晶振旁边挂10M电阻作用

晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。

晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。

用来调整drive level和发振余裕度。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。

过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向?180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大？下图所示的一个晶振电路中，电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振串限流电阻：保护电路的重要组成
晶振串限流电阻是电路中非常重要的一个组成部分，它可以发挥
保护电路的作用，有效延长电路的使用寿命。

晶振是一种周期性振荡电路，是电子设备中常用的振荡源。

晶振
具有精度高、稳定性好、频率准确等优点，广泛应用于电子产品中。

但在实际使用中，晶振可能会受到噪音、电磁干扰等外界因素的影响，从而导致晶振电路的出错甚至烧毁。

而此时，晶振串限流电阻就可以
扮演重要的角色了。

晶振串限流电阻的作用是限制晶振电路中的电流，防止电路过流
而损坏晶振元件。

同时，晶振串限流电阻还能减小晶振电路的噪声和
干扰，提高电路的信噪比。

这种电阻通常会与电容并联，形成一个滤
波电路，进一步减小干扰和噪声。

晶振串限流电阻的选型要注意阻值和功率。

阻值过大会导致晶振
电路不稳定；阻值过小则不能起到限流的作用。

而功率则决定了这个
电阻可以承受的最大功率，要根据实际电路的功率需求来选取。

在选
型时，还要考虑其工作环境的温度、湿度等因素，以保证电阻的性能
和使用寿命。

总之，晶振串限流电阻虽然在电路中只是一个小小的部件，但是
它可以起到保护电路和提高电路性能的重要作用。

在实际电路设计中，选用合适的晶振串限流电阻，可以延长电路的寿命，提高电路的可靠性，降低维修成本。

晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用level和发振余裕度。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q 值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。

过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的、因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路、晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?下图所示的一个晶振电路中，电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶体的Q值非常高, 如何理解Q值高呢？晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。

Q一般达到10^-4量级。

为了避免信号太强打坏晶体的。

电阻一般比较大，一般是几百K。

串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几MHZ一般是在20~30P 左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策。

有源晶振输出串联电阻的作用讲解
一般大公司硬件电路都有最小化设计，是长期经验总结出来的，为的是减少重复性劳动和确保产品质量。

大家画图基本上直接抄模块电路，审查的人也按照标准电路检查，这样就不用每次都考虑如何设计。

你说的晶振输出串电阻就来自于最小化设计，对于数字电路里最重要的时钟源部分，应该特别注意保证信号完整性，最小化设计中晶振外围电路除了电阻还要有一些其他器件。

 串电阻是为了减小反射波，避免反射波叠加引起过冲。

有时，不同批次的板子特性不一样，留个电阻位置便于调整板子状态到最佳。

如无必要串电阻，就用0欧电阻连接。

反射波在大部分电路里有害，但PCI却恰恰利用了反射波形成有效信号。

 一、减少谐波，有源晶体输出的是方波，这将引起谐波干扰，尤其是阻抗严重不匹配的情况下，加上电阻后，该电阻将与输入电容构成RC积分平滑电路，将方波转换为近似正弦波，虽然信号的完整性受到一定影响，但由于该信号还要经过后级放大、整形后才作为时钟信号，因此，性能并不受影响，该电阻的大小需要根据输入端的阻抗、输入等效电容，有源晶体的输出阻抗等因素选择。

 二、阻抗匹配，减小回波干扰及导致的信号过冲。

我们知道，只要阻抗不匹配，都会产生信号反射，即回波，有源晶体的输出阻抗通常都很低，一般在几百欧以ac下，而信号源的输入端在芯片内部结构上通常是运放的输入。

一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。

晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。

用来调整drive level和发振余裕度。

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。

过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。

晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢？晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。

Q一般达到10^-4量级。

避免信号太强打坏晶体的。

电阻一般比较大，一般是几百K。

串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。

一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。

晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。

用来调整drive level和发振余裕度。

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。

过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。

晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢？晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。

Q一般达到10^-4量级。

避免信号太强打坏晶体的。

电阻一般比较大，一般是几百K。

串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。

晶振电路中，在2个24pf的起振电容的接地端之间串上一个1M欧姆的电阻有什么作用？应该是反馈作用，稳定振荡效果匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。

一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。

要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。

一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。

这样并联起来就接近负载电容了。

负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。

他是一个测试条件，也是一个使用条件。

应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。

此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。

3．一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高4．负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。

