(整理)选区电子衍射与晶体取向分析
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晶体学实验技术的晶体取向与晶格调整方法引言晶体学实验技术是研究物质晶体结构和性质的重要手段之一。
在进行晶体学实验时,晶体的取向和晶格的调整是非常关键的步骤。
本文将探讨晶体取向和晶格调整的一些常用方法和技术。
一、晶体取向的方法1. 制备取向样品晶体取向的方法有很多种,其中一种常用的方法是制备取向样品。
制备取向样品的步骤包括选择合适的单晶样品,将其切割成薄片,并进行化学或物理处理。
取向样品可以通过机械打磨、化学腐蚀、电解抛光等方法获得理想的表面状态。
2. 应用X射线衍射X射线衍射在晶体学实验中发挥着重要的作用。
通过将单晶或多晶样品放置在X射线束中,利用晶体对X射线的散射特性,可以得到晶体的取向信息。
根据样品的不同取向,可以通过旋转样品或调整X射线束的方向来获取所需的取向信息。
3. 使用电子显微镜电子显微镜是一种非常强大的工具,可用于观察晶体的微观结构。
通过调整电子显微镜的入射角度和取向样品的位置,可以获得晶体的取向信息。
电子显微镜的高分辨率可以提供更精确的取向测量结果。
二、晶格调整的方法1. 热处理热处理是调整晶格的一种常用方法。
通过改变晶体的温度,可以使晶格发生一系列变化,包括晶体的形状、尺寸和晶格参数等。
在进行热处理时,需要控制好温度和时间,以确保晶体获得最佳的晶格结构。
2. 应用外力应用外力也是一种有效的晶格调整方法。
通过施加压力或拉伸样品,可以改变晶格的形状和尺寸。
外力的施加可以通过机械装置、电场或磁场等方式实现。
不同的外力会对晶体产生不同的影响,因此需要根据具体情况选择合适的方法。
3. 化学处理化学处理是调整晶格的另一种常用方法。
通过在晶体表面或周围施加特定的化学物质,可以改变晶格的结构和性质。
例如,可以使用溶液中的特定物质对晶体进行浸泡或溶解,从而调整晶体的晶格。
结论晶体学实验技术中的晶体取向和晶格调整方法,通过选择适当的实验手段和调整参数,可以获得所需的晶体特性和结构信息。
晶体取向和晶格调整的过程中需要保证实验条件的稳定性和控制精度,以获得准确的结果。
布拉格衍射实验中晶体取向的优化方法布拉格衍射实验是一种常见的实验方法,用于分析材料中的晶体结构和晶格参数。
在实验中,晶体的取向对于实验结果的准确性和可重复性非常重要。
本文将介绍布拉格衍射实验中晶体取向的优化方法。
一、晶体的制备和取向在进行布拉格衍射实验之前,首先需要制备高质量的晶体样品。
晶体的制备方法各不相同,根据所研究的材料和实验要求选择合适的方法。
对于晶体取向的优化,一种常见的方法是使用X射线或电子束进行取向。
通过控制入射角度和样品旋转角度,可以使晶体在特定方向上取向良好。
值得注意的是,在实验过程中应确保光线或电子束的稳定性和准直性,以避免误差的引入。
二、晶体取向的调整在实验中,晶体取向的调整通常可以通过以下几种方法来实现:1. 利用预留取向标记:在晶体生长或制备过程中,可以在样品上制作一些预留的取向标记,如刻线或腐蚀坑。
通过观察这些标记,可以确定晶体的取向,并进行必要的调整。
2. 应用光学或电子显微镜技术:使用光学显微镜或电子显微镜观察晶体的形貌和结构,可以判断晶体的取向是否符合要求。
如果不符合要求,可以通过旋转样品或调整照射角度来调整晶体的取向。
3. 利用表面特征:一些晶体具有特殊的表面特征,比如光学性质或电学性质的变化。
通过观察这些特征,可以得出晶体的取向信息。
根据需要,可以调整样品的方向以优化晶体的取向。
三、晶体取向的验证在进行布拉格衍射实验之前,需要验证晶体的取向是否达到要求。
为此,可以采用以下方法:1. 光学或电子衍射:通过观察晶体的光学或电子衍射图样,可以确定晶体的取向情况。
如果衍射图样清晰且与理论模型相符,则表明晶体的取向良好。
2. X射线或电子衍射:利用X射线或电子束进行衍射实验,观察衍射斑图的特征,可以得出晶体的取向信息。
如果衍射斑图的位置和形状符合预期,说明晶体的取向达到了要求。
