,特别看好高效单晶环节。
一、全球需求增长喜人,后续空间巨大2013 年全球光伏需求达到38GW,其中,中国是第一需求大国,全年安装量约12GW,欧洲新增装机约11GW,日本约7GW,美国约5GW,欧洲市场装机继续下滑,中、美、日等新兴市场已占据重要地位。
N型高效单晶光伏电池技术目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。
然而,不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。
N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点,具有更大的效率提升空间,同时,N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。
因此,N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。
根据国际光伏技术路线图(ITRPV2015)预测:随着电池新技术和工艺的引入,N型单晶电池的效率优势会越来越明显,且N型单晶电池市场份额将从2014年的5%左右提高到2025年的35%左右。
本文论述了N型单晶硅及电池组件的优势,并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点,及相关技术发展现状和产业化前景。
1.引言由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命,使其占据全球光伏市场约90%份额。
理论上讲,不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备太阳能电池。
但由于太阳能电池是基于空间航天器应用发展而来的,较好的抗宇宙射线辐照能力使得P型晶硅电池得到了充分的研究和空间应用。
技术的延续性使目前地面用太阳能电池90%是掺硼P型晶硅电池。
而且,研究还发现N 型晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低,并且长期使用或存放时,由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。
另外,B2O3的沸点很高,扩散过程中始终处于液态状态,扩散均匀性难以控制,且与磷扩散相比,为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度,导致材料性能变差。
所以与在N型硅片上形成掺硼p+发射结在工业生产中比较困难。
然而,地面应用并不存在宇宙射线辐照的问题,而且随着技术的发展,原来困扰N型晶硅电池的发射结浓度分布、均匀性、表面钝化等技术难题已经解决。
随着市场对电池效率的要求越来越高,P型电池的效率瓶颈已越发明显。
N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势,具有更大的效率提升空间和稳定性,成为行业关注和研究的热点。
N型双面高效单晶电池组件1公司介绍2N型双面电池片3 N型双面电池组件优势CONTENTS4 电站投资成本及收益5 N型双面电池组件产品6 技术路线苏州中来光伏新材股份有限公司(简称中来股份)成立于2008年3月,是国内第一家专业从事太阳能电池背膜研发、生产和销售的上市企业(股票代码:300393),业内最先实现涂覆型太阳电池背膜产业化生产的企业之一,目前为全球最大的专业背膜制造企业。
公司同时致力于高效太阳能电池的设计和研发,已申请高效电池相关专利26项,其中已授权12项,单晶双面发电高效太阳能电池的技术开发能力处于国内领先、国际先进水平。
中来电力主要从事光伏电站投资、融资、建设及运维服务,侧重投资农光互补电站及工商业屋顶分布式电站。
●公司性质:股份有限公司●公司地址:常熟市沙家浜镇常昆工业园区●成立时间:2008.03.07 ●生产能力:年配套光伏组件能力10GW●业务范围:背膜技术+高效电池+电站投融资及运维泰州中来光电科技有限公司项目计划投资建设14条N型单晶双面太阳能电池生产线,包括单晶制绒设备、扩散设备、刻蚀设备等。
