硝基化合物的合成与性质研究

第２８卷第１期　２０１０年０１月　佳木斯大学学报（自然科学版）　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｊｉａｍｕｓｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（Ｎａｔｕｒａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｅｄｉｔｉｏｎ）　Ｖ０１．２８　Ｎｏ．１　Ｊａｎ．２０ｌＯ　

文章编号：１００８—１４ｏ２１２ｏｌｏ）ｏｌ一０１１７—０３　

二苯甲酰甲烷的合成及其性质研究　

江欣，　杨立滨，　杨铭，　王旭，　杨春荣，　李秀玲，　田丽华　

（佳木斯大学药学院，黑龙江佳木斯１５４０７１）　

摘要：　采用克莱森酮酯缩合法合成了二苯甲酰甲烷（ＤＢＭ），并用元素分析、质谱、红外光谱对　

其进行了表征．研究了二苯甲酰甲烷的基本性质，化合物在２７０～３８０　ｎｌｎ的紫外区出现强吸收　

带，其化学结构式存在烯醇互变，液体状态下以烯醇式为主，易于形成分子内氢键．　

关键词：二苯甲酰甲烷；合成；性质　

中图分类号：０６２３．５２４　文献标识码：Ａ　

二苯甲酰甲烷（１，３一二苯基一１，３一丙二　

酮，简称ＤＢＭ）是一种重要的８一二酮类化合物．由　

于吸收波长位于２９０～４００　ｌｌｌｎ的紫外区，并且其无　

毒、无味、与聚合物具有良好的相容性，所以常用作　

高分子材料中的紫外线吸收剂…．近几年的研究表　

明，它的应用范围已逐渐扩大至医学领域，如王德　

伟等ｌ２　研究发现二苯甲酰甲烷能够拮抗二甲基甲　

酰胺（ＤＭＦ）的肝脏毒性，所以可以被开发为预防和　

治疗ＤＭＦ中毒的药物；王丽等　发现二苯甲酰甲　

烷和具有抗癌作用的查尔酮（１，３一二苯基丙烯　

酮）同属于甘草黄酮类化合物，因此，二苯甲酰甲烷　

还具有抗ＨＩＶ和抗肿瘤等药理作用．随着二苯甲　

酰甲烷应用范围的不断扩大，人们对其需求量也日　

益增加．开展ＤＢＭ的合成方法的研究具有比较重　

要的意义．本文开展了二苯甲酰甲烷的合成的研究，　

并在此基础上对其基本性质进行了初步的探讨．　

１仪器与试剂　ｍｅｒｉｔｓ　Ｓｐｅｃｔｒｕｍ　Ｏｎｅ　ＦＴ—ＩＲ）；紫外可见分光光度计　

（北京普析通用仪器有限责任公司）；质谱仪（Ａ西．　

第１４卷第３期　２　０　１　５年３月　南阳师范学院学报　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｎａｎｙａｎｇ　Ｎｏｒｍａｌ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　Ｖｏ１．１４　ＮＯ．３　Ｍａｒ．２０１５　

