东芝半导体制品総覧表
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著名电子厂商标志及公司简介标 志 公 司 简 介美国仙童(飞兆),采用世界级 4、5、6-inch 硅片工艺生产逻辑、模拟、混 合信号 IC 和分立元件 美国国际整流器公司成立于 1947 年,是主要的全球功率半导体供应商。
我们的产品通过电能转换,为各种电源系统、电机传动系统及照明镇流器 提供能源。
美国安森美半导体主要拥有三类产品系列: 电源管理和标准模拟集成电路 (放大器、电压参考、接口和比较器);高性能逻辑电路(特殊应用产品、 通信集成电路、时钟、转换器和驱动器);以及包括了有源分立元件和 MOSFET 产品的标准半导体。
IXYS美国 IXYS(艾赛斯)公司是世界著名的半导体厂家,成立于 1983 年, 总 部设于美国加利福尼亚州(二极管、MOS 管等半导体工厂设于德国) ,其 产品包括 MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB 块、功率模块等。
主要产品:功率模块、MOSFET、整流桥 法国意法半导体公司 SGS-THOMSON,国际著名半导体公司之一。
美国摩托罗拉半导体 Motorola Semiconductor Products Inc.,以数字逻辑器 件、 模拟和接口器件、 通信及功率器件、 各类微处理器、 存储器电路为主。
美国飞思卡尔半导体(原摩托罗拉半导体部)是全球领先的半导体公司。
这 家私营跨国公司总部位于德州奥斯汀,在全球 30 多个国家和地区拥有设 计、研发、制造和销售机构。
飞思卡尔是全球最大的半导体公司之一。
从 其前身———摩托罗拉半导体部算起, 飞思卡尔已有 50 多年的发展历史, 从摩托罗拉分拆出来后,飞思卡尔有了完全中立的市场地位, 美国 APT (先进功率技术)公司(现 Microsemi 公司)。
提供双极晶体管、 VDMOS 和 LDMOS 三大类产品。
APT 于 2005/10/1 被 Microsemi 公司并购, 因此,APT 公司已于 2006/05/01 正式纳入 Microsemi 公司体系运作。
2011年全球半导体设备制造商发展概况上海科学技术情报研究所董瑞青2013-01-28关键字:全球半导体设备制造商发展概况浏览量:1601半导体设备是半导体产业发展的基础,也是半导体产业价值链顶端的“皇冠”。
从全球范围看,美国、日本、荷兰等国家是世界半导体装备制造的三大强国,全球知名的半导体设备制造商主要集中在上述国家。
如表1所示,2011年世界前十六大半导体设备生产商中,有美国企业7家,日本企业6家,荷兰企业2家,德国企业1家,其中荷兰阿斯麦(ASML)以78.8亿美元的销售额位居全球第一,美国应用材料公司以74.4亿美元的销售额位居第二,日本东京电子销售额为62.0亿美元,位列第三;从企业主要的半导体设备产品看,美国主要控制等离子刻蚀设备、离子注入机、薄膜沉积设备、掩膜板制造设备、检测设备、测试设备、表面处理设备等,日本则主要控制光刻机、刻蚀设备、单晶圆沉积设备、晶圆清洗设备、涂胶机/显影机、退火设备、检测设备、测试设备、氧化设备等,而荷兰则在高端光刻机、外延反应器、垂直扩散炉等领域处于领导地位。
从国内看,近年来,在国家科技重大专项支持下,我国集成电路装备产业发展取得了显著进展。
上海中微半导体的90nm-65nm等离子体介质刻蚀机、45nm-32nm等离子体介质刻蚀机及北方微电子装备的65nm硅栅刻蚀机已通过12英寸片生产线的考核验证,并实现销售。
上海微电子装备的先进封装光刻机进入江苏长电科技集团的集成电路封装生产线正式使用。
七星华创的12英寸氧化炉也进入大线试用。
中科信12英寸大角度离子注入机已完成3台样机组装,正在进行测试验证。
盛美半导体的12英寸单晶圆兆声波清洗机已进入韩国海力士12英寸晶圆生产线的使用,并取得了韩国海力士本部的书面认证。
资料来源:VLSI research inc。
参考文献:[1] VLSI research公司网站.[①] MEMS(微机电系统),是指可批量制作的,集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统。
■物流サービス①グローバルロジネットワークグローバル物流サービスのご紹介1. 世界を主要5地域に区分し、各地域にてグローバル・ロジ体制を構築します。
⇒地域統括機能の拡充と拠点の整備2. 各地域の主要港にゲートウェイ拠点を整備、部材・商品の国際輸送高度化によるグローバル一貫体制を確立します。
3. 中国・欧州・北米での輸配送ネットワーク構築を進めます。
事例お客様の声1. 『海外生産商品』の取扱拡大2. 企業規模拡大に伴う単位発注数量の増大化3. 経営効率面からのロジスティクス戦略意識(SCM意識)の高揚弊社サイドの視点・意識1. 家電商品の急速な海外生産シフト化2. 合従連衡等による得意数上位集約化と単位発注数量の増大化3. 特定定番商品・一部売れ筋商品への売上一極集中4. 最長28日までコンテナ無料仮置きが可能なコンテナヤード(CY)の存在と利用価値5. 輸送階層削減による確実なる『中抜き経費削減効果』得意・当社共に、コンテナ直送メリットの大きさは統一認識物流費削減施策現状ロジフロー(中国⇒関東地区)直送化後ロジフロー:日本CY活用方式(中国⇒関東地区)物流費削減効果1. アウトイン全調倉庫関連費用:デバン作業・入出荷荷役・保管費用・積込2. 物流センター関連費用:積降・入出荷荷役・積込3. 輸送費:一次輸送費(全調→物流センター)、二次配送費(センター→得意)②量産品物流サービスTVの輸送・梱包トータル改善の事例をご紹介します。
