模拟电子技术试题集锦1
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模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是。
2.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。
3.当输入信号频率为和时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了,此时及中频时相比,放大倍数的附加相移约为。
4.为提高放大电路输入电阻应引入反应;为降低放大电路输出电阻,应引入反应。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达,但这种功放有失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。
A.型硅管 B.型锗管 C.型硅管 D.型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型管D.N沟道耗尽型管3.在图示2差分放大电路中,假设 = 20 ,那么电路的( )。
A.差模输入电压为10 ,共模输入电压为10 。
B.差模输入电压为10 ,共模输入电压为20 。
C.差模输入电压为20 ,共模输入电压为10 。
D.差模输入电压为20 ,共模输入电压为20 。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中为其输入电阻,为常数,为使下限频率降低,应( )。
A.减小C,减小 B.减小C,增大C.增大C,减小 D.增大C,增大6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。
A.1500 B.80 C.50 D.307.桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A.根本共射放大电路 B.根本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.某电路输入电压和输出电压的波形如下图,该电路可能是( )。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共集电极)、(共基极)放大电路。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于一),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。
1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号;在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号。
2、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系,所以数字电路也称为逻辑电路。
在逻辑关系中,最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数,同一数码在不同数位所代表的位权不同。
模拟电路试卷一一、单选题(每题1.5分)1. 分析下图7107所示交流通路,设其直流通路合理,则所述正确的是()A.不能产生正弦波B.构成电感三点式振荡电路C.构成电容三点式振荡电路,将其中的电感用石英晶体代替,则组成串联型晶体振荡电路D.构成电容三点式振荡电路,将其中的电感用石英晶体代替,则组成并联型晶体振荡电路2. 理想集成运放具有以下特点:()。
A. 开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞B. 开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0C. 开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞D. 开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=03. 关于三极管高频参数,下列说法中不准确的为()。
4. 对恒流源而言,下列说法不正确的为()。
A.可以用作偏置电路 B.可以用作有源负载C.交流电阻很大 D.直流电阻很大5. 杂质半导体中()的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴6. 功率放大电路的效率是指()A.不失真输出功率与输入功率之比 B.不失真输出功率与电源供给功率之比C.不失真输出功率与管耗功率之比 D.管耗功率与电源供给功率之比7. 在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的是负反馈。
A. 输入电阻增大B. 输出量增大C. 净输入量增大D. 净输入量减小8. 一过零比较器的输入信号接在反相端,另一过零比较器的输入信号接在同相端,则二者的(A.传输特性相同B.传输特性不同,但门限电压相同C.传输特性和门限电压都不同D.传输特性和门限电压都相同9. 要求输入电阻大,输出电压稳定,应选用()负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联 10. 图示3401电路()A.等效为PNP管 B.等效为NPN管1)C.为复合管,其等效类型不能确定 D.三极管连接错误,不能构成复合管11. 在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确:()。
模拟电子技术试题一、判断题:(20×2ˊ)1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。
(对)2、在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。
(F)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
(错)5、二极管和三极管都是非线性器件。
( T )6、N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
(对)7、二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
(对)8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)9、使用稳压管时应阳极接正,阴极接负(错)10、二极管的核心是一个PN结,所以二极管具有单向导电性。
(T)11、某发光二极管,两引脚一个长,一个短,则长引脚对应发光管的阴极。
( F )12、稳压管在正常稳压工作区域里,它的电流变化很大,而电压变化很小(对)13、普通二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿(∨)14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分( F )15、整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
(∨)16、放大电路的三种组态,都有功率放大作用。
( T )17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,发射极和集电极可相互调换使用。
( F )18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可以将其改成P型半导体。
