电路与模拟电子技术(期末复习)
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晶体二极管及应用电路1 图(a)和图(b)分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关,试分析对于输入信号的正半周和负半周,每支二极管的状态,并画出输出电压O v的波形。
2在T=300K时,某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。
两管按如图所示的方式串联,且电流为1mA。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。
图P1-23在T=300K时,利用PN结伏安方程作以下的估算:I=μA,求正向电压为0.1V,0.2V和0.3V时的电流。
(1)若反向饱和电流10S(2)当反向电流达到反向饱和电流的90%时,反向电压为多少?(3)若正反向电压均为0.05V,求正向电流与反向电流比值的绝对值。
1 图(a )和图(b )分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关,试分析对于输入信号的正半周和负半周,每支二极管的状态,并画出输出电压O v 的波形。
[解]图P1-8输入正半周时,D 1导通,D 2截止。
输入正半周时,D 1D 3导通,D 2D 4截止。
输入负半周时,D 2导通,D 1截止。
输入负半周时,D 2D 4导通,D 1D 3截止。
(a )(b )两整流电路0v 波形相同(图P1-8-1):2 在T=300K 时,某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联,且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]S I I >>,两管已充分导通,故VA 关系为/T V V S I I e =,由此lnT S IV V I =,取26T V =mV (T=300K )∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
O图P1-8-13在T=300K时,利用PN结伏安方程作以下的估算:(1)若反向饱和电流10SI=μA,求正向电压为0.1V,0.2V和0.3V时的电流。
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题(每空1分,共32分)1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。
为了稳定输出电流,采用()负反馈。
8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。
9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。
10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。
11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。
12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。
13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。
15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2分,共30分)1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了()而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
《模拟电子技术》期末试卷及答案(本题每空1分,共20分)一、填空题:1. 二极管的伏安特性上分有四个区,分别是区、区、区和。
2. 双极型三极管属于控制型器件,单极型三极管属于控制型器件。
3. 理想运放的电路模型中,开环电压放大倍数A O=,差模输入电阻r i= ,输出电阻r O= ,共模抑制比K CMR= 。
4. 击穿属于碰撞式的击穿,击穿属于场效应式的击穿,这两种击穿均属于击穿,具有互逆性。
5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中,其中组态的放大电路放大能力最强,组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力,组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。
6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。
(本题每小题1分,共10分)二、判断下列说法的正确与错误:1. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会造成永久型损坏。
()2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管,其导电机理是相同的。
()3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。
()4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。
()5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。
()6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。
()7.设置静态工作点的目的,就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。
()8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时,该管必须烧损。
()9. 理想集成运放构成的线性应用电路中,电压增益与其内部参数无关。
()10.即使是单门限电压比较器,其输出也必定是两种状态。
()(本题每小题2分,共16分)三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的()价杂质元素构成的。
A.三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,则该管必工作在()。
《模拟电子期末练习题》填空题:1、 PN结正偏时(导通),反偏时(截止),因此 PN结拥有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少量)载流子形成,其大小与(温度)相关,而与外加电压(没关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无量大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管拥有放大作用外面电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度高升时,晶体三极管集电极电流Ic (增添),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共基极)、(共集电极)放大电路。
