Davis-Greenstein alignment of non-spherical grains

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20世纪生物技术的主要发现和进展年代主要发现和进展1917年匈牙利工程师K. Ereky首次使用“生物技术”这一名词。

1928年英国细菌学家弗莱明（A. Fleming, 1881—1955）发现了青霉素（penicillins）。

1943年美国20多家工厂开始大规模工业生产青霉素。

1944年O.T. Avery, C. M. Macleod和M. McCarty通过细菌转化实验证明DNA是遗传物质。

1953年J. D. Watson和F.H. Crick提出DNA双螺旋结构模型。

1956年H.A. Sober和E.A. Peterson首次将离子交换基团结合到纤维素上，制成了离子交换纤维素，并成功地用于蛋白质分离。

1959年 B.J Davis首先报道了聚丙烯酰胺凝胶电泳（Palyaerylanide gel electrophoresis）。

S. Uchoa 发现了细菌的多核苷酸磷酸化酶，成功地合成了核糖核酸，研究并重建了将基因内的遗传信息通过DNA中间体翻译成蛋白质的过程A. Kornberg 实现了DNA分子在细菌细胞和试管内的复制1961年M. Nirenberg等破译了遗传密码，揭开了DNA编码的遗传信息是如何传递蛋白质这一秘密。

1964年联合国世界卫生组织召开专门会议，对所发现的各类免疫球蛋白给以正式命名；N.A. Littlefield 等人利用突变细胞株和HAT选择培养液解决了分离杂交瘤细胞的难点。

1965年 F. Jacob和J. Monod提出并证实了操纵子（operon）作为调节细菌细胞代谢的分子机制。

1967年世界上有5个实验室几乎同时发现了DNA连接酶，1970年，发现具有更高活性的T4 DNA连接酶1969年日本千烟一郎成功地将固定化氨基酰化酶用于DL-氨基酸的分析上，实现了工业生产中的连续反应。

1970年H. O. Smith 分离出第一个限制性内切酶1971年在美国的海克召开了第一届国际酶工程会议，从而使七十年代成为固定化技术更迅速发展和取得巨大成功的年代1972年H.G. Khorana 等人合成了完整的tRNA基因美国斯坦福大学P. Berg等完成了世界上首次成功的DNA体外重组实验，标志着生物技术的核心技术－基因工程技术的开始。

