一种超高速PIN开关驱动器的研究
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微波PIN二极管开关驱动器设计随着现代通讯技术的发展和系统小型化的趋势,在许多通讯领域,发射信号要求输出功率大,因此要求与其相连的如开关切换、跳频滤波等电路,动态范围大、交调指标高。
许多情况下使用PIN二级管作为开关元件,它对驱动器的要求是当开关打开时要有足够大的驱动电流输出,当开关关闭时无电流输出,同时要有足够的反向电压,反向电压越高,交调指标就越好,动态范围就越大。
因而对于大信号来说,系统中的驱动电路尤为关键。
1.微波PIN二极管开关中使用的二极管必须由电流来驱动,而现在通常控制信号都由数字电路输出,多是给一个电平,不具备电流驱动能力。
所以每个开关或微波控制电路产品,在电路和控制信号间必须安装一个驱动电路,即要做的事。
现在该类驱动器有单片集成电路卖,比如,中电24所,骊山微电子公司(771所),北京华虹,国外也有专门的产品。
为何要自己做:通常标准产品都是标准电源产品,比如+-5V;+5-12v,驱动电流偏小,一般电流不超过35毫安,不能满足其他及特殊的需要。
比如控制大功率电路产品,需要高反压,大电流等,如+5-28V,电流50毫安。
降低成本,通常单片售价每路约70元,自制每路约10元,每年需求约20万只。
2什么是驱动器:简单说就是将一个低频控制信号,向TTL,ECL电平(0V;+5V,无电流提供能力),通过加电(正负电源)变化成正和负电源输出带电流驱动的电平。
要考虑:驱动器内部偏置电阻设置、负载电阻设置、响应时间、元器件选择、电源等。
3单路驱动电路附后TTLPIN负载教你如何用WORD文档(2012-06-27 192246)转载▼标签:杂谈1. 问:WORD 里边怎样设置每页不同的页眉?如何使不同的章节显示的页眉不同?答:分节,每节可以设置不同的页眉。
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高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南author Laszlo Baloghtranslator Justin Hu摘要本文主要演示了一种系统化的方法来设计高速开关装置的高性能门极驱动电路。
文章收集了大量one-stop-shopping 主题的信息来解决最普通的设计挑战。
因此它应当对各种水平的电力电子工程师都适用。
最常用的电路方案和它们的性能都经过了分析,包括寄生参数、瞬时和极端运行条件的影响。
文章首先回顾了MOSFET技术和开关运行模式,然后由简入繁地讨论问题。
详细的描述了参考地和高端门极驱动电路的设计程序、交流耦合和变压器隔离方案。
专门的一章用来介绍同步整流装置中MOSFET的门极驱动要求。
文章另举出了几个设计的实例,一步一步进行了说明。
Ⅰ.引言MOSTET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的缩写,是电子工业中高频、高效率开关装置的关键器件。
令人惊叹的是,场效应晶体管技术发明于1930年,比双极性晶体管早了大约20年。
第一个信号级别的场效应晶体管20世纪50年代末期被制造出来,功率级别的MOSFET在20世纪70年代中期出现。
而今天无数的MOSFET被集成到现代电子器件中,无论是微处理器还是分立的功率晶体管。
本文所关注的是功率MOSFET在各种各样的开关模式功率变换器装置中门极驱动的要求。
Ⅱ.MOSFET技术双极型和MOSFET晶体管都使用了同样的工作原理。
从根本上讲,这两种晶体管都是电荷控制的器件,这就意味着它们的输出电流和控制电极在半导体中建立的电荷成比例。
当这些器件用作开关时,它们都必须被一个低阻抗的电源驱动,电源要能提供足够的充放电电流来使它们快速建立或释放控制电荷。
从这一点来看,MOSFET在开关过程中必须和双极性晶体管一样通过“硬”驱动才能获得类似的开关速度。
理论上,双极型和MOSFET器件的开关速度几乎一样,由载流子运动经过半导体区域所需要的时间决定。
