英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

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小只推荐：在电源系统应用中如何选择COOLMOS

小只推荐：在电源系统应用中如何选择COOLMOS
宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来；此句是中国流传下来的一句古训，喻为如果想要取得成绩，获取成就，就要能吃苦，勤于锻炼，这样才能靠自己的努力赢得胜利。

各个行业皆是如此。

在电源网论坛里，就存在这样一些人，他们时常能DIY出被网友们称之为的经典设计，出于大家能够共同学习的目的，小编抓住了难得的机会，整理了这些经典帖，供分享学习。

本文来自semipower-xinpai。

--------小编语。

COOLMOS在电源上的应用已经初具规模，英飞凌的产品已经全为COOLMOS系列，做为电源工程师，在电源开发的过程中选用COOLMOS应该注意什幺呢？我简单的整理了几点，发出来。

抛砖引玉，争取共同进步。

COOLMOS与VDMOS的结构差异
为了克服传统MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾，一些人在VDMOS 基础上提出了一种新型的理想器件结构，称为超结器件或COOLMOS，COOLMOS的结构如图2所示，其由一些列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。

在截止态时，由于P型和N型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应，使P型和N型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。

导通时，这种高浓度的掺杂可以使其导通电阻显着下降，大约有两个数量级。

因为这种特殊的结构，使得COOLMOS的性能优于传统的VDMOS。

对于常规VDMOS器件结构，Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，。

英飞凌太阳能微型逆变器解决方案

Page 2
太阳能微型逆变器的特点和优势
设计灵活＆安装便利更小的尺寸可以根据实际需要，通过多个微型逆变器并联实现大功率输出输入端太阳能电池板的连接线路更为简单提高发电量

由于对每个太阳能电池板进行最大功率点追踪，可以提高电池板的利用率，进而提高系统的效率在太阳能电池板处于光照条件不好的情况下（比如被遮光，或电池板上有杂物覆盖时），相比其他类型的太阳能逆变器，可以输出更多的功率和太阳能优化器相比，微型逆变器不需要额外的组串型逆变器没有额外的成本增加和额外的损耗，可以获得更高的系统效率
英飞凌高性能太阳能微型逆变器解决方案
李和明系统应用工程师
目录
太阳能微型逆变器的特点和优势ＭＰＰＴ常用解决方案
英飞凌功率器件在微型逆变器中的应用英飞凌２００Ｗ微型逆变器解决方案总结
3/22/2011
Copyright © Infineon Technologies 2011. All rights reserved.
Recommended IFX part
SiC SBD 600V or G5 650V SiC Diode
关于逆变侧功率器件的建议
截止目前还没有相关规定要求太阳能微型逆变器具有处理无功功率的能力(VDE4105) 通常使用４颗ＭＯＳＦＥＴ组成一个全桥逆变器
对于电流源型逆变器：
800V/900V CoolMOS™ C3
Buck-boost……工作原理
Buck电路 Boost 电路
三种工作模式：
＋降压：Ｓ３恒通，Ｓ１，Ｓ２ＰＷＭ＋升压：Ｓ１恒通，Ｓ４，Ｓ３ＰＷＭ＋旁路：Ｓ１＆Ｓ３恒通
S1 / S2: 低压ＭＯＳＦＥＴ工作在同步整流模式，降低损耗，提高效率ＭＯＳＦＥＴ的要求：更低的Ｒｄｓｏｎ，ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｇ＆ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｏｓｓ S3 / S4:低压ＭＯＳＦＥＴ工作在同步整流模式，降低损耗，提高效率ＭＯＳＦＥＴ的要求：更低的Ｒｄｓｏｎ，ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｇ＆ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｏｓｓ

英飞凌推出全新650VCooIMOSCFDA

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英飞凌推出的这种全新解决方案兼具快速开关超结ＭＯＦＴ的所有优点：高的轻载效率、低ＳＥ更更的栅极电荷、低的开关损耗、易使用以及出类拔更更萃的可靠性等。英飞凌全新推出的６０５ＶＣｏＭＯＣＤ是一种卓越的解决方案，满足汽ｏ１ＳＦＡ，可积通态电阻和易于控制的开关行为，以及业界首屈
ＣｓｃＣｒｕｔ预计在本年内对２ｏｍｉｉｉｃｓ８纳米Ｔ艺节点的
这款封装专为包括混合动力车辆电池管理、电动助力转向、主动式交流发电机和其他大负载电气
系统在内的大电流汽车应用而设计。Ｏ无铅封装是Ｔ
息娱乐系统应用。这些高集成度器件为连接电池的
开关电源提供业界领先的转换比。
ＮＣＶ８０１０ＮＣＶ８０１ＮＣＶ８０１０ＮＣＶ８ — ９０９０１９３９０
１１ＮＶ９２０ＮＶ９２１ＮＶ９２１结合３、Ｃ８００、Ｃ８００及Ｃ８０３均内部电源开关，２兆赫兹频率工作。这２ＭＨ开以ｚ关频率令设计人员可在输入及输出滤波器采用更小、成本更低的电感及电容。ＮＶ９１１Ｃ８００、ＮＣ８０３、Ｃ９２１ＮＰ９２１Ｖ９１１ＮＶ８００及Ｃ８０３器件的开关频率也可以同步至外部时钟源。（自安森美半导来