非晶Si／Ti超晶格的横向光伏效应第口卷第二霸1989胃6月无L对料'箍JournalofInorganicMaterialsV01.4,No.2June.1989:暑晶Si/Ti超晶格的横向光汰效应王树林蓖毓_虹,罗维根程.如光l中国科《晦上海硅酸盐研究所,攮蓦不文报道了由磋枉溅射沉积柏非品8薄腔Ti雕组嚏新}一生趣格的横光饿藏虚.宴驻发现,这#光伏敷应强曩j毫依赖于遥格于J醚使用目豪喀导电未型.蟑迂台理选择参数,可以得到横向光生愤特与光斑位置成柱好的线性关系.关键词:横向j匕使效应}迎晶格}d晶硅;j晶铣j薄膜E』等巾,dI=等体与b半体轴si:H—G:H,非昂半与非晶绝弦俅々04一Si;一SiN:H],8一sj>Hf'~-SiC-;hi÷,a一H/Siq:H所构成的超晶格受到极走重视:遗种新型材制,鬻了}舟—世特的电蕾能外,更主受的是选种材料的结构力舛{马半寻体炮要控质畏》提供了种有效手段"",这无疑:搿进一步加#}列非晶态半寻体;琏解另面,底和半导僻商者其完全葡的性厌,.因此括金筠/l{}晶半导体制戚阈多誓蹲,并f虎其界特性剥:探讨禽藏/半导体界M的性质,特刷是l半导簿无},至:艺f,叠属与半导体接触特性的了解,有着一定的际意义.本文研究了金属/4~-/.体趣品格的横向光成效应并试从横向伏效应角度研究非晶半导体金褥超品格的结椅.橘司光扶效应最早由Schottky…在i930年发现.i~}57年后walimark~"又重新研究,f试利用这种效应试制器.lg85年Willens等人在电子束蒸发制备的非晶SilTi超品格膜中'先观察到这种现象,,讨论了水力器件应用的可能性.例如苏子明等人利目非晶硅第的臻同光伏设试制定位跟踪嚣.本文研究了由磁控溅射制备的非晶si/盘Ti趟品瞎趋横.,j炎伏教与.'基厚度讨底类型的关系,并讨论了影响这种非晶Si,/Ti起晶格作为器件应用的各种因秦.非晶Si/Ti周期多,一睦超出格i出LEYBOLD—HERAEUSZ550塑隧控溉剜仪,采用管弦换靶的办法77~.Trr啦.a—Si善沉采崩!≯控蕺射2-2艺,Ti子层则蛊I9豁年1月14攻刊仍箱,:q2o收一,.本工作由中匡科院r学括liⅢgSOG~6珥,科学跣二.≮吐敝盐0.,基盘3006曼肌2期王埘林筹:非扁SL/Ti超品咯的横向光故效】65流磁控溅射工艺宽成.每种超品格样Ir的衬底上第一一层都为Tj,最戎而层为a-si.此系统的预真空约为7×j0P丑,沉飘时薯氧为Ar.气压约为0.7Pa,衬底温度力室温.a—si子层和Tj子的沉j电蔷分别01.3_五s和2.6I/s.夺每鬟沉积前.预先把掩板覆盖住衬底,避免起倒;新的挑稳墨影u扎j}=jl:作制备==i雨辱度韵a~-Sif最及Ti子层的样品.横向光伏测试装置简I见阔l.源采渡{乏为0.63m的He—Ne激,功牢为30 mW,光斑浏到最小.目碳墨涂荆仔匀欧姆接ij.两纽厨a—sj子爱厚度的非晶Si/Ti 超晶格分别沉积1置P氆和型窜晶硅村底j:筹组为Ti]6直/a—sil3^,I10个双层, 编号为W8-f(p型衬底)和W7一e(n型苻底);第二组为Ti】GA/aSi27矗,共7-I,双星,编号为w9-f(P型衬底).p型单晶硅的电阻≯{2Q?cm;型{叶底黾m率为50?cm. 三,实验结果与讨论.J,l¨l为证实所沉积的非晶Ni/'Tl超晶格是百其有识好的衙胡性,将样品W9进行了小角X财线甜试.罘用了渡辱为l-54t78~的...CuKa线,栅}.±,0?05).样品w9(沉积在藏璃讨底上)鞫小角一缸线衍射箍果示予躅..I一Ⅱ私Ⅲ级衍峰很清楚地显示出来,由tDr~gg衍射公式:-?..'"'2dsin0=n……...…….….…(1|'-l'可算出I,Ⅱ和Ⅲ级所对应的凰期d分别为42.1,43.8和43.5A,其结果与沉积速率和沉积时间j9}估算的周比较符合.由半高宽估算出的界而浮动医约为5A,说幔所沉积的晶格层-抹结构很分明,基本上在辱子层范国内发生组份突孪.太角x一射线衍射没有显现何晶体衍射峰,琵明所沉积的si及Ti子.{层均为非晶相.,,一….0FL一—..I1.《,/,≯,图l横向光伏测试装置简网(坐标原点移至结立面中点)Fig.1.Schematicdiagramofapparatusforlateralphotovoltaiceffect:measurementTheoriginofCOordinaLeaxJghasbeenchanged:to.themiddleofjuncLionpIane图2沉积在玻璃上的样品W9的小硝x射线衍射Fig;2.SmallangleX—raydiffraction,ofsampieW9del~ositedDnglass图3给出样rw8-f,w8一硬w々_f的横向光优值与光斑位置的关系.对于沉积在P型衬底上的W8-f样品,其横向光伏值与匕斑位置具有相当好的线【生关系.而对于沉积无机材料4卷在n衬底上的弼一—手甚厚爱的Si/Ti超品格,其光伏值远小于沉积在p型单晶硅衬底上的多层膜,且偏离线性.同样对jsj予层犬的沉积在P型单晶畦}底1.的非晶Si/ri超晶格(样品w9),横向光伏值较si子层小韵Si/~i超晶格为小,也不存在线性关系.