级模拟电路第1-4单元复习自测题

14级 《模拟电路》第1-4单元 复习自测题第一单元 半导体器件在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质在N 型半导体中，多数载流子是 [ A ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大 二极管的主要特性是 [ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性 . 左下图，设二极管导通压降为，判断二极管是否导通，并求输出电压 U O 。

二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为，判断二极管是否导通，求输出电压U o（D1导通，D2截止。

U O = ）左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。

A. VD1导通， VD2 、 VD3截止B. VD2导通， VD1 、 VD3截止C. VD3导通， VD1 、 VD2截止D. VD1， VD2 、 VD3均导通. 判断右上图电路中二极管的工作状态。

[ A ]A. VD1导通， VD2截止B. VD2导通， VD1 截止C. VD1 、 VD2均导通D. VD1， VD2均 截止 如左下图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。

（当u i >0,D 通，u 0=u i ;当u i <0,D 截止，u 0=0）在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图(左图)所示，该晶体管的类型是 [ A ]A. NPN 型硅管B. PNP 型硅管C. NPN 型锗管 图 2V 6VD. PNP 型锗管 测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是 [ D ]A. NPN 型硅管；B. PNP 型硅管；C. NPN 型锗管；D. PNP 型锗管 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ] A. 饱和VD VD 21 3.5 导通截止，O V UB.放大C.截止D.已损坏双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ B ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。

A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和-6V，则该三极管的类型为[ A ]A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、和2V，则该三极管的类型为[ D ]。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和12V，则该三极管的类型为[ B ]A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和-6V，则该三极管的类型为[ C ]。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=，V3=-5V，则三个电极为[ C ]。

为e；2为b；3为c 为e；2为c；3为b为b；2为e；3为c 为b；2为c；3为e处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是[ C ]。

A. V B＞V C＞V EB. V E＞V B＞V CC. V C＞V B＞V ED. V C＞V E＞V B处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是[ B ]。

A. V B＞V C＞V EB. V E＞V B＞V CC. V C＞V B＞V ED. V C＞V E＞V B判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

（×）2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（×）3、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（√）填空题：半导体材料有三个特性，它们是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。

半导体具有三敏特性，它们分别是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。

在本征半导体中加入（5价）元素可形成N型半导体，加入（3价）元素可形成P型半导体。

N型半导体可通过在纯净半导体中掺入（5价）元素而获得，而P型半导体可通过在纯净半导体中掺入（3价）元素而获得。

在P型半导体中，多数载流子是（空穴），而在N型半导体中，多数载流子是（电子）。

P型半导体中（空穴）是多数载流子，（电子）是少数载流子。

在N型半导体中，多数载流子是（电子），而在P型半导体中，多数载流子是（空穴）。

N型半导体中（电子）是多数载流子，（空穴）是少数载流子。

二极管的主要特性是（单向导电特性）。

（单向导电特性）是二极管的主要特性。

在常温下，硅二极管的门限电压约为（）V，导通后的正向压降约为（~工程中取）V；锗二极管的门限电压约为（）V，导通后的正向压降约为（~工程中取）V。

.在常温下，发光二极管的正向导通电压约为（1~）V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（10~20）mA。

晶体管按结构分有（NPN）和（PNP）两种类型。

晶体管按材料分有（锗管）和（硅管）两种类型。

晶体管实现放大作用的外部条件是发射结（正偏）、集电结（反偏）。

三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在饱和区时，发射结（正偏）），集电结（正偏））。

三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在截止区时，发射结（反偏）），集电结（反偏））。

第二单元放大电路基本原理和分析方法在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益（放大倍数）最小的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ A ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ A ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压u i和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位[ B ]。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压u i和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位[ A ]。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定以下电路中，可用作电压跟随器的是[ D ] A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路固定偏置共射极放大电路，已知VCC ＝12V，RC=3KΩ，β＝40,忽略U BE,若要使静态时U CE＝9V，则R B应取[ C ]。

A. 600KΩB. 240KΩC. 480KΩD. 360KΩ固定偏置共射放大电路,VCC ＝10V，硅晶体管的β＝100, RB=100KΩ， RC=5KΩ，则该电路中三极管工作在[ B ]。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定.固定偏置共射极放大电路,VCC ＝10V，硅晶体管的β＝100, RB=680KΩ， RC=5KΩ，则该电路中三极管工作在[ A ]。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定多级放大电路A u1=20dB, A u2=40dB,则电路总的电压放大倍数A u为[ C ]dB。

A．80 B．800 C．60在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|=100000。

在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：Au1是CB放大器，A u2是CE放大器，A u3是CC放大器。

在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。

判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。

1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（×）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。

（×）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1。

（√）4、阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

（√）5、直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。

（×）在多级放大电路常见的三种耦合方式(a.阻容耦合，b.直接耦合，c.变压器耦合)中选择合适者（可不止一种）填空。

1、要求各级静态工作点互相不影响，可选用 a,c 。

2、要求能放大直流信号，可选用 b 。

3、要求能放大交流信号，可选用 a,b,c 。

晶体管放大电路有三种组态，分别是（共射）、（共集电极）和（共基）。

共集电极放大电路的输入电阻很（大），输出电阻很（小）。

在NPN 共射放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为（饱和）失真，原因是Q 点（过高）；若输出电压的波形顶部被削掉，称为（截止）失真，原因是Q 点（过低）；若其输出电压的波形底部和顶部都被削掉，原因是（输入信号幅度过大）。

截止失真是由于放大电路的静态工作点接近或达到了三极管的（截止区）而引起的非线性失真，饱和失真则是由于工作点接近或达到了三极管的（饱和区）而引起的非线性失真，这两种失真统称为（非线性）失真。

在如图所示电路中，某一元件参数变化时，将U CEQ 的变化情况（增加；减小；不变）填入相应的括号内。