新一代大众型CoolMOS

新一代大众型CoolMOS™ C6上市及应用英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。

有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。

全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

C6系列是英飞凌推出的新一代CoolMOS™金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

英飞凌在CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP等前代系列产品的基础上，进一步提高了开关速度并降低了导通电阻。

CoolMOS™ C3是一个应用非常广泛的产品系列，而CP系列可满足需要最高开关速度和最低导通电阻的各种专门应用的需求。

最新推出的600V CoolMOS™ C6器件，融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP两个产品系列的优势。

例如，电源厂商可受益于超结CP系列的优势——包括极低电容损耗和极低单位面积导通电阻等，设计出更高效、更紧凑、更轻更凉的电源产品。

与此同时，开关控制性能和抗电路板寄生电感和电容特性性能也得到大幅提升。

相对于CP系列的设计而言，CoolMOS™ C6简化了PCB系统布局。

具体而言，这意味着在CoolMOS™ C6系列内，栅极电荷、电压/电流斜率和内部栅极电阻达到了优化和谐状态，即使低至零欧姆的栅极电阻，也不会产生过高的电压或电流斜率。

此外，C6器件具备出色的体二极管硬换流抗受能力，因此可避免使用昂贵的快速体二极管组件。

650V高压MOS管进口MOS管

nC
ns

-
433 7.3 28
16 A 70 1.2 V ns μC A
G
S
TJ = 25 °C, IS = 12 A, VGS = 0 V
Notes a. Coss(er) is a fixed capacitance that gives the same energy as Coss while VDS is rising from 0 % to 80 % VDSS. b. Coss(tr) is a fixed capacitance that gives the same charging time as Coss while VDS is rising from 0 % to 80 % VDSS.
SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER Static Drain-Source Breakdown Voltage VDS Temperature Coefficient Gate-Source Threshold Voltage (N) Gate-Source Leakage Zero Gate Voltage Drain Current Drain-Source On-State Resistance Forward Transconductance Dynamic Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Effective Output Capacitance, Energy Relateda Effective Output Capacitance, Time Relatedb Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Gate Input Resistance Drain-Source Body Diode Characteristics Continuous Source-Drain Diode Current Pulsed Diode Forward Current Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current IS ISM VSD trr Qrr IRRM TJ = 25 °C, IF = IS = 12 A, dI/dt = 100 A/μs, VR = 25 V MOSFET symbol showing the integral reverse p - n junction diode

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域IGBT芯片技术及其发展：功率半导体在整个电能供应链中扮演重要角色。

如何提高功率密度是功率器件发展的主题：芯片技术和功率密度：芯片技术的发展趋势——以600/650V 为例600V IGBT 新的里程碑——HighSpeed3：器件型号芯片技术Ic [A]@100°C 大小[mm2]SPW47N60C3 CoolmosTM C3 30 69.3 IKW30T60 TRENCHSTOPTM 30 15.2 IGW40N60H3 High Speed 3 40 19.3HighSpeed3 特性芯片面积只有CoolMOS的28%功率密度高芯片和模块成本低在高温在拖尾电流也很小关断特性接近于CoolMOS，Eoff是IGBT3的40%,是CoolMOS的120%平滑的开关波形，振荡很有限TRENCHSTOP™5 - 25°C Trade-off 曲线Vce(sat) 对Eoff：与英飞凌的Best-in-class Highspeed3 比, TRENCHSTOPTM5 : >60% 低的开关损耗10% 低的导通损耗TRENCHSTOP™5开关特性–接近MOSFET的开关特性，消除拖尾电流。

TRENCHSTOP™5 –应用目标，填补IGBT与MOSFET之间的中到高频开关应用650V TRENCHSTOP™5，产品家族。

F5：超高性能版本需要超低寄生电感设计开关频率：~120kHzH5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热R5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热L5：低饱和压降目标：Vcesat =1V @ Inom, 25°C600V/650V 芯片技术的发展：发展背景：•600V 主要应用220V 马达驱动,电源，以小功率为主。