( T )19、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(F)20、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(对)二、选择题:(15×3ˊ)1、P型半导体的多数载流子是( B )。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是( C )。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生3、关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是( A )。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流,它由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为0,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为无穷,等效成断开;4、三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变小,发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用电压并联负反馈,为了稳定交流输出电流采用串联负反馈.9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/(1/A+F),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=fH –fL,1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器.13、OCL电路是双电源互补功率放大电路;OTL电路是单电源互补功率放大电路.14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移,也称温度漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy,电路符号是。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B )状态,但其两端电压必须( C ),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于( F )状态。
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, RC的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。
但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大,表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后,VO基本不变,应引入( )负反馈。
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于(F )状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是(D)型。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)3、对功率放大器的要求主要是(B)、(D)、(E)。
A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(b ),此时应该( e )偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了(C)而设置的。
A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A )。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ(B )倍。
A、1 B、2 C、38、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A )负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是(A)、(B)。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1试题一答案二、选择题1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B《模拟电子技术》模拟试题五一、选择题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)3、对功率放大器的要求主要是()、()、()。
模拟电子技术考试试题一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,运算放大器的基本作用是:A. 放大电压B. 放大电流C. 调节电阻D. 转换能量形式2. 理想运算放大器的开环增益是:A. 有限的B. 非常大的C. 零D. 13. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 增加稳定性D. 减小输出阻抗4. 非线性失真主要发生在信号的哪个阶段:A. 线性放大B. 饱和区C. 截止区D. 过渡区5. 差分放大电路的主要优点是:A. 增益高B. 稳定性好C. 抑制共模干扰D. 功耗低6. 集成运算放大器的电源电压通常为:A. ±5VB. ±12VC. ±15VD. 所有选项都是可能的7. 以下哪个不是模拟信号的特点:A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大8. 一个理想的电压源的内阻是:A. 无穷大B. 非常大C. 零D. 有限9. 信号的频率响应特性通常用来描述:A. 放大器的增益B. 放大器的相位C. 放大器的稳定性D. 放大器的失真10. 一个理想的电流源的输出电流:A. 随负载变化B. 不随负载变化C. 随电压变化D. 不随电压变化二、简答题(每题5分,共20分)1. 简述运算放大器的两种基本配置:非反相放大器和反相放大器的工作原理。
2. 说明什么是共模抑制比(CMRR),并解释它在差分放大电路中的重要性。
3. 解释什么是电源抑制比(PSRR),并说明它对运算放大器性能的影响。
4. 描述在设计模拟电路时,为什么需要考虑温度漂移问题。
三、计算题(每题10分,共30分)1. 给定一个非反相放大器电路,其输入电阻为10kΩ,反馈电阻为2kΩ,求放大器的电压增益。
2. 如果一个差分放大电路的共模抑制比为60dB,共模输入电压为5V,求差模输出电压。
3. 设计一个简单的低通滤波器,其截止频率为1kHz,求所需的电阻和电容值。
四、分析题(每题15分,共30分)1. 分析一个带有负反馈的放大器电路,并说明负反馈对放大器性能的影响。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.(共60题,共150分)1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
(2分)A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案:C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
(2分)A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案:A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
(2分)A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案:B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是()。
(2分)A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案:C5.为了提高电压放大倍数,希望放大电路的()大一些。
(2分)A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案:D6.当PN给外加反向电压时,其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时,耗尽层的宽度将()。
(2分)A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案:C7.差动放大电路的特点是抑制()信号,放大()信号。
(2分)A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案:B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
(2分)A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案:A9.直流电源滤波的主要目的是:()。
