单结晶体管触发电路

单结晶体管触发电路波形
咱来说说单结晶体管触发电路波形是啥。

有一次我去一个工厂参观，看到一些奇怪的图形在屏幕上跳来跳去。

我就好奇地问旁边的师傅这是啥，师傅说这是单结晶体管触发电路波形。

单结晶体管触发电路波形呢，就像是一个调皮的小波浪。

它一会儿高一会儿低，一会儿快一会儿慢。

比如说，你看大海的波浪，有大有小，有急有缓。

单结晶体管触发电路波形就有点像那个，只不过是在电子世界里。

在生活中，单结晶体管触发电路波形虽然我们平时不太注意，但它可重要了。

它能控制一些电器的工作，让它们按照一定的规律运行。

就像我在工厂看到的那些波形，让我对单结晶体管触发电路波形有了更直观的认识。

嘿嘿。

提高单结晶体管触发电路的振荡频率的方法摘要：一、引言二、单结晶体管触发电路的基本原理1.单结晶体管的结构和工作原理2.触发电路的作用和构成三、提高振荡频率的方法1.优化器件参数1) 选用合适的单结晶体管型号2) 调整发射极电阻2.改进电路设计1) 采用谐振回路2) 调整电容和电感参数3) 使用反馈网络四、实例分析1.具体电路设计2.振荡频率的计算和测试五、结论与展望正文：一、引言单结晶体管触发电路广泛应用于各类电子设备中，其振荡频率直接影响到整个电路的性能。

为了提高单结晶体管触发电路的振荡频率，本文将从基本原理入手，分析影响振荡频率的关键因素，并提出相应的优化方法。

二、单结晶体管触发电路的基本原理1.单结晶体管的结构和工作原理单结晶体管（Transistor）是一种半导体器件，由三个区域组成：发射极、基极和集电极。

在工作过程中，基极电流控制发射极与集电极之间的电流，从而实现信号的放大和开关控制。

2.触发电路的作用和构成触发电路是单结晶体管电路中的一部分，其主要作用是将输入信号转换为适合驱动负载的信号。

触发电路通常包括单结晶体管、电容、电感和电阻等元件。

三、提高振荡频率的方法1.优化器件参数（1）选用合适的单结晶体管型号：不同型号的单结晶体管具有不同的放大倍数和开关速度，选用合适的型号可提高振荡频率。

（2）调整发射极电阻：发射极电阻会影响单结晶体管的工作点，适当减小发射极电阻可以提高工作速度，从而提高振荡频率。

2.改进电路设计（1）采用谐振回路：在触发电路中加入谐振回路，可以提高信号的传输效率，从而提高振荡频率。

（2）调整电容和电感参数：电容和电感的大小直接影响到振荡电路的频率，适当减小电容和电感可以提高振荡频率。

（3）使用反馈网络：在电路中加入反馈网络，可以提高单结晶体管的开关速度，进而提高振荡频率。

四、实例分析1.具体电路设计以某型单结晶体管触发电路为例，根据上述方法优化电路参数，具体设计如下：（1）选用某型号单结晶体管作为开关元件。

单结晶体管触发电路看一看单结晶体管触发电路如图3-1所示，注意观察电路中所用的元器件，特别是有关元器件的型号或参数。

三极管9012的管脚图如图3-2所示，单结晶体管BT33的管脚图如图3-3所示。

图3-1 单结晶体管触发电路图3-2 9012的管脚图图3-3 单结晶体管BT33的管脚图知识链接单结晶体管的基本特性：1．等效电路单结晶体管等效电路如图3-4所示。

r b1：E与B1间电阻，随发射极电流而变，即IE上升，r b1下降。

rb2：E与B2间的电阻，数值与IE无关。

rbb：两基极间电阻。

rbb = r b1 + rb2η：称为分压比，r b1与rbb的比值，η一般在0.3 ~ 0.8 之间。

图3-4 单结晶体管等效电路图2．导通条件VEE > ηVBB + VD (VD为PN结的正向电压)想一想如图3-1所示，单结晶体管触发电路是如何工作的？做一做1．检测图3-1所示电路中的元器件。

2．根据图3-1所示电路完成印制板图设计（板子尺寸：100mm×80mm）。

3．根据设计的印制板图在多孔板上完成电路的装接。

注意：电解电容、二极管、稳压二极管、三极管和单结晶体管的极性。

测一测用示波器实测并画出单结晶体管触发电路各点波形图，将结果画入如图3-5所示。

图3-5 测各点波形学一学单结晶体管触发电路工作特点：1．电源变压器的二次侧24V交流电压经单相桥式整流后由稳压管V5削波得到梯形波电压，该电压既作为单结晶体管触发电路的同步电压，又作为单结晶体管的工作电源电压。

