碳热还原法制备SiC晶须试验研究

第42卷第10期人工晶体学报Vol．42No．102013年10月JOUＲNAL OF SYNTHETIC CＲYSTALSOctober ，2013合成碳化硅的热力学分析及碳化硅晶须生长的表征李心慰，曲殿利，李志坚，吴锋，徐娜（辽宁科技大学高温材料与镁资源工程学院，鞍山114044）摘要：以硅溶胶和炭黑为原料，三氧化二铁、硅铁合金为催化剂，研究分析碳化硅晶须的合成条件，催化剂种类对合成碳化硅晶须的影响。

用X＇pert plus 软件对X 射线衍射图进行拟合，通过半定量法对试样晶相组成进行计算，用SEM 对合成的碳化硅晶须进行微观形貌分析。

结果表明：合成β-SiC w 的热力学条件为：T =1823K 时，P CO ＞0．23ˑ105Pa ；晶须生成量随Fe 2O 3、Si-Fe 加入量增加而增多；Si-Fe 加入量为1%时，虽然合成的晶须量少，但生成的β-SiC w 直径均匀，为0．1 0．6μm ，长度适中，为10 50μm ，直晶率达95%。

关键词：碳化硅晶须；热力学；合成条件；催化剂中图分类号：O784文献标识码：A文章编号：1000-985X （2013）10-2160-04收稿日期：2013-05-22；修订日期：2013-08-20基金项目：国家科技支撑计划资助项（2012BAB06B02）；辽宁省镁资源与镁质材料工程技术研究中心资助项目作者简介：李心慰（1980-），女，辽宁省人，讲师，博士研究生。

E-mail ：lixin630150@163．com 通讯作者：曲殿利，教授。

E-mail ：lixin630150@163．com Study on the Thermodynamics and Characterization ofSynthesizing SiC WhiskersLI Xin-wei ，QU Dian-li ，LI Zhi-jian ，WU Feng ，XU Na（School of High Temperature Materials and Magnesite Ｒesources Engineering ，University of Science and Technology Liaoning ，Anshan 114044，China ）（Ｒeceived 22May 2013，accepted 20August 2013）Abstract ：Bases on the thermodynamic analysis ，SiC w was synthesized by the carbothermal reduction using silica sol and carbon black as raw materials ，Fe 2O 3and Si-Fe as catalyst．Study synthesized condition ，effect of kinds of catalyst on SiC w growth．The X-ray diffraction pattern was retrieved by X＇pert plus software ，the phase composition was calculated by semi-quantification method ，microstructure was analyzed by SEM．The results indicated that ：thermodynamic conditions is T =1823K ，P CO ＞0．23ˑ105Pa ，the phase of product is β-SiC w ，with increase of Fe 2O 3and Si-Fe ，SiC w is increased．When Si-Fe is1%，diameter of β-SiC w is uniformity ，is 0．1-0．6μm ，length is moderate ，is 10-50μm ，ratio of straight whisker is 95%．Key words ：SiC whisker ；thermodynamic ；synthesized condition ；catalyst1引言碳化硅晶须具有高强度、高硬度、高弹性模量、抗高温氧化能力强等优良特性，与氧化铝、氧化锆等氧化物有很好的化学相容性和润湿性，是发展现代高温金属基、陶瓷基复合材料必不可少的高性能增强材料，被誉为“晶须之王”［1］。