项目总投资165,832.00万元,建设期1.5年,达产后将实现2.1GW产能,可完善公司产品结构,满足市场需求。
在晶硅太阳能电池技术路线中,低成本、高转换效率一直是太阳能电池技术发展的重点。
N型单晶太阳能电池基于自身结构特性,具有光电转换效率高、光衰减系数低、弱光响应等优势,本项目生产的N型单晶双面太阳能电池通过采用离子注入等技术,精简了产品工艺流程,提高产品良品率,产品生产成本得以降低。
本项目生产的N型单晶电池为双面电池,与单面电池相比,采用该款N型单晶双面电池可使得同等投资的光伏电站发电量有较大幅度提高,亦可在同等发电规模下减少土地占用。
N 型单晶双面电池核心技术N 型硅片,正面硼扩散形成P+层,背面磷扩散形成N+层,双面沉积氮化硅减反膜,最后印刷银电极。
01020304硼扩散工艺新工艺开发、掺杂的浓度,结深等对p-n 结特性的影响离子注入法磷扩散简化工艺,提升效率表面钝化工艺降低表面缺陷减少载流子复合新一代双二次印刷工艺提升效率,保证品质N 型双面电池N 型单晶双面电池转换效率Eta(%)Voc (V)Jsc(A )FF 21.0%0.6549.9078.70正面平均效率>21.0%高效双面发电背面平均效率>19.0%N 型单晶/P 型多晶光衰数据对比1.281.581.221.671.441.691.761.83-0.13-0.15-0.140.120.09-0.10.150.08-0.500.511.522.5020406080100120功率衰减(%)辐照量(KWh )P 型多晶N 型单晶光致衰减低弱光响应强由于N型基体材料高的少子寿命,N型晶硅组件在弱光下表现出比常规P型晶硅组件更优异的发电特性。
市场数据(人民币)市场优化平均市盈率18.90 国金电力设备与新能源指数2851 沪深300指数4266 上证指数3251 深证成指12329 中小板综指 12355相关报告 1.《系统装机同比翻番,建议关注板块投资机会-燃料电池行业月报》,2022.3.162.《燃料电池工信部推荐车型目录月报-《燃料电池行业月报》》,2022.3.143.《欧盟能源供应加速“脱俄”,全面利好风光氢-新能源与电力设备行...》,2022.3.13 4.《轻总量重结构,结构性行情将徐图展开-《2022-03-13行...》,2022.3.135.《2月终端景气度向上,原材扰动不改中期趋势-《2022-03-...》,2022.3.6姚遥 分析师 SA C 执业编号:S1130512080001 (8621)61357595 yaoy @ 平价时代效率为王,新技术迭代大势所趋 ——高效太阳能电池系列深度(一) 核心逻辑 ⏹ 平价上网时代,降本增效仍然是推进光伏进一步发展的关键因素。
从全球范围看,目前光伏在大部分国家和地区已经成为成本最低的发电形式,实现了发电侧平价上网。
但由于光伏发电存在间歇性、随机性、波动性,因而接入到现有电网中需要其它电源为它进行调峰调频,或者增配大规模长时储能,所以从电力系统角度看,光伏还没有实现平价,还需要进一步降本增效。
因此为了建设以新能源为主体的新型电力系统,必须追求更高效、成本更低的新型技术,其中主要环节当属高效电池技术的进步及应用。
⏹我们认为当下高效电池技术的迭代是LCOE 进一步下降和光伏产业进一步发展的必然趋势。
从当前时间点开始,各家企业新一代高效电池的量产/中试产线将进入密集的设备交货和调试阶段,同时多家设备企业的设备调试参数也即将进行披露,22年初即将开始面向终端市场的直接竞争。
这一轮主流技术路线从P 型向N 型的切换,对主产业链、辅材耗材、设备等领域竞争格局也会产生重要的影响。
高效 N型 TOPCon电池技术研究摘要:推动高效光伏电池产业化发展,需注重技术创新,通过选择合适且应用效果良好的技术,来提升光伏电池的制备水平,形成更好的性能。
本文主要围绕高效N型TOPCon电池技术,通过实验对比的方法分析TOPCon结构的优越性,/多晶硅层,以此在不降低电阻的前提下,在光伏电池背表面的全部区域采用SiO2增加短路电流密度与开路电压;仅在前表面与金属材料接触的底部使用这种电池结构,可减少多晶硅层对于太阳光的吸收量。
关键词:TOPCon光伏电池;光伏发电;多晶硅光伏发电是我国落实能源转型战略的技术支撑,通过不断的迭代创新,度电成本已经大幅降低,同时也形成了更高的转换效率。
