13年6月杭州电子科技大学模拟电子技术复习卷

《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。

（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。

（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。

（）4、运算电路中一般引入负反馈。

（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。

（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。

（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。

（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。

（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。

（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。

（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。

（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。

（）15、共基极放大电路输出与输入反相。

（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。

（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。

（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。

（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。

（）22、运放的共模放大倍数越小越好。

（）23、运放的差模放大倍数越小越好。

（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。

（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。

（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。

（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。

（）29、用于滤波的电容通常串联连接。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。

1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。

电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。

1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。

图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。

图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。

图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。

图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。

杭州电⼦科技⼤学电⼦信息学院-杭州电⼦科技⼤学学⽣考试卷-模拟电路试卷（总集）苏州⼤学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页院系专业成绩年级学号姓名⽇期⼀. 填空题：(20分)1. PN 结伏安特性⽅程为I=_____________________。

2. ⾼频时⼆极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________(A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。

3. 温度升⾼时，⼆极管的正向导通压降将。

(A. 增⼤ B. 减⼩ C. 不变)4. 单管共射电路当输⼊正弦波信号幅度很⼤时，输出信号波形可能产⽣_______和_________失真（A 饱和 B 截⽌C 交越 D 频响）。

5. 放⼤器为了稳定放⼤倍数，可以引⼊______(A.交流 B.直流)。

6. 100µV ～10V 范围内的⾳频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以⽤0V ～10V 范围的电压表反映。

7. 已知则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。

8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗⼝ D 三态）⽐较器在输⼊电压⾜够⾼和⾜够低的时候，输出电平是相同的。

9. 正弦波振荡器按照选频⽹络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和_________________。

10. 滤波电路的主要⽬的是____________________________________。

⼆．分析计算题：1．(16分)图⽰单管共射电路中，已知晶体管β=100，r bb'=200，（1）求I CQ ,U CEQ（2）求r be(3) 画出微变等效电路(4) 求Au ，Ri ，Ro1110200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au2．(12分)图⽰差动放⼤电路中，两个三极管的β=60，rbb'=200，(1)试求ICQ1 ,UC1(2)求Aud，Rid，Ro(3)求Auc3．(8分)判断如下电路的反馈类型（电压/电流，并联/串联，正/负）。

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。

电子科技大学网络教育一、 选择题（每小题2,共10分）1 . BJT 依靠（）控制漏极电流i c 的器件。

A 电压 B 电流 C 电阻 D 电场2.电流求和负反馈使输人电阻（ ）。

5. 若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将（）二、判断题（每题2分，共20分）1、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

（）2、 三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。

（）3、 晶体三极管具有放大作用时，发射结反偏，集电结正偏。

（）4、 三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。

（）5、 为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。

（）6、 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号 。

（）7、 共模信号是大小相等，极性不同的两个信号。

（）&只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（）9、 用低频信号去改变高频信号的频率称为调频，低频信号称为调制信号，高频信号称高频载波。

（）10、 晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而升高。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

（）三、填空题 （每空2分，共20分）1•差动放大器两个输入端的增益电压分别是 1mV 和-1mV,则输入的共模电压是 mV 。

A2. 反馈方程式A f _______________________ — 中，A 、B 符号 _______________ 时为负反馈，A ，B 符号 时，为正反馈。

1 +AB3 .在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容 _____________ 。

4.运算放大器的输入级是 ___________ 。

5 .一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将A. R c 增大B. R=减小C. V CC 减小 D V CC 增大A 增加B 不变C 减少D 不清楚3. NPN 管放大偏值电路中，若 V C 增加，则I B （ A 略有增加 B 略有减小 C ）。

电子科技大学考试试卷及标准答案20XX— 20XX学年第一学期课程名称：模拟电路┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

（）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（）（7）半导体中的空穴带正电。

（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。

（）（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。

（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。

（A）>（B）<（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小11、交流负反馈是指。

A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。

A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。

姓名……………学生班号………….学号……………………………………………………………………………………………………………………电子科技大学网络教育射频模拟电路综合测试题五一、单项选择题（20分）1. LC 串联谐振回路谐振时，回路阻抗为：（ ）A 、 容性B 、 纯阻性C 、 感性D 、不定 2. 串联谐振回路谐振时，回路电流：（ ）A 、最大B 、最小C 、零D 、 其它 3. 并联谐振回路如图1所示，空载品质因数为0Q ，谐振时电感支路电流与电流源之间的关系近似为：（ ）A 、S I Q 0B 、S IC 、0Q I SD4. 并联谐振又称为（ ）谐振。

