半导体照明工程师光学初级笔试复习题

光学工程师岗位笔试题目1．135相机镜头焦距50mm(底片尺寸36×24㎜) （1）相机视场角如何计算？（可只列公式）（2）想将焦距扩大到100㎜，如何处理？2.变焦距镜头需要满足什么要求？轴上移动一个镜片或镜组（镜组中间无固定镜片）最多能形成几个视场？3.简述七种像差的含义及对成像质量的影响？4，如何控制球差？5，那些光学系统为大像差系统？大像差系统如何评价像质量6，简述光学系统损耗光能得原因和提高光学系统透光率的方法？7，ZEMAX软件中像差评价函数SPHA与实际像差有什么差别？8, 简述ZEMAX软件如何进行公差分析？9，简述非球面，衍射光学面在光学系统中有什么作用？10，谈谈你用光学软件ZEMAX软件进行光学系统优化的体会？08年北交光学工程复试笔试题目光电子学一，解释下列概念（8分/个）1，受激辐射:当原子处于激发态E2时，如果恰好有能量（这里E2 ）E1）的光子射来，在入射光子的影响下，原子会发出一个同样的光子而跃迂到低能级E1上去，这种辐射叫做受激辐射。

2，增益饱和:在抽运速率一定的情况下，当入射光的光强很弱时，增益系数是一个常数；当入射光强增大到一定程度后，增益系数随光强的增大而减小。

3，谐振腔作用：1，提供光学正反馈作用，在腔内建立并维持激光振荡过程。

2，产生对实际振荡光束的限制作用，即模式限制作用。

4，拉曼-乃兹声光效应5，夫兰茨-凯尔迪什效应6，非线性光学7，光电导效应8，散粒噪声9，光波导色散特性10，主动锁模：主动锁模指的是通过由外部向激光器提供调制信号的途径来周期性地改变激光器的增益或损耗从而达到锁模目的。

二，简答1，光电探测器的本质2， CCD由哪几部分构成，和作用3，电光调Q的基本方法4，选横模的基本思想5，由被动锁模激光器的锁模激光形成过程，说明锁模激光脉冲与调Q脉冲区别6，模间，模内色散区别7，集成光学电光波导相位调制器的基本思想1、TEM 00 高斯光束的强度图为2、Nd:YAG 激光器是典型的激光器。

半导体照明职业资格考试光学方向—上机复习题一、1）利用TRACEPRO 设计一个”单透镜”a)单透镜中心位于（0,0,0）位置b)透镜参数：以半径为单位c)透镜中心厚度为4.5mm，d)透镜材料为肖特玻璃(SCHOTT)，牌号为K10e)第一个面半径为59.46f)第二个面半径为-47.33g)半孔径：10g)”光源”参数设置：i. 光源大小为半径为10mm的圆形发光面，出射平行光ii．中心位置（0，-50,0）,（0, 0,-50）iii．光源形式：光通量1watts 总光线数：1000iv．波长：0.5461 umv．场角分布：垂直发光表面发光场型h)接收器参数设置：i.在距离透镜36mm的地方接收光线ii.接收面的尺寸为100mm*100mm(h)效果图要求：i.观察空间光强分布曲线：采用灯具模式；光强分布的参数设置为平滑度为50；水平方向角度数目为50ii.辐照度/光照度图：辐照度；描绘光线：入射；平滑化：图示计数50通过Cadala plot 选项设置使配光曲线的法线为0度。

步骤：1.构建模型：单透镜，光源，接收面2.设置属性：1）LED面发光属性定义单透镜材料透镜中心厚度为4.5mm，透镜材料为肖特玻璃(SCHOTT)，牌号为K10 第一个面半径为59.46第二个面半径为-47.33半孔径：103.进行光线追迹4.修改必要参数，获得配光曲线，并导出IES文件。

5.获得接收面的照度分布题二、利用DIALUX模拟室内照明设计效果一、基本参数a) 房间长84m、宽27米、高13米;b) 灯具安装高度11米，c) 采用给定灯具d) 照度要求大于200Luxe) 天棚、墙壁、地面的反射率分别为50%、50%、20%f) 维护系数0.8g) 工作面高度0.75。

h）工作面的照度均匀度大于0.4。

二、自行选择灯具，获得以下结果：i. 照明器具表ii. 等照度图iii.点照度表iv. 结果目录v. 3D图步骤：1.建立新的室内设计案，选用3D视图2.天棚、墙面、地面反射率分别为50%、50%、20%3.使用灯具为Thorn 96 207 107 OPTUS IV DI 2x54W HFS GRY DSB ML [STD]，在天花板上黏贴一枚灯具，计算地板上的照度情况若要在地面形成平均照度200lx以上，则至少需要128枚灯具。