四、晶体取向的进一步优化如果晶体的取向不符合要求,需要进一步优化。
以下是一些常见的优化方法:1. 样品旋转:通过改变样品的旋转角度,可以调整晶体的取向。
选区衍射原理及操作步骤选区电子衍射(SAED,selected area electron diffraction)由选区形貌观察与电子衍射结构分析的微区对应性,实现晶体样品的形貌特征与晶体学性质的原位分析。
1.选区电子衍射的原理简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。
选区电子衍射的基本原理见图。
选区光栏用于挡住光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过。
使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样,它仅来自于选区范围内晶体的贡献。
实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,所选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。
选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。
图-1 选区电子衍射原理示意图1-物镜2-背焦面3-选区光栏4-中间镜5-中间镜像平面6-物镜像平面2.选区衍射操作步骤:1.插入选区光阑,套住欲分析的物相,调整中间镜电流使选区光阑边缘清晰,此时选区光阑平面与中间镜物平面重合;2.调整物镜电流,使选区内物像清晰,此时样品的一次像正好落在选区光阑平面上,即物镜像平面,中间镜物面,光阑面三面重合;3.抽出物镜光阑,减弱中间镜电流,使中间镜物平面移到物镜背焦面,荧光屏上可观察到放大的电子衍射花样;4.用中间镜旋钮调节中间镜电流,使中心斑最小最圆,其余斑点明锐,此时中间镜物面与物镜背焦面相重合;5.减弱第二聚光镜电流,使投影到样品上的入射束散焦(近似平行束),摄影(30s左右)。
单晶电子衍射花样的标定步骤:1、选择靠近中心且不在一直线上的几个斑点,测量它们的R 值;2、利用R 2比值的递增规律确定点阵类型和这几个斑点所属的晶面族指数{hkl}。
如果已知样品和相机常数,可分别计算产生这几个斑点的晶面间距(R =K /d ),并与标准d 值比较直接写出{hkl};3、进一步确定晶面组指数(hkl )。
主要内容::衍射原理由于电子束波长小电子衍射特点:y1、电子散射强度比X射线高一万倍,拍照电子衍射的时间只需几秒。
时间只需几秒y2、利用电子束成图,可得到组织图像和结构信息一一对应的信息。
对应的信息y3、适用于分析微区和微相的晶体结构。
与射线相比电子衍射强度受原子序数制约小y4、与X射线相比,电子衍射强度受原子序数制约小,它易于觉察轻原子的排列规律,等。
必要条件y 布喇格定律波长为的平面单色电子波被yλ的平面单色电子波被一级衍射λθn d =sin 2加速电压(KV)波长(nm )一级衍射:800.00418d °<≈110rad θ充分条件结构因子()−n合成振幅F:∑=•=j jg j r K K i f F 10)(2exp πn)(2exp 1j j j j j hkl lz ky hx i f F ++=∑=π2充分条件结构因子()充分条件结构因子()布喇格衍射的充分必要条件干涉函数2(22)()sin s c sN F I z ππ=y 称为干涉函数,它22)()(sin s c sN z ππ与晶体的尺寸N z c 和s 有关衍射花样与晶体几何关系θ2tan L r =i y 当角度θ很小,tan 2θ≈2θ,sin θ≈θλθ=sin 2d λL rd =y 在恒定的实验条件下,L λ是一个常数,称为相机常数(或仪器常数),L 称为相机长度。
晶带轴定律定y 定义:许多晶面族同时与个晶体学方向平行时这些y 许多晶面族同时与一个晶体学方向[μνω]平行时,这些晶面族总称为一个晶带,而这个晶体学方向[μνω]称为晶带轴。
