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第1章常用半导体器件A. C.A. C.A. C.答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A. C.A. C.C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：3.晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。
A. B.C.答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( )。
A.截止状态B.放大状态C.饱和状态答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。
A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。
(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
参考答案：A. B. C. D. 参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D.参考答案：9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。
A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通，D2截止D. D1截止，D2导通答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。
A. 正向导通B.反向截止C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：A. 电流正常B.电流过大使管子烧坏C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：12.(单选题)12. 电路如图1-4所示，二极管是硅管，死区电压是0.7V，电路中的U0值是（）。
A. 20.7VB.19.3VC. 10VD. -10.7V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：13.(单选题)13.电路如图1-5所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S断开时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 6.7VC. 6VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）14.(单选题)14.电路如图1-6所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S闭合时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 12VC. 6.7VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：15.(单选题)15.电路如图1-7所示，设二极管均为理想元件，当输入电压时，输出电压最大值是( )。
A. 15VB.10VC. 5VD. -5V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：16.(单选题)答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：参考答案：A. B. C. D.参考答案：答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：20.(单选题)20.电路如图1-10所示，其中限流电阻R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。
第1章常用半导体器件A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：Cui=10sin tVA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：D稳定电压与相应电流稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：C是指A. B. D. 参考答案：BA. B.C.A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：B约A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：C.A. B. D. 参考答案：AA.6VB.0VC.0.6VD.5.3VA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A确定电压放大倍数A. B. D.参考答案：C管子的值太小电路电源电压太高偏置电阻太小偏置电阻太大A. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B第二级的基极电流随之而改变(..)第二级的静态电流不改变但要改变A. B. C. D.参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D.参考答案：DA. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：D.时的输出电压A. B. D.参考答案：DA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CB.A. B. D.参考答案：C若将源极旁路电容去掉A. B. C. D.参考答案：B约几十微法大于 C.小得多A. B. D.参考答案：C等于A. C.A. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D.参考答案：C.A. B. C.A. B. D.参考答案：D一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为.A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C反馈电压反馈电压反馈电压A. B. D.参考答案：C一个正弦波振荡器的反馈系数.开环电压放大倍数必须等于A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C答题： A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：AA. B. C. D.参考答案：B..消耗的功率为A. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D.参考答案：A.弦信号A. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A≤0.2sin出A.12sin V C.A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：B静态时电容两端的电压等于A. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B设变压器副边电压有效值为.输出电流平均值为。