大口ユーザーへのPC搬入サービス改善の事例をご紹介します。
事例お客様の声1. 販売規模の大幅増加に対してさらにロジコスト削減の要望があった。
2. ロジコストを手のひらに乗せ、物流費削減のみならず物流の見える化が重要となった。
弊社物流改善当社海外現法を活用した輸出入オペレーションを確立し、貨物のステータス管理とロジコストの把握、さらには継続的なロジコスト削減提案を実施する。
世界半导体公司排名———详细25大半导体厂商排名(2006年统计数据):1. 英特尔,营收额313.59亿美元2. 三星,营收额192.07亿美元3. 德州仪器,营收额128.32亿美元4. 东芝,营收额101.66亿美元5. 意法半导体,营收99.31亿美元6. Renesas科技,营收82.21亿美元7. AMD,营收额74.71亿美元8. Hynix,营收额73.65亿美元9. NXP,营收额62.21亿美元10.飞思卡尔,营收额60.59亿美元11. NEC,营收额56.96亿美元12. Qimonda,营收额55.49亿美元13. Micron,营收额52.90亿美元14. 英飞凌,营收额51.95亿美元15. 索尼,营收额48.75亿美元16. 高通,营收额44.66亿美元17. 松下,营收额41.24亿美元18. Broadcom,营收额36.57亿美元19. 夏普,营收额34.76亿美元20. Elpida,营收额33.54亿美元21. IBM微电子,营收额31.51亿美元22. Rohm,营收额29.64亿美元23. Spansion,营收额26.17亿美元24. Analog Device,营收额25.99亿美元25. nVidia,营收额24.75亿美元飞思卡尔介绍:飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。
这家私营企业总部位于德州奥斯汀,在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。
产品领域:嵌入式处理器汽车集成电路集成通信处理器适用于2.5G 和3G无线基础设施的射频功率晶体管基于StarCore? 技术的数字信号处理器(DSP)下列领域处于领先地位:8位、16位和32位微控制器可编程的DSP无线手持设备射频微处理器基于Power Architecture?技术的32位嵌入式产品50多年来,飞思卡尔一直是摩托罗拉下属机构,2004年7月成为独立企业开始了新的生活。
在华日资(含合资)重点企业名单A阿尔卑斯(中国)有限公司上海办事处阿尔卑斯电子有限公司(上海)阿基里斯(株)上海代表处埃迪虹电器有限公司(上海)艾舞计算机网络(株)上海代表处爱德万测试(苏州)有限公司上海分公司爱华(株)上海代表处爱华医疗保健咨询(上海)有限公司保健咨询(上海)有限公司爱民私营投资有限公司(上海)爱佩技术咨询(上海)有限公司爱佩技术咨询有限公司(上海)爱普生电子有限公司(上海)爱思考建筑装饰工程有限公司(上海)爱斯可电子(上海)有限公司爱斯可电子有限公司(上海)爱知海运(株)上海事务所安川电动机器(上海)有限公司(上海)有限公司安川同济机电(上海)有限公司安达信(上海)企业咨询有限公司安积滤品有限公司(上海)安田仓库(株)上海代表处安田火灾海上保险(株)上海驻在员事务所安田火灾海上保险株式会社安永华明会计师事务所上海分所岸本贸易(上海)有限公司岸本模具制造(上海)有限公司光学工业(株)上海代表处奥林岛电子科技实业有限公司(上海)奥山建筑装潢工程有限公司(上海)奥伊斯嘉上海日本语幼儿园B八木(株)上海事务所八木高级时装(上海)有限公司八木通商(株)上海代表处阪和贸易(上海)有限公司阪急交通社(株)上海代表处宝广告社(株)上海代表处火材料(上海)有限公司宝理塑料(上海)有限公司宝菱电气控制设备(上海)有限公司宝菱塑料制品(上海)有限公司保圣那投资管理咨询(上海)有限公司保土谷化学工业(株)上海代表处北辰精密零件(上海)有限公司北京村上丝纲有限公司昆山分公司北京电通广告有限公司上海分公司北陆银行(株)上海代表处倍克商事(株)上海代表处本田技研工业(株)上海代表处本溪NEC 通讯有限公司上海分公司毕马威国际会计公司上海办事处伯东企业有限公司上海事务所不二制油(张家港)有限公司上海联络处BUK投资咨询(上海)有限公司C草津电机(上海)有限公司长江毛纺织品(上海)有限公司长濑产业(株)上海事务所长崎县上海事务所/(社)长崎县贸易协会上海事务所长尾产业(株)上海事务所常阳(株)银行上海代表处朝日放送上海支局朝日广播电视台上海支局朝日新闻社上海支局朝日新闻社上海支局赤诚国际人材咨询服务(上海)有限公司冲电气工业(株)上海代表处(香港)有限公司上海代表处崇友东芝电梯(上海)有限公司出光润滑油(上海)贸易有限公司出光润滑油贸易(上海)有限公司川崎汽船(中国)有限公司川崎制铁(株)上海代表处川崎重工业(株)上海事务所川铁商事(株)上海事务所川西仓库(株)上海代表处春雅整衣(上海)有限公司(财)国际交流协会代表处茨城县(财)国际交流协会上海代表处村田包装材料(上海)有限公司村田电子贸易(上海)有限公司草津电机(