(2分)A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案:D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了,则输出()。
(2分)A.只有半周波形B.全波整流波形,但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案:D11.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
(2分)★检查答案标准答案:1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
大学《模拟电子技术》复习题及答案一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况B R L 开路C C 开路D 一个二极管和C 开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
1模拟电子技术试题库第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。
A. 左移,下移B. 右移,上移C. 左移,上移D. 右移,下移2. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。
A. 小于,大于B. 大于,小于C. 大于,大于D. 小于,小于3. 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程为( )A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S -TU UI D. 1eS -TU UI4. 下列符号中表示发光二极管的为( )。
A B CD5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的 电阻,由于不同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。
A. 直流,相同,相同B. 交流,相同,相同C. 直流,不同,不同D. 交流,不同,不同12. 在25ºC 时,某二极管的死区电压U th ≈0.5V ,反向饱和电流I S ≈0.1pA ,则在35ºC 时,下列哪组数据可能正确:( )。
模拟电子技术》模拟试题1一、填空题(每空1 分,共32 分)1、空穴为()载流子。
自由电子为()载流子的杂质半导体称为P 型半导体。
2、PN 结的P 型侧接高电位,N 型侧接低电位称为()反之称为()3、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。
4、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=()所以它是()控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO()所以Ic 也()。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用()负反馈。
为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以()通频带()失真。
9、反馈导数F=()。
反馈深度是()。
10、差分放大电路能够抑制()信号,放大(信号。
11、OCL 电路是()电源互补功放,OTL 是()电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为()。
低频信号称为()、高频信号称为()。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。
共基极电路比共射极电路高频特性()。
14、振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15 在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2 分,共34 分)1、三端集成稳压器CXX7805 的输出电压是()A 5vB 9vC 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是(),该管是()。
A (E、C、B) B(C 、B 、E) C(B、C、E)D(PNP)E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。
A 饱和B 截止C 交越D 频率4、差分放大电路是为了()而设置的。
A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有()()()A Uo 高B Po 大C 效率高D Ri 大E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。
第一章半导体二极管和三极管第一部分客观题1、正偏二极管端电压增加5%,通过二极管的电流()。
A 增大约5%B 增大小于5%C 增大大于5%D 基本不变。
图1-12、图1-1可用于测量二极管的直流电阻RD 。
当图中电源电压E加倍时,RD会()。
A 加倍B 变大C 不变D 变小3、工作在放大区的某三极管,如果当从12增大到22时,从1变为2,那么它的约为()。
A 70B 83C 91D 1004、在本征半导体中加入()元素可以形成N型半导体。
A 五价B 四价C 三价D 二价5、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A 前者正偏、后者正偏B 前者正偏、后者反偏C 前者反偏、后者正偏D 前者反偏、后者反偏6、稳压管的稳压区是其工作在()A 正向导通B 方向截止C 反向击穿7、关于晶体管特性曲线的用途,下述说法中的()不正确。
A. 判断BJT的质量B. 估算BJT的一些参数C. 计算放大电路的一些指标D.分析放大器的频率特性8、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()9、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()10、若耗尽层N沟道MOS管的大于零,则其输入电阻会明显变小。
()11、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()12、若测得一支BJT 的电流IB=50uA,IC=2.5 mA ,则该管的≈IC/IB=50。
()13、工作点是指BJT 的电流和电压在其特性曲线上对应的点。
()14、放大区IC IB。
因>>1, 故BJT适于电流放大,不适于作电压放大。
()15、放大管集电结反向电压增大,会使集电极电流iC 增大,这是因为此时集电结对从基区扩散过来的载流子吸引力增大的结果。
()16、PNP和NPN是一种对称结构。
因此将发射极与集电极对调使用,BJT仍然能正常放大信号。
()17、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
《模拟电子技术》考试试卷(01)一、填空题(本大题共4小题,每空1分,共10分)1.PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止,所以PN结具有单向导电性。
2.有三个单管BJT放大电路,已知其电压增益分别为A v1=20,A v2=-10,A v3=1,则可知它们分别为共基极放大电路、共发射极放大电路、共集电极放大电路。
3.乙类互补功率放大电路存在交越失真,可以利用甲乙类互补功率放大电路来克服。
4.电压负反馈将使输出电阻减小,电流负反馈将使输出电阻增加。
二、单项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)1.对BJT下列说法正确的是 C 。
A.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构对称B.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构不对称,发射区掺杂浓度比集电区高D.发射极和集电极不能调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构不对称,发射区掺杂浓度比集电区低2.测得某电路中PNP型晶体管的三个管脚的电位分别为V B=5V、V C=2V、V E=5.7V,则该管工作在A 状态。