8、为了稳固三极管放大电路的静态工作点,采纳(直流)负反应,为了稳固沟通输出电流采纳(电流)负反应。
9 、负反应放大电路的放大倍数A F=( A/ (1+AF)),关于深度负反应放大电路的放大倍数A F=( 1/F )。
10、 P型半导体中空穴为(多半)载流子,自由电子为(少量)载流子。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性同样的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了除去乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采纳(甲乙)类互补功率放大器。
13 、反向电流是由(少量)载流子形成,其大小与(温度)相关,而与外加电压(没关)。
14、共集电极电路电压放大倍数(小于近似等于1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够克制(零点)漂移,也称(温度)漂移,因此它宽泛应用于(集成)电路中。
16 、晶体三极管拥有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。
17、为了稳固三极管放大电路和静态工作点,采纳(直流)负反应,为了减小输出电阻采纳(电压)负反应。
18、共模信号是大小(相等),极性(同样)的两个信号。
19、乙类互补功放存在(交越)失真,能够利用(甲乙)类互补功放来战胜。
模拟电子技术基础期末复习work Information Technology Company.2020YEAR一、填空1. 二极管最主要的特性是(),反映正向特性的的两个主要参数是()。
2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。
3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。
4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。
5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。
6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。
7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ,产生这种现象的原因是。
8. 测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。
9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
10. 在放大电路中为了稳定静态工作点,应引入反馈,稳定放大倍数,应引入反馈,改输入和输出电阻,应引入反馈,展宽频带应引入反馈。
11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波。
12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地,而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。
14. 在直流稳压电路中,变压的目的是,整流的目的是,滤波的目的是,稳压的目的是。
15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时,宜选用;当希望抑制50Hz交流电源干扰时,宜选用;当希望抑制1KHz以下的信号时,宜选用。
16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大,可选用组态,若希望带负载能力强,应选用组态,若希望从信号源索取电流小,应选用组态,若希望高频性能好,应选用组态。
17. 电流源电路在集成运放中,常作为电路和电路;前者的作用是,后者的作用是。
18. 差分放大电路有种输入输出连接方式,其差模电压增益与方式有关,与方式无关。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中,哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平?A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案:C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件?A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案:D. 电池3. 在模拟电子技术中,下面哪个元器件常用于放大电压信号?A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案:C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号?A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案:D. 调制器5. 在模拟电子技术中,以下哪个元器件常用于对电流进行控制?A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案:D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。
答案:欧姆(Ω)7. 二极管有两个基本电极,分别是阳极(A)和________。
答案:阴极(K)8. 在放大器中,输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平,这个功能叫做________。
答案:放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。
答案:线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号?答案:整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。
答案:电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。
电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理,通过在电子管中加入电场和磁场,可以控制电子流的流动和放大信号。
在模拟电子技术中,电子管经常用于放大电压信号。
它具有高放大系数和低噪声的特点,因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。
同时,电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。
12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。
