多晶硅铸锭炉生产工艺控制技术
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多晶硅铸锭炉操作与生产流程1.原料准备原料是多晶硅的硅块或硅片。
准备的原料要求纯度高,无杂质。
为了提高生产效率,原料通常以小块装入托盘,方便连续供给。
2.炉体预热炉体预热是为了将炉体温度提升到适宜的熔解温度。
通常炉体内设置有电炉加热器和保温层,通过电热加热将炉体温度升高。
3.熔化和铸炉炉体预热至适宜的温度后,将原料加入炉体中进行熔化。
通常使用电炉或辐射加热方式进行熔化。
熔化后,需要将熔融硅液进行搅拌和均匀化处理,以消除内部的应力和局部温度差异。
然后,将熔融硅液进行铸炉,通过向下拉拔和旋转的方式,将熔融硅液逐渐冷却并形成铸锭。
在铸炉过程中,需要对炉温进行控制,以确保铸锭的质量。
4.冷却和卸锭完成铸炉后,需要将铸锭进行冷却。
冷却方式通常有自然冷却和快速冷却两种选择,根据产品需求进行选择。
冷却后,铸锭需要进行卸锭处理。
卸锭时需要注意操作,确保铸锭的完整和质量。
通常使用机械卸锭设备进行卸锭。
以上就是多晶硅铸锭炉的操作流程。
下面将介绍多晶硅铸锭炉的生产流程。
1.原料准备在生产流程中,需要对原料进行准备和筛选,确保原料的纯度和质量。
2.熔化和铸炉将原料加入炉体中,通过炉体的加热和熔化,得到熔融硅液。
然后进行熔融硅液的搅拌和均匀化处理,进行铸炉制程。
3.冷却和卸锭铸炉后,对铸锭进行冷却处理。
冷却方式根据产品要求进行选择,可以选择自然冷却或快速冷却。
冷却后,使用机械卸锭设备进行卸锭完整性和质量。
4.切片和加工经过卸锭的多晶硅铸锭,需要进一步进行切片和加工,得到所需的硅片和单晶硅。
5.检测和质量控制以上就是多晶硅铸锭炉的操作和生产流程。
该过程需要严格控制各个环节的参数和操作,以确保最终产品的质量和性能。
多晶硅铸锭炉生产工艺控制技术和设备组成
多晶硅铸锭炉是多晶硅制造的关键设备之一,其工艺流程的稳定性、设备控制的稳定性和先进性直接关系到是否能够生产出合格的硅锭,而合格的硅锭直接决定着硅片制成的电池的光电转换效率。
因此,详细地介绍了多晶硅铸锭炉的生产工艺,并主要对抽真空系统,压力控制系统、加热系统、测温系统、保温层升降系统等设备组成展开分析,探讨了控制系统的硬件控制结构、软件流程以及在设计时体现出的独到的设计理念和创新性。
引言
在世界能源形势日益严峻的当下,太阳能光伏产业得到了迅速的发展。
硅是太阳能电池重要的化学组成,多晶硅铸锭炉可以通过熔融和定向长晶凝固技术对硅进行调整和切片,使其成为符合太阳能电池生产要求的材料。
完善的生产工艺控制系统和科学的设备组成使得多晶硅铸锭炉可以保证较高的可靠性和稳定性。
1、多晶硅铸锭炉生产工艺
多晶硅铸锭炉的生产工艺是将热交换法和布里曼法进行了结合,硅在铸锭炉内发生结晶,硅锭生产加热过程中底部的隔热层和炉的保温层确保了严密的闭合状态,从而避免了硅锭生产热量的外泄和温度的不均衡造成的硅锭受热不均衡,为硅锭长晶创造了良好的环境。
当铸锭炉内的硅锭出现结晶情况时,开始向炉内充入保护器,在保持熔融硅原料的坩埚位置不变的情况下将保温层进行升高,这时保温层与隔热层之间会出现缝隙,坩埚底部的热量便会通过这个空隙散发出去,炉壁和气体这样的热量置换使得坩埚底部的温度逐渐降低,已经完成结晶的材料便会从加热区离开,但是熔融的硅液体却不会离开,使得硅锭结晶过程中固体和液体的界面形成了较为稳定的温度梯。
多晶硅铸锭工艺流程首先是炉外气氛净化的工艺步骤。
炉外气氛净化是为了防止多晶硅制备过程中受到杂质的污染。
该步骤通常包括热氢气体的预净化、氢气和氩气混合气体的净化和净化后流经硅原料的高纯气流净化等过程,以确保多晶硅的高纯度。