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某大型国企)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、组装2、在半导体行业中，以下哪个术语用来描述晶体管中用于控制电流流动的导电区域？A、源极B、栅极C、漏极D、基区3、题干：以下关于半导体制造工艺的描述，正确的是：A、光刻工艺是将光刻胶图案转移到硅片上的过程。

B、蚀刻工艺是利用光刻胶保护硅片，通过化学或物理方法去除硅片表面不需要的层。

C、离子注入是将离子直接注入硅片表面，用于掺杂的过程。

D、扩散工艺是通过在硅片表面形成一层光刻胶，然后利用高温使杂质原子扩散到硅片中。

4、题干：在半导体制造过程中，以下哪种缺陷类型对芯片性能影响最为严重？A、表面缺陷B、体缺陷C、界面缺陷D、晶格缺陷5、在半导体制造过程中，以下哪种材料通常用于制造晶圆的基板？A. 石英玻璃B. 单晶硅C. 聚酰亚胺D. 氧化铝6、以下哪种技术用于在半导体器件中实现三维结构，从而提高器件的集成度和性能？A. 厚膜技术B. 硅片减薄技术C. 三维封装技术D. 双极型晶体管技术7、在半导体制造过程中，下列哪种缺陷类型是指由于光刻胶在曝光和显影过程中产生的缺陷？A. 逻辑缺陷B. 光刻缺陷C. 杂质缺陷D. 损伤缺陷8、下列哪种技术用于在硅片上形成纳米级结构的半导体器件？A. 溶胶-凝胶法B. 化学气相沉积法（CVD）C. 离子束刻蚀D. 电子束刻蚀9、以下哪项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、焊接二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、掺杂2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A、晶体管结构B、工艺节点C、材料选择D、功耗控制E、封装设计3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？A. 干法光刻B. 湿法光刻C. 电子束光刻D. 紫外光刻E. 激光直接成像4、下列关于半导体材料掺杂的描述，正确的是：A. N型半导体通过加入五价元素如磷（P）或砷（As）来制造B. P型半导体通过加入三价元素如硼（B）或铟（In）来制造C. 掺杂的目的是增加半导体的导电性D. 杂质原子在半导体中的浓度被称为掺杂浓度E. 掺杂过程会改变半导体的电学性质5、以下哪些技术属于半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶技术B. 具有纳米级分辨率的电子束光刻C. 紫外光光刻D. 平板印刷技术E. 双光束干涉光刻6、以下哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 热稳定性B. 电压应力C. 材料纯度D. 封装设计E. 环境因素7、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型？（）A. 晶圆划痕B. 氧化层破裂C. 线路短路D. 热应力裂纹E. 杂质沾污8、在半导体器件的测试与表征中，以下哪些方法用于评估器件的电气特性？（）A. 频域分析B. 温度特性测试C. 噪声分析D. 瞬态响应测试E. 微观结构分析9、以下哪些是半导体制造过程中常用的物理或化学方法？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 磨光E. 蚀刻三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接将电路图案转移到硅片上的关键步骤。

半导体照明认证初级光学笔试复习题考试时间180分钟一、填空题1.光按照激发方式不同分为如下几类：生物发光，化学发光，，阴极射线发光，燃烧发光，。

2.道路照明中很窄的路段应使用布灯方式，照度均匀度和纵向照度均匀度都很好的布灯方式有和，道路两侧有茂密树木的情况下应考虑布灯。

3.某灯具的输入功率为18W，光通量为1512 lm，则次灯的光效为。

4.在相同的使用条件下，灯具发出的总光通量与灯具内所有光源发出的总光通量之比，称为。

5.当电流流过LED 器件时，PN结的温度将上升，我们把PN结区得温度定义为；其温度越高，LED的光输出，发光波长，发生红移。

6.光的反射通常包括三种，分别为、、。

7.如果光线的入射角大于临界角，那么就没有折射光线，入射光线的能量都被反射了，这种现象叫做。

二、选择题1．下面那一种材料可以用来制作蓝光发光二极管（）。

A.铝磷化镓(AlGaP)B.磷化镓(GaP)C.氮化镓(GaN)D.氮化铝(AlN)2．以下哪种措施不能减少反射眩光？( )A.限制灯具亮度B.采用漫反射墙面C.同等功率时选用宽光束灯具替换窄光束的D.采用高光效光源3．某均匀漫反射表面的反射比为，则该表面的亮度与照度的关系为：（）。