一种高压大电流PIN管开关驱动器的设计官清雄;占腊民【摘要】介绍了一种PIN管开关驱动电路.该电路采用了控制信号与高压源相隔离的方法,可支持300 V以内的高压,并具有800 mA的电流驱动能力,驱动电路的开关切换时间小于2.6 μs.通过对高压器件的防击穿保护,并增加适当的延时电路,大幅度提高了驱动电路的工作稳定性.该电路可应用到高电压、大电流、高功率容量、高速切换的PIN管开关中.【期刊名称】《电讯技术》【年(卷),期】2011(051)002【总页数】5页(P102-106)【关键词】PIN二极管;开关驱动器;高压;大电流;跳频滤波器【作者】官清雄;占腊民【作者单位】华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074【正文语种】中文【中图分类】TN79PIN管[1],简而言之,就是在P型和N型半导体之间嵌入一层低掺杂的本征半导体。
PIN二极管具有在正向或反向偏压上导通或阻断的特性,并且具有快速切换的特点,很适合用作高速切换的电子开关。
所以,PIN管开关在控制微波信号的转换中得到了很好的应用,而作为保障PIN管开关正常工作的PIN管驱动电路,其重要性不言而喻。
为此,各大制造商也纷纷努力,设计出多种适用于不同场合的PIN管开关驱动器。
目前,市场上现有的大多数PIN开关驱动器速度较慢,开关频率低,控制反偏电压偏小,支持的功率容量[2]也有限,这对PIN开关的功率容量和使用范围起到了限制作用。
本文提出了一种PIN开关驱动器的设计方法,设计出的驱动器具有高速、高压和大电流负载能力,解决了由于驱动器的限制而导致开关滤波器和收发开关的低功率容量不符合系统要求的问题,大大地增加了PIN开关的可靠性。
实验室目前用的射频开关由串联和并联两组PIN管开关组成,共同控制射频信号的通断。
当并联为1、串联为0时射频导通,反之则为关断状态,而每路射频开关只需要一路外围控制信号控制。
一种大功率高隔离度射频SPDT开关的设计摘要PIN二极管(以下简称PIN管)被广泛地应用于RF、UHF和Microwave circuits中。
在半双工射频通信系统中,PIN管的特殊阻抗特性,使其成为单刀双掷(缩写SPDT)开关的重要组成部分,并越来越多地用于接收和发射的切换系统中。
本文首先介绍了PIN管的组成,在正偏和反偏两种状态下的等效模型;并通过对比其在SPST(缩写SPST)开关中三种组合的性能,以及分析分离元件型SPDT开关在目前收发系统使用中遇到的问题,提出了一种新的SPDT开关解决方案。
关键词半双工;偏置;SPDT;大功率;高隔离度前言PIN管的本征层的总电荷主要由偏置电流产生。
在射频通信中,PIN管会呈现出一个线性电阻,此阻值由直流偏置决定,正向偏置时阻值小,接近于短路;反向偏置时阻值大,接近于开路。
这种可变阻抗的特性使其很适合在射频电路中做开关控制器件。
本文设计了一种新型的大功率高隔离度射频SPDT开关电路,工作频段为100MHz-200MHz,承受载波功率100W以上,发射到接收端口的隔离度在70dB 以上[1]。
1 基本原理普通的二极管由PN结组成,在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管,如图1。
PIN管对射频信号的开关控制是通过改变其偏置电压来实现的。
当正向偏置时,PIN管处于导通状态,如图2所示,等效为电感L和电阻RS的串联。
其中RS 是导通电阻,阻抗小于1Ω,该值决定其插损;L是PIN管的等效电感,电感值小于10nH。
当反向偏置时,PIN管处于截止状态,如图3所示,等效为电容Cτ和电阻RP并联后,再和电感L串联。
其中Cτ是结电容,容值小于10pF,该值决定其隔离度;Rp是PIN管的截止电阻,阻值趋近于无穷大。
我们常见的三种二极管使用连接方式如下:图4为串联型,图5为并联型,图6混合型。
超宽带微波PIN匹配开关电路设计
陈传军
【期刊名称】《现代电子技术》
【年(卷),期】2008(31)9
【摘要】高速、超宽带微波PIN匹配多掷开关在通信、雷达及电子对抗系统中有着广泛应用的重要器件之一.介绍PIN管的工作机理,分析了应用PIN管设计开关电路时应考虑的因素,进而设计出工作频率为1~18 GHz的单刀5掷PIN匹配开关电路,经测试在频率为1~18 GHz范围内,插损小于3.5 dB,隔离度大于60 dB,开关时间小于30 ns.