答案:两种常见的放大器类型分别是:a. 甲类放大器:甲类放大器是一种线性放大器,输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大,即电流在整个传输特性曲线上运行。
模拟电子技术期末考试卷及答案一、填空题(20 分)1、二极管最主要的特性是。
2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。
3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有、、。
4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。
5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。
二、选择题(20分)1、P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是。
A、电子 B、空穴 C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。
A、大于 B、小于 C、等于3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压,反向电流。
A 、增大B 、减小C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1= 30,V 2的250,则复合后的约为( )。
A .1500 B.80 C.505、RC 串并联网络在f=f0=1/2 RC 时呈 。
A 、感性 B 、阻性 C 、容性三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。
( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。
( )3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
( )4、负反馈越深,电路的性能越稳定。
( )5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
( ) 四、简答题:( 25分)1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD =0.7V 。
V 2V 12、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型?¥+-+R Su o(a)R Lu i R F(b)R 1R 2R 4R 5R 3u i +-+v cc-+V 1V 2u o C 1+-3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡五、计算题(25分)1、电路如下图所示,试求出电路AU 、Ri 、和R0的表达式。
2、电路如下图所示,求下列情况下U0和UI的关系式。
I I I I I I I I I I II I I I I I I 华南理工大学期末考试试卷 《电路与模拟电子技术》 考试吋间:150分钟 考试日期: 年 月曰 I I IIIIIIII I I II I I III I I IIIII I I III I I III I I(20分) 2. 3. 当PN 结加正向电压时,则PN 结 ;当PN 结加反向电压时, 则PN 结 。
这一特性称为PN 结的 o (3 分) 图1是一个未完成的正弦波振荡电路,请将电路连接完成;为了能够起振,R 】和R2之间需要满足的 关系是.。
(5 分) OOU A°R 2U BO电路如图2所示,二极管为同一型号的理想元件, u A=3sinu )tV, UB =3V, R=4KQ ,贝0: U F =于放人状态时,集电结的偏置为: 发射结的偏置为:(2分) 5. [+12VRUp(3分)4•品体管处 在共发射极接法的单级交流电压放大电路屮,负载电阻愈小,则电压放大倍数愈—,发射级电阻R E (无旁路电容)愈大,则电压放大倍数愈(3分)6. 一个固定偏置单级共射晶体管放大电路,为使最大不失真输出幅度尽可能大,其静态工作点应设在______________ ;如果因设置不当,出现输出波形的底部失真,这是失真,消除这种失真的办法是________________________ O(4分)二、图(a)中,己知E二36V, R1=R2=R3=R4, U ab=20V o若将恒压源E除去如图(b),求这时Uab的值为多少?(10分)三、在图示电路中,已知电容电流的有效值为10A,电感电流的有效值町10 2 A,电压片250V, R=5Q ,并且在电路工作频率X\=R“电容的容量为10微法,求电路总电流/、电阻7?2、电感L、电路工作角频率3。
(10分)得分评卷得分评卷四、今有40W的日光灯一盏,接在220V50HZ的交流电源上,设灯管在点亮状态等效为纯电阻,其两端电压为110V,镇流器等效为电感,若想将该日光灯的功率因数提高到0.9,应怎样接入补偿元件?补偿元件的参数是多大?(10分)五、图示电路原已稳定,/ =()时开关S由T”换接至叨。
《模拟电子技术》考试试卷(01)一、填空题(本大题共4小题,每空1分,共10分)1.PN结正向偏置时,反向偏置时,所以PN结具有导电性。
2.有三个单管BJT放大电路,已知其电压增益分别为A v1=20,A v2=-10,A v3=1,则可知它们分别为放大电路、放大电路、放大电路。
3.乙类互补功率放大电路存在失真,可以利用类互补功率放大电路来克服。
4.负反馈将使输出电阻减小,负反馈将使输出电阻增加。
一、1.导通,截止,单向;2.共基极,共发射极,共集电极;3.交越,甲乙类;4.电压,电流。
二、单项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)1.对BJT下列说法正确的是。
A.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构对称B.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构不对称,发射区掺杂浓度比集电区高D.发射极和集电极不能调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构不对称,发射区掺杂浓度比集电区低2.测得某电路中PNP型晶体管的三个管脚的电位分别为V B=5V、V C=2V、V E=5.7V,则该管工作在状态。
A.放大B.截止C.饱和D.不能确定3.互补对称功率放大电路中的两个功放管应采用。
A.一个NPN型管和一个PNP型管B.两个NPN型管C.两个PNP型管D.任意组合4.理想运算放大器的两个输入端的输入电流近似等于零的现象称为。
A.断路B.虚短C.虚地D.虚断5.正弦波振荡电路的输出信号最初由产生的。
A.基本放大器B.选频网络C.干扰或噪声信号D.稳幅环节三、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)1.影响放大电路高频特性的主要因素是耦合电容和旁路电容的存在。
2.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。
3.集成运放是一种高增益的、直接耦合的多级放大电路。
4.P型半导体带正电,N型半导体带负电。
