2009年哈工大微电子复试题
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哈尔滨工业大学(威海) 2009 / 2010 学年 秋 季学期数字信号处理 试题卷( A )答案一、填空题(1~5题每空2分,其余每空1分,共20分)1、 设)2(3)1(6)()(−+−+=n n n n h δδδ为一个LSI 系统的单位抽样响应,则该系统的频率响应=)(ωj eH ωω2361j j e e −−++。
2、 0()cos()x n n ω=中仅包含频率为0ω的信号,)4/cos()()(πn n x n y =中包含的频率为40πω±。
3、 一个长度1001=N 点的序列与长度为)(n x 642=N 点的序列用N=128点的DFT计算循环卷积时,循环卷积等于线性卷积的n 的取值范围为:)(n h 12735≤≤n 。
4、 是序列[], 07X k k ≤≤[]{ -1, 2, -3, 2, 0, -4, 6, 2}x n =的8点DFT 。
则7(/4)[]j k k eX k π−==∑ 16 。
5、 的16点DFT为,)(n x )(k X )3162cos()(k k X π=,则 =)(n x 2/)]13()3([−+−n n δδ。
6、 在利用窗函数法设计FIR 滤波器时,由于窗函数截短造成滤波器通带和阻带内的波动,这种现象称为 吉布斯效应 。
7、 无限长单位冲激响应(IIR)滤波器的结构上有反馈,因此是__递归 ___型的。
8、 已知因果序列的Z 变换为,则= 1 )(n x zeZ X /1)(=)0(x 。
9、 对长度为N 的序列向右循环移位m 位得到的序列用表示,其数学表达式为 =)(n x )(n x m )(n x m )())((n R m n x N N −。
10、 的零、极点分布关于单位圆 镜像对称 )()(1−Z H Z H 。
11、 如果通用计算机的速度为平均每次复数乘需要5μs ,每次复数加需要1μs ,则在此计算机上计算210点的基2FFT 需要 10 级蝶形运算,总的运算时间是 35840 μs 。
哈尔滨工业大学硕士研究生入学面试试题题库1. 为满足测量精度的要求,选择测量仪表应考虑其哪两项技术指标?为什么?答:两项技术指标是仪表精度等级与仪表量程。
从仪表精度等级的定义?%≥悖健?100%可见.对于给定的仪表精度等级?,仪表量程越小,最大量程误差也越小.及测量精度不仅取决于仪表精度等级,也与所选仪表的量程有关.因此,选择仪表时,应尽量使被测量靠近满度值,至少 .2. 在10次等精度测量列、、、中,测量列算术平均值的标准差为单词测量值标准差的多少倍?答: 倍.(根据公式 = )3. 测量数据粗大误差的判别准则有哪些?使用时是否有限制条件?答:有拉依达准则(准则)与格罗布斯准则,当测量次数时,拉依达准则失效。
4. 误差按其出现规律可分为几种,他们与准确和精密有什么关系?答:误差按出现规律可分为三种,即系统误差、随机误差和粗大误差。
(1)系统误差反应测量结果的准确度。
系统误差越大,准确度越低,系统误差越小,准确度越高。
(2)随机误差表现了测量结果的分散性,通常用精密度表征随机的大小。
随机误差越大,精密度越低,随机误差越小,精密度越高,即表明测量的重复性越好。
(3)从性质上来看,粗大误差并不是单独的类别,它本身及可能具有系统误差的性质,也可能具有随机误差的性质。
5. 什么是平衡电桥?什么是不平衡电桥?各有什么特点?答:若电桥输出电压为零,则称电桥处于不平衡状态。
在整个测量过程中,由于桥臂电阻受被测参数的变化而变化,致使电桥始终处于不平衡状态,并通过测量不平衡电桥输出大小来测量被测参数的电桥,称为不平衡电桥。
在测量过程中,桥臂电阻受被测参数的变化而变化,致使电桥处于不平衡状态,但通过调节另一桥臂的可调电阻使电桥重新恢复平衡,并通过测量电桥平衡时另一桥臂的可调电阻大小来测量被测参数的电桥,成为不平衡电桥。
平衡点桥的测量精度较高:不平衡电桥的响应速度较快。
6.仪表放大器与一般放大器相比,具有哪些优点?应用在哪些场合?答:仪表放大器与一般放大器相比具有以下优点:(1)输入阻抗高(2)抗共模干扰能力强(即共模抑制比大)(3)失调电压与失调电压漂移低、噪声低、闭环增益稳定性好;(4)增益可变,即可由内部预置,也可由用户通过引脚内部设置或者通过与输入信号隔离的外部增益电阻设置。
