北大微电子考研数模电06-12(缺09年)真题分析(含11、12原题)
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2009年北京大学经济学院考研真题及答案解析微观经济学部分1.某城市,假设该城市只有一条街道,长度为L,某一垄断厂商处在街道的一端,边际成本是0。
消费者均匀分布在街道上,消费者对商品有单位需求,消费者每走单位长度的成本是t,消费者的保留价格是V,其中V<Lt,问垄断厂商选择什么价格可以最大化自己的利润?(8 分)2.某商品的市场需求是D(p)=12-p。
市场供给是S(p)=p。
其中,0<p<12。
(a)均衡的市场价格和均衡产量是多少?货币表示的社会福利是多少?(5 分)(b)如果政府设置最高价格是4,如果存在二手市场,那么二手市场的价格和交易量是多少?社会福利是多少?(5 分)(c)如果政府强力打击二手交易,那么对社会福利有什么影响?为什么?(7 分)3.(1)企业在给定产量Q 下,最小化自己成本,其生产函数是f(x),对于x 递增。
即Min x*w,s.t.f(x)≥Q。
假设该问题有解。
那么如果企业在w1 和w2 下的选择投入组合是x1 和x2。
那么证明,(x1 — x2)( w1 — w2)≤0。
( 10 分)(2)假设企业是给定资金K,最大化自己产量Q,那么(x1—x2)( w1 — w2)≤0 是否依旧成立?说明理由。
(10 分)4.市场需求是D(p)=30-p。
两个厂商垄断市场,厂商1 的MC=0,厂商2 的MC=2。
(1)厂商1 先行定产量,那么求出均衡产量和价格;厂商2 先行定产,求出均衡产量和价格。
( 8 分)(2)如果在行动有两期,第一期研发产品,研发费用高的一方将研发出产品,并获得专利权,同时获得先行定产的权力。
第二期,按照定产顺序定产,那么求均衡研发费用,均衡产量和价格。
(7 分)5.一家酒店每周可获得50 万收入,在资方和劳方之间分配。
但盈利的前提是劳资双方就分配方案达成一致。
现假设,酒店的盈利时间只有两周,过了旺季就不在盈利。
每周一劳资双方就分配方案的达成进行协商;第一周由资方提出分配方案,看劳方是否同意;如果遭到劳方否决,则第二周由劳方提出分配方案,看资方是否同意。
北京大学2006研究生入学考试试题
考试科目:电动力学招生专业:理论物理光学
一:
(1)什么是规范变换?规范不变性?
(2)静磁问题存在磁标势的条件是什么?
(3)群速度在什么情况下可近似作为波包的传播速度?
(4)在讨论良导体中的麦克斯韦方程组时,为什么可假设电荷密度为零?
(5)辐射场的分级展开时的条件是什么?
(6)散射截面的定义是什么?微分散射截面呢?
(7)电子的经典半径是多大?通过什么得出的?
(8)在相对论条件下,不同的参考系中两个事件的时间顺序何时不可以颠倒,何时可以?(9)经典电动力学的适用条件是什么?