圈3弹品W8-e,W8-f和w9一f的横嘞生伏特与光斑位置关系(坐标原点在祥品中点)tcra1phOtovoltageofsamplesW8-e,W8-fandW9-fversusHghtspotpositionTheoriginofcoordinateaxiswassetatthemidd】eofsampi85(--—;;十+crysta)iineSJ卜s'ubse;——————一130m——....阁4沉积在p型单晶硅衬痛上的非晶Si/Ti超晶格在非均匀光辐照下横向光扶效应的物理模型Fig.4PhyscalmOdelroflateralpho~ovoltaie~effcctofamorphous.Si/Tisuperlattice.~sd~oositedollp-typesinglecrystallinesiliconsubstrateundernonuniformirradiation一:electron+,hole:irradiationposition2e:widthofirradiationregion.人们很早就知道,当足够大能最的光子均匀垂直地照射到p-ff半导体结上时,横跨p_n结上将产生光生伏特效应.利用此效应,人们成功地制成了太阳能电池.如果辐射是非均匀的,那么所产生的光生伏特值将随位置而改变,即在平行于终的平而上产生一附加的光生伏特值,此现象即为横向光伏效应非晶硅/盒属趣品格结构的横向光伏效应的物理过程可描述如下.假设超晶格沉积在P型单晶硅衬底一k当I=一局域的辐射源在P型单晶砗对底被吸收后所产生的电子一夺穴对,在Schottky内建场的作川下,位于少子扩散长度区内争耗尽甚中的电子漂移进人多层膜,而多子空穴则停留在p型衬底医,如图4.这种电荷狞葡部分她抵}肖了蛰蛊区的空问电荷,其结果仅降低此处的建势,而目.导致横恂电场的产生.由电于恳向注入p区构成的反向scttl~y谪电流使势垒达了新的平衡.只要产生电子一奎穴对的源存在,辨垒就不可能回复刊原泉的平衡状态.而处于衬底中的多子空穴刚在势垒梯度影响下沿删向运动,处于多层膜中的电子,则在浓度梯度影响下沿着侧向运动.此种电子和空穴的侧向运动进一步又会消豫部分空间电荷,并增加横跨结的电子一空穴的复合.因此横向光生伏特伴随存位于辐射点处的内建势的降低r如果把非晶Si/Ti趣品格看作是均匀薄膜,由温差法预j试表明,这种超晶捂为^型, 园此对于生长在p型晶硅衬底上的Ⅱ型非晶Si/Ti超晶格,我们认为仍可使用Niu 等人处理结的理沧进行数学处理.由欧姆定理及连续性方程可得到措横向的电流方程;'d.J(x)/d=口V)………………<幻一E宣S;毒0新壬杯壮等:非l稿si/"超晶格的横向光披敛声167一一一一一-一'…L～一-0.=(qY./KT)(P/wrP/)……………"(3)其中B称为空间嵌减参数,口为电子电量,P和p为艇及衬雇电阻率,w和w为膜及衬底厚度,J.为ls曲ottky饱和电流管度(假定Schot~ky二极管理想因子为1).J.=ATexp(一$/KT)………………()A为丑i曲ard∞n常数r为绝对温度,而是薄膜与si界面的势垒高度.利用开路时,两端电流为零及辐射点,处位势连续,并满足下列条件;...,-一WEJ(x4-e)一J(,一e)]=2e日……………'(5)其中,为单位时间,单位面积内被分离的龟子一壁穴对.而,和单色光八射流h相联系:,=(1一R—A)nxez/x?t??…………"(6)其中R和A分别为非晶Si/Vi多层膜的反射率和暇收牟,为能够达到结区,并能有效分离的电子一空穴对占总的光生电子一空定对的率,e^为激发过程的量子系数.可解出方程(2)中的电流方程,站台欧姆定理,苟得壹{艇两端=0和x=I的电势差:=甲(0)一(f),48p(stnha|.~2).sinh~xJl/§).…—而_商h耐一_≥磊菇(1函五～…''';'一\扭坐标娠点穆益申点2-处,设=x—l/则有一--..:ll..f',.∞q—{n血...-4韶幽蕊'j(啦', (8)当2￡《l及l的睛况下,上式可衙证为.'..:一,-.d=(2吲W埘 (9)即位势差应与光斑位置呈线性关系.当2￡《f,且al>l时,去除式(8)分母中的负项,两边取l{数式(8)可简化为:ln中=A+Ⅱx;,-?-…?……-C10)萁中AIn(2eqlp'Wa)一0l/2.把圈G中样品w8_c殛Wg-f的横向光伏值取对数重新作圈(图5).可以看到,在光斑远离样品中点,光伏值与光斑位置关系很好地服从指数形式,由此可以求出式(i0)审的斜索G,We—e样品0为9.1c出而w9样品.为4.8cm～.由于前题是0l必然>l,因此实际上两样品的横向光伏使与位置关系是不可能得到线性关系的.由四探针法测得样品w8的o/w=196O/口,p/w200O/口,取A=32A/cm?K,由于使裔掺杂P型单晶硅衬底,合理地取:0.65ev…】,可由式(4)和式(3)计算出a=0.75cm～.因此对于w80,其af～1.与实验发现横向光伏值与光斑位置具竹很好的线性关系甚为符合.然而,取上述相同条件?圈5样品w8一e和w0的瞒向光生伏待的自抟对数}j光碰位置关系Fig.5.NaturallogarithmoflateralphotovoltageofsamplesW8-eandW0一fvetsu~1]$htspotpositions16g无杌料卷谢得的样品w9-f的方照电阻力p/W=300n/口,摆此计算的Ⅱ:0.84crll～,与赛验碍的口=4.8cm不相符台.