【总页数】3页(P169-170,176)
【作者】陈传军
【作者单位】金陵科技学院,江苏,南京,210001
【正文语种】中文
【中图分类】TN925
【相关文献】
1.1~18GHz单刀多掷PIN匹配开关 [J], 阳明
2.Chopping-peaking开关形成高功率超宽带双极脉冲的实验研究 [J], 樊亚军;石磊;刘国治;汪文秉;周金山;刘峰;朱郁丰
3.基于光电导开关的高功率超宽带微波脉冲产生技术 [J], 张同意;石顺祥;龚仁喜;孙艳玲
4.一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片 [J], 贾玉伟;许春良;魏洪涛;喻梦霞;
高学邦
5.基于GaAs光电导开关的超宽带微波源(英文) [J], 施卫;贾婉丽;纪卫莉
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超高速mos导致驱动不工作的原因-概述说明以及解释1.引言概述部分的内容应该对超高速MOS导致驱动不工作的问题进行一个简要的介绍,并提出本文主要讨论的内容。
可以参考以下示例:1.1 概述超高速MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一种先进的半导体器件,具有较高的速度和性能优势。
然而,在实际应用中,我们有时会遇到驱动不工作的问题,这给电子设备的正常运行带来了一定的挑战。
在本文中,我们将深入探讨超高速MOS导致驱动不工作的原因。
首先,我们将介绍超高速MOS的定义与特点,以便读者能够更好地理解后续内容。
然后,我们将列举一些常见的导致驱动不工作的原因,涵盖了硬件和软件两个方面。
通过深入研究这些原因,我们可以更好地理解超高速MOS的特性和限制,并为解决这些问题提供有益的参考和建议。
本文的目的是帮助读者更好地理解超高速MOS导致驱动不工作的原因,并在实际应用中遇到类似问题时,能够通过合理的方法进行排查和解决。
通过对这一问题的深入探讨,我们也可以为超高速MOS的进一步发展提供一定的参考和展望。
在接下来的章节中,我们将详细介绍超高速MOS的定义与特点,并分析导致驱动不工作的常见原因。
最后,我们将对全文进行总结,并展望超高速MOS驱动不工作的原因在未来的解决方向。
让我们一起深入探讨这一有趣且具有挑战性的话题。
1.2文章结构文章结构:本文将从以下几个方面来探讨超高速MOS导致驱动不工作的原因。
首先,我们将介绍超高速MOS的定义和其特点,以便读者能够更加全面地了解与理解这项技术。
接着,我们将详细讨论导致驱动不工作的常见原因,包括电压波动、温度过高、信号干扰等等。
此外,我们还将分析这些原因对驱动造成的影响,并尝试提供一些解决方案和建议。
最后,我们将综合总结文章的内容,并对超高速MOS导致驱动不工作的原因进行展望,探讨未来可能的解决方案和发展方向。
总之,通过本文的阐述,希望能够为读者提供更多关于超高速MOS 导致驱动不工作的原因的了解,并为相关领域的工程师和研究人员提供一些有益的参考和启发。
超高速电机控制系统设计与优化在现代工业领域中,超高速电机的应用越来越广泛。
无论是在航空航天领域中的发动机推进系统,还是在高速列车或汽车的动力装置中,超高速电机都扮演着重要的角色。
而一个高效稳定的控制系统,则是超高速电机的核心。
1. 超高速电机控制系统的基本原理超高速电机控制系统主要由电机驱动器、传感器和控制器组成。
驱动器负责向电机提供电能,传感器用于测量电机的位置和速度,控制器则根据传感器反馈的数据对电机进行控制。
2. 超高速电机控制系统的挑战超高速电机控制系统面临着许多挑战。
首先,由于高速旋转的惯性作用,电机的响应速度必须非常快,以保持系统的稳定性。
其次,超高速电机的工作环境通常存在较大的振动和冲击力,这要求控制系统具有较强的抗干扰能力。
此外,超高速电机由于工作条件的特殊性,容易产生热量,因此控制系统还需要具备良好的散热能力。
3. 超高速电机控制系统设计的基本步骤超高速电机控制系统的设计可以分为几个基本步骤。
首先,需要对电机的性能要求进行分析和确定,包括转速范围、传动比、功率和效率等。
然后,根据电机的要求选择合适的传感器和驱动器,并进行配置和安装。
接下来,通过合适的控制算法和参数设置,实现对电机的精确控制。
最后,为了确保控制系统的稳定性和安全性,需要进行系统的调试和优化。
4. 超高速电机控制系统的优化方案为了进一步提高超高速电机控制系统的性能,可以采取一些优化方案。
例如,通过使用先进的传感器技术,可以提高传感器的测量精度和响应速度,从而提高控制系统的稳定性和灵敏度。