(10)飞船再入大气层时,有一黑障区,即无线电波会中断,不用介电常数的谐振子模型,简要讨论其中的原因。
二见郭碩鸿书181页第14题。
三:在介电常数为ε的均匀介质中,挖出一半径R为的球形空腔,球心处放置一电偶极子P,求:
1,空间的电势分布2,球壁上的电荷密度
四:郭碩鸿书180页第6题
m≠0)上,产生正、反电子对,A仍在末态中,五:一个光子打在粒子A(静止质量
A
γ+A----+e+-e,在A静止系中,为使整个过程发生,入射光子的最低频率是多少?在质心系中,入射光子的最低频率是多少?如果,该反应能发生吗?。
北京邮电大学《电子电路》真题2009年(总分:61.00,做题时间:90分钟)一、{{B}}选择题{{/B}}(总题数:18,分数:40.00)1.(473)10的BCD码是______。
• A.010*********• B.111011010• C.110001110011• D.010*********(分数:2.00)A. √B.C.D.解析:2.触发器的时钟输入的作用是______。
• A.复位• B.使输出状态取决于输入控制信号• C.置位• D.改变输出状态(分数:2.00)A.B. √C.D.解析:3.一个8位移位寄存器的移位脉冲的频率是1MHz,将8位二进制数并行地移入这个移位寄存器需要______。
• A.经过8个触发器的传输延迟时间• B.8μs• C.经过1个触发器的传输延迟时间• D.1μs(分数:2.00)A.B.C.D. √解析:4.在时序电路的状态转换表中,若状态数N=3,则状态变量数最少为______。
• A.16• B.4• C.8• D.2(分数:2.00)A.B.C.D. √解析:5.已知,其中+ABCD=0,化简后的逻辑函数为______。
A.B. C. D.(分数:2.00)A.B.C.D. √解析:6.如图所示正脉冲的脉冲宽度、脉冲重复频率、脉冲占空比为______。
• A.t p、1/T、t p/T• B.t p、1/T、t p/(T-t p)• C.t p、1/T、(T-t p)/r• D.t p、T、t p/(T-t p)(分数:2.00)A. √B.C.D.解析:7.若用万用表测试图所示晶体管开关电路,当晶体管截止时,测得的基极和集电极电位应是______。
• A.u BE=0.6V,u CE=1.5V• B.u BE=0V,u cE=2.5V• C.u BE=0.7V,u CE=0.3V• D.u BE≤0V,u CE=3.2V(分数:2.00)A.B. √C.D.解析:8.如图所示电路中,当波形E1、E2及E3为已知时,输出F的序列为______。
2009年全国硕士研究生入学统一考试数学一试题答案解析一、选择题:1~8小题,每小题4分,共32分,下列每小题给出的四个选项中,只有一项符合题目要求,把所选项前的字母填在题后的括号内. (1)当0x ®时,()sin f x x ax =-与()()2ln 1g x x bx =-等价无穷小,则()A 11,6a b ==-.()B 11,6a b ==.()C 11,6a b =-=-.()D 11,6a b =-=.【答案】 A【解析】2()sin ,()ln(1)f x x ax g x x bx =-=-为等价无穷小,则222200000()sin sin 1cos sinlim lim lim lim lim ()ln(1)()36x x x x x f x x ax x ax a ax a ax g x x bx x bx bx bx ®®®®®---==-×---洛洛230sin lim 166x aax a b b ax a®==-=-× 36a b \=- 故排除,B C 。
另外201cos lim 3x a axbx ®--存在,蕴含了1cos 0a ax -®()0x ®故 1.a =排D 。
所以本题选A 。
(2)如图,正方形(){},1,1x y x y ££被其对角线划分为四个区域()1,2,3,4k D k =,cos kk D I y xdxdy =òò,则{}14max k k I ££=()A 1I .()B 2I . ()C 3I .()D 4I .【答案】A【解析】本题利用二重积分区域的对称性及被积函数的奇偶性。