本文就高效N型TOPCon电池的相关实验作分析。
1、高效N型TOPCon电池的技术优势TOPCon电池主打隧穿氧化层钝化接触技术,该类电池属于钝化接触型电池,经过不断探索创新,TOPCon 结构已基本稳定。
如下图所示,在金属电极接触区域,制备一层超薄隧穿氧化层和高掺杂的多晶硅薄膜,形成钝化接触结构,超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合,进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集,从而极大地降低了金属接触复合电流,提升了电池的开路电压和短路电流。
图1 TOPCon电池结构图2、实验过程实验目的为探究电池背表面采用TOPCon结构前后的性能变化,选取三组电池作为实验对象,正表面结构全部属于N型硅片电池常规结构(硼发射极+氧化硅/氮化硅膜层+电极)。
其中把A组设置成参考组,电池背表面使用常规N型PERT电池结构;B组背表面应用全TOPCon钝化结构,与A组区别在于采用超薄厚度1-2nm)隧道层和掺杂非晶硅(厚度30-50nm)钝化背面;C二氧化硅(SiO2组背表面采用局部TOPCon钝化结构。
实验组合如下表:表1三组实验设置明细实验中每组数量各400片,实验过程A、B、C三组硅片依次通过:清洗制绒、硼扩散工序;然后A组实验需要背表面全部磷扩散,再经过刻蚀、背膜、正膜、印刷等工序;B组实验背表面需要全部经过隧穿氧化+非晶硅钝化,然后进行磷扩散、退火、刻蚀、背膜、正膜、印刷等工序;C组实验片背表面需要进行局部的隧穿氧化+非晶钝化,然后进行磷扩散、退火、刻蚀、背膜、正膜、印刷等工序。
n型单晶异质结电池片一、引言随着全球能源结构的转型和清洁能源需求的增长,光伏发电技术得到了快速发展。
电池片作为光伏发电系统的核心组成部分,其性能直接影响整个系统的效率和成本。
n型单晶异质结电池片作为一种高效、环保的光伏材料,在近年来的研究中受到了广泛关注。
本文将从工作原理、技术优势、制造工艺、市场应用与前景等方面对n型单晶异质结电池片进行深入探讨。
二、n型单晶异质结电池片的工作原理n型单晶异质结电池片利用了半导体的能带结构,通过光生伏特效应将太阳能转化为电能。
当阳光照射在电池片表面时,光子能量大于半导体禁带宽度的光子能够激发电子从价带跃迁到导带,从而产生光生电流。
在n型单晶异质结电池片中,P型和N型半导体材料形成了一个电场,使得光生电流能够有效地分离和收集,进一步提高光电转换效率。
三、n型单晶异质结电池片的技术优势1.高光电转换效率:n型单晶异质结电池片具有较高的理论光电转换效率,可达到23%以上。
这主要得益于其独特的异质结结构和优化的材料参数。
2.良好的温度系数性能:相对于传统硅基电池片,n型单晶异质结电池片的温度系数表现更加优异。
这意味着在高温环境下,其光电转换效率的损失较小。
3.抗衰减性能强:n型单晶异质结电池片的衰减率较低,长期使用后仍能保持较高的光电转换效率。
4.低光衰减:在长时间光照条件下,n型单晶异质结电池片的光衰减较低,使得其具有更长的使用寿命。
5.环保:n型单晶异质结电池片生产过程中不使用含铅等有害物质,符合绿色环保要求。
四、n型单晶异质结电池片的制造工艺制造n型单晶异质结电池片需要先进的工艺技术和高品质的原材料。
以下是其制造工艺的主要步骤:1.衬底制备:选用高导热率的硅片作为衬底,对其进行清洗、切割和研磨等处理,确保表面的平整度和洁净度。
2.制备绒面结构:通过特殊的化学和物理方法在衬底表面形成绒面结构,增加光的吸收和减少反射损失。
3.沉积异质结薄膜:在绒面结构上依次沉积P型和N型半导体薄膜材料,形成异质结结构。
