衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上Zn0.95Co0.05O薄膜的影响

第37卷 第8期中 国 激 光V ol.37,N o.82010年8月CHINESE JOURNAL O F LASERSAugust,2010文章编号:0258 7025(2010)08 2063 05衬底温度对脉冲激光沉积类金刚石薄膜的影响罗 乐1 赵树弥1 仇冀宏1 方尚旭1 方晓东2 陶汝华2(1合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230009;2中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽合肥230031)摘要 在脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜的实验中,保持其他实验参数不变,衬底温度分别取30,200,400和600 来沉积类金刚石薄膜。

用拉曼光谱仪和X 射线光电子能谱仪对不同衬底温度下沉积的类金刚石薄膜的微观结构和组成进行检测分析;用原子力显微镜对不同衬底温度下沉积的类金刚石薄膜的表面形貌进行检测分析。

实验结果表明,衬底温度对脉冲激光沉积法制备的类金刚石薄膜的微观结构与组成,sp 3/sp 2比值以及薄膜的表面形貌都有显著的影响。

衬底温度升高导致各种碳离子和石墨大颗粒在衬底表面的迁移率提高,从而导致薄膜中sp 3/sp 2比值减小;石墨晶粒的数量增多、体积增大;薄膜表面的粗糙度降低;大颗粒的数量减少。

关键词 薄膜;类金刚石薄膜;脉冲激光沉积法;衬底温度;表面形貌;微观结构;sp 3/sp 2比值;迁移中图分类号 O484 文献标识码 A d oi :10.3788/CJL 20103708.2063Influence of the Substrate Te mpe rature upon the Diamond Like CarbonFilms De posited by Pulsed Lase rLuo Le 1 Zhao Shumi 1 Qiu Jihong 1 Fang Shangxu 1 Fang Xiaod ong 2 Tao Ruhua 21Electr on ics a nd Applied Phy sics College ,Hefei Univ er sity of T echnology ,Hef ei ,An hui 230009,Chin a2An hui In st itu te of Optics an d Fin e M echan ics ,Chin ese Aca dem y of Sciences ,Hefei ,Anhu i 230031,ChinaAbstract The influence of the substrate temperature on the topography and mic rostructure of the diamond like c arbon (DL C)film in the pulsed laser deposition (PLD)is st udied.When the diamond like carbon films were deposited,the substrate temperature kept at 30,200,400and 600 respectively.The microstruc t ure and c om position of the diamond like ca rbon films deposited at different substrate temperatures were detected by the visible Raman spec troscopy and the X ray photoelec tron spectrosc opy (XPS)respectively.The topography of the diamond like carbon films was detected by the atomic forc e microsc opy (AFM ).The experimental result demonstrates that the substrate temperature influences microstructure,composition,ratio of sp 3/sp 2and topography of the diam ond like c arbon films in the pulsed laser deposition remarkably.When the substrate temperat ure inc reases,the ratio of sp 3/sp 2in the film would decrease,the size and number of graphitic crystallites in the film would increase,the roughness of the film would reduc e and the number of granules on the film would decrease.The reason to cause the experimental phenomenon is that transfer ability of the carbon ions and granules on the substra te would increase when the substrate temperature increases.Key wo rds thin films;diamond like carbon film;pulsed laser deposition;substrate temperature;topography;m icrostructure;ratio of sp 3/sp 2;transfer收稿日期:2009 11 12;收到修改稿日期:2009 12 16基金项目:中国科学院 百人计划!和合肥工业大学博士基金(GD BJ2008043)资助课题。

衬底温度对ZnO薄膜的结构和光学特性的影响宿世臣;吕有明;张吉英;申德振【摘要】利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,制备了不同的ZnO样品.研究了衬底温度对ZnO的结构、光学和电学性质的影响.样品的晶体结构利用X射线衍射谱进行表征.X射线衍射谱表明,所有的ZnO样品都是(002)取向的六角纤锌矿结构.随着生长温度的升高,X射线的(002)衍射峰的半峰全宽逐渐减小.样品的表面形貌随着衬底的温度改变而变化,在800℃得知了平整的ZnO表面.通过光致发光的实验得知,ZnO的紫外发光随着生长温度的升高,强度逐渐增强.光致发光的来源为ZnO的自由激子发光.在生长温度为800℃时,得到了高质量的ZnO单晶薄膜,X射线衍射峰的最大半峰全宽为0.05°,霍尔迁移率为51 cm2/(V·s),载流子浓度为1.8×1018 cm-3.【期刊名称】《发光学报》【年(卷),期】2011(032)007【总页数】4页(P736-739)【关键词】氧化锌;等离子体辅助分子束外延;光致发光【作者】宿世臣;吕有明;张吉英;申德振【作者单位】华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631;中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033;深圳大学材料科学与工程学院,广东深圳518060;中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033;中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033【正文语种】中文【中图分类】O482.31ZnO作为一种宽禁带半导体材料,最大的用途在于短波长半导体激光,可作为白光LED的基础材料。