24,D D 两区域关于x 轴对称,而(,)cos (,)f x y y x f x y -=-=-,即被积函数是关于y 的奇函数,所以240I I ==;13,D D 两区域关于y 轴对称,而(,)cos()cos (,)f x y y x y x f x y -=-==,即被积函数是-1 -1 1 1 xy 1D 2D3D4D关于x 的偶函数,所以{}1(,),012cos 0x y y x x I y xdxdy ³££=>òò;{}3(,),012cos 0x y y x x I y xdxdy £-££=<òò.所以正确答案为A. (3)设函数()y f x =在区间[]1,3-上的图形为:则函数()()0x F x f t dt =ò的图形为()A ()B()C ()D【答案】D【解析】此题为定积分的应用知识考核,由()y f x =的图形可见,其图像与x 轴及y 轴、0x x =所围的图形的代数面积为所求函数()F x ,从而可得出几个方面的特征:①[]0,1x Î时,()0F x £,且单调递减。
北大微电子考研复试题库集锦1、mos管的电流方程及推导,跨导2、有个运放的反馈电路,很基础3、mos电路中对速度的影响因素及改进方法4、分析一个逻辑门电路的逻辑功能,5、半导体的能带图分析6、pn结的用途7、给出一个输入信号和时钟信号的波形,画三个不同的触发器,锁存器输出波形,有D触发器等8、MIS结构能带分析(n衬底掺p型材料后能带图变化)9、1024*1024存储器结构,行地址列地址,存储电容...10、用mos管搭建电路,实现一个简单的逻辑功能11、初级元胞的一些概念12、pmos,nmos的c-v特性曲线13、源漏串联电阻对mos管特性曲线的影响14、cmos反相器传输特性曲线不对称的原因15、衬偏电压对mos器件特性的影响16、几个反相器构成的振荡器分析17、反相器链如何增加延时18、cmos传输门分析19、存储器单元分析20、按比例缩小所带来的一些效应,解释原因21、画出锁存器、触发器的逻辑电路图,时序图22、两个MOS管串联,在其中一个的漏端(NMOS)(或PMOS源端)施加电压时分析两个MOS管所处的工作区23、PN结的能带图,形成过程,pn结的电流公式,有关因素对其的影响(如温度等)24、平带电容公式,与哪些因素有关,实际中有哪些应用25、给出功能要求画一个译码器电路26、给出波形画出电路27、半导体:为什么引入有效质量,如何测量?有无负有效质量?28、器件:CMOS源漏加串连电阻会对电路有什么影响?那个电阻对电路影响大?29、CMOS:一个反相器版图,有什么问题?设计步骤?先进的CMOS工艺有哪些?30、半导体:强场下,电子漂移速度饱和,为什么31、器件:衬底偏压对mos器件的作用。
在给定的一张Vg-Id图上画出加上负衬底偏压和正衬底偏压后的曲线。
32、一个电路,先看出功能。
其实是pmos逻辑是/(AB+C),nmos是常导通的,问怎样设计参数才能正常工作。
33、用传输门画一个组合逻辑 ̄ ̄还一个给了几个元素,问其中那些是半导体 ̄ ̄34、画出栅控二极管的能带图和电势图(横向和纵向)35、画出一个电路的输出波形(纯电子线路问题)36、肖特基二极管比一般二极管的优点37、倒格子,什么动量弛豫,金刚石的布里渊区38、施主二重能级的含义是什么?电离能大小关系?例子?39、MOS1024*1024存储器结构?地址数?采用与非门译码逻辑,地址缓冲器和行地址码器的负载电容是多少?40、关于短沟器件的转移特性曲线随Vds的变换问题, ̄41、mos结构中,如果氧化层和硅表面存在正的界面陷阱电荷,那么高频cv曲线与理想的cv曲线有什么不同?42、定义双极管共发射集增益?有哪些影响因素?如果通过新材料(禁带材料)改善?43、给出一个电路的版图,画出沿aa',bb'的剖面图,并画出此版图对应的电路,分析其功能44、解释欧姆接触,产生欧姆接触的方法,然后被追问Al和硅会形成什么接触,既然不能直接形成欧姆接触,为什么集成电路中可以用Al做布线。
2009年微观经济学与计算机基础微观经济学部分一、简答(李彦)1.消费X、Y,X是劣等品,且X降价。
比较斯勒茨基替代效应,收入效应及总效应与希克斯替代效应、收入效应及总效应大小。
答:对劣等品来说,价格降低,最终消费商品的数量可能增加也可能减少(吉芬物品减少)。
总效应是指总收入不变,价格变化引起的消费量的变化。
对于两种效应来说,总效应是相同的。
斯勒茨基替代效应为单纯的购买力不变预算线的转动,与无差异曲线相切在更高的效应点上。