A.B.C.D.4．考虑国家照明标准和节能，教室照明采用以下哪种规划最好？( )A.平均照度250lx，LPD 8w/m2B.平均照度350lx，LPD 11.5w/m2C.平均照度285lx，LPD 8.5w/m2D.平均照度300lx，LPD 10.5w/m25．安装灯具时要考虑距高比，这是因为要( )。

A.保证工作面平均照度B.控制照度均匀度C.减少维护次数D.减少眩光6．荧光灯汞齐技术的优势在于( )。

A.提高光源显色性B.提高光源寿命C.放宽工作温度范围D.降低启动电压7．一盏出光面为40cm×80cm的LED灯具，测量其光强分布时，以下最合适的LED灯具到光度探头的距离是：（）。

光学工程基础考试试题
1. （10分）请简要描述光学工程的定义和应用领域。

2. （15分）请解释以下术语：
a) 反射率
b) 折射率
c) 散射
d) 光程差
e) 像差
3. （20分）光学薄膜是光学器件中的重要组成部分。

请简要说明光学薄膜的制备方法，并列举几种常见的光学薄膜材料及其应用。

4. （25分）请解释以下光学元件的工作原理和应用：
a) 凸透镜
b) 平面镜
c) 光栅
d) 偏振器
e) 相位调制器
5. （15分）在光学传输中，有时会遇到衍射现象。

请简述衍射的基本原理，并说明它在光学工程中的应用。

6. （15分）请解释光学干涉的基本原理，并提供一个实际应用的例子。

7. （约300字）请简要概述光学系统设计的基本步骤和方法，以及需要考虑的关键因素。

8. （约500字）请结合实际案例，描述光学工程在现代科技中的重要应用，并讨论其对社会进步和发展的影响。

考试结束。

（注意：本试卷共计3000字，每题总分均已标明。

请在规定时间内完成试题，准备好交卷。

祝你好运！）。

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体器件中，以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择？A、硅（Si）B、锗（Ge）C、砷化镓（GaAs）D、碳化硅（SiC）2、在半导体工艺中，以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区？A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干：在半导体制造过程中，下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层？A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干：下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板？B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干：在半导体制造过程中，以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域？A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积（CVD）C. 光刻D. 离子注入6、题干：以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素？A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术？A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的？A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中，下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂？A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节？A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素？A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中，以下哪些工具或方法有助于提高设计效率？A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能？（）A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数？（）A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。

招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、下列关于半导体材料的描述，错误的是：A、半导体材料在室温下的导电性介于导体和绝缘体之间。

B、常见的半导体材料有硅、锗等。

C、半导体材料的导电性可以通过掺杂来调节。

D、半导体材料在高温下的导电性会降低。

2、在半导体芯片制造过程中，以下哪个步骤是为了提高芯片的集成度？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积3、以下哪种类型的晶体管是现代半导体器件中应用最为广泛的？A、双极型晶体管（BJT）B、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）C、隧道晶体管（Tunnel FET）D、光晶体管（Phototransistor）4、在半导体制造过程中，用于去除硅片表面杂质的工艺是？A、光刻（Photolithography）B、蚀刻（Etching）C、离子注入（Ion Implantation）D、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）5、在半导体制造过程中，以下哪种设备用于在硅片表面形成绝缘层？A. 离子注入机B. 化学气相沉积（CVD）设备C. 离子束刻蚀机D. 线宽测量仪6、在芯片设计过程中，以下哪个术语描述了晶体管中电子流动的方向？A. 电流B. 电压C. 漏极D. 源极7、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 钎焊8、以下哪种类型的晶体管在数字电路中应用最为广泛？（）A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 双栅场效应晶体管D. 双极型与场效应晶体管的混合结构9、以下哪个选项不属于半导体制造过程中常见的物理气相沉积（PVD）技术？A. 真空蒸发B. 离子束刻蚀C. 化学气相沉积D. 热丝蒸发 10、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是为了提高晶圆的表面平整度？A. 光刻B. 化学机械抛光（CMP）C. 离子注入D. 硅片切割二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、化学气相沉积D、离子注入E、封装2、以下关于芯片设计的描述，正确的是？（）A、芯片设计主要包括逻辑设计、物理设计和验证设计B、逻辑设计关注电路的功能实现，物理设计关注电路的布局和布线C、验证设计确保设计的正确性，通常通过仿真和测试来完成D、芯片设计过程中，设计者需要考虑功耗、性能和面积等因素E、以上都是3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 线宽测量E. 晶圆切割4、以下关于半导体材料的描述中，正确的是？（）A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。