上海)有限公司长江毛纺织品(上海)有限公司长濑产业(株)上海事务所长崎县上海事务所/(社)长崎县贸易协会上海事务所长尾产业(株)上海事务所银行上海代表处朝日放送上海支局朝日广播电视台上海支局朝日新闻社上海支局朝日新闻社上海支局赤诚国际人材咨询服务(上海)有限公司冲电气工业(株)上海代表处冲电子(香港)有限公司上海代表处崇友东芝电梯(上海)有限公司出光润滑油(上海)贸易有限公司油贸易(上海)有限公司川崎汽船(中国)有限公司川崎制铁(株)上海代表处川崎重工业(株)上海事务所川铁商事(株)上海事务所川西仓库(株)上海代表处春雅整衣(上海)有限公司茨城县(财)国际交流协会代表处茨城县(财)国际交流协会上海代表处村田包装材料(上海)有限公司贸易(上海)有限公司D大阪国际商业振兴协会上海代表处(IBO上海)大阪市上海事务所/大阪国际经济上海事务所大仓纸业商事(上海)有限公司大成建设(株)上海代表处大成温调(株)上海代表处大川原干燥设备有限公司(上海)大东电报局·国际数据通信股份公司上海事务所(上海)有限公司大广贸促广告(上海)有限公司大和衡器(上海)有限公司大和银行(株)上海代表处大和证券SB资本市场(株)上海代表处大华一千野仪表(上海)有限公司大计数据处理(上海)公司大江桥法律事务所上海办事处大金工业(株)上海事务所大金空调(上海)有限公司大科能树脂(上海)有限公司大林组(株)上海事务所大纳梦商事(上海)有限公司大起建筑涂料(上海)有限公司大日本油墨化学工业(株)上海事务所大日村内建材技术(上海)有限公司大申织维素塑料(上海)有限公司大同汽车修配(上海)有限公司大同通商(株)代表处大同通商(株)上海代表处大丸(苏州)玻璃有限公司国际贸易(上海)有限公司大秀计算机系统(上海)有限公司大永纸通商(香港)有限公司上海事务所大永纸通商贸易(上海)有限公司大永纸通商贸易(上海)有限公司岛津(香港)有限公司上海代表处稻烟产业(香港)有限公司上海代表处迪艾希国际贸易(上海)有限公司DIC油墨(上海)有限公司(上海)有限公司第一精工模塑(上海)有限公司第一企画互通广告(上海)有限公司第一劝业(株)银行上海支店第一生命保险公司上海代表处第一实业(株)上海代表处第一制药(中国)有限公司蝶理(株)上海办事处东岛碳素化工(上海)有限公司东方日海广告(上海)有限公司东工KOSEN(株)上海代表处东关技术工程咨询(上海)有限公司东海银行(株)上海支店东华针织机械(上海)有限公司东京海上火灾保险(株)上海分公司东京海上火灾保险株式会社上海分公司东京航空服务(株)上海代表处东京贸易(株)上海事务所东京三菱银行(株)上海分行东京重机国际贸易(上海)有限公司东景塑料制品(上海)有限公司东丽(株)上海事务所东丽工程(株)上海代表处东丽商事(上海)有限公司东棉(上海)有限公司东朋电子技术(上海)有限公司东山菲尔姆薄膜(上海)有限公司东社建筑安装工程(上海)有限公司东食(株)上海代表处东陶机器(中国)有限公司达(太平)电机有限公司上海办事处东王子包装(上海)有限公司东西贸易(上海浦东新区)有限公司东星软件(上海)有限公司东阳仓库(株)上海事务所东洋电装(上海)有限公司东洋油墨(上海)有限公司东芝(中国)有限公司上海办事处东芝电子亚洲有限公司上海代表处东芝机械(上海)有限公司发展(上海)有限公司都丽清洗(上海)有限公司读卖电视台上海支局读卖新闻社上海支局E恩城时装有限公司(上海)恩瓦德时装有限公司(上海)F发那科机器人(上海)有限公司发斯特经纬营销咨询有限公司凡纳克塑胶膜(上海)有限公司丰岛(株)上海事务所丰田通商(株)上海代表处孚恒橡胶(上海)有限公司福冈银行(株)上海代表处富士达(株)上海代表处富士高车辆配件(上海)有限公司富士火灾海上保险(株)上海代表处富士克制线(上海)有限公司富士通(上海)有限公司富士通(株)上海代表处富士通将军(上海)有限公司G冈本(株)上海代表处冈谷钢机有限公司(上海)高岛屋(株)上海代表处高井伸夫律师事务所上海办事处高砂·鉴臣香料(上海)有限公司高砂热学工业(株)香港分公司苏州(工业园区)办事处高信贸储实业(上海)有限公司高雅玻璃(上海)有限公司格力高食品(上海)有限公司共立(株)上海代表处共荣商事(株)上海代表处共同通讯社(株)上海分社共信(上海)国际贸易有限公司古河电气工业(株)上海驻在员事务所关西电视台上海支局关西涂料化工(上海)有限公司冠生园正大(上海)有限公司光电医用电子仪器(上海)有限公司光明娱乐事业(昆山)有限公司光迅国际贸易(上海)有限公司(株)上海代表处广濑国际贸易(上海)有限公司广森(株)上海事务所龟甲万(株)上海代表处贵弥功贸易(上海)有限公司桂川精密冷镦制品(上海)有限公司国际财务(上海)有限公司国际房产(上海)有限公司国际高尔夫球乡村俱乐部(上海)有限公司国际机场宾馆(上海)中心(上海)有限公司国际泰利康曼(株)上海事务所国际租赁有限公司国誉英雄文化用品(上海)有限公司H哈依投资咨询(上海)有限公司海尔曼太通(无锡)电器配件有限公司上海事务所海发时装(上海)有限公司海仑宾馆海狮体育救生用品有限公司(上海)杭芝机电有限公司厨房电器有限公司(HMK)杭州松下家用电器有限公司杭州松下燃气具有限公司合众一五十铃汽车有限公司和日精密塑料(上海)有限公司和日精密塑料(上海)有限公司河久日本料理(上海)有限公司黑田电气(上海)有限公司横浜产业振兴公社上海代表处横浜银行(株)上海代表处自控(上海)有限公司宏图财务软件(上海)有限公司宏洋精密机械(上海)有限公司虹彩塑料