而希克斯替代效应是在同一无差异曲线上预算线的滑动,替代效应小于斯勒茨基替代效应。
因总效应不变,所以希克斯收入效应大于斯勒茨基收入效应。
2.第一阶段:平均产量递增,边际产量大于平均产量。
这一特征表明,和可变投入劳动相比,不变投入资本太多,因而增加劳动量是有利的,劳动量的增加可以使资本的作用得到充分发挥。
任何有理性的厂商通常不会把可变投入的使用量限制在这一阶段内。
第二阶段:总产量继续以递减的幅度增加,一直达到最大值。
相应地,边际产量继续递减,直至等于零。
平均产量在最大值处与边际产量相等并转而递减。
这一阶段的显著特点是,平均产量递减,边际产量小于平均产量。
第三阶段:总产量递减和边际产量为负值。
这一特征表明和不变投入资本相比,可变投入劳动太多,也不经济,这时即使劳动要素是免费的,厂商也不愿意增加1 / 26一起进步劳动投入量在第三阶段经营,因为这时只要减少劳动投入量,就可以增加总产量。
虽然理性厂商也不会在这一阶段进行生产。
3.请联系IT技术演进,说明生产函数的边际报酬递减与边际技术替代率递减之间的关系。
答:(1)边际报酬递减规律是指在技术水平不变的条件下,在连续等量的把一种可变生产要素增加到一种或几种数量不变的生产要素上去的过程中,当这种可变生产要素的投入量小于某一特定值时,增加该要素投入所带来的边际产量是递增的;当这种可变要素的投入量连续增加并超过这个特定值时,增加该要素投入所带来的边际产量是递减的。
2009年北大数学分析试题解答随笔看到论坛上不断有人询问今年北大某某题解答思路, 所幸整理了一下今年北大的数分试题, 写成随笔形式. 随笔形式不求解答完整(这其实需要大家自己来完成), 也不必追求解答是否最完美. 但求思路尽可能流畅自然, 主旨在于提供一个思路"内核", 或者所谓"一击必杀"之妙手. 题目简单就少写几笔, 思路困难的题就多写几笔, 我们的重点还是在那些难题上. 这篇评注文章中自然借鉴了论坛上不少朋友们的奇思妙想, 在此对他们的热情与汗水表示感谢!SCIbird 2009年4月14日1. 证明有限闭区间上的连续函数能取到最大值和最小值.北大第一题继续延续着考察实数系基本定理的习惯, 本题也是一个定理, 方法很多. 设[(]),C f a x b ∈, 因为有限闭区间上的连续函数必有界, 因而必有上确界, 记为M . 假设()f x M <恒成立, 令1()()g x M f x =−, 则()[,]g x C a b ∈. 它也有上确界, 记为K .代入可知1()f x M K≤−这与M 是上确界的假设矛盾! 因而存在[,],()c a b f c M ∈=.即最大值可以取到. 同理可证, 最小值也能取到.2. 设(),()f x g x 分别是\上的有界一致连续函数, 证明()()f x g x 在\上的一致连续.北大07年考过一道类似的题, 本题稍微有些变化, 但大体方法相同. 证明不难, 设M 为 (),()f x g x 的公共上界, 再考虑下面的三角不等式关系|()()()()||()()()()||()()()()|f x g x f x g x f x g x f x g x f x g x f x g x ′′′′′′′′′′′′′′′′′′−≤−+− |()()||()()|M g x g x M f x f x ′′′′′′≤−+−, 由此立得结论.3. 设()f x 是周期为2π的连续函数, 且其Fourier 级数1co in 2s s n n n nx b a a nx ∞=++∑ 处处收敛, 证明这个Fourier 级数处处收敛到()f x .要想证明本题需要知道下面两个结论: (大家可以试着自己证明下)(1) 记Fourier 级数的前k 项和为(,)k S f x , 算数平均能和为01(,)(,)1nk k n S f x f x n σ==+∑, 该和式称为"费耶和". 水平比较高的教材上一般都会有如下的"费耶定理":设[(]),f C x ππ∈−, 则其费耶和(,)n f x σ在[,]ππ−上一致收敛到()f x .(2) 下面的求和法一般统称1C −求和法: 对数列{}n a , 令011n m n m c a n ==+∑. 一个重要的结果是: 如果数列{}n a 收敛, lim n n a a →∞=, 则lim n n a c →∞=.有了上面两个结论不难得出本题结论.4. 设{},{}n n a b 都是有界数列, 且满足12n n n a b a ++=. 