ZnO有很高的激子结合能（60 meV）[1],远高于其他宽禁带半导体材料,如 GaN的为 25 meV,也高于室温的热能（26 meV）,ZnO激子在室温下是稳定的,可以实现室温或更高温度下的激子受激紫外辐射发光。

书山有路勤为径，学海无涯苦作舟衬底温度对ZnO:Al 薄膜热电性能影响的研究本文采用直流磁控溅射的方法在透明玻璃衬底上制备掺铝氧化锌(ZnO：Al，AZO)薄膜，系统研究不同衬底温度对AZO 薄膜热电性能特性的影响。

实验结果表明：所制备的薄膜均呈现出N 型热电半导体特性。

在所制备的样品中，当衬底温度为250℃时，薄膜样品的电导率具有最大值，为1.35 乘以105S/m，但该样品的塞贝克系数较小；当衬底温度达到400℃时，所制得的薄膜样品在测试温度为503K 时，塞贝克系数绝对值和功率因子达到最大，分别为96LV/K 和712 乘以10-4 W/mK2。

不同衬底温度条件下沉积的AZO 薄膜均呈现出六方纤锌矿结构，具有明显的c 轴择优取向，随着衬底温度的增加，薄膜表面颗粒致密度增加，结晶情况改善。

通过表面形貌和剖面分析可知：与其他薄膜样品相比，衬底温度为400℃时，薄膜样品出现更明显的柱状生长趋势，微结构的改变可能是使该薄膜样品热电性能改善的重要原因之一。

随着世界环境污染和能源危机的加剧，能源紧缺是当今世界所面临的重大挑战，如何将低品位热(如工业废热余热、地热、太阳能等)转变成电能，已成为人们越来越感兴趣的研究课题。

热电材料是一种利用材料内部的载流子运动以实现热能和电能之间相互转换的功能材料，把热能有效地转换为电能的温差发电技术中最为核心的材料。

因此，近年来，热电薄膜材料成为新材料领域的研究热点。

氧化锌是一种典型的N 型氧化物半导体，在室温下其禁带宽度约为3.3eV，具有较高的激子束缚能60meV。

长期以来，对ZnO 薄膜的研究主要集中在压电性，透明导电性、光电性、气敏性以及P 型掺杂方面。

近年来，人们发现通过在ZnO 薄膜中掺入合适的元素，诸如Al、Ga 或者。

衬底温度对ZnO薄膜的结构和发光性能的影响朱冠芳;姚合宝;郑新亮;罗惠霞;于海萍【期刊名称】《西北大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2008(038)001【摘要】目的研究衬底温度对znO薄膜结构和发光性能的影响及薄膜结构与发光性能两者之间的关系.方法在玻璃衬底上采用射频磁控溅射法,固定其他工艺参数、改变衬底温度制备znO薄膜.对薄膜进行XRD谱和室温光致发光(PL)谱研究.结果衬底温度在25℃到250℃之间,随着温度的升高,结晶质量变好,且紫外发光相对明显增强.在衬底温度为250℃时,结晶质量和发光性能均达到最优化.继续升高衬底温度,结晶质量和发光性能都下降.结论衬底温度对ZnO薄膜的制备有着重要的影响;薄膜发光性能与结晶质量密切相关,结晶质量越好,紫外发先相对强度越大.【总页数】4页(P31-34)【作者】朱冠芳;姚合宝;郑新亮;罗惠霞;于海萍【作者单位】西北大学物理学系,陕西,西安,710069;西北大学物理学系,陕西,西安,710069;西北大学物理学系,陕西,西安,710069;西北大学物理学系,陕西,西安,710069;西北大学物理学系,陕西,西安,710069【正文语种】中文【中图分类】O472【相关文献】1.衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响 [J], 谌夏;方亮;吴芳;阮海波;魏文猴;黄秋柳2.衬底温度对N-Al共掺杂ZnO薄膜形貌及光致发光性能的影响 [J], 钟爱华;谭劲;陈圣昌;包鲁明;艾飞;李飞3.衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响 [J], 赵杰;胡礼中;宫爱玲;刘维峰4.衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响 [J], 孙柏;邹崇文;刘忠良;徐彭寿;张国斌5.衬底温度对Al掺杂ZnO薄膜结构及其光电性能的影响 [J], 吴克跃;吴兴举;常磊因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜的影响摘要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为500℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿c轴择优生长。