(上海)有限公司虹桥伊藤家(上海)食品有限公司鸿池运输(株)上海事务所厚诚口腔(上海)医院户田建设(株)上海代表处花王化学有限公司(上海)花王有限公司(上海)花园饭店(上海)有限公司(上海)华德培婚纱(上海)有限公司华尔卡氟塑料制品(上海)有限公司华和国际储运(上海)有限公司华妮透明美容肥皂(上海)有限公司华日制冷设备安装有限公司(上海)华亭伊势丹有限公司(上海)华钟计算机软件开发有限公司(上海)华钟袜子有限公司(上海)华钟咨询服务有限公司(上海)中心(上海)有限公司IINAX上海代表处JJCB日本国际信用卡公司上海代表处JSR(株)上海代表处JVC电器(上海)有限公司JVC电器(上海)有限公司矶野塑料(上海)有限公司积水(香港)有限公司上海代表处吉田拉练(上海)有限公司吉祥日本料理(株)上海代表处技菱系统集成(上海)有限公司祭本自行车(上海)有限公司加施德咨询(上海)有限公司佳能香港有限公司上海代表处兼松(上海)有限公司建伍电子(上海)有限公司角王艺术品有限公司(上海)杰伟世(中国)投资有限公司上海分公司杰伟世贸易(上海)有限公司金商(株)上海驻在员事务所金芝电子(上海)有限公司金住色母料(上海)有限公司锦江拉丁餐厅(上海)有限公司近畿日本国际旅行社上海事务所经贸山九储运(上海)有限公司精科光学(上海)有限公司(上海野尻集团)井上不动产顾问(上海)有限公司井上不动产顾问(上海)有限公司静冈国际经济上海事务所静冈银行(株)上海代表处九筑国际贸易(上海)有限公司久米商事(株)上海事务所酒井兴业(株)上海外表所郡是产业(株)上海事务所郡是新包装(上海)有限公司咖喱好侍餐厅(上海)有限公司KKDD(株)上海事务所凯宝时装(上海)有限公司凯迪克冈谷机械电子(上海)有限公司凯史凯机电工业(上海)有限公司凯讯通信工程(上海)有限公司康贝(上海)有限公司康泰克数字设备(上海)有限公司柯尼卡(株)上海事务所科恳服装检验修整有限公司(上海)科菱机电(上海)有限公司科士达系统软件(上海)有限公司葵(株)促进上海代表处昆山大东高分子有限公司昆山和利电机照明有限公司福纺织有限公司上海事务所莱纳果食品(上海)有限公司乐谊服饰检整(上海)有限公司理光传真机(上海)有限公司理光电子技术(中国)有限公司理光电子技术(中国)有限公司理想(上海)国际贸易有限公司理想国际贸易(上海)有限公司力至优叉车制造(上海)有限公司立邦涂料(中国)有限公司(上海)有限公司栗山贸易(上海)有限公司栗田工业(大连)有限公司上海营业所联合包装装潢(上海)有限公司联合包装装潢(上海)有限公司联合光盘(上海)有限公司联合光盘(上海)有限公司联合租赁有限公司联合租赁有限公司联华超市有限公司撩帕(株)上海事务所林内(上海)有限公司林内(上海)有限公司菱电国际(上海)有限公司菱华仓储服务(上海)有限公司菱江时装(上海)有限公司菱通软件技术(上海)有限公司泷兵香港有限公司上海驻在事务所泷清(株)上海代表处陆奥租赁(株)上海代表处陆家嘴贝思特物业管理(上海)有限公司陆家嘴贝思特物业管理(上海)有限公司。
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE2SC5858HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TVz High Voltage: V CBO = 1700 V z Low Saturation Voltage : V CE (sat) = 1.5 V (Max) z High Speed : t f(2) = 0.1 μs (Typ.)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector −Base Voltage V CBO 1700 V Collector −Emitter Voltage V CEO 750 V Emitter −Base Voltage V EBO5 V DC I C 22 Collector Current PulseI CP 44ABase CurrentI B 11 ACollector Power Dissipation P C 200 W Junction Temperature T j 150 °C Storage Temperature RangeT stg−55~150 °CNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change intemperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).Unit: mmJEDEC ― JEITA ―TOSHIBA 2-21F2AWeight: 9.75 g (typ.)