若lim n n b →∞存在, 证明lim n n a →∞也存在.下面的"上下极限法"也许是最简单的证明了. 许多书上在数列上下极限相应章节一般有如下结论: 数列{},{}n n u v 中, n v 收敛. 则有lim()lim lim n n n n u v v +=+, lim()lim lim n n n n u v u v +=+ 以及lim lim n n u u =−.有了上面的关系就好办了,记lim ,lim ,lim n n n a a b b βα===. 因为{},{}n n a b 都是有界数列, 所以,,b αβ都是有限的. 由已知条件得, 12n n n a a b +=−+ (1)(1)式两边取上极限, 得 2b βα=−+. (1)式两边取下极限, 得 2b αβ=−+ 联立上面两式得 αβ=. 故lim n n a →∞也存在.5. 是否存在连续可导函数():f x →\\满足: ()0f x >且()(())f x f f x ′=, 说明理由. 答案是不存在, 解题关键在于−∞这块上. 假设存在满足题意的函数. 首先, 由()0f x >且()(())f x f f x ′=可知函数是严格单调递增的. 其次, 记lim ()x f x A →−∞=(为一有限数), 则0A ≥且lim ()()0x f x f A →−∞′=>.又由()(())f x f f x ′=知()f x ′也是严格递增的, 所以()(0)0limlim ()x x f x f f xξ→−∞→−∞−′== (0ξ<随x 变化而变化)这就与inf ()lim ()()0x f x f x f A →−∞′′==>矛盾!6. 已知函数()f x 是[0,)+∞上的单调连续函数, 且lim ()0x f x →+∞=. 证明:lim()sin 0n f x nxdx +∞→∞=∫.一般教材上都有如下的Riemann 定理: 设()f x 在有限闭区间[,]a b 上Riemann 可积, 则lim()sin 0ba n f x nxdx →∞=∫. 该定理是Fourier 级数理论中的一个基本定理, 这里直接引用.任取正数A 及n ∀∈`, 有sin 2Anxdx ≤∫. 又()f x 是[0,)+∞上的单调连续函数, 及lim ()0x f x →+∞=, 由狄利克雷判别法知积分()sin f x nxdx +∞∫对n 一致收敛.往下采用如下估计即可:()sin ()sin ()sin 0AAf x nxdx f x nxdx f x nxdx +∞+∞≤+→∫∫∫.7. 计算曲线积分()()()L y z dx z x dy x y dz −+−+−∫ ,其中曲线L 是球面2221y x z ++=与222(1)(()141)y x z ++−−=−的交线, 方向从z 轴正向看是逆时针.一道经典的工科题. 本题需借助一下几何直观, 想象下两球相交, 交线是应该在在一个平面上. 将两球面方程相减得到交线所在平面方程 0:x y z π++=. 注意到曲线L 在平面π上, 因此在L 上仍有z x y =−−成立. 记曲线0L 为曲线L 在平面xoy 上的投影. 将z x y =−−代入, 则()()()3L L y z dx z x dy x y dz ydx xdy −+−+−=−∫∫ (下面利用格林公式)66D Sdxdy =−=−=−∫∫∫∫. 这里的计算有点小技巧, 由几何直观0:x y z π++=与球面2221y x z ++=的交线是以原点为圆心,半径为1的圆. 求面积0D 时不要蛮算, 要利用它是那个圆盘在xoy 面上投影这个条件.8. 设,,0x y z ≥, x y z π++=, 试求2cos 3cos 4cos x y z ++的最大值和最小值. 这其实是一道典型工科题, 思路很清晰,关键的困难在计算技巧上. 先消去z 化为无条件极值问题, 则2cos 3cos 4cos 2cos 3cos 4cos():(,)x y z x y x y f x y ++=+−+=, 其中定义域为{(,)|0,,0}D x y x y x y ππ=≤≤≤+≤是一个有界闭区域.求解思路很清晰, 先求边界上的最大值, 再求内部驻点的函数值. 最后放到一起一比较, 找出整体最大值和最小值.