同样w8-c样品,测得的p/W=I96O/7-,p/w=80a/E,取A:110A/era?k及=0.50ev_l,计算得到的口=21cm7,与宴啦求街的结果也相整甚远.对予上述后两样品的计算结果与实验不相符情况,是否对于wg—f样‰骂si子墓变,超晶格j能不能再作为均匀的薄陵处,至于改变与P型衬底接触的势垒分布. 而沉积前H型衬底上的w8一c样.,实际势垒高度可能要比引州的6=0.50eV耍来得大,或者是由于所取常数A过失导致与实验结果不符..奉文仅报道了蝗刊步的验结果,更进一步的寞验及其理论探讨仍存进行之中. 1]:2][3]一4]:5][10]n1][12j[13]1●[15j参考文献Wronski.C.Ratal:ApplPhys.Lett.,49.1986:1378,-r?Tiedje.T:MatResSocSyrupPlc,49,1985:12trAbeles,B,andTiedje,..physRev.口t5l,1%》:卸03.01baraki,NandFritzsehe,H.:PhysRev,B$0,1984:5791Wang.SL.Wu.DH.andCheng,且G.:.lProcofInter.Worksho~.n'Amorphous Semiconductors,BeijinglChinalOctlq86》,WorldSciencePublisher.Singapore,Ed.by HFritzsehe.C.C1aindDx.HanP.239Hirose,M.∞dMiyazaki,SJ.Non-Cr驿t.s0llds.66,1984:aa7Zhang,ZY.eta】:J.Non—Cryst.Solids,97晟g8,1987:929Kakalios.J.etal:JNan—CrystSolids,e∞4:339Cheng.RG.etal:AoplPhys+Ltt..4g,|g8S:s91,J.Non—CrystSolids,77&78,198j:1061ndCheng,R.G:ChirlesePhys.Lett,5,i988:49Hundl1如seh.M.etal:J.,Appl'.Phys-'81.987:55g.Tsai,CCetal:JNon—Cr,ystSolids,77盎B,t"9g6:995Street,RAandThomDson,MJ:ApplPhysLett,45,1984:Z69Abeles,Betal:JNon—Cryst.Solids,77&78,1985:1065Roxlo,CB.etat:(OpticalEffectina/oor曲oUssemlcondueto'rs~,Ed.byP.C.Tay】andS.GBishop,1984:433.[16]Schottky.W:PhysZ..31,J930:91317]Wallmark,JT:ProeInst.RadioEng,45,1957:47418]Willens,RH:Appi.PhysLett.,49,1986-:663[193Levlne,BFetal-:App1.PhysLett,4e,1986:153166g:20]wilcgnsR.Hetal:ibid,49,1986:1647[21]Su,zm.etal:J.Non—Cryst.Solids,97&98,'1987:1363[22:Niu,Helal:Jpn.aApplPhys,15.1留6:6012]=等:昂si:Ti趣品格的礴光伏效,:1G,qLater$t~evoltaicEf~eevjnAnn6rphOUSSi/Tisup】atliQes●WangShulinHuangYuhovtgLuoWeigenChengRuguang~hahghaiInstitufeor.C~rah~cs;Ae~aemibSilica),Abstract Thispaperreportsthelateralphotovoltaieofanewkindofsuperlattices12011一sisting哪amorphousSiandFithinfilmsdelx~it棚bymagnetronsputterins.Itis found1haIthelateral~pbotovoltaieeffectStronglydependstOnsublayerthicknesses ofsuperlatticesandconduetaneetypeofsubs('rateemliloyed.ThToughchoosing parametersreasonably,goodlinearrelationshipbetweenlateralphotovoltageand light§pOtposition'canbeobtained.'K.y们fd:Lateralpbotovoitaice胁cfISupe山It.icesIAmorphoussilicon~AmorphoustitaniumTbinfilm.…fCI一一…f"-零簪矗,§t乏:一.e毒0...。