另外,通过增加散热装置和优化散热系统,可以有效降低电机的温度,提高系统的可靠性和使用寿命。
此外,通过改进控制算法和参数,可以进一步提高电机的转速范围和响应速度。
还可以采用自适应控制算法和优化方法,根据不同的工作条件自动调整控制参数,以适应不同的工作负载。
5. 超高速电机控制系统的应用前景随着科学技术的不断进步,超高速电机控制系统在航空航天、交通运输、能源等领域的应用前景越来越广阔。
PIN射频开关与PIN限幅器1. 简介PIN射频开关和PIN限幅器是在射频电路中常用的两种器件。
本文将从功能、原理、应用等方面对PIN射频开关和PIN限幅器进行详细介绍。
2. PIN射频开关2.1 功能PIN射频开关是一种用于射频电路中的开关器件,主要用于控制射频信号的通断。
它可以在射频电路中实现快速切换和高频率的开关操作。
2.2 原理PIN射频开关的工作原理是利用PIN二极管的特性。
PIN二极管是一种结构特殊的二极管,在射频开关中通常采用正偏压的方式工作。
当二极管的正向电压施加在其端口上时,二极管变为导通状态,此时射频信号可以通过。
当正向电压去除时,二极管失去导通性,射频信号被阻断。
2.3 应用PIN射频开关广泛应用于射频通信、雷达、卫星通信等领域。
其高速切换、低插入损耗等特性使得它成为射频系统中不可或缺的组成部分。
3. PIN限幅器3.1 功能PIN限幅器是一种用于限制射频信号幅度的器件。
它可以将输入的射频信号幅度限制在一个特定的范围内,以防止过大的信号对后续电路造成损坏。
3.2 原理PIN限幅器的工作原理是利用PIN二极管的非线性特性。
当输入信号的幅度超过PIN限幅器的设定阈值时,PIN二极管开始导通,将输入信号限制在设定的幅度范围内。
3.3 应用PIN限幅器广泛应用于射频接收机、高频放大器等射频电路中。
通过限制信号幅度,可以有效地保护后续电路,并提高系统的抗干扰能力。
4. 总结PIN射频开关和PIN限幅器是射频电路中常用的两种器件。
PIN射频开关用于控制射频信号的通断,具有快速切换和低插入损耗的特点。
而PIN限幅器用于限制射频信号的幅度,以保护后续电路。
它们在射频通信、雷达、卫星通信等领域发挥着重要的作用。
以上是对PIN射频开关和PIN限幅器的简要介绍,希望可以帮助读者了解这两种常用的射频器件。
对于进一步深入了解和应用,建议参考相关的专业文献和资料。
pin开关电路设计在电子电路设计中,PIN开关电路是一种常用的控制电路,它能够实现对电流和电压的开关控制。
本文将全面介绍PIN开关电路的设计原理、应用和注意事项,以帮助读者掌握该设计技巧。
一、PIN开关电路的原理PIN开关电路是利用PIN二极管的特性来实现开关功能的。
PIN二极管可以在正向偏置时变成导通状态,从而通过电流;而在反向偏置时则会阻断电流的通过。
因此,通过控制PIN二极管的偏置电压,可以实现对电流和电压的开关控制。
二、PIN开关电路的应用1. 信号切换:PIN开关电路可以作为信号切换器,用于在不同的信号源之间切换。
比如,在音频设备中,可以使用PIN开关电路实现对不同音频源的选择,从而实现多声道音频输出。
2. 光电开关:PIN开关电路还可以应用于光电传感器中,实现对光信号的检测和转换。
当光照强度达到一定阈值时,通过控制PIN二极管的偏置电压,可以实现对光电信号的开关控制。
3. 电源开关:PIN开关电路也可以用作电源开关,实现对电源的开启和关闭。
通过控制PIN二极管的偏置电压,可以实现对电流和电压的精确控制,从而提高电源开关的可靠性和效率。
三、PIN开关电路设计注意事项1. 选择合适的PIN二极管:在设计PIN开关电路时,需要根据具体的应用需求选择合适的PIN二极管。
关注其导通电流、反向漏电流、导通电压降等参数,以保证电路的性能和可靠性。
2. 控制偏置电压:PIN开关电路的开关功能与偏置电压密切相关。
在设计中,需要根据电路要求和特性选择合适的偏置电压,以确保电路能够在预期的工作范围内正常工作。
3. 考虑温度变化:PIN二极管的性能会随着温度的变化而变化,因此在设计PIN开关电路时需要考虑温度对电路性能的影响。
合理选择元器件和对电路进行合理的热设计,能够提高电路的稳定性和可靠性。
总结:PIN开关电路的设计原理和应用非常广泛,在电子电路中扮演着重要的角色。
通过本文的介绍,读者可以了解到PIN开关电路的工作原理、应用领域和设计注意事项。
超宽带微波PIN匹配开关电路设计作者:陈传军来源:《现代电子技术》2008年第09期摘要:高速、超宽带微波PIN匹配多掷开关在通信、雷达及电子对抗系统中有着广泛应用的重要器件之一。