接下来是硅熔炼的工艺步骤。
硅熔炼是将高纯度硅原料进行熔融,形成硅液的过程。
一般采用的炉型有电阻炉和感应炉。
原料硅经过预热后在熔炼炉中加热至熔点以上,形成熔融的硅液。
为了保证硅液的纯度,熔炼中要注意控制氧气含量以避免氧化,同时定期检测硅液中的杂质含量。
第三个步骤是硅液稀释。
硅液稀释是为了减少硅液的纯度,使其适用于铸锭成型。
主要通过向硅液中加入高纯度的硅原料稀释剂,将硅液的纯度降低到所需的水平。
稀释剂加入的量需要根据目标硅液纯度和成本来进行调整。
接下来是浇注成铸锭的工艺步骤。
稀释后的硅液通过铸锭机浇注进铸锭模具中,形成硅铸锭。
为了确保铸锭质量,需要控制浇注速度、温度和铸锭旋转速度等参数。
同时还要注意避免气泡和杂质的污染。
然后是退火的工艺步骤。
铸锭成型后需要进行退火处理,以消除内部应力和杂质的影响,提高硅材料的电学性能。
退火条件通常包括温度、气氛和时长的控制。
通过退火处理,硅铸锭的结晶结构得到优化,提高了电池和集成电路的性能。
最后是切割的工艺步骤。
硅铸锭经过退火处理后,需要进行切割成硅片。
切割通常采用线切割或磁力切割技术。
切割后的硅片可以用于制备太阳能电池或集成电路等应用。
综上所述,多晶硅铸锭工艺流程包括炉外气氛净化、硅熔炼、硅液稀释、浇注成铸锭、退火和切割等步骤。
每一步骤都需要严格控制工艺参数,以确保多晶硅的高纯度和铸锭的质量。
这些工艺步骤是制备高质量多晶硅铸锭的关键。
多晶硅铸锭炉操作与生产流程多晶硅铸锭是制备太阳能电池元件的重要材料之一、多晶硅铸锭炉的操作与生产流程包括原料准备、炉料制备、炉料充填、炉体封闭、炉体预热、炉体烧结、炉体冷却、铸锭取出等多个环节。
下面将逐一介绍这些环节的具体过程。
首先是原料准备。
多晶硅铸锭的主要原材料是硅石(SiO2)和木炭(C)。
硅石作为含硅的原料,在反应过程中能与木炭发生反应生成多晶硅。
为了保证炉料中硅石和木炭的质量均匀性和纯度,需要进行粉碎、筛分和干燥等处理。
接着是炉料制备。
将经过处理的硅石和木炭按一定比例混合,形成炉料。
炉料的混合比例对最终多晶硅铸锭的质量有很大影响,需要经过工艺参数的优化。
炉料充填是将炉料填充进铸锭炉中的过程。
首先,在铸锭炉的底部放置一层中性炉底材料,然后将炉料均匀地放置在中性炉底材料上,并用振动装置进行压实,以确保炉料充填的均匀性和致密性。
炉体封闭是指将铸锭炉密封起来,以防止炉内温度损失和杂质的进入。
封闭可以通过炉盖或壳体的安装等方式进行。
炉体预热是在充填好炉料并封闭炉体后,将铸锭炉进行加热。
预热的目的是将炉料中的水分和其他杂质蒸发和氧化,为炉体烧结做准备。
炉体烧结是将铸锭炉内的炉料进行高温加热,使硅石和木炭发生化学反应生成多晶硅。
炉体烧结的过程中需要控制炉内的气氛,以保证反应能够正常进行,并通过周期性的气氛调整来降低氧气、水分和其他杂质的含量。
炉体冷却是将烧结好的多晶硅铸锭炉进行冷却。
冷却过程需要控制冷却速度,以避免产生过多的晶界缺陷。
冷却的同时,还需要进行炉体内部的清理,以去除可能存在的杂质。
最后是铸锭取出。
在冷却完成后,将多晶硅铸锭从炉体中取出。
取出后,需要对铸锭进行切割和抛光等处理,得到适合太阳能电池元件制备的晶体硅片。
以上就是多晶硅铸锭炉的操作与生产流程的具体介绍。
通过上述环节的有序进行,能够得到质量稳定、纯度高的多晶硅铸锭,为后续的太阳能电池元件制备提供可靠的材料基础。
多晶硅铸锭炉是太阳能光伏产业中,最为重要的设备之一。
它通过使用化学方法得到的高纯度硅熔融,调整成为适合太阳能电池的化学组成,采用定向长晶凝固技术将溶体制成硅锭。
这样,就可切片供太阳能电池使用。
多晶硅铸锭炉采用的生长方法主要为热交换法与布里曼法结合的方式。