光固化快速成型中SiC晶须增强树脂基复合材料的研究的开题报告一、选题的意义和背景在现代工业中，高性能复合材料已成为重要的结构材料之一。

SiC（碳化硅）晶须是一种重要的增强材料，这是由于SiC晶须具有优异的机械性能、高温稳定性和化学稳定性。

然而，传统的加工方法如注塑成型、压制成型等方式，限制了SiC晶须在复合材料中的应用。

因此，开发一种新的、高效的制备方法，提高SiC晶须增强树脂基复合材料的强度和硬度是非常重要的。

光固化快速成型技术是近年来广泛研究的一种制备新型复合材料的方法，它具有制备速度快、精度高、不受形状和复杂度限制等优点。

因此，采用光固化快速成型技术制备SiC晶须增强树脂基复合材料，可以克服传统加工方式的缺陷，并且达到更好的性能。

因此，这种研究具有一定的理论和实际意义。

二、研究的目的和内容本研究的目的是采用光固化快速成型技术制备SiC晶须增强树脂基复合材料，并研究不同SiC晶须含量对制备复合材料的微结构和力学性能的影响。

具体研究内容包括：（1）制备不同含量SiC晶须填充的树脂体系；（2）采用光固化快速成型技术制备SiC晶须增强树脂基复合材料；（3）对制备的复合材料进行力学性能测试，如弯曲、压缩和拉伸等测试，分析不同SiC晶须含量对复合材料力学性能的影响；（4）通过扫描电镜等手段，研究不同SiC晶须含量对复合材料微观结构的影响。

三、研究的意义和预期成果本研究将探究光固化快速成型技术制备SiC晶须增强树脂基复合材料的可行性，并研究不同SiC晶须含量对复合材料力学性能和微观结构的影响。

研究成果将提高SiC 晶须增强树脂基复合材料的性能和应用范围，并为光固化快速成型技术在生产应用提供了新的思路和方法。

碳化硅纳米线的制备与性能研究进展×××××××××××××学校西安邮编×××摘要： SiC半导体材料的禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、饱和漂移速度高等特点使其在高频、高温、高功率、抗辐射等方面有良好的性能，被认为是新一代微电子器件和集成电路的半导体材，因此研究SiC纳米线材料具有重要意义。

Summary: SiC semiconductor materials with the big breakdown electric field width, high, thermal conductivity, saturated drifting velocity higher characteristic in the high frequency and high temperature, high power, resist radiation and good performance, and is considered to be a new generation of microelectronics devices and integrated circuit of the semiconductor material, so the study of SiC nanowires material to have the important meaning.关键词：纳米线,SiC,场效应晶体管,薄膜晶体管,光催化降解Key words: Nanowires, SiC, field effect transistor, thin film transistor, photocatalytic degradation.1 纳米材料的性能纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1—100nm)或由它们作为基本单元构成的材料。

碳化硅制备方法碳化硅是一种重要的结构陶瓷材料，具有高硬度、高强度、高温稳定性等优良性能，在电子、航天、汽车等领域有广泛应用。

本文将介绍碳化硅制备的几种常见方法。

1. 碳热还原法碳热还原法是一种常见的碳化硅制备方法，其基本反应为：SiO2 + 3C → SiC + 2CO该反应发生在高温下（约为2000℃），需要通过特殊的电炉进行。

首先需要将硅粉和碳粉混合，制成一定比例的混合物，然后放入电炉中进行加热，使其达到足够高的温度。

在加热过程中，硅粉与碳粉发生反应，生成碳化硅。

碳热还原法制备碳化硅的优点是工艺简单，原料易得，而且产物质量较高。

但缺点是设备成本高，能源消耗大，且产物存在夹杂物和晶界不完整等问题。

2. 化学气相沉积法化学气相沉积法是一种较新的碳化硅制备方法，该方法可以通过化学反应在高温下沉积碳化硅薄膜。

具体步骤如下：（1）将SiCl4或CH3SiCl3等碳源物质和NH3或H2等气体混合，并通过加热将其气化。

（2）将气态混合物输送到反应器中，同时引入载气，让混合物在反应器内均匀分布。

（3）将反应器中的混合物加热到800-1200℃，在催化剂的作用下发生碳化反应，并在衬底上沉积出碳化硅薄膜。

化学气相沉积法具有生产规模大、生产效率高、产物质量优等优点，但是制备设备昂贵，制备条件严格，需要配合催化剂才能实现反应。

3. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法也是一种常见的碳化硅制备方法，该方法通过一系列溶胶-凝胶反应，将前驱体溶液凝胶化，制备出碳化硅粉末。

具体步骤如下：（1）将SiO2前驱体（例如TEOS等）和碳源物质（例如甲基丙烯酸三甲氧基硅烷）溶解在有机溶剂中。

（2）通过控制pH值和温度等参数，使溶液逐渐凝胶化，形成固体凝胶体。

（3）将凝胶体在特定温度下煅烧，使其发生脱水、脱氯和碳化反应。

经过一定的处理，可制备出碳化硅粉末。

溶胶-凝胶法制备碳化硅的优点是制备工艺简单、成型性好、加工易、粉末质量高等，并且可以制备出多孔、纳米级的碳化硅制品，但缺点是煅烧温度较高，制备周期长，并且前驱体的选择也对产物质量有较大影响。