N型高效单晶硅片技术概况及展望隆基股份硅片事业部韩璐产品&客服经理C ONTENTS内容平价上网对高效电池的需求1高效单晶的挑战及解决措施未来光伏N 型高效单晶硅的发展趋势234N 型高效电池对单晶硅材料要求DownstreamUpstream HighEfficiencyLower Module CostLower BOSSolar PV SystemThe Solar PV module valueproposition had been mostly about the lowest production costHigh efficiency modules lower BOS costs and improve overall system economicsValue Chain Shifting to Higher Efficiency72 C e l lPoly Solar WaferCellModule1.1高效是降低“度电成本”最有效的途径Higher efficiency means fewer modules, less mounting hardware, smaller land, etc.1.2高效率:高效产能需求,N型潜力巨大Dr. Radovan Kopecek2018 Mar.nPV, Switzerlant1.单晶市占率会大幅度提高,高效电池产能远快于ITRPV2018预测;2.相比P型电池,N型高效电池(HIT,N-PERT、IBC等)由于高转化效率等优势更具竞争力,市场份额会不断提升。
(阻碍因素:1.N型硅片成本较高~8%;2.初期投资大~设备因素等)Progress in Photovoltaics Research &Applications,2016,24(10):1319-1331.2.1 不同电池结构转化效率与硅材料少子寿命、电阻率的关系1)转化效率越高的电池结构对少子寿命越敏感,要求越高;2)电阻率对部分电池结构影响较大,通常来看电阻率低转化效率更高;(a) AL-BSF(b) PERC(c) PERT(d) SHJ(e) IBC(std)(f) IBC(opt)(g) TOPConNote: 电阻率越低,少子寿命也越低:平衡如何把握?P 型LID 问题?2.2 N 型高效电池对单晶硅材料需求晶体不同位置因为氧碳含量、寿命、电阻率、热历史等的差异,对电池效率影响不同;通过优化品质指标,可减少这种差异。
n型topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究标题:N型Topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究介绍:在目前迅速发展的太阳能行业中,N型Topcon晶硅太阳能电池因其较高的转换效率和较低的严重退火特性而备受关注。
光注入退火是一种有效的技术,可以通过在退火过程中注入光能量来增强电池性能。
本文将深入探讨N型Topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究,并提供对此关键技术的观点和理解。
正文:一、N型Topcon晶硅太阳能电池的基本原理N型Topcon晶硅太阳能电池是一种结合了N型衬底特性和Topcon结构特点的高效太阳能电池。
其主要优势包括较低的表面寿命损失、较小的退火效应以及较低的电池温度系数。
这些优势使得N型Topcon晶硅太阳能电池在环境和温度变化条件下依然能够保持较高的转换效率。
二、光注入退火技术的原理光注入退火是一种通过注入光能量来修复或减少退火引起的电池表面缺陷的技术。
在光注入退火过程中,光能量被注入电池,激发局部电荷,从而产生额外的光生载流子。
这些光生载流子能够填充原本由于退火而形成的表面力场,并减少或接触电荷缺陷。
通过这种方式,光注入退火可以显著提高N型Topcon晶硅太阳能电池的转换效率和性能。
三、光注入退火对N型Topcon晶硅太阳能电池性能的影响光注入退火对N型Topcon晶硅太阳能电池的性能产生多重影响。
首先,光注入退火可以填充表面力场,从而减少电池缺陷并提高载流子的有效寿命。
其次,光注入退火可以修复电池表面的缺陷,提高电池的开路电压和短路电流。
此外,光注入退火还可以改善电池的反射特性,增加光的吸收和利用率。
综合来看,光注入退火技术可以显著提高N型Topcon晶硅太阳能电池的转换效率和稳定性。
四、研究进展与优化策略目前,光注入退火技术在N型Topcon晶硅太阳能电池领域已取得了一定的研究进展。
不同的退火条件、光参数和材料特性均对光注入退火效果产生影响。
一些优化策略包括选择合适的光源、调节退火温度和退火时间等。