介绍PIN管的工作机理,分析了应用PIN管设计开关电路时应考虑的因素,进而设计出工作频率为1~18 GHz的单刀5掷PIN匹配开关电路,经测试在频率为1~18 GHz范围内,插损小于3.5 dB,隔离度大于60 dB,开关时间小于30 ns。
关键词:PIN开关;匹配;隔离;宽带中图分类号:TN925 文献标识码:B文章编号:1004-373X(2008)09-169-Design of Ultra-Abstract:High speed,ultra-wideband and microwave matching PIN multi-throw switch is one of the important apparatus widely applied in communication,radar and electronic counter systems.This article introduces principle of PIN,analyses the factor considered when design switch circuit using PIN.Then,a single-pole five-throw matching PIN switch circuit at 1~18 GHz is designed.Through testing,the main performances of an insertion loss of less than 3.5 dB,the isolation of more than 60dB and the switch time of less than 30ns areKeywords:1 引言微波开关是用于控制微波信号传输路径及信号大小的控制器件之一,在微波技术的许多领域中有着广泛的用途。
pin驱动器电路原理
PIN驱动器是一种用于控制光电二极管(PIN二极管)的电路。
PIN二极管是一种内部具有大型P区、空间掺杂区和大型N区的二极管,它具有高速度、低噪声等优点。
PIN驱动器的主要作用是控制PIN二极管的电荷和电流,以便获得所需的信号功率。
PIN驱动器电路由放大器、滤波器、比较器和调节器等部分组成。
放大器将输入信号放大到所需的电平,然后通过滤波器进行滤波以去
除杂波。
比较器通过比较输入信号和参考信号的大小,将其转换成数
字信号,并将其送入暂存器中。
调节器则用于调节输出电平和电流,
以使其满足所需的输出要求。
PIN驱动器电路的使用范围广泛,主要用于通信系统、雷达系统
等高频率、高速率、低噪声的电路中。
其工作原理简单易懂,但需要
注意的是,使用时需遵守相关的安全规范,以确保其安全可靠的运行。
pin管开关原理PIN管开关原理1. 引言PIN管是一种常见的半导体器件,其特殊的结构使得其在开关电路中起到重要的作用。
本文将从浅入深,逐步解释PIN管开关的工作原理。
2. 什么是PIN管?PIN管,全称为_Positive Intrinsic Negative_管,是一种具有正负型与内部固有型半导体层的结构。
其外观类似于普通的二极管,但内部结构有所不同。
3. PIN管结构PIN管由P型、I型和N型半导体层组成,其结构如下: - P层:通过掺入三价杂质,形成P型半导体层,带正电荷; - I层:由纯硅构成的内部固有层,不带电荷; - N层:通过掺入五价杂质,形成N型半导体层,带负电荷。
4. PIN管原理PIN管的关键原理是内部固有层的存在,它使得PIN管能够在正向偏置和反向偏置下起到不同的作用。
在正向偏置下,PIN管的P层连接到正电源,N层连接到负电源。
此时,内部固有层I并不产生导电,整个PIN管可以看作一个普通的二极管。
反向偏置在反向偏置下,PIN管的P层连接到负电源,N层连接到正电源。
此时,由于内部固有层I的存在,电子和空穴通过I层能够进行较快的复合,从而减小了反向电流的流动。
因此,PIN管在反向偏置下具有较高的截止电压,用于实现开关功能。
5. PIN管开关应用由于PIN管在反向偏置下的特性,使其在许多开关电路中得到广泛应用。
以下是一些常见的应用场景:无线通信在无线通信系统中,PIN管可用于实现射频前端的信号开关和调制。
通过控制PIN管的正、反向偏置状态,可以实现信号的切换和调制,从而提高信号传输效果。
光电子器件在光电子器件中,PIN管常用于光探测器和光调制器中。
其在反向偏置下的高截止电压和低暗电流特性,使其能够高效地将光信号转换为电信号,或对光信号进行调制。