耐火材料sic生成条件耐火材料是指能够在高温环境下保持结构和化学性质稳定的材料。

其中，碳化硅（SiC）是一种常见的耐火材料，具有优异的耐高温、耐热冲击、化学稳定性等特性。

本文将介绍SiC的生成条件。

碳化硅的生成通常使用两种方法：碳热还原法和沉积法。

碳热还原法主要通过将二氧化硅（SiO2）和碳源（如石墨）在高温下进行反应生成SiC；而沉积法则是通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法在基底上生长SiC。

碳热还原法是产业上广泛应用的一种制备SiC的方法。

其中最常用的方法是反应烧结法。

反应烧结法的主要步骤包括混合、成型和烧结。

首先，将硅粉（Si）和石墨粉混合，在一定的温度下进行反应。

这个温度通常在2000℃以上，并且需要存在适量的储能剂，如石墨粉，以提供足够的反应活性。

接下来，经过反应的混合物被成型成所需的形状，如块状、管状或片状。

成型方法可以有多种选择，如压制、注塑或模具注射成形等。

最后，成型的材料通过烧结过程进一步形成SiC。

烧结是指将已成型的材料在一定的温度和压力下进行加热和压密。

这个过程中，硅和石墨之间的反应将SiC生成，同时压力还有助于提供更均匀的密实度。

沉积法是另一种常见的制备SiC的方法，其主要适用于生长薄膜和涂层。

其中，化学气相沉积（CVD）是最常用的沉积方法之一。

CVD方法是通过在低压气氛下将气体中的碳源和硅源分子在基底表面进行反应生成SiC。

CVD方法通常需要在较高温度下进行，通常在1000℃以上，以提供足够的能量使反应发生。

同时，反应需要有适当的气氛控制，例如一氯甲烷（CH3Cl）和氧化硅（SiO）等气体用于碳源和硅源。

物理气相沉积（PVD）是另一种沉积方法，其主要是通过蒸发、溅射等物理手段，在真空环境下将SiC原子或分子定向沉积在基底上。

PVD方法的优点是可以在较低温度下进行，且具有较好的膜层凝聚性和致密性。

除了不同的制备方法，生成SiC的条件还包括温度、压力、反应气氛和反应时间等因素。

sic工艺技术SIC工艺技术简介SIC工艺技术，即碳化硅工艺技术，是一种在高温环境下制备碳化硅材料的方法。

碳化硅具有高熔点、高硬度、高强度、抗腐蚀等特点，因此在许多高温、高压、强腐蚀环境下具有广泛的应用前景。

本文将为大家介绍SIC工艺技术的原理、特点以及产业应用。

SIC工艺技术的原理是将碳化硅前驱体材料（如碳、石墨、硅粉等）置于高温熔炉中，在适宜的温度下进行炭热反应或热处理，使前驱体发生化学变化或结构重排，最终形成碳化硅材料。

SIC工艺技术主要包括碳热还原法、热转化法、升华法和CVD沉积法等方法。

SIC工艺技术的特点是生产工艺简单、材料质量高，且能够制备大尺寸、高精度的碳化硅材料。

与传统的熔融法相比，SIC工艺技术可以避免了高温下碳化硅的气相迁移和熔融蒸发的问题，提高了材料的成形率和纯度。

与传统的烧结法相比，SIC工艺技术可以在大气中或惰性气体中进行加热处理，避免了高温下的氧化和烧结失真现象，提高了材料的致密性和力学性能。

SIC工艺技术在陶瓷、电子、光电、冶金、化工等领域有广泛的应用。

在陶瓷领域，SIC工艺技术可以制备高温陶瓷材料，如耐火材料、耐磨材料、陶瓷基复合材料等；在电子领域，SIC工艺技术可以制备高温电子元器件，如功率器件、传感器、热丝等；在光电领域，SIC工艺技术可以制备高温光电元器件，如发光二极管、激光二极管等；在冶金领域，SIC工艺技术可以制备高温炉具，如炉管、炉板、保温材料等；在化工领域，SIC工艺技术可以制备耐蚀材料，如反应器、管道、阀门等。