纳米Ｃｕ２Ｏ薄膜的电化学合成及性质研究　

杨　薇，夏晓丽，荣凌云，包晓玉　

（南阳师范学院化学与制药工程学院，河南南阳４７３０６１）　

摘要：采用阴极电沉积法合成了纳米ｃｕ：０薄膜．利用扫描电镜和ＸＲＤ对所得样品的形貌进行了表征，并用紫外可　见光谱法和循环伏安法对其性质进行研究．结果表明：纳米ｃｕ　Ｏ为立方结构，在３００～５００　ｎｍ有一个肩峰，在６５２　ｎｍ处有　一宽的吸收带，在ｐＨ＝４．７４的ＨＡＣ／ＮａＡｃ缓冲溶液中有一对氧化还原峰，峰电流与扫速的１／２次方呈线性关系．　关键词：电化学沉积；纳米氧化亚铜；紫外可见光谱法；循环伏安法　中图分类号：Ｏ　６２１．２５９．２　文献标志码：Ａ　文章编号：１６７１—６１３２（２０１５）０３—００１９一Ｏ５　氧化亚铜（Ｃｕ，Ｏ）是一种Ｐ型半导体，可被　４００～８００　ｎｍ的可见光直接激发，因此是一种廉价　的太阳能电池材料”　．由于其制备成本低且无毒，　所以引起研究者的广泛关注　．　氧化亚铜薄膜的制备方法主要有化学沉淀法、　热氧化法、气相沉积法和电化学沉积法　．但与　其他制备方法相比，电化学沉积法具有设备简单、　成本低、工艺参数容易控制、沉积的纳米粒子不容　易脱落等优点　，因而越来越受到学者关注．　本文以硫酸铜（ＣｕＳＯ　）和醋酸钠（ＮａＡｃ）的水　溶液作为电解液，采用阴极电沉积法在导电玻　（ＩＴＯ）片上制备了纳米Ｃｕ，Ｏ薄膜，并通过控制反　应条件制备出了高质量的纳米Ｃｕ：Ｏ薄膜，表征了　纳米Ｃｕ　Ｏ薄膜的形貌和结构，并利用循环伏安法　和吸收光谱法研究了该膜的电化学性质和光谱　性质．　１　实验部分　１．１仪器与试剂　ＣＨＩ　６６０Ａ型电化学工作站（美国ＣＨＩ公司）；　ＦＥＩ—Ｑｕａｎｔａ一２００环境扫描电子显微镜（荷兰ＦＥＩ　公司）；ＢｒｕｋｅｒＡｐｅｘ　ＩＩ型ｘ射线粉末衍射仪（德国　布鲁克公司）；超声波清洗器（昆山市超声仪器有　限公司）；ＴＫＡ—ＧｅｎＰＵＲＵＶ—ＴＯＣ／ＵＦ型超纯水制　造仪．　ＩＴＯ导电玻璃（Ｒ＜７１￣／ｃｍ　，珠海凯为电子元　器件有限公司），实验时切割成５０　ｍｍ　ｘ　１０　ｍｍ×　１．１　ｍｍ；硫酸铜（分析纯，上海市国药集团化学试　剂有限公司）；醋酸钠（分析纯天津市风船化学试　剂科技有限公司）；实验用水为超纯水．　１．２实验方法　１．２．１纳米Ｃｕ，Ｏ薄膜的制备　，将切割好的ＩＴＯ按文献［２］清洗后作工作电　极，铂丝作对电极，饱和甘汞电极作参比电极，电解　液为５０　ｍＭ　ＣｕＳＯ　和０．１Ｍ　ＮａＡｃ溶液中，温度　３０℃，沉积时间３０　ｍｉｎ，利用ＣＨＩ６６０Ａ型电化学　工作站控制沉积电位一０．２０　Ｖ进行电化学沉积．　沉积完成之后，用超纯水冲洗薄膜，然后在室温下　干燥．　１．２．２样品表征　用ＢｒｕｋｅｒＡｐｅｘ　ＩＩ型ｘ射线粉末衍射仪（德国　布鲁克公司生产）对产物的结构进行表征；用　ＦＥＩ—Ｑｕａｎｔａ一２００环境扫描电子显微镜（荷兰ＦＥＩ　公司生产）对产物的形貌进行表征．　１．２．３　Ｃｕ，Ｏ薄膜的紫外可见吸收光谱实验　以空白ＩＴＯ作参比，于Ｌａｍｂｄａ６５０　Ｓ型紫外可　见光谱仪上作紫外可见光谱图．　１．２．４　Ｃｕ，０薄膜的电化学实验　以裸ＩＴＯ电极和纳米Ｃｕ：０修饰的ＩＴＯ电极　为工作电极，铂丝为对电极，饱和的汞电极为参比　电极，电解液为１０　ｍＭ　ＣｕＳＯ　和０．１　Ｍ　ＮａＡｃ溶液，　温度３０℃，沉积时间２　ｍｉｎ，利用ＣＨＩ６６０Ａ型电化　学工作站控制沉积电位一０．２０　Ｖ进行电化学沉　积．沉积完成之后，用超纯水冲洗薄膜，然后放入　ｐＨ＝４．７４的０．５　ｍｏｌ／Ｌ的ＨＡｃ／ＮａＡｃ缓冲溶液　中，于一０．８　Ｖ到０．８　Ｖ范围内进行循环伏安法　收稿日期：２０１４—１０—０２　基金项目：２０１３年国家级大学生创新创业训练计划项目（２０１３１０４８１０９０）　通信作者：包晓玉（１９６３一

第３２卷第２期　２０１３年４月　天　津　工　业　大　学　学　报　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＴＩＡＮＪＩＮ　Ｐ０ＬＹＴＥＣＨＮＩＣ　ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ　Ｖｏ１．３２　Ｎｏ．２　Ａｐｒｉｌ　２０１３　