关键词：ZnO薄膜；射频磁控溅射；衬底温度1.引言ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,室温下直接带隙宽度3.37eV,且具有六角纤锌矿晶体结构,激子束缚能60meV,这使得其在表面声波、体声波、压电器件、气敏元件等方面具有广泛的应用前景,特别是沿c轴生长的ZnO薄膜,在此应用领域具有更加优越的表现.因而,如何获得高质量沿c轴生长的ZnO薄膜,一直是其应用领域中的研究热点.目前多种技术已经被应用到制备ZnO薄膜上,如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射(MegnetronSputtering)、分子束外延(MBE)、溶胶-凝胶(Sol-gel)和喷雾热解(Spray)等.其中磁控溅射是一种先进的薄膜制备技术,所制备薄膜的附着性好,薄膜的成分在一定程度上可以控制,且具有低温、低损伤、易于沿c轴生长等优点,所以被广大研究者广泛采用.而该方法所制备的高质量沿c轴生长的ZnO薄膜的性能严重依赖于反应溅射的条件,如衬底温度、溅射气压以及溅射气氛等,其中衬底温度对沿c轴生长的ZnO薄膜的结晶质量有很大的影响,因而有必要探讨其对所制备的高质量沿c轴生长的ZnO薄膜结构的影响.本文采用射频磁控溅射技术制备高质量沿c轴生长的ZnO薄膜,研究不同的衬底温度对其相结构、表面形貌的影响,并进行了分析获得了制备高质量沿c轴生长的ZnO薄膜的最佳温度.2.实验为了考查基底温度对薄膜性能的影响，改变基底温度，在150、175、200、225、250和275℃6个基底温度下制备ZnO薄膜，溅射气压1.1Pa，溅射功率85W，溅射时间80min。

衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜质量的影响摘要：随着现代集成电路的发展，提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO2，高K氧化物材料成为这一领域热门研究方向。

HfO2材料作为SiO2最好的替代物，与硅基电路集成时有良好的兼容性。

相比较于传统的铁电材料，经过特殊处理的HfO2基薄膜同样具备铁电性。

这样，传统的铁电材料有望突破制约非易失性铁电存储器发展的材料瓶颈。

本论文以探究HfO2薄膜质量为背景，以射频磁控溅射法制备HfO2薄膜，通过使用X射线衍射仪（XRD）对薄膜的物相组成与结晶情况进行表征分析，SEM表征薄膜样品的表面形貌。

1.引言近些年的快速发展中，CMOS集成电路的沟道长度已经降低到现今的几十纳米，例如在英特尔公司生产的芯片中，其栅极厚度已经降低至45纳米。

在45纳米这个尺寸下，栅极中的等效氧化层的厚度必须低于3纳米，传统的氧化硅栅介质材料的厚度将会降低为1纳米，这样对于氧化硅材料会导致其漏电流增大，即发生量子隧穿效应。

应用最为广泛的栅介质材料二氧化硅厚度将到达其尺寸极限，为了应对此现象，可以提高晶体管中介层的相对物理厚度来现器件的尺寸持续降低，于是有学者们就提出了要以其它具有高介电常数的材料来代替二氧化硅。

