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单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。
在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。
下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RA M 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPR OM或F LASHR OM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC或SPI等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。
在ST C 单片机中内置了E EPROM（其实是采用IAP技术读写内部FLAS H 来实现EEPR OM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。
下面就详细介绍STC单片机内置EEP ROM 及其使用方法。
f lash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.一般来说单片机里的f lash都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPR OM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EE PROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00下面是网上详细的说法，感觉不错：F LASH和EEPR OM的最大区别是FL ASH按扇区操作，E EPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLA SH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EE PROM低，因而适合用作程序存储器，EE PROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FL ASH做数据存储器也行，但操作比EEPR OM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成F LASH和EEPRO M两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLA SH，早期可电擦写型MCU则都是EEPR M结构，现在已基本上停产了。
单片机断电短暂记忆功能在一些应用场景下，单片机需要断电后能够保留一些重要的信息，例如电子秤需要保存当前称量的数值，温湿度传感器需要保存当前的环境信息等。
如果没有断电短暂记忆功能，每次断电后都需要重新初始化这些信息，这不仅浪费时间和资源，还可能导致数据丢失。
一种常用的实现方法是使用EEPROM(电可擦可编程只读存储器)来存储断电前的数据。
EEPROM是一种非易失性存储器，它可以在断电时保存数据，并且在电源重新上电后还能恢复这些数据。
EEPROM主要通过电场效应将数据存储在晶体管的栅极上，因此它不需要外部电源来保持数据的存储状态。
在单片机上，可以使用I2C或SPI接口与EEPROM通信，读写数据。
另一种常见的方法是使用闪存来实现断电短暂记忆功能。
闪存是一种非易失性存储器，通常用于存储程序代码和配置信息。
与EEPROM相比，闪存具有更高的存储密度和更快的读写速度，但相应的价格也更高。
在单片机上，可以通过SPI接口与闪存通信，将断电前的数据保存在闪存中，并在上电后恢复这些数据。
除了EEPROM和闪存外，还可以使用SD卡等外部存储器来实现断电短暂记忆功能。
SD卡是一种常见的存储介质，具有较大的存储容量和较快的读写速度。
在单片机上，可以通过SPI接口与SD卡通信，将断电前的数据保存在SD卡中，并在上电后从SD卡中读取这些数据。
无论是使用EEPROM、闪存还是SD卡，都需要在软件层面做一些工作来实现断电短暂记忆功能。
首先，需要定义一个数据结构，用于保存断电前的数据。
然后，需要在断电前将这些数据存储到外部存储器中，可以使用适当的协议或API来实现数据的读写。
在上电后，需要读取外部存储器中的数据，并将其恢复到相应的变量或寄存器中。
最后，需要在程序中处理可能出现的数据错误或异常情况，以确保数据的正确性和完整性。
总之，单片机断电短暂记忆功能是一种非常有用的功能，它可以保留断电前的信息，简化系统的初始化过程，并提高系统的可靠性和稳定性。
AVR 单片机内部EEPROM 应用方法