这种类型的结晶炉,在加热过程中保温层和底部的隔热层闭合严密,保证加热时内部热量不会大量外泄,保证了加热的有效性及加热的均温j生。
开始结晶时,充入保护气,装有熔融硅料的坩埚不动,将保温层缓慢向上移动,坩埚底部的热量通过保温层与隔热层之间的空隙发散出去,通过气体与炉壁的热量置换,逐渐降低坩埚底托的温度。
在此过程中,结晶好的晶体逐步离开加热区,而熔融的硅液仍然处在加热区内。
这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度,有利于晶体的生长。
其特点是液相温度梯度dT/dX 接近常数,生长速度可调。
通过多晶硅铸锭法所获得的多晶硅可直接获得方形材料,并能制出大型硅锭;电能消耗低,并能用较低纯度的硅作投炉料;全自动铸锭炉生产周期大约50 h可生产200 kg以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;采用该工艺在多晶硅片上做出电池转换效率超过14%。
多晶硅铸锭炉融合了当今先进的工艺技术、控制技术、设备设计及制造技术,使它不仅具有完善的性能,而且具有稳定性好、可靠性高,适合长时间、大批量太阳能级多晶硅的生产。
1、多晶硅铸锭炉的主要工艺特点太阳能级多晶硅的生产。
根据以上的多晶硅铸锭炉定向生长凝固技术原理,并结合我国当前实际需要,我们特别制定了以下的工艺流程。
多晶硅主要工艺参数如下。
第一步:预热(1)预热真空度:大约1.05 mPa;(2)预热温度:室温一1 200 oC;(3)预热时间:大约15 h;(4)预热保温要求:完全保温。
第二步:熔化(1)熔化真空度:大约44.1 Pa;(2)熔化温度:1 200℃~1 550℃;(3)熔化时间:大约5 h;(4)熔化保温要求:完全保温;(5)开始充保护气。
多晶硅铸锭炉操作与生产流程
1.原料准备
2.模具装配
将石墨模具装配成铸锭上模具和下模具,并在模具之间安装密封圈,
确保在铸造过程中不会泄漏。
3.预热
将装配好的石墨模具放入铸锭炉中,通过加热炉子使模具达到一定的
温度,以便后续的铸造工作。
4.硅块装配
将切割好的硅块放入模具中,并用石墨杆轻轻压实,确保硅块与模具
接触良好,避免产生气孔和缺陷。
5.密封
将装配好的铸锭放入铸锭炉中,并将炉门密封,以防止炉内温度损失。
6.加热
将密封好的铸锭炉放入高温炉中,并通过控制炉内的温度和时间,使
硅块逐渐熔化,并达到所需的熔化温度。
在这个过程中,需要控制炉内的
气氛,确保炉内没有氧气和杂质进入。
7.冷却
在达到所需的熔化温度后,将炉子从高温炉中取出,并迅速放入冷却池中或者冷水中进行快速冷却。
这个过程被称为凝固,通过快速冷却,硅块中的硅液会迅速变成固态,形成铸锭的基本形状。
8.脱模
在冷却完全后,将冷却好的铸锭从模具中取出,并进行去杂、抛光等处理,最终得到一块完整的多晶硅铸锭。
9.收尾处理
将脱模后的多晶硅铸锭进行检查,对其进行尺寸、重量、外观以及其他性能指标的检测,以确定其质量和可用性。
10.包装和贮存
对于符合质量要求的多晶硅铸锭,进行包装,并将其分别存放在特定的贮存场所中,以便后续的晶体生长和硅片切割工艺。
以上是多晶硅铸锭炉的操作与生产流程的基本步骤,每个步骤都需要严格控制和操作,以确保多晶硅铸锭的质量和性能。
在实际生产中,还需要根据具体的设备型号、工艺要求和质量标准进行相应的调整和改进。
多晶硅铸锭装备的关键工艺参数控制研究摘要:多晶硅铸锭是太阳能光伏产业中的重要原材料,其质量对太阳能电池的性能和寿命有着直接影响。
因此,研究多晶硅铸锭装备的关键工艺参数控制成为了一个重要的课题。
本文通过对多晶硅铸锭工艺过程中温度、熔体成分和晶种浓度等关键参数的研究,深入探讨了如何控制多晶硅铸锭装备的关键工艺参数,以提高多晶硅铸锭的质量和降低成本。