单晶材料发展现状单晶材料是指晶体中存在一个区域具有完全相同的结构和取向,而其他区域则具有完全不同的结构和取向的材料。
它具有良好的热力学和力学性能,广泛应用于航空航天、能源、电子、光电等领域。
以下是单晶材料发展现状的介绍。
首先,单晶金属材料的发展进展迅速。
随着航空航天行业的不断发展,对高温、高强度、高韧性材料的需求越来越迫切。
单晶镍基合金作为一种重要的高温结构材料,具有良好的高温性能和抗氧化性能,已经成功应用于航空航天领域。
其次,单晶半导体材料的研究也取得了重要进展。
单晶硅是目前最常用的半导体材料,广泛应用于电子和光电子器件。
近年来,随着半导体技术的快速发展,人们逐渐开始研究其他单晶半导体材料,如氮化镓、碳化硅等,这些材料具有更高的载流子迁移率和更宽的能隙,可以应用于高性能功率器件和光电子器件。
另外,单晶陶瓷材料的研究也取得了一定的进展。
单晶陶瓷材料具有优异的力学性能和耐高温性能,被广泛应用于航空发动机、汽车发动机等高温工况下的零部件。
近年来,人们开始研究新型单晶陶瓷材料,如氧化锆、氧化铝等,以提高其力学性能和热稳定性,为高温工况下的应用提供更好的材料。
最后,单晶材料的制备技术也在不断改进和发展。
传统的单晶材料制备方法主要包括自发生长法、凝结法和加工法。
近年来,随着材料科学和制备技术的进步,人们开始采用先进的技术,如溶剂热法、气相沉积法等,以提高单晶材料的质量和尺寸,同时降低制备成本。
总的来说,单晶材料作为一种具有独特性能的材料,在航空航天、能源、电子、光电等领域具有广阔的应用前景。
随着材料科学和制备技术的不断进步,相信单晶材料的研究和应用将得到进一步的推动和突破。
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光伏组件发展现状随着能源需求的不断增长和环境保护意识的增强,光伏发电作为一种清洁、可再生的能源形式,逐渐成为全球能源领域的热门话题。
光伏组件作为光伏发电系统的核心部件,其发展现状备受关注。
近年来,光伏组件的技术水平不断提高,效率和可靠性得到显著改善。
光伏组件的效率是指其将光能转化为电能的能力,通常以百分比表示。
传统的多晶硅太阳能电池的效率在15%到20%之间,而新型的单晶硅太阳能电池和高效薄膜太阳能电池的效率已经接近30%。
此外,光伏组件的可靠性也得到了极大的提高,能够在恶劣的环境条件下长时间稳定运行。
光伏组件的材料也在不断创新和改进。
传统的多晶硅太阳能电池主要使用硅材料,而新型的光伏组件材料包括单晶硅、多晶硅、硅薄膜、钙钛矿等。
这些材料具有不同的特性和应用范围,能够满足不同场景下的需求。
例如,单晶硅太阳能电池具有较高的效率和较长的使用寿命,适用于工业和商业领域;而硅薄膜太阳能电池由于其柔性和轻薄的特点,适用于建筑一体化和便携式充电设备。
光伏组件的尺寸也在不断增大。
随着技术的进步,光伏组件的尺寸从最初的几十瓦到现在的几百瓦,甚至超过一千瓦。
这使得光伏组件在大型光伏电站和分布式光伏系统中得到广泛应用。
同时,光伏组件的重量也在不断减轻,方便安装和运输,降低了整个光伏发电系统的成本。
光伏组件的生产工艺也在不断改进。
传统的光伏组件生产工艺主要包括切割硅片、薄膜沉积、电极制备和封装等步骤。
而现在,随着新材料和新工艺的引入,光伏组件的生产工艺变得更加简化和高效。
例如,一些厂商采用了印刷工艺来制备电极,大幅降低了生产成本;一些厂商采用了激光切割技术来切割硅片,提高了硅片的利用率。
总体而言,光伏组件的发展在技术水平、材料、尺寸和生产工艺等方面都取得了长足进步。
它们的效率和可靠性不断提高,材料的多样性满足了不同场景的需求,尺寸的增大适应了不同规模的光伏发电系统,生产工艺的改进降低了成本。
然而,光伏组件仍然面临一些挑战,如成本、稳定性等方面的问题,需要进一步研究和创新。
n型电池效率高的原因
以n型电池效率高的原因为标题,写一篇文章。
n型电池是一种半导体材料制成的太阳能电池,其效率之所以高主要归功于以下几个方面。
n型电池采用了n型半导体材料作为光电转换层。
n型半导体材料中的电子浓度较高,能够更有效地吸收光子能量并转化为电能。
与p型电池相比,n型电池的光电转换效率更高。
n型电池中的电子传输速度快。
n型半导体材料具有较高的导电性,电子在其中能够自由移动,从而更快地传输到电极上。