自然：三阴性乳腺癌非整倍体新靶点染色体基因拷贝数量发生变化，可产生非整倍体细胞，这是人类癌症最常见的基因变化。

由于癌细胞几乎都是非整倍体，而正常细胞几乎都是整倍体，故非整倍体细胞选择性靶向抑制剂是近年来十分热门的癌症治疗策略之一，尤其对于缺乏靶向治疗药物的三阴性乳腺癌。

不过，目前尚不明确人类癌细胞产生非整倍体的具体机制及其治疗靶点。

2021年1月27日，全球自然科学三大旗舰期刊之一、英国《自然》正刊在线发表以色列特拉维夫大学、美国麻省理工哈佛布罗德研究所、哈佛大学达纳法伯癌症研究所、佛蒙特大学、德国凯撒斯劳滕理工大学、意大利米兰大学、欧洲肿瘤研究所、荷兰格罗宁根大学的研究报告，探讨了三阴性乳腺癌等恶性肿瘤产生非整倍体的具体机制及其治疗靶点。

首先，该研究对大约1000种人类癌细胞系的非整倍体基因特征进行分析，并对基因和化学干扰作用进行筛查，以确定非整倍体所致肿瘤弱点。

结果发现，非整倍体癌细胞对确保有丝分裂期间染色体正确分离的纺锤体装配检查点核心组件基因干扰敏感性显著较高。

随后，该研究还出乎意料地发现，对于三阴性乳腺癌等恶性肿瘤，非整倍体癌细胞与二倍体癌细胞相比，对短时间暴露于多种纺锤体装配检查点抑制剂的敏感性显著较低。

实际上，随着时间延长，非整倍体癌细胞对纺锤体装配检查点抑制剂越来越敏感。

非整倍体细胞表现出异常的纺锤体几何形状和动力学，并且纺锤体装配检查点被抑制时保持分裂，造成有丝分裂缺陷越来越多，形成较不稳定且较不匹配的细胞核型。

虽然非二倍体癌细胞与二倍体细胞相比，较容易克服纺锤体装配检查点抑制剂，但是其长期繁殖受到抑制。

最后，该研究确定非整倍体癌细胞有丝分裂驱动蛋白KIF18A活性受到干扰。

耗尽KIF18A可显著抑制非整倍体癌细胞，而KIF18A过表达可恢复其对纺锤体装配检查点抑制剂的反应。

因此，该研究结果表明，非整倍体与纺锤体装配检查点之间合成致死相互作用具有治疗意义，非整倍体可使癌细胞对有丝分裂检查点抑制剂敏感，KIF18A有望成为三阴性乳腺癌等非整倍体恶性肿瘤的新靶点。