在一些显示技术中,PIN管用于构建遮蔽层。
通过控制PIN管的正、反向偏置状态,可以实现像素的开闭,从而达到显示和隐藏图像的效果。
总结PIN管作为一种重要的半导体器件,在开关电路中发挥着重要的作用。
收稿日期:2004201209; 定稿日期:2004203210文章编号:100423365(2004)0520551203一种超高速P IN 开关驱动器的研究李 骏,陈 伟,蒲大勇(模拟集成电路国家重点实验室;中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060)摘 要: 介绍了一种超高速P I N 开关驱动器电路的设计。
该电路采用高速互补工艺技术(CB IP )制造,具有速度快、功耗低、体积小、工作环境温度范围宽等特点,并且通过改变连接方式,可以很容易地实现四路独立驱动单元输出信号与输入信号同相或反相的功能。
该电路广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。
关键词: P I N 开关;驱动器;模拟集成电路中图分类号: TN 43111文献标识码: A D evelopm en t of a H igh Speed P IN Sw itch D r iverL I Jun ,CH EN G W ei ,PU D a 2yong(N ational L aboratory of A nalog Integ rated C ircu its ;S ichuan Institu te of S olid 2S tate C ircu its ,CE T C ,Chong qing 400060,P 1R 1Ch ina )Abstract : A h igh speed P I N s w itch driver is p resen ted 1Fab ricated w ith comp lem en tary b i po lar (CB IP )p rocesstechno logy ,the device has the advan tages of low pow er con sump ti on ,s m all size and fast speed ,w h ich facilitates the peri pheral design of the system 1It is app licab le fo r a variety of sub 2system s that requ ire h igh 2speed pow er driv 2ing 1A nd it can find w ide app licati on s in radar ,telecomm un icati on ,in strum en ts and m eters 1Key words : P I N s w itch ;D river ;A nalog I C EEACC : 2570B1 引 言随着电子技术水平的提高,数字通讯和相控阵雷达系统也得到了迅猛的发展。
特别是近年来半导体技术的不断进步,使得器件的体积不断减小,速度不断提高,为数字通讯系统向高速化、小型化、模块化方向发展注入了强大的生命力。
为了适应数字通讯系统,特别是相控阵雷达系统的高速发展,超高速P I N 开关驱动器的研制显得越来越重要。
本文介绍一种超高速P I N 开关驱动器的电路,以及作者在设计过程中的一些心得和体会,希望能对同行在今后的高速驱动集成电路研究中有所帮助。
2 电路工作原理高速P I N 开关驱动器主要由差分输入级、低温漂参考基准源、增益级和输出级四部份构成。
T TL 信号通过差分比较器与T TL 基准源相比较,产生两组互补输出信号,通过增益级放大,驱动级输出,得到具有较大驱动能力的输出信号。
传统P I N 开关驱动器的工作原理和设计相对较简单,但超高速P I N 开关驱动器的设计还是有一些需要特别关注的地方。
211 输入级该电路在输入级的设计上采用了PN P 管差分对的结构,电路图如图1所示。
图1 输入级电路原理图由于P I N 开关驱动器在使用时根据实际需要,第34卷第5期2004年10月微电子学M icroelectron icsV o l 134,№5O ct 12004输入信号和输出信号的相位有同相和反相之分,传统的驱动器输入信号与输出信号的相位要么同相,要么反相,在各系统中的通用性较差。