这样一来,n 型电池在光照条件下能够更快地产生电流,提高了其效率。
n型电池的表面经过特殊处理,形成了一层反射膜。
这一反射膜能够将未被吸收的光线反射回光电转换层,使其有更多的机会被吸收和利用。
这种反射膜能够提高n型电池的光吸收率,进一步提高其效率。
n型电池还利用了光电效应,将光子能量转化为电子能量。
光电效应是一种基于光子-电子相互作用的现象,当光子击中半导体材料时,会激发其中的电子跃迁到导带中,形成电流。
n型电池充分利用了这一效应,将光能转化为电能,提高了能源利用效率。
n型电池还具有较低的光子能量损失。
n型半导体材料的能带结构
使其能够更有效地利用光子能量,减少能量的损失。
相对于其他类型的电池,n型电池在能量转换过程中的损失较小,从而提高了整体效率。
n型电池之所以效率高,主要归功于采用了n型半导体材料、快速的电子传输速度、反射膜的利用、光电效应和较低的能量损失。
这些因素共同作用,使n型电池在太阳能转换中具有更高的效率。
随着科技的不断发展,相信n型电池在未来的应用中将会有更广阔的前景。
N型高效单晶电池技术发展现状摘要:目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。
然而,不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。
N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点,具有更大的效率提升空间,同时,N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。
因此,N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。
根据国际光伏技术路线图(ITRPV2015)预测:随着电池新技术和工艺的引入,N型单晶电池的效率优势会越来越明显,且N型单晶电池市场份额将从2014年的5%左右提高到2025年的35%左右。
本文论述了N型单晶硅及电池组件的优势,并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点,及相关技术发展现状和产业化前景。
关键词:N型电池,高效电池1.引言由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命,使其占据全球光伏市场约90%份额。
理论上讲,不管是掺硼的P 型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备太阳能电池。
但由于太阳能电池是基于空间航天器应用发展而来的,较好的抗宇宙射线辐照能力使得P型晶硅电池得到了充分的研究和空间应用[1]。
技术的延续性使目前地面用太阳能电池90%是掺硼P型晶硅电池[2]。
而且,研究还发现N型晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低[3,4],并且长期使用或存放时,由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退[5]。
另外,B2O3的沸点很高,扩散过程中始终处于液态状态,扩散均匀性难以控制,且与磷扩散相比,为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度,导致材料性能变差[6]。
所以与在N型硅片上形成掺硼p+发射结在工业生产中比较困难。
然而,地面应用并不存在宇宙射线辐照的问题,而且随着技术的发展,原来困扰N型晶硅电池的发射结浓度分布、均匀性、表面钝化等技术难题已经解决。
随着市场对电池效率的要求越来越高,P型电池的效率瓶颈已越发明显。
N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势,具有更大的效率提升空间和稳定性,成为行业关注和研究的热点。
根据图1和2国际光伏技术路线图ITRPV2015的预测[7],随着背接触(BC)、异质结(HIT)等电池新结构,及激光、离子注入等新技术的引入,N型单晶电池的效率优势会越来越明显,且单晶硅在今后几年的市场份额会逐步增加,到2025年将超过多晶硅,占据光伏市场份额首位,其中80%以上为N型单晶。