负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。

标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。

因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。

所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。

晶振旁的电阻（并联与串联）一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。

晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。

晶振串并联电阻的作用
晶振串并联电阻的作用主要有以下几点：
- 并联电阻：在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。

而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。

这是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区不存在增益, 而在没有增益的条件下晶振不起振。

- 串联电阻：常用来预防晶振被过分驱动。

过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，可用一台示波器检测OSC输出脚，如果检测一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动；相反，如果正弦波形的波峰，波谷两端被削平，而使波形成为方形，则晶振被过分驱动。

这时就需要用电阻Rs来防止晶振被过分驱动。

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晶振电路上的电阻作用1. 引言晶振电路是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、电视等。

在晶振电路中，电阻是一个重要的元件，它扮演着连接电路、限制电流和调整电压的重要角色。

本文将详细介绍晶振电路上的电阻作用，从电阻的基本原理、晶振电路中的电阻种类以及电阻在晶振电路中的具体作用等方面进行阐述。

2. 电阻的基本原理电阻是一种电子元件，它的作用是阻碍电流通过。

电阻的大小用欧姆（Ω）表示，符号为R。

电阻的阻力大小与其长度、截面积以及材料的电阻率有关。

根据欧姆定律，电阻的电流和电压之间存在线性关系，可以用以下公式表示：R = V / I其中，R为电阻的阻力，V为电阻上的电压，I为电流。

电阻的主要作用有两个方面：限制电流和调整电压。

首先，电阻可以限制电流的流动，防止电流过大对电路和元件造成损坏。

其次，电阻可以调整电压，使电路中的元件能够在适当的电压下工作。

3. 晶振电路中的电阻种类在晶振电路中，常见的电阻种类有固定电阻和可变电阻。

3.1 固定电阻固定电阻是指其阻值是固定不变的电阻。

在晶振电路中，常见的固定电阻有炭膜电阻、金属膜电阻和金属氧化物膜电阻等。

炭膜电阻是一种使用炭粉制成的电阻，具有较好的稳定性和耐高温性能。

金属膜电阻是一种使用金属膜制成的电阻，具有较高的精度和稳定性。

金属氧化物膜电阻是一种使用金属氧化物膜制成的电阻，具有较高的功率承受能力和稳定性。

3.2 可变电阻可变电阻是指其阻值可以根据需要进行调整的电阻。

在晶振电路中，常见的可变电阻有电位器和可变电阻器。

电位器是一种通过旋转或滑动调整阻值的电阻，可以用来调整电路中的电压和电流。

可变电阻器是一种通过旋转或滑动调整阻值的电阻，常用于对电路中的信号进行调节和控制。

4. 电阻在晶振电路中的具体作用在晶振电路中，电阻起着重要的作用。

下面将详细介绍电阻在晶振电路中的具体作用。

4.1 限制电流晶振电路中的电阻可以起到限制电流的作用。

电阻的阻值越大，通过电阻的电流就越小。

晶振的等效串联电阻晶振，这个小小的电子元件，真是个了不起的家伙。

说实话，很多人听到这个词，脑海里可能浮现的就是一堆复杂的电路图，眼睛一翻，直接想跑。

不过，咱们今天不聊那些高深的理论，咱们就聊聊晶振的等效串联电阻，轻松点儿，幽默点儿。

晶振就像你身边那个爱发光的朋友，总是能给你带来惊喜。

它主要负责在电子设备中生成稳定的频率信号，这一小块儿元件的魅力可不容小觑。

等效串联电阻，听上去好像一门高深的数学课，其实它跟咱们平常生活中的小细节有着千丝万缕的联系。

你想啊，晶振在工作的时候，总会受到一些阻力的影响，这些阻力就像咱们生活中的绊脚石，虽然看似微不足道，但往往却能让整个流程变得有些不顺。

等效串联电阻就能帮助我们理解晶振的实际工作状态，这就好比一个人想跑步，但身上绑着沙袋，跑起来肯定没那么轻松。

晶振在工作的时候，受到的这些阻力就会影响到它的性能，频率可能不那么稳定，信号可能会出现偏差。

可能有人会问，等效串联电阻具体是怎么算出来的呢？其实这就像你在超市挑东西，一边逛一边算账，心里想着“这件行不行，那件贵不贵”。

在电路里，等效串联电阻通常是由晶振的品质因数和其他参数共同决定的。

换句话说，晶振的好坏，跟它的等效串联电阻息息相关。

品质因数越高，电阻越小，信号就越稳定。

就像一个人，身体素质好，跑起来就风驰电掣，根本不带喘的。

咱们再想想，晶振如果真的受到了过大的串联电阻影响，那就可能出现“跑不动”的情况，频率也可能跟你想象的完全不一样。

就像你考试的时候，平时成绩特别优秀，但临场发挥却因为紧张而错失良机，实在是可惜。

这个时候，等效串联电阻的影响就显现得淋漓尽致。

说白了，这就是它的“性格”，直接关系到设备的稳定性和可靠性。

不过，晶振并不是孤立存在的，旁边还有其他元件共同工作，像搭档一样。

它们之间的配合就像一场舞蹈，步伐要一致，才能跳出好看的舞蹈。

而晶振的等效串联电阻就是其中一部分，调和着其他元件的表现。

换句话说，良好的电阻能让整场舞蹈更加流畅，不然就容易出现踩踏，影响了全场气氛。

晶振与匹配电容的总结1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容;一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容;要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容;一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍;这样并联起来就接近负载电容了;2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容;他是一个测试条件,也是一个使用条件;应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率;此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻;3.