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN TYP. MAX UNITCollector Cut −off Current I CBO V CB = 1700 V, I E = 0 ― ― 1 mA Emitter Cut −off CurrentI EBO V EB = 5 V, I C = 0 ― ― 100μACollector − Emitter Breakdown VoltageV (BR) CEO I C = 10 mA, I B = 0 750 ―― Vh FE (1)V CE = 5 V, I C = 2 A 30 ― 60 h FE (2) V CE = 5 V, I C = 8 A 11 ― 19 DC Current Gainh FE (3)V CE = 5 V, I C = 17 A 5 ― 7.5 ― Collector −Emitter Saturation Voltage V CE (sat) I C = 17 A, I B = 4.25 A ―― 1.5 VBase −Emitter Saturation Voltage V BE (sat) I C = 17 A, I B = 4.25 A ― 1.0 1.5 V Transition Frequency f T V CE = 10 V, I C = 0.1 A ― 2 ― MHz Collector Output CapacitanceC ob V CB = 10 V, I E = 0, f = 1 MHz ― 280 ― pF Storage Timet stg(1) ― 4.5 ― Fall Time t f(1) I CP = 9 A , I B1 (end) = 1.4 Af H = 32 kHz―0.1―μsStorage Time t stg(2) ― 3.5 ― Switching TimeFall Timet f(2)I CP = 8 A, I B1 (end) = 1.2 A f H = 45 kHz―0.1―μsCollector-emitter voltage V CE (V)I C – V CEC o l l e c t or c u r r e n t I C (A )Collector current I C (A)h FE – I CD C c u r r e n t g a i n h F E0.010.1 10 100 1C o l l e c t o r c u r r e n t I C (A )Base −emitter voltage V BE (V)I C – V BE0.2 0.4 0.6 1.21.00.8 10 02 4 6 8 10Collector current I C (A)V CE (sat) – I CC o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i o n v o l t a g e V C E (s a t ) (V )1001100.10.01101Collector current I C (A)V CE (sat) – I CC o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i o n v o l t a g e V C E (s a t ) (V )100.10.0111001 10Base current I B (A)V CE – I BC o l l e c t o r -e m i t t e r v o l t a g e V C E (V )0.8 1.6 Base current I B (A) V CE – I Bo l l e c t o r -e m i t t e r v o l t a g e V C E (V )4.00.8 1.6 3.22.4V CE(sat) – I CC o l l e c t o r-e m i t t e r s a t u r a t i o n v o l t a g e V C E (s a t ) (V )Collector current I C (A)0.01110.11010 100C o l l e c t o r -e m i t t e r v o l t a g e V C E (V )Base current I C (A)V CE – IB4.00.8 1.6 3.2 2.4C o l l e c t o r p o we r d i s s i p a t i o n P C (W )Case temperature Tc (°C)P C – Tc25 75 100 125 15050Collector-emitter voltage V CE (V)Reverse Bias – Safe Operating AreaC o l l e c t o r c u r r e n t I C (A )1000.10.001101000010 100 10.011000r th(j-c) – t wT r a n s i e n t t h e r m a l i m p e d a n c e (j u n c t i o n −c a s e ) r t h (j -c ) (°C /W )Pulse width t w(s)10μ1000100μ 1m 100m10100 10m1Collector-emitter voltage V CE (V)Safe Operating AreaC o l l e c t o r c u r r e n t I C (A )1100 100010RESTRICTIONS ON PRODUCT USE20070701-EN •The information contained herein is subject to change without notice.•TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.