在制备薄膜方法中，氧化铪层的结构和性质强烈依赖于沉积条件和后退火处理的技术。

任何潜在的高K栅极电介质的明确目标是使硅沟道获得高质量的界面，伴随着沉积处理后期栅极氧化物的非晶结构的生成。

不幸的是，高K氧化物具有低的结晶温度，而作为单一非晶相的稳定性高达800-1000ºC是CMOS热处理所需要的。

这种要求是因为晶界扩散路径作为掺杂剂和氧化膜界面。

因此，从技术角度来看，与多晶栅极电介质膜相比，非晶层的优点是具有较低的漏电流，更好的均匀性，以及最终对电性能的更高的再现性。

然而，到目前为止，栅极电介质的结构和器件性能之间的相关性仍需要详细研究。

为了致力于解决这个问题，防止沉积氧化铪层与硅衬底之间的化学反应。

衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响赵杰;胡礼中;宫爱玲;刘维峰【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2008(039)005【摘要】在60Pa的高氧压气氛中,用脉冲激光沉积法以Si(111)为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD结果表明,所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜.随衬底温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰的半高宽不断减小,从0.227～0.185°.对(002)衍射峰的2θ值分析表明,650℃下生长的ZnO薄膜几乎处于无应力的状态,而在较低或较高温度下生长的薄膜中都存在着一定程度的c轴压应力.室温PL谱测试说明在650℃生长的ZnO薄膜具有最强的紫外发射峰和最窄的UV峰半高宽(83meV).在700℃得到的样品PL谱中,检测到一个位于3.25eV处的低能发射峰.经分析,该峰可能是来自于施主-受主对(DAP)的跃迁.【总页数】4页(P724-726,729)【作者】赵杰;胡礼中;宫爱玲;刘维峰【作者单位】昆明理工大学,物理系,云南,昆明,650093;大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室及物理系,辽宁,大连,116024;大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室及物理系,辽宁,大连,116024;昆明理工大学,物理系,云南,昆明,650093;大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室及物理系,辽宁,大连,116024【正文语种】中文【中图分类】O472;O484【相关文献】1.脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜中衬底温度对ZnO薄膜结构的影响 [J], 刘涛2.衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响 [J], 王书昶;张春伟;刘振华;刘拥军;何军辉3.衬底温度对PLD制备的Mo薄膜结构及表面形貌的影响 [J], 雷洁红;邢丕峰;唐永建;吴卫东4.衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响 [J], 孙柏;邹崇文;刘忠良;徐彭寿;张国斌5.衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响 [J], 庄惠照;何建廷;薛成山;张晓凯;田德恒;胡丽君;薛守斌因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

第26卷第1期 应　用　激　光 Vol.26,No.1 2006年2月 A P PL I ED LAS ER February2006衬底温度对ZnO薄膜特性的影响郭茂田1,2　田臻锋2,3　陈兴科2(1中国科学院安徽光机所,合肥230031;　2郑州大学物理工程学院,郑州450052;　3郑州轻工业学院,郑州450002) 提要　用脉冲激光沉积(PLD)的方法制备ZnO薄膜。

通过对薄膜的X射线衍射(XRD)测试,分析了不同衬底温度下薄膜的结晶状况;通过对薄膜的光致发光谱线的测试,分析了不同衬底温度下薄膜的光致发光状况,同时进行了薄膜表面结构的测试。

结果显示,衬底温度为400℃的样品结晶质量较高,具有C轴的择优取向,同时发光性能达到相对优化。

关键词　脉冲激光沉积法　ZnO薄膜　衬底温度The Structure and PL Spectrum of Z nO Thin Film on Different Substrate T emperaturesGuo Maotian1,2　Tian Zhenfeng2,3　Chen Xingke2(1A n hui I nstitute of O ptic and Fine Mechanics A cademia S inica,Hef ei,230031;2Physics Engineering de partment,Zhenghou Universit y,Zhengz hou,450052;3Zhengz hou I nstitute of L i ght I ndust ry,Zhengz hou,450002) Abstract　ZnO film has been fabricated by the pulsed laser deposition(PLD)technique.Under the different substrate tem2 perature,samples were studied by X-ray diffraction(XRD),the crystallization condition was analyzed,the PL(photolumines2 cence)spectrum of the film was measured,the emission spectrum was showed;And the SEM was measured.The result dem2 onstrates,the crystallization quality of samples is higher at400℃,The PL spectra of the film achieve the relative optimization. K ey w ords　ZnO film　PLD　Substrate temperatures ZnO是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下禁带宽度为3.36eV,激子结合能为60meV[1],具备了室温下发射紫外光的必要条件,与ZnSe、ZnS、和GaN相比ZnO更适合于在室温下或更高温度下实现高功率的激光发射,因此引起众多研究者的兴趣[2-4]。