一般情况下,增大负载电容会使振荡频率下降,而减小负载电容会使振荡频率升高;4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容;负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同;标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同;因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振;所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常;晶振旁的电阻并联与串联一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻,在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻,这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器,将输入进行反向180度输出,晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移,整个环路的相移360度,满足振荡的相位条件,同时还要求闭环增益大于等于1,晶体才正常工作;晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈,保证放大器工作在高增益的线性区,一般在M欧级,输出端的电阻与负载电容组成网络,提供180度相移,同时起到限流的作用,防止反向器输出对晶振过驱动,损坏晶振;和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动;晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升,并导致晶振的早期失效,又可以讲drive level调整用;用来调整drive level和发振余裕度;Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路,形成放大器,当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振,由于晶体的Q值非常高,因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率;过去,曾经试验此电路的稳定性时,试过从100K～20M都可以正常启振,但会影响脉宽比的;晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感,相当于电感的导线电阻很小很小;Q一般达到10^-4量级;避免信号太强打坏晶体的;电阻一般比较大,一般是几百K;串进去的电阻是用来限制振荡幅度的,并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ 一般是在20~30P左右,主要用与微调频率和波形,并影响幅度,并进去的电阻就要看 IC spec了,有的是用来反馈的,有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后,Re越小,Rp就越大,这是有现成的公式的;晶体的等效Rp很大很大;外面并的电阻是并到这个Rp上的,于是,降低了Rp值 -----> 增大了Re -----> 降低了Q关于晶振石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号;一、石英晶体振荡器的基本原理1、石英晶体振荡器的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体二氧化硅的结晶体的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等,在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的;2、压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形;反之,若在晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应;如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时晶片的机械振动又会产生交变电场;在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐振现象十分相似;它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关;3、符号和等效电路当晶体不振动时,可把它看成一个平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关,一般约几个PF到几十PF;当晶体振荡时,机械振动的惯性可用电感L来等效;一般L的值为几十mH 到几百mH;晶片的弹性可用电容C来等效,C的值很小,一般只有～;晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效,它的数值约为100Ω;由于晶片的等效电感很大,而C很小,R也小,因此回路的品质因数Q很大,可达1000～10000;加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关,而且可以做得精确,因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度;4、谐振频率从石英晶体谐振器的等效电路可知,它有两个谐振频率,即1当L、C、R支路发生串联谐振时,它的等效阻抗最小等于R;串联揩振频率用fs表示,石英晶体对于串联揩振频率fs呈纯阻性,2当频率高于fs时L、C、R支路呈感性,可与电容C;发生并联谐振,其并联频率用fd表示;根据石英晶体的等效电路,可定性画出它的电抗—频率特性曲线;可见当频率低于串联谐振频率fs或者频率高于并联揩振频率fd时,石英晶体呈容性;仅在fs二、石英晶体振荡器类型特点石英晶体振荡器是由品质因素极高的石英晶体振子即谐振器和振荡电路组成;晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等,共同决定振荡器的性能;国际电工委员会IEC将石英晶体振荡器分为4类：普通晶体振荡TCXO,电压控制式晶体振荡器VCXO,温度补偿式晶体振荡TCXO,恒温控制式晶体振荡OCXO;目前发展中的还有数字补偿式晶体损振荡DCXO等;普通晶体振荡器SPXO可产生10^-5～10^-4量级的频率精度,标准频率1—100MHZ,频率稳定度是±100ppm;SPXO没有采用任何温度频率补偿措施,价格低廉,通常用作微处理器的时钟器件;封装尺寸范围从21×14×6mm及5××;电压控制式晶体振荡器VCXO的精度是10^-6～10^-5量级,频率范围1~30MHz;低容差振荡器的频率稳定度是±50ppm;通常用于锁相环路;封装尺寸14×10×3mm;温度补偿式晶体振荡器TCXO采用温度敏感器件进行温度频率补偿,频率精度达到10^-7～10^-6量级,频率范围1—60MHz,频率稳定度为±1～±,封装尺寸从30×30×15mm至××;通常用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等;恒温控制式晶体振荡器OCXO将晶体和振荡电路置于恒温箱中,以消除环境温度变化对频率的影响;OCXO频率精度是10^-10至10^-8量级,对某些特殊应用甚至达到更高;频率稳定度在四种类型振荡器中最高;三、石英晶体振荡器的主要参数晶振的主要参数有标称频率,负载电容、频率精度、频率稳定度等;不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标明在晶振外壳上;如常用普通晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、kHz、1MHz～ MHz等,对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上,也有的没有标称频率,如CRB、ZTB、Ja等系列;负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容;负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同;标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同;因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振;所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常;频率精度和频率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求,对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度;频率精度从10^-4量级到10^-10量级不等;稳定度从±1到±100ppm不等;这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振,如通信网络,无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器;因此,晶振的参数决定了晶振的品质和性能;在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振,因不同性能的晶振其价格不同,要求越高价格也越贵,一般选择只要满足要求即可;四、石英晶体振荡器的发展趋势1、小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变;例如TCXO这类器件的体积缩小了30～100倍;采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm 尺寸的器件已经上市;2、高精度与高稳定度,目前无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10～7℃范围内一般可达±20～100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±～5ppm,VCXO控制在±25ppm以下;3、低噪声,高频化,在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的,相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数;目前OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善;除VCXO外,其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz;例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器,其频率为650～1700 MHz,电源电压～,工作电流8～10mA;4、低功能,快速启动,低电压工作,低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势;电源电压一般为;目前许多TCXO和VCXO产品,电流损耗不超过2 mA;石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展;例如日本精工生产的VG—2320SC型VCXO,在±规定值范围条件下,频率稳定时间小于4ms;日本东京陶瓷公司生产的SMD TCXO,在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%;OAK公司的10～25 MHz的OCXO产品,在预热5分钟后,则能达到± ppm的稳定度;五、石英晶体振荡器的应用1、石英钟走时准、耗电省、经久耐用为其最大优点;不论是老式石英钟或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为核心电路,其频率精度决定了电子钟表的走时精度;从石英晶体振荡器原理的示意图中,其中V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振荡电容C1及微调电容C2构成振荡系统,这里石英晶体相当于电感;振荡系统的元件参数确定了振频率;一般Q、C1及C2均为外接元件;另外R1为反馈电阻,R2为振荡的稳定电阻,它们都集成在电路内部;故无法通过改变C1或C2的数值来调整走时精度;但此时我们仍可用加接一只电容C有方法,来改变振荡系统参数,以调整走时精度;根据电子钟表走时的快慢,调整电容有两种接法：若走时偏快,则可在石英晶体两端并接电容C,如图4所示;此时系统总电容加大,振荡频率变低,走时减慢;若走时偏慢,则可在晶体支路中串接电容C;如图5所示;此时系统的总电容减小,振荡频率变高,走时增快;只要经过耐心的反复试验,就可以调整走时精度;因此,晶振可用于时钟信号发生器;2、随着电视技术的发展,近来彩电多采用500kHz或503 kHz的晶体振荡器作为行、场电路的振荡源,经1/3的分频得到 15625Hz的行频,其稳定性和可靠性大为提高;面且晶振价格便宜,更换容易;3、在通信系统产品中,石英晶体振荡器的价值得到了更广泛的体现,同时也得到了更快的发展;许多高性能的石英晶振主要应用于通信网络、无线数据传输、高速数字数据传输等晶振的负载电容晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容;是指晶振要正常震荡所需要的电容;一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容;要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容;应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率;此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻;晶振的负载电容=CdCg/Cd+Cg+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic集成电路内部电容+△CPCB上电容.就是说负载电容15pf的话,两边个接27pf的差不多了,一般a为～各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器. 晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联. 在晶振输出引脚 XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻连接, 对于 CMOS 芯片通常是数 M 到数十 M 欧之间. 很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻, 引脚外部就不用接了. 这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处与线性状态, 反相器就如同一个有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶体也连接在晶振引脚的输入和输出之间, 等效为一个并联谐振回路, 振荡频率应该是石英晶体的并联谐振频率. 晶体旁边的两个电容接地, 实际上就是电容三点式电路的分压电容, 接地点就是分压点. 以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的, 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看, 形成一个正反馈以保证电路持续振荡. 在芯片设计时, 这两个电容就已经形成了, 一般是两个的容量相等, 容量大小依工艺和版图而不同, 但终归是比较小, 不一定适合很宽的频率范围. 外接时大约是数PF 到数十 PF, 依频率和石英晶体的特性而定. 需要注意的是: 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的, 会影响振荡频率. 当两个电容量相等时, 反馈系数是 , 一般是可以满足振荡条件的, 但如果不易起振或振荡不稳定可以减小输入端对地电容量, 而增加输出端的值以提高反馈量.设计考虑事项：1.使晶振、外部电容器如果有与 IC之间的信号线尽可能保持最短;当非常低的电流通过IC晶振振荡器时,如果线路太长,会使它对 EMC、ESD 与串扰产生非常敏感的影响;而且长线路还会给振荡器增加寄生电容;2.尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置;3.当心晶振和地的走线4.将晶振外壳接地如果实际的负载电容配置不当,第一会引起线路参考频率的误差.另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降不在峰点,影响混频信号的信号强度与信噪.当波形出现削峰,畸变时,可增加负载电阻调整几十K到几百K.要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻.。