表1列举了Panasonic,SunPower,Sharp不同电池结构实验室的电池转化效率记录,大面积HBC电池最高效率已达到25.6%[8],展现了强大的发展潜力。
图1 ITRPV2015晶硅电池效率预测图2 ITRPV2015不同类型硅片市场份额预测表1 部分机构N型单晶电池的最高转换效率本文论述了n型单晶硅及电池组件的优势,并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点,相关技术发展现状及产业化前景。
2. N型单晶硅材料及电池组件的优势与P型单晶硅相比,n单晶硅的生产制备没有本质的区别,是非常成熟的工艺技术,随着N型单晶硅生产规模的扩大和技术的进步,两者之间的生产成本将会越来越接近。
磷掺杂的N型单晶硅及电池组件较硼掺杂的P型单晶硅及电池组件有许多明显的优势。
首先,N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力,相同电阻率的N型CZ硅片的少子寿命比P型硅片的高出1~2个数量级,达到毫秒级。
且N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率,因此采用N型晶硅材料的少子空穴的复合将远低于P型的少子电子的复合[9]。
其次,N型硅片对金属污染的容忍度要高于P型硅片。
如图3所示[10],Fe,Cr,Co,W,Cu,Ni等金属对P型硅片少子寿命的影响均比N型硅片大,由于带正电荷的金属元素具有很强的捕获少子电子的能力,而对于少子空穴的捕获能力比较弱,所以对于少子为电子的P型硅片的影响比少子为空穴的N型硅片影响要大,即在相同金属污染的情况下,N型硅片的少子寿命要明显高于P型硅片。
但对于Au却是相反地,但对于现代工艺技术而言,Au污染已不再是问题。
图3 金属杂质在硅中的复合行为1973年H.Fischer等[11]发现P型掺硼CZ晶硅电池在光照下会发生明显的电性能衰减。
1997年J.Schmidt等[12]证实硼掺杂Cz晶体硅电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心,从而使少子寿命降低,引起电池转换效率下降。
2006年A.Herguth等人[13,14]发现在一定的温度和光照条件下,可以使硼氧复合体形成复合活性较低的中间态,在一定程度上降低由硼氧复合体复合中心导致的光致衰减。
而掺磷的N型晶体硅中硼含量极低,本质上消除了硼氧对的影响,所以几乎没有光致衰减效应的存在。
最后,由于N型基体材料高的少子寿命,N型晶硅组件在弱光下表现出比常规P型晶硅组件更优异的发电特性。
如图4所示[15],N型晶硅组件在光强小于600W/m2的弱光情况下,相对发电效率明显高于P型晶硅组件。
图4 N型和P型晶硅组件相对效率随入射光强度的变化曲线3. N型单晶电池结构和特点目前研究的N型单晶高效电池主要有:PERT电池,PERL电池,HIT电池,IBC电池,HBC电池等。
PERT电池根据其发射结的位置可分为正结型(p+nn+)和背结型(n+np+),根据其受光面不同分为单面受光型和双面受光型。
PERL电池根据其受光面不同,也可分为单面受光型和双面受光型。
如图5所示。
本文将就几种典型电池的结构和工艺特点进行重点介绍。
图5 N型单晶硅太阳能电池的分类3.1 N-PERL电池PERL电池是发射结钝化背面局部扩散电池(PassivatedEmitter Rear Locally-diffused),其结构特点是背面局部接触处重掺杂以降低电池背面局部接触区域的接触电阻和复合速率。
背面局部重掺可以通过不同的工艺方式实现,比较常用的是激光掺杂和离子注入等。
另外,PERL电池根据其受光面不同,可分为单面受光型和双面受光型。
单面受光型电池背面一般为全金属背电极覆盖,而双面受光型一般为丝网印刷正反面对称结构,背面可接收反射光线,结合双玻组件技术可提高3%以上的总发电量。
德国Fraunhofer实验室利用PassDop技术制备的n-PERL小面积电池(4cm2),其转化效率达23.2%(Voc=699 mV,Jsc = 41.3mA/ cm2,FF= 80.5%),电池结构如图6所示[16]。