1. 引言多晶硅铸锭是太阳能电池制造的主要原材料之一,其质量和性能直接影响太阳能电池的效率和寿命。
因此,研究多晶硅铸锭装备的关键工艺参数控制,对于提高太阳能电池产业的竞争力具有重要意义。
2. 工艺参数的选择和控制2.1 温度控制多晶硅铸锭的熔化和结晶过程容易受到温度的影响。
过高或者过低的温度都会导致硅溶液不稳定,进而影响硅晶体生长的质量。
因此,合理控制温度是保证多晶硅铸锭质量的关键。
目前,在硅铸锭装备中,常采用感应加热装置进行加热控制,通过对加热功率和加热时间的调节来实现温度控制。
2.2 熔体成分控制多晶硅铸锭的熔化过程中,熔体的成分对最终晶体的质量有着重要影响。
研究表明,添加适量的掺杂元素(如硼、磷、铝等)可以改善硅晶体的电学性能,提高太阳能电池的效率。
因此,合理控制熔体成分,通过添加适当的掺杂元素,可以提高多晶硅铸锭的质量和电学性能。
2.3 晶种浓度控制晶种是多晶硅铸锭生长的起始点,其浓度直接影响多晶硅铸锭的晶粒尺寸和取向性。
研究表明,较高的晶种浓度可以促进多晶硅铸锭的正常生长,并且可以提高多晶硅铸锭的结晶取向性。
因此,合理控制晶种的浓度,可以有效地提高多晶硅铸锭的质量和晶体取向性。
3. 控制策略和优化方法为了实现多晶硅铸锭装备的工艺参数控制,可以采用以下策略和方法:3.1 建立数学模型通过建立多晶硅铸锭工艺的数学模型,可以实现对关键工艺参数的控制。
利用数值模拟软件,可以模拟和分析硅溶液的温度分布、质量变化等参数,从而找到最佳的工艺参数组合。
3.2 优化算法通过利用优化算法,如遗传算法、粒子群算法等,可以对多晶硅铸锭工艺的关键参数进行优化。
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多晶硅铸锭装备的自动化调节和优化控制随着科技的不断发展和工业领域的进步,多晶硅铸锭装备的自动化调节和优化控制在高温材料处理中变得越来越重要。
本文将深入探讨多晶硅铸锭装备的自动化调节和优化控制的相关内容,包括其背景、技术要求以及应用前景。
一、背景多晶硅铸锭装备是用于制造具有高纯度和高晶格质量的多晶硅的关键设备。
多晶硅在光伏、半导体等领域有广泛应用,其品质对产品的性能和质量有着决定性的影响。
因此,多晶硅铸锭装备的自动化调节和优化控制对于提高多晶硅的生产效率和质量非常重要。
二、技术要求1.温度控制:多晶硅铸锭装备中的高温环境对温度控制的要求非常高。
通过自动化调节和优化控制,实时监测温度变化,并根据设定的温度范围进行自动调节,以确保多晶硅的生长过程中温度的稳定性和一致性。
2.过程监测:多晶硅铸锭装备的自动化调节和优化控制需要对整个生产过程进行实时监测。
通过传感器、监测设备等技术手段,收集和分析数据,以及时发现和解决潜在问题,确保生产过程的稳定性和可控性。
3.质量控制:多晶硅的生产质量对于产品的性能和品质至关重要。
自动化调节和优化控制可以通过实时监测和数据分析,及时掌握生产过程中的质量变化,并进行自动调节和修正,确保多晶硅的质量符合标准要求。
4.能耗控制:多晶硅铸锭装备在高温条件下工作,对能源的消耗较大。
自动化调节和优化控制可以通过优化传热、降低能耗等措施,提高生产效率,降低能源消耗,实现可持续发展。
三、应用前景1.提高生产效率:多晶硅铸锭装备的自动化调节和优化控制可以提高生产效率,减少人为操作的错误,提高生产线的稳定性和一致性。
这将有效降低生产成本,提高企业的竞争力。
2.优化产品质量:多晶硅的质量对于最终产品的性能有直接影响。
自动化调节和优化控制可以实时监测生产过程中的质量变化,及时调节和优化生产参数,提高产品的一致性和稳定性,从而提高产品的质量。