总之，SIC工艺技术在许多领域具有重要的应用价值。

随着科技的发展和需求的增长，SIC工艺技术将不断完善和拓展，为相关产业带来更多的发展机遇和经济效益。

同时，SIC工艺技术也面临着一些挑战，如材料纯度的提高、成本的降低、工艺的高效化等。

相信通过持续的探索和创新，SIC工艺技术一定能够取得更大的突破和进步，为人类社会的可持续发展做出更大的贡献。

碳化硅的合成研究进展摘要：SiC 材料是第三代半导体材料, 广泛运用于军事、航空等领域,这与碳化硅的性质息息相关。

正因为其运用，国外限制该产品的出口。

最早发现碳化硅是在陨石里，大自然给我们带来了宝贝，后来随着人们对其的研究，碳化硅的作用慢慢被发掘，自然界碳化硅的含量本来就很少，从天然提取的碳化硅的量已经远远不能满足我们的需求。

碳化硅的运用前景那么好，人们开始用化学的方法来合成自己需要的多余的部分。

这样，碳化硅的合成方法的研究也就越来越吸引关注，很多人都致力于此项研究工作，其中以碳热还原法为主，其反应条件等都已经研究得比较成功，这才使得碳化硅的合成工艺与技术比较成熟，但改进和提升空间还很大，特别在我国远远没有达到绿色、低碳、节能的要求。

以下介绍了碳热还原发的几种研究进展。

关键词：碳化硅/SiC；用途；合成；碳热还原法；二氧化硅/SiO2。

正文：碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，其用途也就很多：(1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等；(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料；(3)高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。

在化工一方面可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂，可用做制造四氯化硅的原料，是硅树脂工业的主要原料。

碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高钢的质量，降低原辅材料消耗，减少环境污染，改善劳动条件，提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。

另一方面用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等；用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等高级碳化硅陶瓷材料；还可以制作火箭喷管、燃气轮机叶片等。

此外，碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一。

碳化硅按其纯度可分为黑碳化硅和绿碳化硅，黑碳化硅,金属光泽，含碳化硅95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主要用于磨铸铁和非金属材料；绿绿碳化硅，含碳化硅97%以上，主要用于磨硬质合金工具。