AVR 单片机内部集成了EEPROM，但是在GCC 写编写EEPROM 应用
程序的时候，经常会出现读写EEPROM 时程序出错，或重启等不正常现象。
在软件仿真时也许结果是正确的，但是在片上运行的时候就不正常。
困扰很
久，终于发现原因在于编译器，已经我们对EEPROM 操作说明的理解不正确
或不仔细。
操作EEPROM 对时序的要求较高。
更加Datasheet 里的写操作范例程序：while(EECR & (1EEAR = address; //设置地址和数据寄存器
EEDR = data;
EECR |= (1
EECR |= (1 以上代码在GCC 中的编译结果，发现EECR |= (1while(EECR & (1EEAR = address; //设置地址和数据寄存器
EEDR = data;
asm volatile(SBI 0x1C,2 \n\t);
asm volatile(SBI 0x1C,1 \n\t);。
Stc单片机eeprom使用心得STC单片机利用IAP技术实现了EEPROM功能，相比外置存储芯片而言，在操作上比较方便。
涉及STC单片机EEPROM操作的特殊功能寄存器有6个，地址分别是E2H、E3H、E4H、E5H、E6H和E7H。
在STC单片机使用手册中，作者分别将它们定义为：一、IAP＿DATA（E2H）二、IAP＿ADDRH（E3H）三、IAP＿ADDRL（E4H）四、IAP＿CMD（E5H）五、IAP＿TRIG（E6H）六、IAP＿CONTR（E7H）本人认为，手册中给每个地址单元定义的英文词组太长，而且有点哆嗦，占的篇幅又大，感觉对正常阅读和理解产生了一定的干扰，反倒不好了解作者的意图了，还不如让使用者自己定义为好。
我自己对这些单元分别定义为DA T ADDRH ADDRL CMD TRIG CONTR。
一、DAT（E2H）从EEPROM中读取到的数据首先进入这里。
要把数据写入EEPROM中，也要把数据放到这个单元中。
也就是说，这个单元起到了中转站的作用，写入和读出都要通过这个单元。
二、ADDRH、ADDRL分别是EEPROM地址单元高8位和低8位。
如要把数据存储到1000H 单元中，那么在程序中，ADDRH的数值为10H，ADDRL的数值为00H。
三、CMD表示操作类型。
数值为1是读，数值为2是写，数值为3是擦除。
简单点说，就是“1读2写3擦除”。
四、CONTR寄存器，说明书上作了好多功能表述，但对于一般使用者来说，寄存器的前5位可以不作过多了解，只要掌握后3位意义就可以了。
一般理解为，选择好后3位的数值，为的是确保在不同数值晶振下正确读写擦除EEPROM。
考虑到TRIG这个寄存器的要求，一般使用时，可将前5位设置为10000，后3位根据不同晶振频率来确定（这个见使用手册）。
五、TRIG这个寄存器，看了好长时间手册才了解它的一般使用，对这个寄存器理解应当放到最后。
说明书是这样写的：为isp/iap操作时的命令模式寄存器。
STC单片机EEPROM读写程序在单片机中，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，可以用于存储数据，即使在断电情况下，数据也会被保留。
因此，掌握STC单片机的EEPROM读写程序对于开发嵌入式系统非常重要。
一、EEPROM简介EEPROM是一种可重复擦写的存储器，可用于存储小量数据。
与Flash存储器相比，EEPROM具有更快的写入和擦除速度。
在STC单片机中，EEPROM的存储容量通常较小，一般在几个字节到几千字节之间。
二、EEPROM读操作在STC单片机中，进行EEPROM读操作需要按照以下步骤进行：1. 初始化I2C总线：STC单片机使用I2C总线进行EEPROM读写操作，因此需要先初始化I2C总线。
通过设置相关寄存器，设置I2C 总线的速度和地址。
2. 发送设备地址：确定要读取的EEPROM设备的地址，并发送到I2C总线。
3. 发送寄存器地址：确定要读取的EEPROM寄存器地址，并将其发送到I2C总线。
4. 发送读命令：向EEPROM发送读命令，以启动读操作。
5. 读取数据：从EEPROM中读取数据，并保存到变量中。
6. 结束读操作：完成读操作后，关闭I2C总线。
三、EEPROM写操作类似于读操作，进行EEPROM写操作也需要按照一定的步骤进行：1. 初始化I2C总线：同样地，首先需要初始化I2C总线。
2. 发送设备地址：确定要写入的EEPROM设备的地址，并发送到I2C总线。
3. 发送寄存器地址：确定要写入的EEPROM寄存器地址，并将其发送到I2C总线。
4. 发送写命令：向EEPROM发送写命令，以启动写操作。
5. 写入数据：将要写入EEPROM的数据发送到I2C总线。
6. 结束写操作：完成写操作后，关闭I2C总线。
四、注意事项在进行EEPROM读写操作时，需要注意以下几点：1. 确保正确的设备地址：要与EEPROM的地址匹配，否则无法进行有效的读写操作。