(1) 边界情况比较简单, 容易求出边界上最大值为5, 最小值为1. (2) 内部驻点值: 令(,)4sin()2sin 0(,)4sin()3sin 0x yx y x y x f x y x y y f =⎧+−==+−=⎪⎪⎨⎪⎪⎩ 这是一个超越方程, 看起来也貌似没有整齐的解, 打击求解的信心.三角几何不分家, 从哪里来回哪里去. 容易看出上面方程若有解, 则均为正数(内部驻点).考虑一个三角形, 其内角分别为,,x y z , 相应的对边为,,a b c . 结合上面的方程组以及传说中的"正弦定理" :sin()sin sin c b ax y y x==+有如下关系, 2,34a c b c ==. 令6a t =, 则4,3b t c t ==. 再由传说中的"余弦定理"算得112943cos ,cos ,cos 243648x y z =−== 对应的驻点函数值为: 11294361234524364812−×+×+×=>.放到一起比较结果就显然了, 最大值是6112, 最小值是1.9. 设()f x 在(,)a b 上连续且对任意(,)x a b ∈都有0()()lim0h f x h f x h h →++−−≥证明()f x 在(,)a b 上单调不减.为叙述方便, 引入一个算子D 满足: 0()()()lim h f x h f x h Df x h →++−−=.易知若()f x 可导, 则()2()Df x f x ′=.先证明一个十分有用的引理:设函数()[,]F x C αβ∈, 满足()()F F αβ>, 则存在(,)c αβ∈, 使得()0DF c ≤. 我们选取m 满足()()F m F βα<<. 考虑如下集合:{[,]|()}A x a b F x m =∈> 由()F x 的连续性知A 非空. 取sup c A =, 则 c αβ<<.由sup c A =定义知, 当(,]x c β∈时()F x m ≤. 又由点集A 的定义知上确界是极限点, 因此存在n a A ∈, n a c →. 令n n h c a =−, 则0n h →+及()n F c h m −>. 当n 充分大时有, ()n F c h m −>且()n F c h m +≤成立即()()0n n F c h F c h +−−≤. 由下极限的最小性不难推出 ()0DF c ≤.说了半天可以回到原题了, 假设()f x 在(,)a b 上非单调不减, 则存在a b αβ<<<满足 ()()f f αβ>. 直接应用引理貌似会遇到"等号的困难". 所以我们要插入一个介值k 来加强证明. 选择这样一个正数k , 使得函数()()F x f x kx =+, [,]x αβ∈, 满足()()F F αβ>.显然只需满足()()0f f k αββα−<<−就可以了. 然后对()()F x f x kx =+应用引理, 知在(,)c αβ∈, 使得()0DF c ≤. 进而有()20Df c k ≤−<, 与已知条件矛盾!10. 已知()f x 是[0,)+∞上正的连续函数, 且满足01()dx f x +∞<+∞∫. 证明: 201lim ()AA f x dx A→+∞=+∞∫.由柯西不等式可知202222111()()4()()A A A A A A A A dx f x dx f x dx dx f x f x ⎛⎞⎛⎞⎛⎞⎛⎞⎛⎞⎟⎟⎟⎟⎜⎜⎜⎜⎟⎟⎟⎟⎟⎜⎜⎜⎜⎜≤=≤⎟⎟⎟⎟⎟⎜⎜⎜⎜⎜⎟⎟⎟⎟⎟⎝⎠⎜⎜⎜⎜⎟⎟⎟⎟⎝⎠⎝⎠⎝⎠⎝⎠∫∫∫∫ 即 202111()4()AA A f x dx dx f x A ⎛⎞⎛⎞⎟⎜⎟⎟⎜⎜≤⎟⎟⎜⎜⎟⎟⎜⎝⎠⎜⎟⎜⎝⎠∫∫. 再注意到210,()AAdx A f x →→+∞∫, 所以21lim ()AA f x dx A →+∞=+∞∫.。
考研初试已经结束2个多月了,面试奏凯以后。
有许多研友咨询我关于北大通信的,936电子线路的问题,趁现在我还没有忘掉,写下来供广大研友参考。
希望后人少走弯路,在考试中取得好成绩,北大欢迎你!声明一点,我不打算在这里讲我复习经验之类的话,原因很简单嘛,这里好多研友都是高手比我优秀,我就在此不班门弄斧了。
只对题目做点评价。
关于北大的电子线路,我想说的是,2010年或许是最难的一年。
09年和10年的题目与过去的题目风相比格有很大的改变,考试难度在加大。
就拿今年来说,最高分123(是本系的学生),我是111位列次席,总体及格率偏低。