晶振out串电阻
晶振的输出端串接电阻是为了防止晶振被过分驱动。

过分驱动晶振会逐渐损耗减少晶振的接触电镀，导致频率上升，并可能导致晶振的早期失效。

串接的电阻能够限制振荡幅度，保护晶振。

此外，串接电阻还有其他作用：
1. 减小反射波，避免反射波叠加引起过冲。

2. 阻抗匹配，减小回波干扰及导致的信号过冲。

3. 调整信号的波形和完整性，例如将方波转换为近似正弦波。

具体来说，串联电阻的大小需要根据输入端的阻抗、输入等效电容、有源晶体的输出阻抗等因素选择。

如有必要，可以使用0欧姆电阻进行连接。

晶振并联1m电阻的原因晶振是现代电子设备中常用的一种电子元件，它能够产生稳定的频率信号，广泛应用于通讯、计算机、电视、音响等领域。

在实际应用中，晶振常常需要与其他电子元件进行连接，其中一种常见的连接方式就是晶振并联1m电阻。

那么，为什么要在晶振与电路之间加上1m电阻呢？下面就为大家详细解析。

首先，我们需要了解晶振的工作原理。

晶振是一种基于石英晶体振荡的元件，它通过振荡产生稳定的频率信号。

晶振的振荡频率由晶体的厚度、形状和材料决定，因此具有高精度和稳定性。

晶振的输出信号一般为正弦波，其电压幅值较小，一般只有几百毫伏左右。

晶振的输出信号需要接入到其他电子元件中进行处理和放大，以达到实际的应用需求。

在接入电路时，晶振的输出信号往往需要与其他信号进行区分，以避免互相干扰。

同时，晶振的输出信号也需要适应其他元件的输入电阻，以避免信号失真和衰减。

在这种情况下，晶振并联1m电阻就派上用场了。

1m电阻可以起到限制晶振输出信号幅值的作用，使得晶振输出信号的幅值不会过大，从而避免对其他信号产生干扰。

此外，1m电阻还可以限制晶振输出信号的带宽，使得晶振输出信号只能在一定频率范围内传输，从而避免对其他信号产生干扰。

另外，晶振并联1m电阻还可以适应其他电子元件的输入电阻。

在实际应用中，不同元件的输入电阻可能会有所不同，如果晶振输出信号的幅值过大，就可能会导致信号失真和衰减，影响电路的正常工作。

通过并联1m电阻，可以使得晶振输出信号的幅值适应其他元件的输入电阻，从而保证信号传输的正常性。

总之，晶振并联1m电阻的作用主要是限制晶振输出信号的幅值和带宽，适应其他电子元件的输入电阻，避免信号失真和衰减，保证信号传输的正常性。

在实际应用中，如果需要连接晶振和其他电子元件，就需要注意选择合适的电阻，并按照正确的方式进行连接，以避免信号干扰和损失。

晶振谐振电阻晶振谐振电阻是指在晶体振荡器中，通过添加外部电阻来调整其谐振频率的一种方法。

晶振谐振电阻通常由一个可变电阻器和一个固定电阻器组成，通过调整可变电阻器的阻值来改变晶振电路的谐振频率。

晶振谐振电阻的作用在于使晶振电路的谐振频率与所需的频率相匹配。

晶体振荡器是一种产生稳定振荡信号的电子元件，广泛应用于电子设备中的时钟电路、调频电路和无线通信系统等。

晶振电路的谐振频率是由晶体的物理特性决定的，通过调整晶振谐振电阻可以实现对谐振频率的微调。

在晶振电路中，晶振谐振电阻起到了一个阻抗匹配的作用。

晶振电路由晶振和耦合电容组成，晶振产生的振荡信号通过耦合电容传递给下一级电路。

为了使信号能够有效地传递，晶振电路的输入和输出阻抗需要与周围电路相匹配。