哈工大2009电气工程系考研复试笔试试题一、选择题(2×10=20)(都是基本概念题)1,已给出零极点的图,判断阻尼比范围2,根轨迹起始于()终止于()3,超前校正能够。
(四个选项都是关于其特点的陈述)4,根轨迹的渐近线条数和零极点的关系。
5,二阶系统两个不等的负实根,阻尼比的取值范围。
6,一阶系统达到稳定时的时间和T的关系.7,对稳定系统,相角裕度幅值裕度,判断r>0 kg<1有三个选择题记不清了二.通过极坐标图(已给出)判断系统稳定性,如果不稳定,指出有几个不稳定的根(3×4=12)(用奈奎斯特判据做)三、画出根轨迹的大致图形,不用具体计算,只画大致图形。
(已给出了四个传函,每个传函画一个图)(4×4=16)四、解答下列各题1、给了一个含运放的电路,求传递函数(10分)2、化简方框图(10分)3、给了个波特图(转折频率0.5和2,剪切频率1),求开环传函和相角裕度. (10分)4、开环传函G(s)=1/(s+2),输入sin4t,求稳态输出(10分)(这题用频域做,分别求出在这种输入下的相角和幅值)5、温度计从0℃开始上升,放入50℃水中,1min后指示49℃。
温度计是一阶系统,1/(Ts+1)。
若把温度计放入10℃/min上升的水中,求稳态误差。
(12分)(这题很多人不会。
其实本人认为,这题就是求一阶系统的斜坡误差)五、电力电子器件按照驱动电路信号的种类分为哪几类,举例说明。
(10分)(注意是“按照驱动电路信号的种类”)六、说出升压斩波电路的原理,为什么Boost电路β不能接近于1。
(20分)七、画出三相电压型逆变电路的几个输出波形(20分)(一定记好波形,不仅仅要看懂,还要会默画出来)八、画出双极性PWM输出波形,N=9.(20分)九、三相桥式整流电路,α=30°(1)画出输出电压波形(2)相隔60°的双窄脉冲触发,画出两个触发脉冲的位置。
【哈尔滨工业大学】09年机电学院机械考研经验教训及10复习箴言(附经典问答,并实时更新!)09机电学院机械考研经验及10复习箴言(附经典问答)经历了09考研,经过初试、复试笔试、面试几关,最终被工大机电学院录取,回忆起来,经验教训不少,现将自己总结的经验教训写下来,望10年研友权当参考(附各种问题经典问答)初试:1. 专业课由机械设计和机械原理两科组成一张卷,各75分(07 08 09年均如此,03年改革之后基本如此)2. 专业课总体说来不是多难,没有怪题,偏题,但题量比较大,没有多少思考时间。
必须熟练到看一遍题目就会做的程度。
平时一定要多做题,记题型3. 建议<机械设计>课本用指定用书中的哈工大出版社出的那本(第四版),机械原理课本可以任选,本人用的是哈工大自己出的。
4. 必备复习资料:考试大纲,两本课本,哈工大自己出的两本辅导书(第二版),历年试题包括答案,辅导班的资料注:有了上面的资料完全就够了,不要整天在网上找一些看似有用的资料,如一些其它学校的课件,试题了等等。
工大机械专业的历年试题在<机械设计试题精选与答题技巧(第2版)>和<机械原理试题精选与答题技巧(第2版)>上都有,还有标准答案,没有必要在网上找,不全且没有答案.个人认为是在浪费时间5. 严格按照考试大纲复习,大纲上有的都有可能考,大纲上没有的前几年没有考,但09年考了个弹簧的小题,弄的大家怨气不小,不过,建议还是按照大纲复习,即使考了超纲的,也是小题,大题肯定不会考的6. 个人认为除了课本,最重要的就是历年试题和辅导资料了,当你研究过历年试题后会发现,虽然没有重题,但有许多重题型,特别是辅导资料上的例题。
7. 辅导班每年讲的都差不多一样,并且收费挺高,辅导三天300元。
如果有足够的钱,在哈尔滨,且不放心的话可以听,除此之外没有太大必要,辅导班一般就讲一次,每年的十一月份左右(09年有泄题嫌疑,因为09的辅导班资料上有个很边缘的题目今年竟然考了,我当时没有仔细看,考试的时候才后悔不已!)复试:1.复试分数与录取复试由笔试和面试两部分组成,共280分,其中笔试200分,面试80分,笔试和复试都单独设定合格线,低于合格线的考生将失去被录取的资格。
哈工大机电学院2009年初试试题(09年4月21日回忆版)wwf提供一、填空题(很基础)填空题很简单,大部分同学都能得很高分数,拉不开差距。
我当时几乎没怎么思考,答题很快,记的也不是很准。
我能想起多少就写多少,别见怪啊。
1.平面连杆机构的演化。