3.降低能耗:多晶硅铸锭装备在高温条件下工作,能源消耗较大。
多晶硅铸锭炉是太阳能光伏产业中,最为重要的设备之一。
它通过使用化学方法得到的高纯度硅熔融,调整成为适合太阳能电池的化学组成,采用定向长晶凝固技术将溶体制成硅锭。
这样,就可切片供太阳能电池使用。
多晶硅铸锭炉采用的生长方法主要为热交换法与布里曼法结合的方式。
这种类型的结晶炉,在加热过程中保温层和底部的隔热层闭合严密,保证加热时内部热量不会大量外泄,保证了加热的有效性及加热的均温j生。
开始结晶时,充入保护气,装有熔融硅料的坩埚不动,将保温层缓慢向上移动,坩埚底部的热量通过保温层与隔热层之间的空隙发散出去,通过气体与炉壁的热量置换,逐渐降低坩埚底托的温度。
在此过程中,结晶好的晶体逐步离开加热区,而熔融的硅液仍然处在加热区内。
这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度,有利于晶体的生长。
其特点是液相温度梯度dT/dX 接近常数,生长速度可调。
通过多晶硅铸锭法所获得的多晶硅可直接获得方形材料,并能制出大型硅锭;电能消耗低,并能用较低纯度的硅作投炉料;全自动铸锭炉生产周期大约50 h可生产200 kg以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;采用该工艺在多晶硅片上做出电池转换效率超过14%。
多晶硅铸锭炉融合了当今先进的工艺技术、控制技术、设备设计及制造技术,使它不仅具有完善的性能,而且具有稳定性好、可靠性高,适合长时间、大批量太阳能级多晶硅的生产。
1、多晶硅铸锭炉的主要工艺特点
太阳能级多晶硅的生产。
根据以上的多晶硅铸锭炉定向生长凝固技术原理,并结合我国当前实际需要,我们特别制定了以下的工艺流程。
多晶硅主要工艺参数如下。
第一步:预热
(1)预热真空度:大约1.05 mPa;(2)预热温度:室温一1 200 oC;(3)预热时间:大约15 h;
(4)预热保温要求:完全保温。
第二步:熔化
(1)熔化真空度:大约44.1 Pa;(2)熔化温度:1 200℃~1 550℃;(3)熔化时间:大约5 h;
(4)熔化保温要求:完全保温;(5)开始充保护气。
第三步:长晶
(1)长晶真空度:大约44.1 Pa;(2)长晶温度:1 440℃~1 400 oE;(3)长晶时间:大约10 h;
(4)长晶保温要求:缓慢取消保温;(5)连续充保护气。
第四步:退火
(1)退火真空度:大约44.1 Pa;(2)退火温度:i 400℃~1 000 oC;(3)退火时间:大约8.5 h;(4)退火保温要求:完全保温;(5)连续充保护气。
第五步:冷却
(1)冷却真空度:大约52.5 Pa;(2)冷却温度:1 000℃~400~C;(3)冷却时问:大约6 h;
(4)冷却保温要求:完全保温;(5)连续充保护。
2 、多晶硅铸锭炉设备组成
为了完成上述连续的工艺过程,全自动多晶硅铸锭炉设计由下面几大部分组成,它们分别为抽真空系统、加热系统、测温系统、保温层升降系统、压力控制系统及其它辅助系统。
(1)抽真空系统
抽真空系统是保持硅锭在真空下,进行一系列处理,要求在不同的状态下,保持炉内真空压力控制在一定范围内。
这就要求真空系统既有抽真空设备,同时还有很灵敏的压力检
测控制装置。
保证硅锭在生长过程中,处于良好的气氛中。
抽真空系统
由机械泵和罗茨泵、比例阀旁路抽气系统组成。
(2)加热系统
加热系统是保持工艺要求的关键,采用发热体加热,由中央控制器控制发热体,并可保证恒定温场内温度可按设定值变化;同时控制温度在一精度范围内。
完成硅锭在长晶过程中对温度的精确要求。
(3)测温系统