单片机STC89C52RC 内部EEPROM单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。
在STC 单片机中内置了EEPROM（其实是采用ISP/IAP 技术读写内部FLASH 来实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。
下面就详细介绍STC 单片机内置EEPROM 及其使用方法STC 各型号单片机内置的EEPROM 的容量最小有2K，最大有16K，基本上很好地满足项目的需要，更方便之处就是节省了周边的EEPROM 器件，达到节省成本的目的，而且内部EEPROM 的速度比外部的EEPROM 的速度快很多。
STC 各型号单片机内置的EEPROM 是以512 字节为一个扇区，EEPROM 的起始地址=FALSH 容量值+1，那么STC89C52RC 的起始地址为0x2000，第一扇区的起始地址和结束地址0x2000~0x21FF，第二扇区的起始地址和结束地址0x2200~0x23FF，其他扇区如此类推。
深入重点：�传统的EEPROM 是电可擦可编程只读存储一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
�STC89C52RC 的EEPROM 是通过ISP/IAP 技术读写内部FLASH 来实现EEPROM。
�STC89C52RC 的EEPROM 起始地址为0x2000，以512 字节为一个扇区，EERPOM 的大小为2K 字节。
STC89C52RC 与EEPORM 实现的寄存器有6 个，分别是ISP_DATA、ISP_ADDRH、ISP_ADDRLISP_TRIG、ISP_CMD、ISP_CONTR。
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。
在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
STC单片机内部EEPROM的应用可以使单片机可以将数据写入到程序存储器中，使得数据如同烧入的程序一样，掉电不丢失。
当然写入数据的区域与程序存储区要分开来，以使程序不会遭到破坏。
上面提到了IAP，它的意思是“在应用编程”，即在程序运行时程序存储器可由程序自身进行擦写。
正是是因为有了IAP，从而可以使单片机可以将数据写入到程序存储器中，使得数据如同烧入的程序一样，掉电不丢失。
当然写入数据的区域与程序存储区要分开来，以使程序不会遭到破坏。
要使用IAP功能，与以下几个特殊功能寄存器相关：ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。
ISP/IAP从Flash读出的数据放在此处，向Flash写的数据也需放在此处ISP_ADDRH：ISP/IAP操作时的地址寄存器高八位。
ISP_ADDRL：ISP/IAP操作时的地址寄存器低八位。
ISP_CMD：ISP/IAP操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。
ISP_TRIG：ISP/IAP操作时的命令触发寄存器。
当ISPEN（ISP_CONTR.7）=1时，对ISP_TRIG先写入0x46，再写入0xb9，ISP/IAP命令才会生效。
单片机芯片型号起始地址内置EEPROM容量（每扇区512字节）STC89C51RC，STC89LE51RC0x2000共八个扇区STC89C52RC，STC89LE52RC0x2000共八个扇区STC89C54RD+，STC89LE54RD+0x8000共五十八个扇区STC89C55RD+，STC89LE55RD+0x8000共五十八个扇区STC89C58RD+，STC89LE58RD+0x8000共五十八个扇区寄存器标识地址名称76543210初始值0xE2ISP/IAP闪存数据寄存器11111111ISP_DATAISP_DATA0xE2ISP_ADDRH0xE3ISP/IAP闪存地址高位00000000ISP_ADDRL0xE4ISP/IAP闪存地址低位00000000ISP_CMD0xE5ISP/IAP闪存命令寄存器MS2MS1MS0xxxxx000ISP_TRIG0xE6ISP／IAP闪存命令触发xxxxxxxxISP_CONTR0xE7ISP/IAP控制寄存器ISPEN SWBS SWRST WT2WT1WT000xx000B7B6B5B4B3B2B1B0命令／操作模式选择保留命令选择－－－－－000待机模式，无ISP/IAP操作－－－－－001对用户的应用程序Flash区及数据Flash区字节读－－－－－010对用户的应用程序Flash区及数据Flash区字节编程－－－－－011对用户的应用程序Flash区及数据Flash区扇区擦除ISP_CONTR：ISP/IAP控制寄存器。