基体材料为N型CZ单晶硅,正面通过离子注入形成硼掺杂p+发射结,正面采用ALD工艺沉积Al2O3钝化层钝化发射结降低表面复合速率,再用PECVD沉积SiNx形成减反膜。
正面光刻工艺开槽后用蒸镀方法形成Ti/Pb/Ag金属电极,背面利用激光掺杂技术形成局部背场,如图7所示。
其工艺特点是先在背面PECVD法生长一层磷掺杂的a-SiCx钝化层,再利用激光在熔融钝化层的同时将其中的磷元素掺杂进晶体硅形成局部重掺,最后通过PVD的方法形成Al背面电极。
背面磷掺杂的a-SiCx钝化层具有很好的钝化效果,金属接触区域n++局部重掺在降低接触电阻的同时,减少了金属接触区域的复合,提升了电池的开路电压和填充因子。
电池Uoc达699mV,FF达80.5%,显示了良好的表面钝化效果和接触特性。
PassDop技术采用成熟的激光掺杂技术在形成背面局部接触窗口的同时形成局部重掺,在不额外增加工艺步骤的情况下实现了PERL电池结构,是一种非常有应用前景的N型高效电池的技术。
图6 德国FraunhoferPassDop技术PERL电池结构示意图a b c d 未被广泛采用。
图8 日本三菱电机PERL电池结构示意图PERT电池是发射结钝化全背场扩散电池(PassivatedEmitter Rear Totally-diffused),其结构特点是背表面扩散全覆盖以降低电池的背面接触电阻和复合速率。
背面全背场扩散可以通过不同的工艺方式实现,主要包括管式扩散,外延生长法,离子注入法等。
英利公司PANDA电池是采用双面受光型PERT结构的大面积电池(239cm2),并且已实现量产,最高转化效率为20.76%(Voc=650.3 mV,Jsc = 39.6mA/ cm2,FF= 80.63%),电池结构如图9所示[17]。
其在普通化学制绒的N型Si片上,通过硼磷管式共扩散制备正面P型发射结和N型背面,然后通过PECVD技术在前后表面制备钝化层和减反膜,正反面电极使用常规丝网印刷工艺完成。
PANDA电池双面发电的设计,能够同时接受从正面和背面进入电池的光线从而实现双面发电的功能;正面采用细密栅线的设计,减少了遮光面积,提高了电池的短路电流。
与规模化生产的IBC、HIT等N型电池相比,其结构简单、制备成本低、工艺流程短,与现有的P型生产线相兼容,容易实现大规模量产。
图9 英利公司PANDA电池结构示意图比利时IMEC n-PERT电池是背结型大面积电池(225cm2),转化效率达21.51%(Voc=675.9 mV,Jsc = 39.35mA/ cm2,FF = 80.9%),电池结构如图10所示。
正面为N型前表面场,背面为通过外延法生长的P型晶硅背发射结,再用ALD法生长Al2O3钝化层钝化背面。
外延法生长背面P型发射结技术目前仍然处在实验室研究阶段,其量产可能性还有待验证。
图10 IMEC PERT电池结构示意图为了进一步降低背面复合速率实现背面整体钝化,并去除背面开膜工艺,钝化接触技术近年来成为行业研究热点。
德国Fraunhofer开发的Topcon (TunnelOxide Passivated Contact)[18]技术在小面积电池(4cm2)上实现25.1%的转化效率(Voc=718 mV,Jsc = 42.1mA/ cm2,FF = 83.2%),电池结构如图11所示。
正面采用选择性发射结结构,方块电阻达150ohm/sq,并采用Al2O3/SiNx进行表面钝化和减反射以降低表面复合速率和反射率。
背面首先在电池背面采用湿化学方法制备一层超薄SiO2,厚度约1~2nm,然后再沉积一层20nm厚的磷掺杂非晶硅层,经过高温退火后形成掺杂多晶硅,二者共同形成钝化接触结构,最后通过PVD的方法形成全背面金属接触。
背面TopCon结构的隧穿效应示意图如图12所示,1~2nm厚的化学SiO2隧穿氧化层具有很好的选择性,允许多子电子穿越同时阻挡少子空穴的复合,由于采用晶化处理,此钝化结构具有很好的热稳定性。
Topcon全接触钝化结合全金属电极的创新结构,克服了PERL电池结构由于局部开孔对载流子传输路径的限制,实现了最短的电流传输路径,将传输电阻损失降低为零,根本上消除了电流横向传输引起的损失。