A 、电压B 、电流C 、阻抗D 、 导纳 5. 串并联谐振回路归一化抑制比αA 、的表达式为：（ ）11j ξ+ B C 、211j ξ+ D 、211ξ+6. 串并联阻抗等效互换电路中，串联支路的品质因数为1L Q ，并联支路的品质因数为2L Q ，则1L Q 与2L Q A 、的关系为：（ ）12L L Q Q > B 、12L L Q Q < C 、 12L L Q Q =7. 电路中采用部分接入的目的是：（ ）D 、不定A 、供电B 、阻抗变换C 、便于连接D 、隔直流图18. 回路抽头如图2所示，接入系数为P ，则'S I 与S I 的关系为：（ ）A 、S SPI I '= B 、S S PI I ='C 、S S I I '=D 、SS I P I 2'=9. 晶体管共射组态的工作频率f 工作远大于βf ，此时，电流放大倍数||•β为：（ ）A 、 工作f f TB 、工作ff β C 、βf f 工作 D 、 0βTf10. 晶体管高频小信号单调谐回路放大器，如电路选定，晶体管选定，则增益带宽积（707.002f A V ∆•A 、常数 B 、不定值 C 、 ）为：（ ）0V A 大；707.002f A V ∆•也较大； D 、 0V A 大；707.002f A V ∆•11. 高频谐振功率放大器，由过压状态到临界状态，需调整的参数是：（ ）较小A 、P R 增大B 、P R 减小C 、CC V 减小；D 、b V 12. 高频谐振功率放大器用于集电极调幅，谐振功放的工作状态是：（ ）增大A 、 过压状态B 、欠压状态C 、临界状态；D 、 略欠压状态13. 高频谐振功率放大器用作二倍频器，则导通角c θA 、应为：（ ）60B 、40C 、30； D 、2014. LC 反馈正弦波振荡器振荡平衡的振幅稳定条件是：（ ）A 、<∂∂平衡点iV AB 、>∂∂平衡点iV A C 、=∂∂平衡点iV A 15. 混频器信号电平的特点是：（；D 、 其它L v —本振电压，s v A 、 —信号电压）（ ）L v 很大，s v 很小； B 、L v ，s v 都很大；C 、s v 很大， L v 很小； D 、L v ，s v 16. 混频器中的干扰哨声是： （ ）都很小；A 、副波道干扰；B 、组合频率干扰；C 、交叉调制；D 、互相调制；17. 调幅波)(102cos )102cos 3.01()(63V t t t v ××+=ππA 、的载波频率是：（ ）Hz 310； B 、Hz 3102×π；C 、Hz 6102×π； D 、 Hz 61018. 调幅波从频谱变换的角度看是频谱的： （ ）；A 、非线性变换；B 、线性变换；C 、 不变换；D 、频谱搬移；19. 求63()5cos(10t+sin510t)v t =×在t=0时的瞬时频率：（ ）A 、6ω(0)=10rad/s ；B 、3ω(0)=510rad/s ×；C 、63ω(0)=(10+510)rad/s ×；D 、63ω(0)=(10-510)rad/s ×20. 调相波的最大频偏；KHz f m 75=∆，调制信号频率KHz F 5=，则调频指数p m A 、5； B 、 10；C 、15； D 、 20；为：（ ）二、 多项选择题（在每小题的被选答案中，选出2—5个正确答案，多选、少选、选错，均无分。

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 姓名___ ___ 分数___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 ，掺杂越多，则其数量一定越 ，相反，少数载流子应是 ，掺杂越多，则其数量一定越 。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 ，锗二极管的导通电压约为 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 区和 区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 、 、 三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指 随信号频率而变，称为 特性，而输出信号与输入信号的 随信号频率而变，称为 特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 和 两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 、 、 和 。

二．选择题（每题2分，共 分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。

（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A ）共基接法 共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。

（A ）β （B ） β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 。

（A ）共基放大电路 （B ） 共集放大电路 （C ） 共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE 。

杭州电子科技大学《模拟电子技术基础》试题（4）（*请考生在答题纸上答题，在此答题纸上答题无效）一、填空（共30分，1分/空）1、由NPN晶体管组成的单级共射电压放大器，在正常的输人信号下，若输出电压波形正半周出现了失真，是由于工作点设置偏，出现的叫失真。

若输出电压波形负半周出现失真，是由于工作点设置偏，叫失真。

2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位：①端为 1.5V、②端为4V、③端为2.1V，则①端为极、②端为极、②端为极，该管子为型。

3、集成运放实际上是一种高性能的直接相合放大电路，它的输入级多用电路，中间级为电路，输出级多用，偏置电路是电路。

4、欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入；欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入；欲从信号源获得更大的电流，并稳定期出电流，应在放大电路中引入。

5、比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运故两个输入端的电位等于输入电压；比例运算电路的输入电阻大，而比例运算电路的输入电阻小；比例运算电路的输入电流等于零，而比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。