(转动导杆机构,曲柄摇块机构等等)2.摩擦磨损分类3.凸轮压力角变化问题4.蜗轮蜗杆的填空5.定轴轮系、周转轮系、差动轮系的基本概念6.静平衡和动平衡的基本概念注意:机械原理也考填空和问答了!以前是不考的,我就没看机械原理,还好基础不错,要不然考试要吃大亏了。
所以2010年考研的要看机械原理的基本概念和问答。
二、简答题(答准不容易)1.什么是虚约束,复合铰链,局部自由度?2.什么是平均角速度?速度不均匀系数?(速度波动调节那一章的)3、一个变速箱传动装置,让你把带传动,斜齿轮,直齿轮排序。
就是哪个应该接到高速级,哪个应该接到低速级?并说明理由。
4. 记不清了。
机械设计的问答题比较基础,我背了100多道,几乎一道没考,真倒霉!三、分析计算题(拿高分的关键!)1.连杆机构急回运动的题目(好像是齿轮插刀的运动机构,给你极位夹角,分别是30度和60度,让你求形成速比系数,还要画图,机械原理试题精选与答题技巧历年真题上有,好像是2005年的真题,我记不清了)2.凸轮作图。
(09年考察的是平底直动从动件盘型凸轮!让你画出基圆、压力角,求推程运动角,回程运动角,最后让你写出运动方程。
一般人对此没怎么准备,我复习的时候也没怎么重视,考试的时候浪费了很多时间,08年考得是摆动从动件凸轮,2010再考的可能性比较低。
)3.求混合轮系传动比。
(每年必考,具体的我记不清了,很基础,但09年没出求齿轮参数的题目,以前是必考的)4.判断蜗轮蜗杆旋向和轴向力方向。
让你画图说明。
5.螺栓组连接设计。
跟2005年的真题重复!6.求等效质量和转动惯量(速度波动调节知识点,给你一个轮系,有个轮子本身也在绕定轴转动,它质量也要算在内!机械原理习题里有这种题型)四、结构设计题(历年得分率都不高)09年的结构设计题不是很常规,这些题目我记得很清楚,肯定没错!让我气愤的是:09根本没有考轴系部件,所以2010年考研要重视轴系部件,很有可能再次考到。
信号与系统
一. 4‘*8
1.求一个积分式子的值,第一章里面那种,很简单
2.给函数图形,求导函数的表达式和图形
3.判断信号是否线性、时不变、稳定
4.给f(t)的频谱范围,求f(t/2)、f(t)平方的奈奎斯特频率
5.给h(t),e(t),用s变换求r(t)
6.大概是r1(t)=e(t)*h(t),r2(t)=e(3t)*h(3t),求证r2(t)=Ar1(Bt),并求A,B
7.求卷积和,并画图,很简单的一道题
8.给信号图形,求F(w),是三角信号加冲击信号
二13分.两个余弦信号时域相乘,通过低通,求输出
三15分.给系统框图,求(1)H(s) (2)稳定条件 (3)临界稳定时h(t)
四15分.离散系统,给零极点分布图,求(1) h(0)=1, 求h(n) (2)系统框图 (3)差分方程(4)给x(n),求y(n)
其中二,三,四都基本上是原题!。
模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子)2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
(未知)3、最基本的如三极管曲线特性。
(未知)4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。
(仕兰微电子)5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知)6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?(仕兰微电子)7、频率响应,如:怎么才算是稳定的,如何改变频响曲线的几个方法。
(未知)8、给出一个查分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图。
(凹凸)9、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用差分结构的原因。
(未知)10、给出一差分电路,告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。
(未知)11、画差放的两个输入管。
(凹凸)12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
(仕兰微电子)13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。