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础试卷试卷号：B140021校名___________ 系名___________ 专业___________姓名___________ 学号___________ 日期___________（请考生注意：本试卷共页）一、选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D( 本大题9分)放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。
试分析下列各题，从给出的答案中选择正确者填空。
1．对于图（a），若需要在信号源和放大电路之间（A-A处）再插入一级负反馈放大电路，要求该级向信号源索取电流尽量小，而且不会削弱其后面电路原有的负反馈效果，则该级宜采用________负反馈电路。
2．对于图（b），若需要在信号源和放大电路之间（A-A处）再插入一级负反馈放大电路，要求该级的输入电阻尽量小，而且不会削弱其后面电路原有的负反馈效果，则该级宜采用__________负反馈电路。
A．电压串联，B．电压并联，C．电流串联，D．电流并联。
二、填空：将正确答案填写在横线上。
( 本大题3分)判断下面句子中带有底划线的词语说法是否正确，若不正确，则在其后面填入正确词语。
幅度失真和相位失真统称为非线性失真（）。
在出现这类失真时，当输入信号为正弦波时，输出信号为非正弦波（）；当输入信号为非正弦波时，输出信号中各次谐波分量的幅度与基波幅度之比值与输入信号的相同（）。
三、解答下列各题( 本大题6分)欲使图示电路有可能产生正弦波振荡，请用“＋”、“－”号分别标出集成运放A的同输入端和反相输入端。
四、解答下列各题 ( 本 大 题14分 )某同学将一个中间抽头全波整流电路错接成如图电路形式，已知)V (sin 2102t u ω=，二极管正向压降和变压器内阻忽略不计。
1．画出整流输出电压O u 的波形； 2．计算O u 的平均值；3．在这个电路中VD 1、VD 2都起作用吗？u O五、解答下列各题 ( 本 大 题16分 )已知图示放大电路中晶体管的β＝50，be r ＝1k Ω，U BEQ ＝0.7V ；要求静态时CQ I ＝2mA ，发射极、集电极的对地静态电压分别为EQ U ＝1V ，CQ U ＝4V 。
计算题（2020年）（请写出完整计算过程，并画出计算中涉及的图）1.如图1所示，求支路电流I1、I2、I3和I4。
图12.如图2所示，求支路电流I1、I2和I3。
图2解（1）（2）（3）方程组得3.如图3所示,求支路电流I1和I2。
图34.如图4所示,求支路电流I1、I2和I3。
图45. 如图5所示，开关S闭合前电路已处于稳态，t=0时将开关S闭合。
求开关闭合后电容电压u c(t)和电流i c(t）图56. 如图6所示，开关S断开前电路已处于稳态，t=0时将开关S断开。
求开关断开后电容电压u c(t)和电流i c(t)。
图67. 如图7所示，开关S闭合前电路已处于稳态，t=0时将开关S闭合。
求开关闭合后电容电压u c(t)。
图78.如图8所示，开关S断开前电路已处于稳态，t=0时将开关S断开。
求开关断开后电容电压u c(t)和电流i c(t)。
图89.如图9所示放大电路中，U cc=12V，β=37.5，R B=300kΩ，R C=4kΩ，R L=4kΩ，晶体管为硅管，U BE=0.7V。
［其中26300(1)beCrIβ≈++进行计算］。
（1）计算放大电路的静态工作点I B、I C、U CE。
（2）画出电路微变等效电路图。
（3）计算电压放大倍数A u、输入电阻r i、输出电阻r o。
图910. 如图10所示分压式偏置放大电路中，U cc=12V，β=50，R B1=50kΩ，R B2=20kΩ，R E=2.7kΩ，R C=5kΩ，R L=5kΩ。
晶体管为硅管，U BE=0.7V。
［其中26300(1)beCrIβ≈++进行计算］。
（1）计算放大电路的静态工作点I B、I C、U CE。
（2）画出电路微变等效电路图。
（3）计算电压放大倍数A u、输入电阻r i、输出电阻r o。
图1011. 如图11所示放大电路中，U cc=12V，β=50，R B=240kΩ，R C=3kΩ，R L=2kΩ。
晶体管为硅管，U BE=0.7V。
华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06）一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。
A.D1导通，D2截止，0.7V OU = B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =- C.D1截止，D2截止，12V O U = D.D1导通，D2导通，0.7V OU =2． 图2管压降当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部B. 饱和；顶部C. 截止；底部D. 截止；顶部3． 在图2所示电路中，已知UT =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。
A ．o )u t ωπ=+B ．o )u t ω=C．o )u t ωπ=+D4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（）可以构成复合管。
（A ）（B ）（C ）（D ）5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f=时，下列描述正确的是（ ）。
AiU B ．o U 滞后iU ︒135 C．o U 超前i U ︒45D ．o U 超前iU 135︒6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻图15.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻ifR '=（ ）。
A. 500k Ω；B. 50； C.50； D. 5Ω7． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。
华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06）一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。
A.D1导通，D2截止，0.7V OU = B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =- C.D1截止，D2截止，12V O U = D.D1导通，D2导通，0.7V OU =2． 图2管压降当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部B. 饱和；顶部C. 截止；底部D. 截止；顶部3． 在图2所示电路中，已知UT =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。
A ．o )u t ωπ=+B ．o )u t ω=C．o )u t ωπ=+D4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（）可以构成复合管。
（A ）（B ）（C ）（D ）5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f=时，下列描述正确的是（ ）。
AiU B ．o U 滞后iU ︒135 C．o U 超前i U ︒45D ．o U 超前iU 135︒6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻图15.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻ifR '=（ ）。
A. 500k Ω；B. 50； C.50； D. 5Ω7． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。
,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷B （2011.07.04）1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；3. 本试卷共 三 大题，满分100分， 考试时间120分钟。
选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分） ．电路如图1所示，二极管导通电压D 0.7U =V ，常温下T 26≈mV 。
电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，效值为10mV 。
则流过二极管的交流电流有效值为 ）。
A. 0.5mAB. 1mAC. 1.5mAD. 2mA．当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置状况应为（ ）。
A. 发射结电压反偏、集电结电压也反偏B. 发射结电压正偏、集电结电压反偏C. 发射结电压正偏、集电结电压也正偏D. 发射结电压反偏、集电结电压正偏 ．图2所示电路（ ）。
A. 等效为PNP 管B. 等效为NPN 管C. 为复合管，其等效类型不能确定D. 三极管连接错误，不能构成复合管 ．集成运放的输入级采用差分放大电路可以（ ）。
A ．抑制温漂 B. 增大放大倍数 C. 展宽频带 D. 减小输入电阻 ．放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是（ ）。
图1A. 半导体管的非线性特性B. 半导体管极间电容和分布电容的存在C. 放大电路的静态工作点不合适D. 耦合电容和旁路电容的存在6．欲将方波电压转换成为三角波电压，应选用（ ）。
A.电压跟随器B.积分运算电路C.微分运算电路D.乘方运算电路7．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大 B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小8．差分放大电路公共射极支路静态电流近似等于单管集电极电流CQ1I 的（ ）倍。
A. 1 B. 2 C. 3 D. 0.59．对于RC 耦合单管共射放大电路，若下限截止频率为L f ,则当L f f =时，下列描述正确的是（ ）。
华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是 。
2．三极管是 控制型器件，而场效应管是 控制型器件。
3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。
5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ，经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。
6、在门电路中，最基本的三种门电路是 门 门和 门。
7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。
二、单项选择题 （每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。
(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。
最基本的逻辑关系有 、 、 三种。
模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4理想二极管的反向电阻为( b )。
(a)零 (b)无穷大 (c)约几百千欧5电路如图1所示，设1D ，2D 均为理想元件，已知输入电压i u =150sin t ωV 如图2所示，试画出电压O u 的波形。
答：6电路如图1所示，设输入信号I1u ,I2u 的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压O u 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。
D D u O+- 图1图2u i u iuI2D1图1图2uI1u答：电压波开如图：在t1时间内D1导通，D2截止。
在t2时间内D1截止，D2导通。
7电路如图所示，试分析当u I V=3时，哪些二极管导通？当uIV=0时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为0.7 V）。
答：当U I=3V时，D2D3D4导通；当U I=0V时，D1导通。
当U I=3V时，5V电源有两个回路，右边D2D3D4的压降各为0.7V，所以该给回路中的电阻压降是5V-3*0.7V=2.9V,电阻下端是5V的电源正极为+5V，因此a点电位为2.1V，由于D1左边电位为+3V，因此D1不会导通。
第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图(b)。
D1D2D342图示电路，已知晶体管60=β，V 7.0BE =U ，Ω=k 2C R ，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω3电路如图所示，R C ＝3k Ω，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， R B 应调至(c)。
2020年下半年度模拟电子技术基础作业
1．集成运算放大器的基本组成有哪几个部分？并详细介绍各部功能及主要作用。
答：由输入级、中间级、输出级三部分组成。
作用如下： 输入级：采用差分放大电路以消除零点漂移和抑制干扰。
中间级：一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益。
输出级：一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。
2.测得放大电路中两个三极管中的两个电极的电流如图1
试求：
①另外一个电极电流的大小，并确定各电极的管脚。
②判断是NPN 型管还是PNP 型管。
③估算β值。
解：根据三极管电流关系I E = I C +I B ，I E >I C >>I B I E ≈I C ；确定①脚是基极；②脚是发射极， ③脚是集电极
I E
= I C +I B
=1.86+0.03=1.89mA 发射极电流方向是流出。
根据管脚电流与方向确定NPN 型管
Β= I C / I B =1.86/0.03=61
图1 三极管管脚示意图
3电路如图2所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件， (1)将其正确连接成
RC 桥式振荡电路。
（2）已知电路参数R=7.5K Ω，C 1=C 2=0.02μF,R 2=50 K Ω,估算振荡频率。
（3）已知电路参数R 2=50 K Ω,为保证电路起振，电阻R 1如何选取？
解：5与7相连，3与1相连，4与2 相连，可组成RC 桥式振荡电路。
如图所示：
（2）f o =2πRC =2×3.14×7.5×103×0.02×10−6=1
0.942×10−3≈1.06KHz
（3）根据RC 桥式振荡电路的起振条件
R 2>2R 1 50>2R 1 25KΩ>R 1
图2 振荡器电路图。