•电动汽车，太阳能等新兴应用功率大，追求高效率，对芯片技术有新的要求IGBT2---IGBT3di/dt 降低25%.过电压减小25%更短的拖尾电流关断损耗在同一水平短路时间6us600V---650Vdi/dt 进一步降低关断损耗增加短路时间10us耐压增加50V电压余量增加180V芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：IGBT4 P4 的软特性：2400A-模块的关断特性at Tvj=25°C , Ic= 0,5 Inom (Rg=0,3Ohm,没有有源嵌位) IGBT 3 E3 在测试条件下, 300V 直流电压下就开始振荡。

【测评报告】Infineon CoolMOS

【测评报告】Infineon CoolMOS™ P7 提高电源效
率评比
作者：贝能国际有限公司
Infineon 公司CoolMOS™系列一直是行业标杆，从跨时代意义的CoolMOS™C3 到升级版的CoolMOS™C6、CoolMOS™C7、CoolMOS™P6、CoolMOS™CE，及最新一代超高性价比的CoolMOS™P7，每系列产品一经推出都在CoolMOS™市场独领风骚。

全新CoolMOS™ P7 专为满足小功率SMPS 市场的需求而设计，具备出色的性能和易用性，而设计人员可以充分利用其经过改进的外形。

该器件采用
具有价格竞争力的超结技术，可为客户削减物料成本（BOM）。

本文将基于
新一代CoolMOS™P7 在各个细分市场的应用，并测试比较其性能相较于前几代CoolMOS™系列的提升和改善之处。

MSN6504F 摩矽MOS管规格书

TO-220F top view
Schematic diagram
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Device Package
MSN6504F
MSN6504F
TO-220F-3L
Reel Size
-
Tape width
MSN6504F
ID, Drain Current (A)
4.2
3.5
VGS=10,9,8,6V 2.8
2.1
1.4
VGS=5V
0.7
0 0 2.5
VGS=4V 5 7.5 10 12.5 15
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
IS, Source-drain current (A)
101 VGS=0V
100
10-1 0.4 0.6
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current
MORE Semiconductor Company Limited

3/5
VGS, Gate to Source Voltage (V) ID, Drain Current (A)
10 VDS=480V ID=4A
8
6
4
2
0
0
3
6
9

英飞凌汽车电子器件选型

Lowbeam Indicator Park Optional Fog
55W
27W 10W 2x 55W
Park Indicator Lowbeam Highbeam
10W 27W 55W
65W
Highbeam 65W
Lowbeam 55W
Indicator 27W
Left Front-Light
Control
Right Front-Light
Control
LEDs
Relays
m n
Low-Side Driver
HITFET ™ BTS3110/18
BTS3134 BTS3160D
Interior Light
LED Driver
Basic LED Driver without Status
BCR40x
Basic LED Driver TLE424x
Power System ICs
C Smart Power C System Integration
– ABS/Airbag – Powertrain – Body
Inﬁneon® Embedded Power ICs
C Single Package C Smart Power and
Controller Integration
System Basis Chip TLE826xE TLE826x-2E
Optional: DC/DC Regulator
TLF50281
Single or Dual High-Side Driver
Supply
Communication
32-bit Multicore/Lockstep

英飞凌600-700V超结场效应管详细参数

DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
Packages PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3
IPD70R1K4P7S IPD70R1K4CE IPD65R1K5CE

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英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA
英飞凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。

这是业界首个配备集成式快速体二
极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-
Q101。

650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID(高强度放电)照明等谐振拓扑。

英飞凌推出的这种全新解决方案兼具快速开关超结MOSFET的所有优点：更高的轻载效率、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更易使用以及出类拔萃的可靠性等。

英飞凌全新推出的650V CoolMOS CFDA，是一种卓越的解决方案，可满足汽车应用对于更高能效的要求，它具备更低的单位面积通态电阻和易于控制的开关行为，以及业界首屈一指的体二极管耐用性。

体二极管重复换向时更低的Qrr 和Qoss 值可降低开关损耗和缩短开关延迟时间。

英飞凌科技高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出：英飞凌依托于革命性的CoolMOS™ 工艺，在能源效率和功率密度方面独占鳌头。

650V Cool-MOS™ CFDA进一步壮大了CoolMOS™ CFD产品家族的阵容，树立了快速发展的电气化汽车的性能新标杆。

快速电流与电压瞬变以及更软换向行为的良好可控性，有助于降低
EMI(电磁干扰)，使这种新产品系列相对竞争产品具备明显优势。

硬换向时，
体二极管上有限的电压过冲使电路设计与PCB设计更为轻松。