y 晶带轴定律:y 0=++lw kv hu电子衍射的分类y 选区电子衍射电子衍射谱的获得y1927年,人们就实现了电子衍射。
当电镜以成像方式操作时中间镜物平面与物镜像平面重y当电镜以成像方式操作时,中间镜物平面与物镜像平面重合荧光屏上显示样品的放大图像。
布拉格衍射实验中晶体取向的优化方法在布拉格衍射实验中,晶体的取向对于实验结果是至关重要的。
晶体在特定方向上的取向能够影响衍射图样的强度和分布,因此优化晶体的取向是提高衍射实验准确性和可重复性的关键步骤。
本文将介绍几种常用的晶体取向优化方法,并探讨其优缺点。
一、透射电子显微镜(TEM)取向优化法透射电子显微镜是一种高分辨率的显微镜,可以直接观察晶体的衍射图样。
在TEM下,通过旋转晶体样品,可以观察到不同取向下的衍射图样,并确定衍射峰的位置和强度。
通过比较不同取向下的衍射图样,可以选择表现良好的晶体取向。
优点:直接观察晶体衍射图样,准确判断晶体取向。
缺点:需要专业的仪器设备,成本较高。
二、X射线衍射测量取向优化法X射线衍射是一种常用的分析方法,可以通过测量晶体的衍射角度和强度来确定晶体的取向。
在实验中,通常使用旋转台和X射线衍射仪来测量晶体的衍射图样。
通过调整旋转台的角度,可以获得不同取向下的衍射图样,并比较其衍射峰的位置和强度。
优点:常用的分析方法,易于实施。
缺点:需要专用设备,测量结果受到仪器精度的限制。
三、逆衍射取向优化法逆衍射是一种倒置的衍射模式,在逆衍射图样中,晶体取向的信息可以通过分析衍射斑的位置和形状得到。
通过调整晶体取向,可以观察到不同的衍射斑分布,并选择优化的晶体取向。
优点:不需要昂贵的仪器设备,可用于晶体取向初步筛选。
缺点:逆衍射图样的分析相对复杂,需要一定的经验和技巧。
四、综合优化方法以上介绍的方法各有优缺点,为了取得更好的效果,可以综合运用多种优化方法。
首先,可以使用透射电子显微镜或逆衍射法进行初步筛选,确定可能表现良好的晶体取向。
然后,使用X射线衍射测量方法进行精确测量和验证。
综上所述,布拉格衍射实验中晶体取向的优化可以通过透射电子显微镜、X射线衍射测量、逆衍射以及综合方法来实现。
选择合适的优化方法需要根据实验条件、仪器设备和研究目的来确定。
在实验中合理使用这些优化方法,可以得到准确可靠的衍射实验结果,为材料科学和结构分析领域的研究提供有力支持。
TEM电子衍射及分析引言透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,简称TEM)是一种高分辨率的显微镜,利用电子束通过样品并对透射电子进行衍射、成像和分析等操作。
TEM电子衍射是一项重要的研究技术,可以用于研究材料的结晶结构和晶体缺陷等特性。
本文将介绍TEM电子衍射的原理及常用的分析方法。
TEM电子衍射原理TEM电子衍射是指入射电子束通过样品后,由于与样品内部结构的相互作用,电子将发生衍射现象。
衍射过程中,入射电子束的波动性质被样品晶体结构所限制,形成衍射斑图。
通过观察衍射斑图的形态和分布,可以了解样品晶体的结构信息。
TEM电子衍射的原理可以用布拉格方程来描述:nλ =2d*sinθ 其中,n为衍射级数,λ为入射电子的波长,d为晶格的间距,θ为衍射角度。
TEM电子衍射图解析TEM电子衍射图是由衍射斑图组成的,通过对衍射斑图的解析,可以得到样品晶体的一些重要信息。
1.衍射斑的亮度:衍射斑的亮度反映了样品晶体中存在的晶格缺陷、位错等信息。
亮斑表示高度有序的结构,而暗斑则表示晶格缺陷存在。
2.衍射斑的分布:衍射斑的分布可以提供样品晶体的晶面方向信息。
通过观察衍射斑的位置和排列方式,可以确定样品晶体的晶体结构。
3.衍射斑的形状:衍射斑的形状可以指示晶格的对称性。
正交晶系的衍射斑为圆形,其他晶系的衍射斑形状则会有所不同。
TEM电子衍射分析方法除了观察TEM电子衍射图来获得晶体结构信息外,还有一些常用的分析方法。
1.衍射索引:通过观察衍射斑的位置和分布,结合晶体结构学的知识,利用衍射索引方法确定晶格参数、晶胞参数,从而得到样品晶体的晶体结构信息。