碳化硅sic制备方法-概述说明以及解释1.引言1.1 概述碳化硅（SiC）是一种广泛应用于材料科学领域的重要陶瓷材料。

它具有优异的物理和化学性质，如高熔点、高硬度、高热导率、低热膨胀系数和良好的耐腐蚀性能等。

由于这些特殊性能，碳化硅在诸多领域的应用十分广泛，包括电子、能源、化工、航空航天和汽车等领域。

为了满足不同领域对碳化硅材料的需求，科学家们研究出了多种碳化硅制备方法。

根据不同的反应条件和原料，可以将这些方法分为不同的分类，每种方法都有其特定的制备工艺和应用范围。

本文将重点介绍一些常用的碳化硅制备方法，包括硅烷化合物法、碳热还原法和化学气相沉积法。

在这些方法中，硅烷化合物法是一种常见且简单的制备方法，它通过将硅烷化合物在高温下分解，生成碳化硅。

而碳热还原法则通过碳源和硅源的反应，生成碳化硅。

最后，化学气相沉积法则是将硅源和碳源的气体通过化学反应，在衬底上沉积出碳化硅薄膜。

不同的制备方法具有各自的优缺点，这些将在后续章节进行详细讨论。

此外，本文还将探讨碳化硅制备方法的发展趋势和展望，并在结论部分对整个文章进行总结。

通过深入研究碳化硅制备方法，我们可以更好地理解碳化硅的制备过程和特性，为其在不同领域的应用提供更多可能性和机遇。

1.2 文章结构本文主要分为以下几个部分：引言、正文和结论。

在引言部分，我们将对碳化硅的概述进行介绍，包括其定义和应用领域。

同时，我们还会说明本文的文章结构和目的。

接下来的正文部分将详细探讨碳化硅制备方法。

首先，我们将对碳化硅制备方法进行分类，介绍不同方法的特点和应用场景。

然后，我们将详细介绍常用的碳化硅制备方法，包括硅烷化合物法、碳热还原法和化学气相沉积法。

每种方法都将进行详细讲解，包括原理、步骤和适用条件等方面。

在结论部分，我们将对碳化硅制备方法的优缺点进行总结，并展望其发展趋势。

同时，我们也会结合全文内容对碳化硅制备方法进行总结，为读者提供一个综合的观点。

最后，我们会对全文的内容进行总结，以便读者更好地理解和应用本文的内容。

碳热还原法是一种制备高纯度纳米碳化硅粉末的常用方法。

以下是其制备过程：
1. 准备原料：选用高纯度的硅粉和碳源作为原料，硅粉颗粒大小为纳米级别，碳源可以选择甲烷、甲醇等有机物。

2. 混合原料：将硅粉和碳源按一定比例混合均匀，可以通过机械混合或溶胶-凝胶法进行。

3. 高温热处理：将混合物置于高温炉中进行热处理，温度通常在1300～1600摄氏度之间，时间根据需要进行调整。

碳热还原法的应用也广泛存在于以SiO2为硅源、炭黑为碳源、Fe2O3为催化剂，在氩气保护下制备SiC微粉的实验中。

在原料中添加Fe2O3粉，1350℃保温3h就能产生SiC微粉；由X射线衍射分析显示，在1450℃下保温3h基本上全部转化为晶粒尺寸在50nm左右SiC微粉；在相同温度下，随着Fe2O3用量的增加，SiC产率增加。

此外，还需要注意的是，选用合适碳热还原反应制备出的SiC具有很广泛的用途。

其良好的化学稳定性、低的热膨胀系数、高热导率等优点使其成为理想的高温抗氧化涂层材料和高温结构材料，应用领域十分广泛。

如需更多信息，建议咨询相关行业专家或查阅相关论坛。

SiC晶须制备方法研究进展郝斌【摘要】碳化硅晶须的制备已有众多研究.目前,国内制备SiC晶须的方法主要可分为两大类:气相反应法和固体材料法,每种制备方法都有其各自的特点.本文重点介绍了这两种制备方法的合成机理,以及相关制备方法取得的一些实验研究成果.【期刊名称】《陶瓷》【年(卷),期】2010(000)009【总页数】3页(P11-13)【关键词】碳化硅晶须;制备方法;实验成果【作者】郝斌【作者单位】唐山学院环境与化学工程系,河北,唐山,063000【正文语种】中文【中图分类】TQ174.75碳化硅的硬度高,耐磨性能好,并有抗热冲击性、抗氧化性能好等特点,是非常重要的研磨材料[1]。