衬底温度对制备出CNT膜的影响作者：张武勤,高金海来源：《现代电子技术》2010年第12期摘要:在陶瓷衬底上通过磁控溅射方法镀上金属钛层,用含铁杂质的氧化硅对钛层进行抛光,通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在不同的温度下短时间里制备出CNT膜。

利用扫描电子显微镜、拉曼光谱,X射线衍射,分析了薄膜的结构和表面形貌。

仔细研究不同温度下制备的CNT膜,得出衬底温度400 ℃时制备的碳膜是以非晶碳为主,600 ℃时置备的碳膜是良好的碳纳米管膜,800 ℃制备的碳纳米管膜的缺陷变得很多,以碳纳米链为主。

最后得出了温度对催化活性有很大影响的结论。

关键词:微波等离子体化学气相沉积; 碳纳米管;碳纳米链; 陶瓷衬底中图分类号:TB383;O484 文献标识码:A 文章编号:1004-373X(2010)12-0176-03Effect of Substrate Temperature on Structure of CNT FilmZHANG Wu--(1.College of Electrical Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450044, China;2. Department of Physics, Zhengzhou Teachers College, Zhengzhou 450044, China)Abstract:The CNT films are prepared by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method at different growth temperature in a short time. The ceramic with a Ti mental layer is used as the substrate of CNT film. Before preparation, the substrate is polished by SiO2 with Fe. The structure and the surface topography of CNT film are analyzed with Raman scattering spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM). By MPCVD method, the carbon film whose main component is amorphous carbon can be prepared at the substrate temperatures of 400℃, the carbon film prepared at the substrate temperatures of 600℃ is carbon nanotube film, and the carbon nanotube film prepared at the substrate temperatures of 800℃ has many defects.Keywords:microwave plasma chemical vapor deposition; carbon nano tube; carbon nano chain; ceramic0 引言自1991年碳纳米管被发现以来[1] ,由于其独特的物理、化学性能引起了科研工作者的广泛兴趣,碳纳米管的制备和应用研究成为纳米材料和纳米技术的研究热点。

《表面科学与技术》课程作业关于脉冲激光沉积（PLD）薄膜技术的探讨摘要：薄膜材料广泛应用在半导体材料、超导材料、生物材料、微电子元件等方面。

为了得到高质量的薄膜材料，科学家一直在寻找和探讨各种新的技术，脉冲激光沉积（Pulsed Laser Diposition PLD）薄膜技术是近年来快速发展起来的使用范围最广，最有前途的制膜技术之一。

本文介绍了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的原理及特点，并与其他薄膜技术进行对比，探讨衬底温度、靶材与基底的距离、退火温度、靶材的致密度、激光能量、激光频率等参数对薄膜质量的影响。

分析了脉冲激光沉积技术在功能薄膜材料中的应用和研究现状，并展望了该技术的应用前景。

关键字：脉冲激光沉积（PLD）等离子体薄膜技术前言上世纪60年代第一台红宝石激光器的问世，开启了激光与物质相互作用的全新领域。

科学家们发现当用激光照射固体材料时，有电子、离子和中性原子从固体表面逃逸出来，这些跑出来的粒子在材料附近形成一个发光的等离子区，其温度估计在几千到一万度之间，随后有人想到，若能使这些粒子在衬底上凝结，就可得到薄膜，这就是最初激光镀膜的概念。

最初有人尝试用激光制备光学薄膜，这种方法经分析类似于电子束打靶蒸发镀膜，没有体现出其优势来，因此这项技术一直不被人们重视。

直到1987年，美国Bell实验室首次成功地利用短波长脉冲准分子激光制备了高质量的钇钡铜氧超导薄膜，这一创举使得脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，简称PLD)技术受到国际上广大科研工作者的高度重视，从此PLD成为一种重要的制膜技术]1[1。

由于脉冲激光沉积技术具有许多优点，它被广泛用于铁电、半导体、金刚石(类金刚石)等多种功能薄膜以及生物陶瓷薄膜的制备上，可谓前途光明。

1. PLD 技术装置图及工作原理1.1 PLD系统脉冲沉积系统样式比较多，但是结构差不多，一般由准分子脉冲激光器、光路系统(光阑扫描器、会聚透镜、激光窗等)；沉积系统(真空室、抽真空泵、充气系统、靶材、基片加热器)；辅助设备(测控装置、监控装置、电机冷却系统)等组成]2[2，如图1-1所示。

衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上Zn_（0.95）Co_（0.05）O薄膜的影响姜守振;王传超;满宝元;许士才;王善朋【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2012(043)016【摘要】在不同的衬底温度下在n型Si（111）衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了（002）择优取向的具有室温铁磁性的Zn0.95Co0.05O薄膜。

X射线衍射显示所生长的薄膜呈六方纤锌矿结构。

X射线光电子能谱测试表明薄膜中出现的室温铁磁性不是由于Co团簇产生的。

发现薄膜生长过程中产生的间隙锌、氧空位以及晶格缺陷对铁磁性有显著的影响。

通过改变衬底温度可以控制薄膜中间隙锌、氧空位及晶格缺陷的数量,薄膜的铁磁性同时也可以被明显地改变,这是缺陷与薄膜的室温铁磁性相关的直接证据。

【总页数】4页(P2222-2225)【作者】姜守振;王传超;满宝元;许士才;王善朋【作者单位】山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014;山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014;山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014;山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014;山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100【正文语种】中文【中图分类】O782;TN304【相关文献】1.单相Bi_（0.95）Eu_（0.05）Fe_（0.95）Co_（0.05）O_3纳米颗粒的结构及其铁磁特性 [J], 李兴鳌;李朋;李永涛;杨建平;白秋飞;刘忠儒;王博琳;周珺2.Zn_(0.95)Co_(0.05)O纳米线和纳米管的电泳沉积法可控合成(英文) [J], 李建军;张丽亭;朱金波;刘银;郝维昌3.Al-N共掺p型Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的性能 [J], 简中祥;叶志镇;高国华;卢洋藩;赵炳辉;曾昱嘉;朱丽萍4.沉积温度对Zn_(0.95)Co_(0.05)O稀磁半导体薄膜结构与磁性的影响 [J], 李钰梅;邢光建;王怡;武光明_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/Zn_(0.95)Co_(0.05)O复合材料的输运特性 [J], 庄彬;赖恒;陈水源;林应斌;黄志高因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

衬底温度对金属mg 银薄膜的影响研究实验方法：我们采用低温物理沉积技术(REBE)分别在
SiO/Si(100)衬底上生长了MgZnO合金薄膜，该生长技术已在文献中进行了具体介绍，不同之处在于对衬底的清洁处理，衬底在生长之前都先用去离子水超声清洗三次，然后将SiO/Si(100)在去离子水中水浴10分钟SiO/Si(100)可以直接水浴是因为Si在高温氧化前已经过有机溶剂清洗和沸腾的硫酸溶液腐钟，这就使得由表面高温氧化得到的SiO层很干净，靶源材料朵用MgoZno陶瓷片它由MgO和ZnO粉末(纯度都为99.99%)按一定质量比混合压制烧结而成，样品生长时的衬底温度分别在250、300、400、500℃，生长时间都为1小时用Z-AFM-I型原子力显微镜(AFM)测得薄膜的表面形貌，分析不同衬底温度下薄膜的表面不整性研究温度对表面形貌的影响。

结果和讨论：原子力显微镜(AFM)用来研究晶体薄膜表面的不整性，冬1是在SiO2/Si(100)衬底上生长的MgxZn-O薄膜的二维和对应的三维AFM冬，扫描面积相同均为6x6um.对各样品进行编号，250℃衬底温度生长薄膜为1号样品，以下依次类推300、400和500℃衬底温度生长薄膜分别为23和4号样品由冬1可见MgZn薄膜具有类岛状的生长特性，所有衬底温度下的样品从二维看上去晶粒致密，薄膜的表面不整性看不出很大的差别。

为了更明确知道薄膜表面质量好坏对其粗糙度进行分析，给出二维对应的三维AFM，所示给出了不同衬底温度下的平均粗糙度(Rms)，对于表面形貌质量的一个关键参数是Rms250C衬底温度下生长的MgZn-O薄膜的平均表面
粗糙度分仅为1.852nm，对比于其他衬底此温度下的5726nm6.647nm 和3.822nm都要小很多。