聚噻吩衍生物的合成及光电性质研究　

乌海燕，刘福德，王　娟，周　勇　

（天津理工大学化学化工学院，天津３００３８４）　

摘要：通过化学氧化聚合法合成了３种聚噻吩衍生物，并通过测定紫外一可见吸收光谱、荧光光谱、光致发光光谱　以及循环伏安曲线对３种聚合物的光电性质进行了表征，确定其光学性质、带隙及ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ轨道能　量．结果表明，在噻吩环３一位引入长链取代基可提高聚合物最大吸收波长Ａ　，降低聚合物带隙．　关键词：聚噻吩；光电性质；禁带宽度；－ｒＥ学氧化法　中图分类号：ＴＱ０３１．２　文献标志码：Ａ　文章编号：１６７１—０２４Ｘ（２０１３）０２—００５４—０３　

Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｈ０ｔＯｅｌｅｃｔｒＯｎｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｐｏｌｙｔｈｉＯｐｈｅｎｅｓ　

ＷＵ　Ｈａｉ—ｙａｎ，ＬＩＵ　Ｆｕ—ｄｅ，ＷＡＮＧ　Ｊｕａｎ，ＺＨＯＵ　Ｙｏｎｇ　

（Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｔｉａｎｊｉｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ　３００３８４，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｒｅｅ　ｋｉｎｄｓ　ｏｆ　ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ　ａｒｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｏｘｉｄａｔｉｖｅ　ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ．Ｔｈｅ　ＵＶ－Ｖｉｓ　ｓｐｅｃｔｒａ，　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒａ．ＰＬ　ａｎｄ　ＣＶ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｈｒｅｅ　ｐｏｌｙｍｅｒｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ．ｔｈｅ　ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ｂａｎｄ　ｇａｇ　ａｎｄ　ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ　ｏｒｂｉｔａｌ　ｅｎｅｒｇｙ　ｏｆ　ｔｈｅｍ　ａｒｅ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｉｔ　ｉｓ　ｃｏｎｃｌｕｄｅｄ　ｔｈａｔ　ａ　ｌｏｎｇ　ｃｈａｉｎ　ａｌｋｙｌ　ｇｒｏｕｐ　ａｔ　３一ｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　ｒｉｎｇ　ｃａｎ　ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　～ａｎｄ　ｄｅｃｒｅａｓｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｏｆ　ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ｐｈｏｔｏｅ｜ｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ；ｂａｎｄ　ｇａｐ；ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　

InP纳米晶的合成及性质研究

半导体纳米晶具有量子尺寸效应和独特的光学性质,可广泛地应用在光电器件、生物标记、太阳能电池、光催化等方面。这使半导体纳米晶成为越来越多研究者研究的热点。

在过去三十年里,II-VI族纳米晶是这些半导体纳米晶中研究最深入、最广泛的材料。然而,II-VI族纳米晶大多含有对环境有害的高毒性元素（Cd、Hg等）,因此限制了其大规模、商业化生产。

InP纳米晶具有和II-VI族纳米晶相似的光学性质,不含Cd、Pb、Hg等重金属,具有环保低毒的优点,成为代替II-VI族纳米晶的最佳候选材料。合成InP纳米晶最常用的磷源为三（三甲基硅烷基）-膦（P（SiMe3）3）,但这种磷源价格昂贵、性质活泼安全性较差。

新型磷源三（二甲胺基）膦或者三（二乙胺基）膦（P[N（CH3）2]3或P[N（CH3CH2）2]3）具有安全、经济的特点,可代替P（SiMe3）3。直接合成的In P纳米晶发射范围有限,掺杂可以扩宽材料的发射范围。

在ZnSe材料中掺杂Ag离子比掺杂Cu离子具有更好的稳定性,所以我们在InP纳米晶中掺杂Ag离子从而扩宽其发射范围。本文第二章使用安全、经济的新型磷前体P[N（CH3）2]3,采用高温热注入法合成了InP纳米晶,并系统研究了油胺（OLA）浓度的变化、反应的阴阳前体比等反应参数对InP纳米晶合成的影响。

另外,通过逐步升温的方法调节反应的温度最终得到不同发射、尺寸分布较为均一的In P纳米晶,从而实现了InP纳米晶的尺寸从1.8 nm到4.2 nm连续可调。本文第三章采用生长掺杂的方法,在InP纳米晶中掺入Ag离子成功合成了Ag:InP纳米晶,实现了InP纳米晶发射范围的扩大。

另外,本章还研究了掺杂浓度和掺杂温度对Ag:InP纳米晶的荧光量子效率的影响。随着Ag掺杂浓度和掺杂温度的增加,Ag:InP纳米晶的荧光量子效率都呈现先增加后减小的趋势。

当Ag离子的掺杂浓度为5%,掺杂温度为160℃时,光致发光性质最优,其荧光效率可达到8%。通过调节In P纳米晶的尺寸,实现了Ag:InP纳米晶的发射范围从640 nm到1000 nm可调。