最后录取的时候,没有录取任何一位专业课100分以内的,所以希望广大研友能重视电子线路,把专业课放在备考过程中最重要的一环,能考好专业课老师也会对你刮目相看,你就掌握了通信专业的主动权。
2010年的题目分布是:电路分析 1,2,3 三道大题,每个15分,一共45分。
模拟电路 4,5,6 三道大题,每个15分,共45分。
数字电路7-11 五道大题60分。
具体的题目是:电路分析:1. 是一个电阻,电容,电感,以及压控电压源的混合电路。
有三问,分别是求1)传递函数2)画出传递函数的幅度谱 3)算出通频带此题不难,但是考场不让使用计算器。
所以需要一点点的估算,总之easy.2. 这道题非常困难。
左端有一个网络,里面有大概8,9个电阻的混联,其中有一个电压源。
但是不是大家认为的那种可以戴维南等效的电路,因为没有共地点。
右端接一个电阻,有两问1)右端电阻何值时功率最大2)求最大功率。
这个电路无法戴维南等效,网中有网,求不了等效电阻。
我最后采取的方法是用网孔电流法列方程计算,五乘五的矩阵,结果无把握。
后一问需要用互易定理,也是极其复杂。
此题做了30分钟,做出来了,得数无把握!too difficult3. 很有水平的一个题目,是给一个阻抗矩阵,然后在这个网络外面并接一个电阻,让你求出新的阻抗矩阵。
北大微电子专业考研数模电专业课(科目代码938)中考试的主要内容是数电和模电。
该科目从2005年设立,之前微电子专业只能考半导体物理专业课。
所以目前市面上只有2006、2007、2008的真题,2008年以后学校不再公布真题,因此2009年真题在市面上从未出现,而2010年真题只有我自己的回忆版。
由于北大本专业不提供参考教材和考试大纲,所以以上这些真题具有极大的参考价值,同学们在复习时要认真分析试卷中的题目,把握考试重点。
有重点,有区别的进行复习,以避免浪费宝贵的备考时间。
这里我将结合自己的复习经验对历年的真题考点进行总结,这些真题考点也可以做为大家复习时的大纲参考。
下面我们就数模电分别进行总结。
模电考点分析
2006年真题涉及到的考点:
1、三极管的工作原理(填空题)
2、三极管构成的基本放大电路(计算题)
3、负反馈技术(填空题)
4、信号的运算与处理(计算题)
5、信号产生电路(填空题)
2007年真题涉及到的考点:
1、三极管构成的基本放大电路(计算题)
2、MOSFET基础知识(判断题)
3、负反馈技术(判断题、计算题)
4、MOS基本放大电路(计算题)
5、信号的运算与处理---滤波内容(计算题)
2008年真题涉及到的考点:
1、MOS基本放大电路(计算题)
2、运放的特性(简答题)
3、信号产生电路---LC谐振(简答题)
4、信号的运算与处理(计算题)
5、负反馈技术---频率补偿技术(计算题)2
2010年真题涉及到的考点:
1、信号的运算与处理---滤波器、调制解调(简答题、计算题)
2、负反馈技术(简答题、计算题)
3、信号产生电路(计算题)
4、运放的特性(计算题)
数电考点分析
2006年真题涉及到的考点:
1、门电路基本概念(名词解释)
2、进制基础(计算题)
3、组合逻辑设计(计算题)
4、时序逻辑设计(计算题)
2007年真题涉及到的考点:
1、进制基础(判断题)
2、触发器基本概念(判断题)
3、CMOS组合逻辑(计算题)
4、组合逻辑设计(计算题)
5、时序逻辑设计(计算题)
2008年真题涉及到的考点:
1、触发器特性(简答题)
2、CMOS组合逻辑---CMOS反相器(简答题)
3、组合逻辑设计(计算题)
4、时序逻辑设计(计算题)
2010年真题涉及到的考点:
1、进制基础(简答题)
2、CMOS组合逻辑(简答题)
3、组合逻辑设计(计算题)
4、时序逻辑设计(计算题)
5、存储器扩展(计算题)
6、触发器---触发器的构成(计算题)
综合分析:以上模电考点分析中列出的知识点均是以康华光教材中对应的知识点所在章的标题命名的。
这里强烈建议模电复习以高教社康华光主编的模电教材作为复习参考书。
同时要对书中重点章节(从考点确定重点章节,而不是大家本科学习的重点章节!)中的每一个知识点都要认真复习,尤其不要忽视带星号的内容。
这些内容也在真题中考过,如:模拟乘法器的应用。
数电考点是以真题的题型特征命名的。
因为数电的知识比较固定,具体采用哪本教材根据自己的实际情况决定,只要知识点相符即可,比如:高教社阎石第四版数电。
首先,我们分析一下这几年考点的变化趋势。