2.选区电子衍射:通过在选定的区域内进行电子衍射,可以得到该区域的晶格结构和取向信息。
这种方法可以用来研究样品中不同区域的晶体结构差异。
3.电子衍射支撑:通过在TEM观察区域选择多个点进行电子衍射,得到它们的衍射斑的位置和分布等信息。
实验四选区电子衍射与晶体取向分析
一、实验目的与任务
1)通过选区电子衍射的实际操作演示,加深对选区电子衍射原理的了解。
2)选择合适的薄晶体样品,利用双倾台进行样品取向的调整,利用电子衍射花样测定晶体取向的基本方法。
二、选区电子衍射的原理和操作
1.选区电子衍射的原理
使学生掌握
简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。
选区电子衍射的基本原理见图10—16。
选区光栏用于挡住光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过,使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样仅来自于选区范围内晶体的贡献。
实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。
选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。
对于100kV的透射电镜,最小的选区衍射范围约0.5m;加速电压为1000kV时,最小的选区范围可达0.1m。
2.选区电子衍射的操作
1) 在成像的操作方式下,使物镜精确聚焦,获得清晰的形貌像。
2) 插入并选用尺寸合适的选区光栏围住被选择的视场。
3) 减小中间镜电流,使其物平面与物镜背焦面重合,转入衍射操作方式。
对于近代的电镜,此步操作可按“衍射”按钮自动完成。
4) 移出物镜光栏,在荧光屏上显示电子衍射花样可供观察。
5) 需要拍照记录时,可适当减小第二聚光镜电流,获得更趋近平行的电子束,使衍射斑点尺寸变小。
三、选区电子衍射的应用
单晶电子衍射花样可以直观地反映晶体二维倒易平面上阵点的排列,而且选区衍射和形貌观察在微区上具有对应性,因此选区电子衍射一般有以下几个方面的应用:
1) 根据电子衍射花样斑点分布的几何特征,可以确定衍射物质的晶体结构;再利用电子
衍射基本公式Rd=L,可以进行物相鉴定。
2) 确定晶体相对于入射束的取向。
3) 在某些情况下,利用两相的电子衍射花样可以直接确定两相的取向关系。
4) 利用选区电子衍射花样提供的晶体学信息,并与选区形貌像对照,可以进行第二相和晶体缺陷的有关晶体学分析,如测定第二相在基体中的生长惯习面、位错的柏氏矢量等。
以下仅介绍其中两个方面的应用。
(1)特征平面的取向分析特征平面是指片状第二相、惯习面、层错面、滑移面、孪晶面等平面。
特征平面的取向分析(即测定特征平面的指数)是透射电镜分析工作中经常遇到的一项工作。
利用透射电镜测定特征平面的指数,其
根据是选区衍射花样与选区内组织形貌的微区对应性。
这里特介绍一种最基本、
较简便的方法。
该方法的基本要点为:使用双倾台或旋转台倾转样品,使特征
平面平行于入射束方向,在此位向下获得的衍射花样中将出现该特征平面的衍
射斑点。
把这个位向下拍照的形貌像和相应的选区衍射花样对照,经磁转角校
正后,即可确定特征平面的指数。
其具体操作步骤如下:
1) 利用双倾台倾转样品,使特征平面处于与入射束平行的方向。
2) 拍照包含有特征平面的形貌像,以及该视场的选区电子衍射花样。
3) 标定选区电子衍射花样,经磁转角校正后,将特征平面在形貌像中的迹线画在衍射花样中。
4) 由透射斑点作迹线的垂线,该垂线所通过的衍射斑点的指数即为特征平
面的指数。
镍基合金中的片状—Ni3Nb相常沿着基体(面心立方结构)的某些特定平面生长。
当片状相表面相对入射束倾斜一定角度时,在形貌像中片状相的投影宽度较大(见图实4—1a);如果倾斜样品使片状相表面逐渐趋近平行于入射束,其在形貌像中的投影宽度将不断减小;当入射束方向与片状相表面平行时,片状相在形貌像中显示最小的宽度(图实4—1b)。