碳化硅晶须(SiCw)是一种直径为纳米级至微米级的具有高度取向性的短纤维单晶材料,缺陷极少,其强度和模量接近晶体材料的理论值。

SiCw的密度为3.21 g/ ?,熔点大于2 700℃,抗拉强度为2 100 MPa[2]。

SiCw在导热性、热膨胀、耐压性以及导电性方面具有一系列优点。

因此,SiCw以其低密度、高熔点、高强度、高模量、低热膨胀率及耐腐蚀等优良特性成为各种先进复合材料的首选。

用SiCw增强、增韧的材料,在强度和硬度方面都会有很大改善。

SiCw已经广泛应用于国防、航空、电子工业、化学工业、能源等领域,它因其优越的性能倍受人们的青睐。

SiCw的晶体结构类似于金刚石,有六方晶系(α型)和体方晶系(β型)两种晶型结构。

β型各方面性能优于α型,如表1所示[3]。

目前,SiCw的制备方法主要可分为两大类[4]:①气相反应法。

即用含碳气体和含硅气体作为反应物,反应生成SiCw。

或分解一种含碳、硅的化合物或有机气体来合成SiCw。

气相反应法中应用最广泛的是气相沉积法(CVD法);②固体材料法。

即利用载气通过含碳和含硅的混合材料,在与反映材料隔开的空间形成SiCw的合成方法。

这种方法生产SiCw主要有VLS机理和VS机理。

气相反应法中应用最广泛的是化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition,CVD)法。

sic制备方法
Sic制备方法
Sic是一种重要的陶瓷材料，具有高强度、高稳定性和高温阻力，被广泛应用在电力电子、半导体、光电子和材料科学等领域。

Sic的制备方法主要包括化学气相沉积、热分解、母体法、物理气相沉积、绿色制备等多种方法。

其中，绿色制备方法因其简单、环保、低成本等优点而备受青睐。

绿色制备方法是一种可持续发展的制备方法，主要利用天然资源和环境友好型溶剂，如水、乙醇等来制备sic材料。

绿色制备方法不仅减少了有害物质的排放，还可以实现资源的循环利用，从而降低了成本，提高了效率。

绿色制备方法包括溶胶-凝胶法、水热法、高能球磨法等几种方法。

其中，水热法因其简单、易于控制反应条件以及制备成本低等优点，成为了制备Sic材料的主要方法之一。

水热法制备Sic材料的基本原理是将硅源和碳源在高温高压的水溶液中反应，生成Sic粉体。

该方法主要分为离子凝聚成核法和固相混合法两种方法。

离子凝聚成核法是将Na2SiO3和C作为反应物，在氢氧化
钠的存在下，于200-250℃的反应温度下反应6-12h，产生Sic纳米颗粒。

固相混合法是将SiO2粉末和C粉末混合成均匀的粉末，在加入适当的水后，在高温高压的水溶液中反应，生成Sic。

总体来说，绿色制备方法是一种简单、环保、低成本、高效率的Sic制备方法。

在未来，随着对环境保护意识的不断提高，绿色制备方法有望成为Sic制备的主流方法。

低温短时间碳化硅碳热还原是一种将碳素材料与SiO2（二氧化硅）反应，生成碳化硅（SiC）的工艺。

该工艺一般在较低温度下进行，并且反应时间较短，适用于一些特定的制备需求。

碳化硅是一种具有高硬度、高熔点、耐高温、耐腐蚀等优良性质的材料，被广泛应用于陶瓷材料、电子器件、光学设备、化工工业等领域。

低温短时间碳化硅碳热还原工艺的应用，可以实现对碳化硅材料的快速制备和性能调控，提高其生产效率和性能优势。

在碳热还原的过程中，需要注意环境保护和资源利用的原则。

减少能耗、降低污染物的排放、合理利用碳资源都是我们所倡导和追求的目标。

在碳热还原过程中，可以控制反应条件和催化剂的选择，以实现碳资源的高效利用和废弃物的减少。

总之，低温短时间碳化硅碳热还原是一种具有潜在应用价值的制备碳化硅材料的工艺，它的实际应用需要在合规性和环保性的基础上综合考虑工艺效率、材料性能等因素，推动科技创新和可持续发展。

氧化镁晶须的制备方法
碳还原法
以碳做还原剂生产氧化镁晶须，是将氧化镁和碳加入到石墨坩埚中加热到1723~1873K。

加热时升温速度应控制在9~12k/min。

对于大一些的反应装置，升温速度控制在15~50k/min。

升温速度过快抑制氧化镁晶须的生长。

所制晶须有4~6mm长，直径的横截面是正四方形的。

氧化镁晶须还可以由氧化镁和碳在碳管炉中制备。

炉中套有一根氧化镁反应管，原料在这个管中被加热到1673~1873K，加热过程中要通过惰性气体进行保护，等到反应进行一段时间后，再通过含有氧气的惰性气体，即可生成氧化镁晶须。

晶须的性质和反应温度有关，例如反应温度在1673~1773K之间，晶须的长度为15mm，直径为20~30um；如果温度在1773~1873K之间，晶须长30mm，直径为300um。

铝还原法
用铝做还原剂亦可以制备氧化镁晶须。

此反应一般在水平管式炉中进行。

反应温度分别为1573k、1723K、1823K，所用原料氧化镁：铝=2:3（质量比），氧化镁粉末的粒度大小约为5~10um，白云石碳化法生产的氧化镁正好在此范围。

整个反应过程不需要用惰性气体进行保护。

另外，如果将氧化镁和铝粉干燥并压成块后再放入炉中加热到1573k以上，同时通入含适量氧气的惰性气体，可以制得三种不同形态的晶须。

一种较大，直径约为25um，长 1.5in （1in=0.0254）；一种较小，直径约为1um或更细。