• The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.).These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in his document shall be made at the customer’s own risk.•The products described in this document shall not be used or embedded to any downstream products of which manufacture, use and/or sale are prohibited under any applicable laws and regulations.• The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patents or other rights of TOSHIBA or the third parties.• Please contact your sales representative for product-by-product details in this document regarding RoHS compatibility. Please use these products in this document in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances. Toshiba assumes no liability for damage or losses occurring as a result of noncompliance with applicable laws and regulations.。
東芝半導体製品総覧表2010年7月版高周波デバイス高周波バイポーラ小信号トランジスタ高周波小信号FET高周波パワーMOSFET高周波ダイオード小信号MMIC (高周波セルパック)マイクロ波半導体高周波バイポーラ小信号トランジスタ注1: セラミック基板実装時はh FE分類記号•太字製品は当社海外工場にても生産しております。
•ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS適合情報を担当営業に必ずご確認ください。
FE 注2: セラミック基板実装時•太字製品は当社海外工場にても生産しております。
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C注1: 基板実装時•ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS適合情報を担当営業に必ずご確認ください。
注1: 基板実装時*: 新製品注2: セラミック基盤実装時•太字製品は当社海外工場にても生産しております。
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高周波小信号FET•太字製品は当社海外工場にても生産しております。
はI DSS分類記号•ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS適合情報を担当営業に必ずご確認ください。
高周波パワーMOSFET高周波パワーMOSFET絶対最大定格 (Tc = 25°C)Po (W)条件 品 番パッケージ用 途V DSS (V)P D (W)I D (A)MinV DD (V)f (MHz)Pi (W)RFM08U9X * PW-X 36 20 5 7.5 9.6 520 0.52SK3075 PW-X 30 20 5 7.5 9.6 520 0.52SK3074 PW-MINI 30 3 1 0.63 9.6 520 0.02RFM12U7X * PW-X 20 20 4 11.5 7.2 520 1.0RFM01U7P * PW-MINI 20 3 1 1.0 7.2 520 0.1 2SK3476 PW-X 20 20 3 7.0 7.2 520 0.52SK3475 PW-MINIUHF ・VHF業務無線用20 3 1 0.63 7.2 520 0.02RFM04U6P * PW-MINI 16 7 2 3.5 6.0 470 0.22SK4037 PW-X GMRS12 20 3 3.55 6.0 470 0.3 2SK2854 PW-MINIUHF ・VHF無線用10 0.5 0.5 0.2 6.0 849 0.022SK3079A PW-X 10 20 3 2.24 4.5 470 0.1 2SK3756 PW-MINI 7.5 3 1 1.26 4.5 470 0.12SK3078A PW-MINIFRS/GMRS 10 3 0.5 0.63 4.5 470 0.1 2SK3077 USQ Driver 10 0.25 0.1 0.032 4.8 915 0.001 RFM03U3CT * RF-CST3 GMRS 16 7 2.5 2.3 3.6 520 0.1 RFM00U7U*USQ Driver20 0.25 0.1 0.1 7.2 520 0.01• ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS 適合情報を担当営業に必ずご確認ください。