图实4—1c是入射电子束与片状相表面平行时拍照的基体衍射花样。
由图实4—1c所示的衍射花样的标定结果,可以确定片状相的生长惯习面为基体的(111)面。
通常习惯用基体的晶面表示第二相的惯习面。
图实4—2是镍基合金基体中孪晶的形貌像及相应的选区衍射花样。
图实4—2中的形貌像和衍射花样是在孪晶面处于平行入射束的位向下拍照的。
将孪晶的形貌像与选区衍射花样的对照,很容易确定孪晶面为(111)。
图实4—3a是镍基合金基体和相的电子衍射花样,图实4—3b是(002)衍射成的暗场像。
由图可见,暗场像可以清晰地显示析出相的形貌及其在基体中的分布,用暗场像显示析出相的形态是一种常用的技术。
对照图实4—3所示的暗场形貌像和选区衍射花样,不难得出析出相相的生长惯习面为基体的(100)面。
在有些情况下,利用两相合成的电子衍射花样的标定结果,可以直接确定两相间的取向关系。
具体的分析方法是,在衍射花样中找出两相平行的倒易矢量,即两相的这两个衍射斑点的连线通
过透射斑点,其所对应的晶面互相平行,由此可获得两相间一对晶面的平行关系;另外,由两相衍射花样的晶带轴方向互相平行,可以得到两相间一对晶向的平行关系。
由图实6—3a
给出的两相合成电子衍射花样的标定结果可确定两相的取向关系:(200)M∥(002),[011]M
∥。
(2)利用选区电子衍射花样测定晶体取向在透射电镜分析工作中,把入射电子束的反方向—月作为晶体相对于入射束的取向,简称晶体取向,常用符号召表示。
在一般取向情况下,选区衍射花样的晶带轴就是此时的晶体取向。
在入射束垂直于样品薄膜表面时,这种特殊情况下的晶体取向又称为膜面法线方向。
膜面法线方向是衍射衍衬分析中常用的数据,晶体取向分析中较经常遇到的就是测定膜面法线方向。
测定薄晶体膜面法线方向通常采用三菊池极法,其优点是分析精度较高。
但是,这种方法在具体应用时往往存在一些困难,一是由于膜面取向的影响,有时不能获得同时存在三个菊池极的衍射图;二是因为分析区域样品的厚度不合适,菊池线不够清晰甚至不出现菊池线。
即便可以获得清晰的三菊池极衍射图,分析时还需标定三对菊池线的指数,而且三个菊池极的晶带轴指数一般也比较高,因此分析过程繁琐且计算也比较麻烦。
本实验将根据三菊池极法测定膜面法线方向的原理,给出一个比较简便适用的方法。
具体的分析过程为:利用双倾台倾转样品,将样品依次转至膜面法线方向附近的三个低指数
晶带Z i=,记录双倾台两个倾转轴的转角读数()。
根据两晶向间夹角公式,膜
面法线方向B=与三个晶带轴方向Z i间的夹角()余弦为
(=1,2,3) (6-1)
式(6-1)中,Z i和B是各自矢量的长度。
为计算方便,不妨可假定,B是这个方向上的单位矢量,所以有B=1。
将式(6-1)中的三个矩阵式合并,再经过处理可得到计算膜面法线方向指数的公式如下:
(6-2)
对于双倾台操作,;式中的矩阵G和G-1是正倒点阵指数变换矩阵,在表4-1中列出了四个晶系的G和G-1具体表达式。
下面举一个实例来进一步说明这一实验方法的具体应用过程。
样品为面心立方晶体薄膜,在透射电镜中利用双倾台倾转样品,将其取向依次调整至[101]、[112]和[001],这三个晶带的选区衍射花样见图4-4。
样品调整至每一取向时,双倾台转角的读数分别为(18.5°,-2.0°)、(-3.0°,18.6°)、(-25.0°,-10.5°)。
-1
于是有
将其与
及、、 一并代入式(6-2),经计算得
这是个单位矢量,其矢量长度为1.0017,误差小于千分之二。
实际上我们关心的仅仅是膜面的法线方向,并不是其大小,习惯上用这个方向上指数[u v w ]均为最小整数的矢量。
因此可将求出的单位矢量指数同乘以一个系数,变为最小的整数。
通过这样的处理,可得到膜面法线方向的指数为,更接近准确的结果是,二者仅相差0.004°。
因此把作为膜面法线方向精度已经足够。
四、实验报告要求
1)绘图说明选区电子衍射的基本原理。
2)举例说明利用选区衍射进行取向分析的方法及其应用。