；比例运算电路的比例系数大于1。

而比例运算电路的比例系数小于零。

6、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈；其余情况下石英晶体呈。

7、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的。

8、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则；滤波电路应选用。

二、分别改正图1所示电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法、共源接法及耦合方式。

（10分）共 3 页，第 1 页图1三、电路如图2所示，晶体管的 ＝80，r b e=1kΩ。

杭州市七县（市、区）2013年高职一模《电子电工专业》试卷本试题卷共七大题。

全卷共8页。

满分300分，考试时间150分钟。

注意事项：1．所有试题均须在答题纸上作答。

未在规定区域内答题，每错一个区域扣卷面总分1 分，在试卷和草稿纸上作答无效。

2. 答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题 纸和试卷上。

3. 选择题每小题选出答案后，用2B 铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。

如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。

非选择题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上相应区域内，字体工整，笔迹清楚。

4. 若需在答题纸上作图，可先使用2B 铅笔，确定后必须使用黑色字迹签字笔或钢笔描黑。

第一部分 必做题（满分210分）一、单项选择题（本大题共20小题，每小题4分，共80分）在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。

错涂、多涂或未涂均 无分。

1.电路中两点间的电压高，则说明 A.这两点间的电位都高 B.这两点间的电位差大 C.这两点间的电位都大于零 D.与这两点的电位无关2.如图所示，当可调电阻R 的触头上移时，电流表和电压表的读数将A.电流表读数将增大，电压表读数将增大B.电流表读数将下降，电压表读数将增大C.电流表读数将增大，电压表读数将下降D.电流表读数将下降，电压表读数将下降3.两只电容分别为C 1和C 2的电容器，其额定值分别为200pF 500V 、300pF 900V ，串联后外加 1000V 的电压，则 A.C 1击穿， C 2不击穿 B.C l 先击穿，C 2后击穿 C.C 2先击穿， C 1后击穿 D.C 1、C 2均不击穿4.两个同频率的正弦交流电的相位差等于180º时，则它们的相位关系是 A.同相 B.反相 C.相等 D.正交5.有三个正弦交流电电压，解析式分别u 1＝20sin （100πt ＋300）V ，u 2＝10sin （100πt ＋900）V,u 3＝30sin （100πt －1200）V ，则 A.u 1滞后u 2为60º B.u 1超前u 2为60º C.u 1滞后u 3为150º D.u 1超前u 3为90º6.已知交流电流的解析式为A t i )4314sin(4π-=，当它通过R=2Ω的电阻时，电阻上消耗的功率是A.32WB.16WC.10WD.8W7.如图所示电路，各相负载的R=6Ω，X L=8Ω，V1表的示数为380V，则V2表和A1表的读数分别是A.220V 22AB.380V 38AC.380V 22AD.220V 38A8.在RLC串联谐振电路中，当f>f o时，电路的阻抗呈A.电阻性B.电感性C.电容性D.中性9.三相对称负载接入同一三相对称电源中，负载作三角形接时的有功功率为作星形连接时有功功率的A.3倍B.3倍C.2倍D.1倍10.变压器原绕组100匝，副绕组1200匝，在原绕组两端接有电动势为10V的蓄电池组，则副绕组的输出电压是A.120VB.12VC.0.8VD. 0V11.电子元器件LED是指A.稳压二极管B.发光二极管C.整流二极管D.光电二极管12.对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是A.三极管可以把小能量放大成大能量B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可以用较小的电流控制较大的电流13.在单相桥式整流电容滤波电路中，当负载开路时，输出电压的平均值为A.0.9V2B.1.2 V2C.0D.1.4V214.对于共集电极放大电路的特点，下列说法错误的是A.输入电阻高，且与负载有关B.输出电阻小，且与信号源内阻有关C.电压放大倍数小于1，且接近于1D.电流放大倍数小于115.欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈16.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用是A.放大负反馈B.选频负反馈C.选频正反馈D.稳幅正反馈17.在甲乙类互补对称功放电路中，设电源电压为正负14V，负载电阻为8Ω，V CES为2V，则最大输出功率P OmA.1.8WB.4WC.9WD.12.25W18.若某电路的电压增益为－20dB，该电路是A.同相放大器B.衰减器C.跟随器D.反相放大器19.如图所示，为了满足振荡的相位平衡条件，应将A.H与M连接，J与P连接，K与N连接B.H与N连接，J与M连接，K与P连接C.H与N连接，J与P连接，K与M连接D.H与P连接，J与M连接，K与N连接20.串联型稳压电路中放大环节放大的对象是A.基准电压B.取样电压C.输入电压D.基准电压与取样电压之差二、填空题（本大题共14小题，第21-27题，每空格3分，第28-34题，每空格2分，共56分21. 电流的方向规定为电荷移动的方向。