A.放大B.截止C.饱和D.不能确定3.互补对称功率放大电路中的两个功放管应采用 A 。
A.一个NPN型管和一个PNP型管B.两个NPN型管C.两个PNP型管D.任意组合4.理想运算放大器的两个输入端的输入电流近似等于零的现象称为 D 。
A.断路B.虚短C.虚地D.虚断5.正弦波振荡电路的输出信号最初由 C 产生的。
A.基本放大器B.选频网络C.干扰或噪声信号D.稳幅环节三、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)FFTFT1.影响放大电路高频特性的主要因素是耦合电容和旁路电容的存在。
×2.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。
×3.集成运放是一种高增益的、直接耦合的多级放大电路。
√4.P型半导体带正电,N型半导体带负电。
模拟电子技术试题集锦1
一、选择题
1、在本征半导体中加入A元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
2、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
4、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
5、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。
A.电阻阻值有误差
B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响
D.电磁干扰
6、选用差分放大电路的原因是 A 。
A.克服温漂
B.提高输入电阻
C.稳定放大倍数
7、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ,共模信号是两个输入端信号的 C 。
A.差
B.和
C.平均值
8、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的 B。
A.差模放大倍数数值增大
B.抑制共模信号能力增强
C.差模输入电阻增大
9、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ,则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大B.输出量增大
C.净输入量增大D.净输入量减小
10、交流负反馈是指 C 。
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B.只有放大交流信号时才有的负反馈
C.在交流通路中的负反馈
11、功率放大电路的转换效率是指 B 。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
12、整流的目的是 A 。
A. 将交流变为直流
B. 将高频变为低频
C. 将正弦波变为方波
13、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 C 。
A. 基准电压
B. 采样电压
C. 基准电压与采样电压之差
14、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 A 。
A. 调整管工作在开关状态
B. 输出端有LC 滤波电路
C. 可以不用电源变压器 二、填空题
1、漂移电流是( 反向 )电流,它由( 少数 )载流子形成,其大小与( 温度 )有关,而与外加电压(无关 )。
2、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( 直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用( 交流 )负反馈。
3、负反馈放大电路和放大倍数f A =(AF
A +1 ),对于深度负反馈放大电
路的放大倍数f A =(
F
1
)。
4、共集电极放大电路具有电压放大倍数( 小于1近似等于1 ),
输入电阻( 大 ),输出电阻( 小 )等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
5、为稳定输出电压,并提高电路的输入电阻应该引入(电压串联)负反馈。
三、 电路如图所示,晶体管的β=60,'
bb r =100Ω。
(1)求解Q 点、u
A 、R i 和R o ; (2)设s U =10m V (有效值),问i U =?o U =?若C 3开路,则i U =?o
U =?
解:(1)Q 点:
V
56.4)(
mA 86.1 A
μ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ e
b BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=
R R I V U I I R R U V I ββ
u
A 、R i 和R o 的分析:
Ω
==-≈-=Ω≈=Ω
≈++=k 3 95)( 952 952mV 26)
1( c o be L c be b i EQ
bb'be R R r R R A r R R I r r u
∥∥ββ
(2)设s U =10m V (有效值),则
mV 304 mV
2.3 i
o s i
s i i ≈=≈⋅+=
U A U U R R R U u
若C 3开路,则
mV 4.14mV
6.95.1k 3.51])1([i
o i
s i i e L c e be b i ≈=≈⋅+=
-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u
∥∥β
四、如图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,'
bb r =100Ω,U BE Q ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ,以及动态参数A d 和R i 。
解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:
mA
517.02222
e
W BEQ EE EQ EE e EQ W EQ BEQ ≈-=
=+⋅
+R R U V I V R I R I U +
A d 和R i 分析如下:
Ω
≈++=-≈++-
=Ω
≈++=k 5.20)1(2972
)
1( k 18.5mV 26)
1(W be i W be c
d EQ bb'b
e R r R R r R A I r r ββββ
五、如图所示电路中,已知V CC =16V ,R L =4Ω,T 1和T 2管的饱和管压降│U CE S │=2V ,输入电压足够大。
试问 (1)最大输出功率P o m 和效率η各为多少? (2)晶体管的最大功耗P T ma x 为多少?
(3)为了使输出功率达到P o m ,输入电压的有效值约为多少?
解:(1)最大输出功率和效率分别为
%
8.694
πW
5.242)
(CC
CES
CC L
2
CES CC om ≈-⋅
=
=-=
V U V R U V P η
(2)晶体管的最大功耗 W 4.622.02.0L
2
CC
oM Tmax =⨯=
≈R V P P
(3)输出功率为P o m 时的输入电压有效值 V 9.92
CES
CC om i ≈-≈
≈U V U U
六、 直流稳压电源如图所示。
(1)说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准 电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成。
(2)标出集成运放的同相输入端和反相输入端。
(1) 写出输出电压的表达式。
图P10.15
解:(1)整流电路:D 1~D 4;滤波电路:C 1;调整管:T 1、T 2;基准电压电路:'Z 'D 、R 、R 、D Z ;比较放大电路:A ;取样电路:R 1、R 2、R 3。
(2)为了使电路引入负反馈,集成运放的输入端上为“-”下为“+”。
(3)输出电压的表达式为 Z 3
3
21O Z 3
23
21U R R R R U U R R R R R ⋅++≤
≤⋅+++。