(未知)14、给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点的rise/fall时间。
(Infineon笔试试题)15、电阻R和电容C串联,输入电压为R和C之间的电压,输出电压分别为C上电压和R 上电压,要求制这两种电路输入电压的频谱,判断这两种电路何为高通滤波器,何为低通滤波器。
当RC<<T时,给出输入电压波形图,绘制两种电路的输出波形图。
(未知)16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?(新太硬件)17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。
(未知)18、选择电阻时要考虑什么?(东信笔试题)19、在CMOS电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P 管还是N管,为什么?(仕兰微电子)20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。
2009年本部微电子专业复试笔试题。
建议:复习参考书选择,晶体管原理部分,用罗老师讲课的小本的就行。
如时间充裕可适当看大本的。
电子技术选用本部的基础电子技术和集成电子技术,基本是原题,课后思考题,主要看1---10章,后面的部分不是重点。
半导体集成电路看韩老师讲的课件,本部历年的真题,半导体集成电路那本书也可以适当看看。
题目比较简单,但是题量比较大,文字部分的书写较多,合理分配时间。
晶体管原理
一.简答
1.发射效率和基区输运系数的定义,有什么意义。
2 .JEFT,MOSFET,MAOSFET,MNSFET个代表什么
3.基区宽度扩展对什么参数或什么特性有什么影响
4.镇流电阻如何接,阻值大小有何影响
5.扩散电容的原理.其本质是什么?
二:结合BJT的载流子输运过程,说明为什么说尽量增加发射区掺杂浓度,大于基区掺杂浓度,可以提高共发射极电流放大系数。
三:电荷控制方程以及每部分代表的意义是什么。
四:PN结加正向偏压Vf 和反向偏压Vr 时,画出少数载流子浓度分布图,并写出边界区载流子浓度表达式和载流子浓度分布方程。
五:发射极电流集边效应定义,产生原因。
电子技术
六:本部基础电子技术64页图2.3.1,求其负载电阻分别为无穷大和5K时的Q点,放大倍数、Ri 、Ro。
七:出自本部基础电子技术第3章第5题
【3-5】在图3-5所示的差分放大电路中,已知两个对称晶体管的β=50,r be=1.2kΩ。
1.画出共模、差模半边电路的交流通路。
A。
2.求差模电压放大倍数ud
3.求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR。
V C
V
EE
图3-5题3-5电路图
解:
1. 在共模交流通路中,电阻R 开路,故其半边电路的射极仅接有电阻R e ;在差模交流通路中,电阻R 的中点电压不变,相当于地,故其半边电路的发射极电阻为R e 和R/2的并联。
+
-
1
图3-5 (a )共模 (b )差模 2.od C
ud I1I2
be e 3.5(1)()
2
U R A R U U r R ββ=
=-=--++
3.双端输出条件下:
ud 3.5A =-,uc 0A = ,CMR K =∞
单端输出条件下: ud 1.75A =-, OC C
uc IC be e
0.4(1)U R A U r R ββ=
=-=-++ ud
CMR uc
|
| 4.2A K A == 八. 出自本部集成电子技术八章7题
8-7 最佳化布尔式P=ABC ABC ABC ++,然后用与非门实现之。
九:出自本部集成电子技术9章
9-4-3 简述CMOS-JK 触发器是如何又CMOS-D 触发器转化而来的。
半导体集成电路
十:结合剖面图说明闩锁效应产生的原因和预防闩锁效应的几点措施。
十一:画出npn 管的平面图和刨面图。
十二:分别用CMOS 电路和准NMOS 电路设计F = (A+B)C ,并说明准NMOS 电路和CMOS 电路相比有何缺点。
十三:提取一个CMOS 工艺的与或非门电路。
写出该逻辑表达式,并分析逻辑功能。
(很简单)
十四:给出了CMOS 工艺和双极型工艺 的版图, 1.分别分析两种版图分别用了哪些掩膜版 2.提取电路并分析功能。
(比较简单)。