测温系统是检测炉内硅锭在长晶过程中温度的变化,给硅锭长晶状况实时分析判断系统提供数据,以便使长晶状况实时分析判断系统随时调整长晶参数,使这一过程处于良好状态。
(4)保温层升降系统
保温层升降机构是保证硅锭在长晶过程中,保持良好的长晶速度,它是通过精密机械升降系统,并配备精确的位置、速度控制系统来实现。
保证硅锭晶核形成的优良性,保证光电转化的高效性。
(5) 压力控制系统
压力控制系统主要保证炉内硅锭在生长过程中,在一特定时问段内,压力根据工艺要求保持在一压力下。
它由长晶状况实时分析判断系统来控制。
(6)其它辅助系统
①熔化及长晶结束自动判断系统:通过i贝0量装置检测硅料状态,自动判断硅料的状态,为控制系统提供数据,实时判断控制长晶。
②系统故障诊断及报警系统:为了保证系统长时间可靠运行,系统提供了系统故障自诊断功能,采用人机对话方式,帮助使用者发现故障,及时排除故障,为设备安全可靠的运行提供了安全保障。
3、多晶硅铸锭炉控制系统硬件结构组成
为了实现设备的几大系统功能,必须有强大的计算机控制系统来完成,以往简单的控制系统已难当此任。
本控制系统采用分布式现场总线技术,它由中央控制器、现场控制器、现场控制器的控制单元、执行机构组成。
该系统不仅通讯可以冗余,控制器也可以冗余,故障率几乎为零。
中央控制器与现场控制器之间通过工业以太网联接起来。
由控制台发布指令,中央控制器接受指令,通过网络系统下达到现场控制器,现场控制器根据实际情况分析判断,给执行机构下达动作命令。
4、多晶硅铸锭炉控制系统软件控制流程
强大的硬件系统,必须有相应的控制软件提供强有力的控制算法,合理的控制程序作为保障,才能使控制的参数得到优化,达到控制的精度,并提供设备故障的自诊断,为设备的可靠、安全运行提供保障。
(1)工艺配方编辑系统
提供设备工艺配方编辑的环境,使用户方便地对工艺配方进行编辑输入、修改。
提供智能化的工
艺配方合理性检查,排除工艺配方中错误以及不合理的地方。
(2)长晶状况实时分析判断系统
在铸锭炉的工艺运行过程中,可分为预热流程、熔化流程、长晶流程、退火程和冷却
流程等几个主要流程。
在这几个流程运行过程中,长晶状况实时分析判断系统要实时分析判断各个长晶参数,以便随时对它们作出调整,以最合适的运行参数进行控制。
长晶状况实时分析判断系统是设备控制的核心部分,对它的合理规划和合理设计,充分体现设备的创新性,具有完全的自主的知识产权。
在预热阶段,对坩埚中硅料进行缓慢的加热,并排除炉内的气体,使空气中的有害气体成分对硅料不会产生影响。
在熔化阶段,加热温度超过硅料融化温度,使硅料充分融化为液态,为下一步凝固长晶做好准备。
这期间长晶状况实时分析判断系统,通过传感器随时对炉内硅料融化情况作出分析判断,通过人机对话平台,随时作出提示。
在长晶阶段,长晶状况实时分析判断系统,使处于恒温场中的熔融硅料通过保温层的提升系统,坩埚中的熔融硅料自下向上,缓慢地进入冷场中,完成凝固长晶。
由于保温层的提升速度可自由控制,因此长晶速度就可控制,这样就可生长出高品质的硅锭。
这期间长晶状况实时分析判断系统,通过传感器随时对炉内硅料生长情况作出分析判断,通过人机对话平台,随时作出提示。
在退火阶段,长晶状况实时分析判断系统对恒温场中的温度作调整,防止由于降温过快对已长晶完成的硅锭造成不良影响。
在冷却阶段,硅锭自然降温,为出炉做好准备。
5 、结论
多晶硅铸锭炉是我所2006年国家863科研攻关项目。
于2006年立项经过两年艰苦攻关,在借鉴国外先进技术的基础上,结合本国国情,2008年完成工艺实验,取得了良好的控制效果。
并已基本定型。
DDL一240多晶硅铸锭炉的工艺流程及控制系
统属我所自主研发,并取得了非常好的控制效果,完全达到国外同类技术的水平。
在某些控制技术方面甚至超过国外同类设备。