1、MOS取代三极管从2006年到2010年,涉及到三极管的考点逐渐退出了试卷。
这一点可能和当前工业应用有关。
MOS在很多地方得到了广泛的应用,成了IC设计的主流。
因此,在北大微电子专业课考试中,三极管的内容从08年消失被MOS取代。
MOS 主要考点有MOS基础知识、MOS基本放大电路。
2、集成电路知识崭露头角在三极管知识淡出的同时,集成电路知识代替了它的位置。
而从近几年的真题来看,集成电路的知识都是很基础的内容,并没有涉及太难的内容。
在模拟部分,主要出现了基本的MOS放大电路。
在数字部分,主要出现了CMOS组合逻辑设计的基本内容。
3、题量有所增加分析近年来的真题会发现,数模电题的数量在不断增多。
在2010年变得比较明显,尤其是数电部分题目比以前多了。
这个在考试的答题过程中应该引起重视,把握好答题时间。
下面,我们对具体考点进行一下分析总结。
模电考点在模电中,有两个重中之重:频率响应和负反馈。
下面我们分别对其进行介绍:
频率响应:北大真题中所涉及到的频率响应与我们平时熟知的三极管多级放大电路中的频率响应是截然不同的。
这一点一定要引起重视,不要盲目复习。
真题中的频率响应有两大特点:1、针对集成运放2、幅频特性均采用经过拉普拉斯变换的方程表示。
对于大多数人,可能更习惯于采用虚数形式表示的幅频特性方程,而对拉普拉斯变化后的方程比较陌生。
但在北大真题中,都将按照这样的方程去求解计算,并且还要根据这种方程去绘制幅频特性和相频特性图,在反馈技术中,还将用这种方程进行频率补偿的计算。
因此,大家必须对这种形式的方程十分熟悉,能够从方程的形式上看出该频响特性方程描述的是一个高频电路还是低频电路,并能从方程中找出该电路的极点分布情况,极点的判断在频率补偿类题目的计算中是很关键的一步。
只有找到了主极点,才可以根据相位裕度或增益裕度进行主极点校正补偿。
2011年真题:
一、简答题20-
1、用补码计算12+7,并对结果做出合理的解释-
2、CMOS与TTL相比有什么优点-
3、什么是BCD码-
4、负反馈五条-
二15、设计两位全加器,先用两级与非门实现,再用一位半加器和一位全加器实现。
-
三15、检测110序列,用D触发器实现。
-
四、20-
1、画32*32ROM,128*8的存储结构,要求按位读取-
2、画出其译码电路-
3、在某地址的单元内存有某个数据,在存储单元中画出来-
五10、RLC串联,传输函数为R/(R+L+C),要你写出来,并求零极点。
(貌似是十欧四十毫亨二十皮法,反正极点不是实数)-
六15、DA转换,课本例题。
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七20、给个传输函数和两个极点-
1、画幅频相频响应-
2、求何处衰减为零-
3、如何提高相位浴度-
八15、三极管静态工作点及输入端电容的作用。
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九20、-
NMOS、PMOS构成的波形产生电路,问此电路工作原理,还要画出两个波形,并估算频率。
2012年真题:
一、1简述有符号加减法中的溢出,如何解决2什么是BCD码及两种编码方法3简述RS锁存器的不定态及解决方法4ROM SRAM DRAM 存储单元的差别5三态输出门内部结构及应用
二、用4位集成加法芯片实现16位减法计算
三、写出D触发器和JK触发器的特性方程并用D触发器实现JK触发器
四、画出CMOS异或门电路并说明工作原理
五、用D触发器检测0100序列
六、传输函数分子10000(1+s/wz)分母(1+s/w1)(1+s/w2)
1,w1为1000,w2为100000,wz为10000。
2,w1为1000,w2为10000,wz为100000。
两问都要求用波特图分析幅频响应相频响应,并求HS模为1时的w值。
七、求现实与理想的误差何时为最大(基本就是数学题)
八、左边BJT射极电流nI0,右边m个同样的BJT平分分I0,求(基极电位差)
九、模电第8章普通计算
十、模电第8章普通计算
十一、左上镜像电流源,左边及右边CMOS反相器,其中间有一电容C,右输出反相后接左输入。
去年原题。
补充:2012年第六题,传输函数中有一个零点。
2012年第八题,是拉扎维模拟cmos课本中的例题,只不过考题把MOS换成了BJT。
另外,以前复试的题目中也涉及拉扎维的模拟cmos。