《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
一、 半导体器件1． N 型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
2． P 型半导体。
在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
3． 半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。
4． PN 结及基单向导电性① PN 结外加正向电压,即P 型区接外加电源正极,N 型区接外加电源负极,PN 结导通当PN 结外加正向电压时,扩散电流增加,漂移电流减小扩散电流由N 型区,P 型区多数载流子产生 漂移电流由N 型区,P 型区少数载流子形成 ② PN 结外加反向电压,即P 型区接外加电源负极,N 型区接外加电源正极,PN 结截止,P 结呈高阻抗.PN 结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少 5.二极管二极管由一个PN 结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性三部份组成 ① 正向特性当外加电压大于其阀值电压(Si: th V =0.5V , Ge: th V =0.1V)时,流过二极管的电流由零显著增加. ② 反向特性二极管外加反向电压时,其反向电流很少 ③ 击穿特性 当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大 例:二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出0A 二端的电压0AV ,设二极管是理想的. 解: 对于图4a ）首先断开二极管D,求A V 、B V此时, AV =－12V, B V =－6V ,则BA V =B V －A V ＝－６－（－１２）＝６Ｖ 这样，二极管是正向导通的 由理想模型,F V ＝０．由此 ＋６－１２＋３Ｉ＝０ Ｉ＝２mA0A V ＝２×３－１２＝－６Ｖ． 解：对于图b ），当D 断开时， B V ＝－１５Ｖ，A V ＝－１２Ｖ图1.PN 结外加正向电压图2.PN 结外加反向电压图3.二极管的伏案特性a)BA V =B V －A V ＝－１５－（－１２）＝－３ＶD 因反向偏置而截止，0A V ＝－１２Ｖ．例：二只稳压值分别为7.5V 和8.5V 的稳压二极管串联 使用,连接方式如图5所示, 0V 为多少伏,设稳压二极管正向 导通压降为0.7V解: 设1DZ V =7.5V , 2DZ V =8.5V 对于图5a)电路,由于二支稳压管 均处于稳压状态(即均为反向击穿状态) 0V =1DZ V +2DZ V =7.5+8.5=16V对于图5b)电路, 1DZ V 为反向击穿状态, 2DZ V 为正向连接,故0V =1DZ V +2DZ V =7.5+0.7=8.2V6.稳压二极管它是利用PN 结的击穿特性,即当流过稳压二极管电流变化较大时,其二端电压变化较小的性质,在电路中起稳压作用.① 稳压二极管正常工作是在反向击穿状态,即外加电源正极接其N 型区,外加电源负极接其P 型区;② 稳压二极管应与负载并联使用;③ 应保证稳压二极管工作于规定的电流范围;7.半导体三极管半导体三极管是双极型器件，即参与导电的载流子是电子和空穴，三极管有三个电极(发射极,基极,集电极)三个分区(发射区,基区,集电区)、二个PN 结(发射结,集电结)半导体三极管分为NPN 型和PNP 型二种。
一、填空（16分）1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。
2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。
3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。
4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。
RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。
5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。
6、下列说法正确的画√，错误的画×（1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。
（×）（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。
（×）（3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为012f RCπ=的信号，反馈信号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。
（×）图1二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE=0.7V，R bb’=300Ω。
回答下列各问：（1）请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基）（2）计算放大电路的静态工作点。
（3）画出微变等效电路。
A ，R i和R o（4）计算该放大电路的动态参数：u（5）若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b才能消除失真。
图2答：（1）是共射组态基本放大电路（1分）（2）静态工作点Q：Vcc=I BQ*R b+U BEQ+(1+β)I BQ*R e，即15=I BQ*200kΩ+0.7V+51*I BQ*8kΩ，∴I BQ=0.0235mA（2分）∴I CQ=βI BQ=1.175mA，（2分）∴U CEQ=V cc-I CQ*R C-I EQ*R E≈V cc-I CQ*(R C+R E)=15-1.175*10=3.25V（2分）（3）微变等效电路（4分）（4）r be=r bb’+(1+β)U T/I EQ=0.2+51*26/1.175=1.33KΩA u=-β(R c//R L)/r be=-50*1.32/1.33=-49.6（2分）Ri=R b//r be≈1.33KΩ;（2分）Ro≈Rc=2KΩ（2分）（5）是饱和失真，应增大R b（1分）三、（24分）回答下列各问。
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