*: 新製品高周波ダイオード•ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS適合情報を担当営業に必ずご確認ください。
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高周波スイッチ用ダイオード高周波スイッチ用ダイオードI R (Max) V F (Max)C T (Typ.) r s (Typ.)用 途V R I F V R I F f 品 番V R (V)(µA)(V)(V) (mA)(pF)(V)(Ω)(mA) (MHz)パッケージ 1SS31430 0.1 15 0.85 2 0.7 6 0.5 2 100 USC 1SS381 Single30 0.1 15 0.85 2 0.7 6 0.5 2 100 ESC 1SS26830 0.1 15 0.85 2 0.8 6 0.6 2 100 S-MINI 1SS26930 0.1 15 0.85 2 0.8 6 0.6 2 100 S-MINI 1SS31230 0.1 15 0.85 2 0.8 6 0.6 2 100 USM 1SS313 30 0.1 15 0.85 2 0.8 6 0.6 2 100 USM 1SS364 TV band switchTwin 30 0.1 15 0.85 2 0.85 6 0.6 2 100 SSM JDP2S12CR * 180 10 50 1.0 50 1.0 40 0.4 10 100 S-FLAT 1SV307 30 0.1 30 1.0 50 0.5 1 1 10 100 USC 1SV30830 0.1 30 1.0 50 0.5 1 1 10 100 ESC JDP2S01E 30 0.1 30 0.95 50 0.65 1 0.65 10 100 ESC JDP2S02AFS30 0.1 30 0.94 50 0.3 1 1 10 100 fSC JDP2S05FS Switch, ATT 20 0.1 20 0.94 50 0.32 1 1.5 1 100 fSC JDP2S05CT20 0.1 20 0.94 50 0.32 1 1.5 1 100 CST2 JDP2S02ACTSwitch30 0.1 30 1.0 50 0.3 1 1 10 100 CST2 JDP2S05SC Switch, ATT 20 0.1 20 0.95 50 0.24 1 1.5 1 100 SC2 JDP2S08SC Switch Single30 0.1 30 0.95 50 0.21 1 1 10 100 SC2 JDP3C02AU *30 0.05 30 0.89 (Typ.)50 0.28 1 1.06 10 100 USMJDP4P02AT Switch, ATT Twin 30 0.1 30 1.0 50 0.3 1 1 10 100 TESQ JDP4L08CTC *30 0.1 30 0.95 50 0.21 1 1 10 100 CST4C JDP4P08CTC *Switch 2 in 130 0.1 30 0.95 50 0.21 1 1 10 100 CST4C• 太字製品は当社海外工場にても生産しております。
*: 新製品• ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS 適合情報を担当営業に必ずご確認ください。
高周波用ショットキバリアダイオードV F (Typ.) C T (Typ.)品 番用 途V R♣V RM(V)I F (mA)(V)I F (mA)(pF)V R (V)パッケージ1SS154 6 30 0.5 10 0.8 0 S-MINI (Single)1SS271 VHF to S band mixer6 30 0.5 10 0.8 0 S-MINI (Twin)1SS295 4 30 0.25 2 0.6 0.2 S-MINI (Twin) 1SS315 ♣5 30 0.25 2 0.6 0.2 USCJDH2S01FS 4 25 0.25 2 0.6 0.2 fSCJDH3D01S 4 25 0.25 2 0.6 0.2 SSM (Twin) JDH3D01FV 4 25 0.25 2 0.6 0.2 VESM (Twin)JDH2S02FS 10 10 0.24 1 0.3 0.2 fSC JDH2S02SC 10 10 0.24 1 0.3 0.2 SC2JDH2S04FS *UHF MIX10 10 0.18 1 0.4 0.2 fSC• ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS 適合情報を担当営業に必ずご確認ください。