电路与模拟电子技术期末复习题纲要及解答- 殷瑞祥1.电阻:特性——欧姆定律在关联参考方向下,电阻两端电压与流过电阻的电流成正比,比例系数为电阻元件的参数——电阻值电容:功率可正可负,有时吸收能量,有时放出能量,但本身不消耗能量(无损)。
,电感:功率可正可负,有时吸收能量,有时放出能量,但本身不消耗能量(无损)。
电压源:实际电压源(简称电压源)随着输出电流的增大,端电压将下降,可以用理想电压源和一个内阻R0串联来等效。
电流源:实际电流源(简称电流源)可以用理想电流源与内阻并联来表示,当电流源两端电压愈大,其输出的电流就愈小。
当实际电流源的内阻比负载电阻大得多时,往往可以近似地将其看作是理想电流源。
2.理想电压源特点:理想电压源两端的电压值不随电流变化,因此,理想电压源的两端不能被短路(电阻值为0),否则,将流过无穷大电流。
常用的电池在正常工作范围内近似为理想电压源(恒压源)。
使用中不能将其两个电极短路,否则将损坏。
理想电流源特点:流过理想电流源的电流值不随电压变化,因此,理想电流源的两端不能被开路(电阻值为∞),否则,将产生无穷大电压。
现实世界中理想电压源和理想电流源都是不存在的,它们只是实际电源在一定条件下的近似(模型)。
3.最大功率条件:最大功率传输定理:若(等效)电源参数确定(U S和R0),当且仅当负载电阻R L= R0时负载从电源(电源传输给负载)获得最大功率。
4.三相交流电星型接法的相电压与线电压的区别及定义线电压幅度是相电压的根号3倍,线电压相位比对应相电压超前30度。
5.阻抗的定义——正弦稳态电路中,无源二端网络(元件)的电压相量与电流相量之比称为该二端网络的阻抗,记作Z,阻抗具有电阻的量纲,单位欧姆(W)。
Z=U/I=1/Y其中Y为导纳。
复数的实部与虚部的定义:一般情况下,阻抗Z和导纳Y是复数,而且都是频率的函数。
电阻元件的阻抗为实数,是纯阻元件,阻抗角为0°d()d()()()()d dq t u tq t C u t i t Ct t=⋅⇒==111()()d()d()d1(0)()dt ttu t i t t i t t i t tC C Cu i t tC-∞-∞==+=+⎰⎰⎰⎰d()d()()()()d dt i tt L i t u t Lt tΦΦ=⋅⇒==111()()d()d()d1(0)()dt tti t u t t u t t u t tL L Li u t tL-∞-∞==+=+⎰⎰⎰⎰2Sm ax14UPR=⋅电感元件的阻抗为正虚数,是纯电抗元件(感抗X L=w L),阻抗角为90°电容元件的阻抗为负虚数,是纯电抗元件(容抗X C=1/w C),阻抗角为-906.安全用电根据环境不同,我国规定有相应的电压等级:在有触电危险的场所,安全电压为42V;在多导电粉尘的场所,安全电压为36V;在特别潮湿的井下,安全电压为12V。
模拟电子技术期末试题及答案一、选择题1. 下列哪个元器件是用来放大电流信号的?A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案:C. 晶体管2. 下列哪个元器件是用来存储电荷的?A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案:A. 电容器3. 以下哪个不属于模拟电子技术的基本元器件?A. 电容器B. 晶体管C. 可编程逻辑门D. 电感器答案:C. 可编程逻辑门4. 模拟信号与数字信号最主要的区别在于:A. 模拟信号是连续的,数字信号是离散的B. 模拟信号是离散的,数字信号是连续的C. 模拟信号只有两种状态,数字信号有多种状态D. 模拟信号只能用模拟器件处理,数字信号只能用数字器件处理答案:A. 模拟信号是连续的,数字信号是离散的5. 下列哪个元器件是用来稳压降压的?A. 二极管B. 可变电阻C. 三极管D. 电容器答案:A. 二极管二、填空题1. 以下哪个公式可以计算功率?答案:功率 = 电压 ×电流2. 电流的单位是什么?答案:安培(A)3. 以下哪个单位可以表示电压?答案:伏特(V)4. 以下哪个单位可以表示电阻?答案:欧姆(Ω)5. 模拟信号的频率单位是什么?答案:赫兹(Hz)三、简答题1. 请解释什么是反馈电路,并说明其作用。
答案:反馈电路是将输出信号的一部分再次输入到输入端,用来改变输入端的输入量,以达到控制输出信号的目的。
反馈电路的作用是能够稳定放大器的放大倍数、提高频率响应和抑制信号失真。
2. 简述运放的作用和基本构造。
答案:运放(操作放大器)是一种重要的模拟电子元件,可以放大电压信号,具有高放大倍数、输入阻抗高、输出阻抗低等特点。
它的基本构造包括差分放大电路、级联放大电路和输出级电路。
3. 请解释什么是滤波器,并列举两种常见的滤波器类型。
答案:滤波器是用于剔除或选择特定频率范围内信号的电路。
常见的滤波器类型有低通滤波器(只允许低于截止频率的信号通过)和高通滤波器(只允许高于截止频率的信号通过)。
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案:错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。
答案:对3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。
答案:错4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。
答案:错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案:错一、单选题1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V,UB=3.7V,UC=3.3V,则该管工作在()。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为Hf时,放大器增益的幅值将()。
A.降为1B.降为中频时的1/2倍C.降为中频时的1/D.降为中频时的倍答案:C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。
A.35C.45D.60答案:A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。
A.放大B.饱和C.截止D.已损坏答案:D5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。
(设二极管的导通压降为0.7V)A.-5VB.-4.3VC.-5.7VD.-10V答案:C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。
A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管答案:B7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:A8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共发射放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:B9.理想运放的开环差模增益AOd为()。
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。