晶振谐振电阻的调整可以使晶振电路的输入和输出阻抗与周围电路相匹配，从而提高整个电路的性能。

晶振谐振电阻的调整可以通过改变可变电阻器的阻值来实现。

可变电阻器是一种可以手动调节阻值的电阻器，通过旋转电阻器的旋钮或滑动电阻器的滑块来改变电阻值。

当需要调整晶振电路的谐振频率时，只需调节可变电阻器的阻值，即可改变电路的谐振频率。

一般情况下，可变电阻器的阻值范围比较大，可以满足不同频率的需求。

晶振谐振电阻的调整需要一定的经验和技巧。

调整时需要注意阻值的变化范围，过大或过小的阻值都可能导致谐振频率无法匹配。

此外，还需要注意调整的步骤和方法，避免误操作或损坏电路。

对于初学者来说，可以参考相关的电路设计手册或咨询专业人士的建议，以确保调整的准确性和稳定性。

晶振谐振电阻是调整晶振电路谐振频率的一种常用方法。

通过调节晶振谐振电阻的阻值，可以实现对晶振电路谐振频率的微调，从而提高电路的性能和稳定性。

在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的晶振谐振电阻，并注意调整的方法和步骤，以确保电路的正常工作。

晶振串接电阻晶振是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。

而在实际的应用中，晶振往往需要通过串接电阻来实现其功能。

本文将围绕晶振串接电阻展开讨论，探究其原理、应用以及注意事项。

一、晶振串接电阻的原理晶振是一种电子振荡器，通过产生稳定的振荡信号来提供精确的时钟脉冲。

然而，在某些应用场景下，晶振的振荡频率可能需要进行调整或者精确控制。

这时就需要通过串接电阻来实现对晶振频率的调节。

晶振串接电阻的原理很简单，就是通过在晶振的引脚之间串接一个电阻，改变电路的阻抗来调整晶振的频率。

具体来说，串接电阻可以起到两个作用：一是改变晶振的等效电容值，二是改变晶振的负载电阻。

改变晶振的等效电容值可以影响晶振的振荡频率。

晶振的振荡频率与其等效电容值成反比关系，因此通过串接一个电阻，可以改变晶振的等效电容值，从而实现对振荡频率的调节。

改变晶振的负载电阻可以影响晶振的启动和稳定性。

晶振的启动和稳定性与其负载电阻有密切关系，适当调整负载电阻可以提高晶振的启动和稳定性。

而串接电阻可以起到改变晶振的负载电阻的作用，因此可以通过串接电阻来调节晶振的启动和稳定性。

晶振串接电阻在实际应用中具有广泛的应用场景。

下面以几个常见的应用场景为例进行介绍。

1. 调节晶振频率：晶振在一些特殊应用中，需要精确调节其振荡频率。

通过串接电阻，可以改变晶振的等效电容值，从而实现对振荡频率的调节，满足不同应用场景的需求。

2. 提高晶振启动和稳定性：晶振在启动和运行过程中，可能会受到一些干扰，影响其正常工作。

通过串接电阻，可以调节晶振的负载电阻，提高晶振的启动和稳定性，减少干扰对其的影响。

3. 阻抗匹配：在某些电路设计中，为了确保信号传输的质量，需要进行阻抗匹配。

通过串接电阻，可以改变晶振的阻抗，实现与其他电路之间的阻抗匹配，提高信号传输的效果。

三、晶振串接电阻的注意事项在使用晶振串接电阻时，需要注意以下几个问题：1. 选择合适的电阻数值：电阻的数值选择应根据具体的应用需求和晶振的参数来确定。