*: 新製品小信号MMIC (高周波セルパック)広帯域アンプ品 番パッケージ用 途 機 能 特 性電源電圧 (V)TA4000F SM6 バンド幅 = 1.3 GHzGp = 15dB @f = 400 MHz, V CC = 5 V5.0 TA4001F SMQ バンド幅 = 2.4 GHzGp = 12.5dB @f = 500 MHz, V CC = 5 V 5.0 TA4002F SMQ バンド幅 = 1.3 GHzGp = 23dB @f = 500 MHz, V CC = 5 V 5.0 TA4004F SMV BS チューナ、通信機VHF~UHF 増幅広帯域アンプバンド幅 = 1.2 GHzGp = 10.5dB @f = 500 MHz, V CC = 2 V 2.0 to 5.0 TA4011AFE ESV 2.0 TA4011FU USV 通信機VHF~UHF 増幅 広帯域アンプ バンド幅 = 2.4 GHzPo1dB = −6dBmW @V CC = 2 V 2.0 TA4012AFE ESV 2.0 TA4012FU USV 通信機VHF~UHF 増幅 広帯域アンプバンド幅 = 2.0 GHzPo1dB = 0dBmW @V CC = 2 V2.0 TA4022F SM8 |S 21|2 = 19dB, IM3 = 58dBc @V CC = 5 V, f = 45 MHz, Pin = −21dBmW, Zl = 250 Ω 5.0 TA4023F SM8 TV チューナ IF 増幅差動アンプ|S 21|2 = 28dB, IM3 = 51dBc @V CC = 5 V, f = 45 MHz, Pin = −33dBmW, Zl = 250 Ω 5.0 TA4024CT CST8 |S 21|2 = 26dB, IM3 = 53dBc, I CC = 26 mA @V CC = 3.3 V, f = 45 MHz3.0 to 3.6 TA4025CT CST8 |S 21|2 = 25dB, IM3 = 52dBc, I CC = 21 mA @V CC = 3.3 V, f = 45 MHz3.0 to 3.6 TA4026CT CST8 |S 21|2 = 26dB, IM3 = 54dBc, I CC = 35 mA @V CC = 3.3 V, f = 45 MHz3.0 to 3.6 TA4027CT CST8 |S 21|2 = 34.5dB, IM3 = 55dBc, I CC = 23 mA @V CC = 3.3 V, f = 45 MHz3.0 to 3.6 TA4028CT CST8 TV チューナ、通信機 VHF~UHF 増幅差動アンプ|S 21|2 = 34.5dB, IM3 = 55dBc, I CC = 14 mA @V CC = 3.3 V, f = 45 MHz3.0 to 3.6 TA4029CTC CST6C 2.3 to 3.3 TA4029TU UF6 TV チューナ、通信機 VHF~UHF 増幅 パススルー機能付きローノイズ アンプ|S 21|2 = 13dB, IIP3 = −5dBmW (LNA_ON) |S 21|2 = −2dB (LNA_OFF) @V CC = 2.5 V, f = 1 GHz2.3 to3.3 TA4031CT CST8 TA4031F SM8 TV チューナ IF 可変増幅差動ゲインコントロールアンプ|S 21|2 = 49dB, IM3 = 54dBc, NF = 5.5dB @V CC = 3.3 V/V AGC = 2.5 V, f = 45 MHz, GCR = 53dB3.0 to 3.6TA4032FT TESQ GPS 、W-LAN モジュール 増幅ローノイズアンプ |S 21|2 = 14.8dB, NF = 1dB, I CC = 5 mA @V CC = 3.0 V, f = 1.575 GHz2.5 to 5 TB7600CTC CST6C 2.3 to3.6 TB7600TU UF6 |S 21|2 = 12dB, NF = 1.7dB, I CC = 2.7 mA (LNA_ON)|S 21|2 = −2.5dB, I CC < 3 µA (LNA_OFF) @V CC = 2.5 V, f = 1 GHz2.3 to3.6 TB7601CTC CST6C 2.3 to 3.6 TB7601TU UF6 |S 21|2 = 14dB, NF = 1.4dB, I CC =4.0 mA (LNA_ON)|S 21|2 = −2.5dB, I CC < 3 µA (LNA_OFF) @V CC = 2.5 V, f = 1 GHz2.3 to3.6 TB7602CTC CST6C 2.3 to 3.6 TB7602TU UF6 |S 21|2 = 15dB, NF = 1.3dB, I CC = 6.0 mA (LNA_ON)|S 21|2 = −2.5dB, I CC < 3 µA (LNA_OFF) @V CC = 2.5 V, f = 1 GHz 2.3 to 3.6 TB7603CTC CST6C TB7600CTC の逆ロジック品 2.3 to 3.6 TB7603TU UF6 TB7600TU の逆ロジック品 2.3 to 3.6 TB7604CTC CST6C TB7601CTC の逆ロジック品 2.3 to 3.6 TB7604TU UF6 TB7601TU の逆ロジック品 2.3 to 3.6 TB7605CTC CST6C TB7602CTC の逆ロジック品 2.3 to 3.6 TB7605TUUF6TV チューナ、通信機 VHF~UHF 増幅パススルー機能付きローノイズ アンプTB7602TU の逆ロジック品2.3 to3.6• ご購入の前に、お客様が希望される当社製品のRoHS 適合情報を担当営業に必ずご確認ください。