2．V7、V8组成直接耦合放大电路，V7采用PNP型管，V8采用NPN型管，触发电路的给定电压（U1）由电位器RP调节，U1经V8放大后加到V7。

三极管V7相当于由U1控制的一个可变电阻，它起到移相的作用。

3．V9~V11是三极管V8的基极正反向电压保护作用。

单结晶体管触发电路工作原理单结晶体管触发电路是一种非常重要的电路，在各个行业中都得到了广泛应用。

它主要应用在高斯脉冲发生器、时基电路、定时器、闪烁灯、时间测量等领域。

单结晶体管触发电路的工作原理非常简单，它是由一个晶体管和其他一些电子元件组成的。

当你给电路添加上电源后，将会形成一个初始电流。

当电路中的电容充电到一定的程度后，会导致晶体管的基极电压达到一个足够高的值，从而使其进入工作区域。

此时，晶体管的电流会发生突变，从而使电路上的其他元件也会产生相应的变化。

在单结晶体管触发电路中，晶体管发挥着重要的作用。

它在电路中扮演着开关的角色，即只有当它工作时，电路中才会有电流通过。

而当电路中的电容充满电荷后，晶体管就会被关闭，从而停止电流的流动。

这样，我们就可以利用电路中电容的充电过程，来控制晶体管的启闭状态。

除了晶体管之外，单结晶体管触发电路中其它的元件也起到了不可忽视的作用。

例如电容、电阻、二极管、放大器等。

它们每一个都有着特定的功能，从而保证了整个电路的正常运转。

还有一点要注意的是，单结晶体管触发电路是一种非常敏感的电路。

它对电压、电流、温度等因素都非常敏感，一旦受到外界干扰，就会导致电路的不稳定或失效。

综上所述，单结晶体管触发电路是一种非常重要的电路，其工作原理简单，但是应用领域非常广泛。

在实际应用中，我们需要注意电路的稳定性，同时也需要合理地搭配各个电子元件，以便使电路正常地工作。

单结晶体管触发电路在可控整流电路中，为使晶闸管在要求时刻导通，触发电路必须在每个正半波准确提供相同控制角触发脉冲串，而且控制角大小又可以人为调节，才能实现可控的目的。

触发电路种类繁多，此处介绍单结晶体管触发电路。

单结晶体管结构•基片：低电子浓度（两基极之间上下阻值很高，电流很小）、高电阻率的N型硅片，上下两端引出第二、第一基极（双基二极管），•硅片靠近上部烧结一片空穴浓度很高的P型硅片，引出发射极。

•管子一共三个电极，一个PN结，称为单结晶体管。

•下段电阻R B1所得的电压与两基极之间电压的比值称为分压比。

约0.5~0.9•使用时在发射极和第一基极之间加一个可调的正电压，将引起发射极电流，发射极电流和发射极电压之间的函数关系叫单结晶体管伏安特性。

•当发射极电压为第一基极电压+0.6V时，PN结导通，此时发射极电压叫做峰点电压，对应的电流叫做峰点电流。

•PN结导通后，P片高浓度空穴注入N片第一基极位置，使第一基极位置的载流子浓度增加，电阻率减小，第一基极的电阻R B1随即变小，出现伏安特性下降段的负阻区（电流增大，电压反而减小）。

•发射极电压跌至最低的数值叫做谷点电压U V，对应的电流叫做谷点电流，单结晶体管工作在谷点时，表明P区注入N区的载流子浓度达到极限，R B1阻值降低到最小值了，此时如果发射极外部电路提供不了谷点电流，则R B1增大使U B1增大，PN结反偏关断。

单结晶体管震荡电路•U g为输出电压，由于单结晶体管两基极电阻很大，则R1上边的压降可以忽略不计，输出电压为零。

•接通电源后，电源为电容C充电以后，电容电压不断上升，当达到单结晶体管发射极峰点电压时，发射极和第一基极之间的PN结导通，电容对R B1、R1放电，电流注入R B1然后其阻值迅速下降，这样C 仅通过R1放电。

R1的电阻值远远小于电阻R，所以充电比放电要慢，当随着放电电压下降到谷点电压时，提供不了谷点电流给单结晶体管，又电源提供给第一基极的电压U B1高于发射极电压，PN结反偏关断。

优点：单结晶体管触发电路比较简单，温度性能比较好，有一定的抗干扰能力，
缺点：脉冲前沿陡，输入功率较小，脉冲宽度较窄，只能承受调节RP （电位器R2）,无法加入其它信号，移相范围≤180°，
一般为150°此电路可以用在单相可控硅整流电路要求不高的场合，能触发50A 以下的晶闸管。

交流电压经桥式整流和稳压后削波后得到梯形电压。

脉冲电压形成时梯形同步电压经R2、R3对电容C 充电，
C 两端电压上升到单结晶体管峰点电压UP(BT33的峰点电压）时，单结晶体管由截止变为导通，通过e---b1---R5放电，
放电电流在电阻RB1（放电电阻R5)上产生一组尖顶脉冲电压，由RB1(放电电阻R5)输出一组触发脉冲，其中第一个脉冲使晶闸管触发导通，后面的脉冲对晶闸管工作没有影响。

随着C 的放电，当电容两端电压下降到单结晶体管谷点电压UV(BT33谷底电压）时单结晶体管重新截止，
C 重新充电，重复上述过程。

RB1(放电电阻R5)上又输出一组峰顶脉冲电压，这个过程重复进行。

当梯形电压过零点时，电容C 两端电压也为零，因此电容每一次连续充放电的起点就是电源电压过零点，这样就保证输出电压的频率和电源频率同步。

移相是通过改变RP(电位器R2)的大小实现的，改变RP(电位器R2)的大小可以改变C 的充电速度，因此就改变了第一个脉冲出现的时间，从而达到了移相的目的。