因此,在该电路中,我们将输入级设计为PN P 差分对结构,每路提供同相和反相两个输入端,同时还提供一个T TL 基准源(114V ),在使用时将输入信号选择合适的输入端,即可得到所需的相位。
通常,在驱动器电路中,许多输入级采用N PN 管差分对结构,这是由于N PN 管的fT通常远高于PN P 管的f T 。
但该电路电源电压为±5V ,如果使用N PN 管差分对结构,其输出信号需要一级电平转换单元,而这附加的转换单元损失的开关速度相对较大,因此采用了PN P 差分对结构。
PN P 对管射级电阻的设计上,我们没有采用通常的恒流源结构。
这是由于恒流源结构的动态电阻相当大,在增加负反馈深度的同时也会降低差分电路的跨导,开关转换速度降低,因此采用了纯电阻形式。
212 TT L 基准源在该电路中,我们设计了一个T TL 基准源(约114V ),用于为差分输入级提供参考电压。
电路原理图如图2所示。
图2 T TL 基准源电路原理图许多驱动器通常采用两个eb 结串联形式来提供参考电压。
但是,在高速驱动器的设计中,这种方式却不合适。
这是因为eb 结的正向压降(约017V )有一定的温度系数(约2mV °C ),在全温范围内(-55°C ~+125°C ),其正向压降有几百mV 的变化。
这个变化使得差分输入级的转换点有较大的波动,从而导致整个驱动器的传输延迟时间在全温范围内变化较大(变化范围2~5n s ),这在高速驱动器设计中是关键问题之一。
针对上述问题,我们在电路中设计了一种低温度漂移基准源,如图3所示。
它利用了PN P 管和N PN 管eb 结温度系数的相互补偿,抵消了温度变化所带来的基准电压变化。
同时,基准输出电压大致由两个电阻串联分压决定。
这样一种基准在小电流输出条件下,有较好的温度系数,全温范围内变化可控制在10mV 以内。
并且相对于能隙基准而言,结构简单,工艺适应性强,成品率较高。
图3 增益级和输出级电路原理图213 增益级和输出级增益级是决定驱动器传输速度最关键的单元。
从单管的角度来考虑,晶体管的开关速度是影响驱动器传输时间的关键因素之一。
现代大规模超高速集成电路的晶体管尺寸逐渐减小,开关速度逐步提高,使得一些以前无法完成的高速集成电路得以实现。
在该电路中,采用了CB IP (高速互补)工艺,其N PN 管的开关频率可以达到4GH z ,PN P 管的开关频率可以达到115GH z 。
同时,在增益级,采用了肖特基晶体管,其抗饱和的特性使得开关频率更高。
通常的驱动器增益级结构都类似74系列门电路结构。
采用一路信号来控制输出的导通和关断,同时,使用慢关断式的有源泄放结构来加速输出的截止。
但这种结构往往造成输出的导通时间和关断时间有较大的差异,并且泄放只是针对输出管,因此,其关断时间仍然较大。
在电路中,我们使用了两路互补的控制信号,分别负责输出的导通与截止。
每一路信号在驱动后级的同时,还负责另一路在截止时超量电荷的泄放,但是,这两路控制信号的瞬态响应应当尽量一致。
否则,会造成两条支路的导通与截止在时间上有先有后,这对电路的传输速度有较大的影响。
因此,采用了差分输入级的双端输出作为控制信号。
就差分电路的特点而言,其双端输出是两路互补信号,并且两路信号的动态响应比较一致。
这样,就保证了在对增益级进行控制时,两路单元导通与截止的瞬态响应相对一致,避免了上述问题。
另外,要提高电路的整体传输速度,需要增加单管的基极驱动电流,提高晶体管的导通频率;但驱动电流的增大,必然导致单管的基极超量电荷增加,截止频率下降,当驱动电流增加到一定程度时,对整个电路的传输速度就相当有害。
这在双极功率驱动器设计上通常是一个矛盾的问题。
那么,如何在增加基极驱动电流,提高晶体管导通频率的同时提高截止频率呢?从图3可以看到,在V1、V2和V4三条支路中,都有一个电容,容值在5~10p F左右。
利用电容交流导通的特性,各支路在导通瞬间,支路电流会达到30~40mA,瞬态大电流迅速驱动后级电路,后级电路完全导通后,电容截止,支路电流回落到1mA左右。
因此,这三个加速电容在提高导通频率上起着至关重要的作用。
我们还设计了V3、V6和V7三条泄放支路,当V1和V2支路在导通时三条泄放支路迅速导通,由于其导通时动态输出电阻较小,因此泄放能力更强,使得输出级在一条支路导通时,另一条支路可以迅速关断,减小了输出级由于共态导通引起传输速度下降和输出管烧毁的可能。
由于本电路输出具有双向导通能力,并且对输出正负电平的对称性有较高的要求,因此,我们借鉴了放大器N PN和PN P推挽输出结构。
但在工艺实现时,相同工作电流下的PN P管和N PN管eb结压并不一致,其输出电压也有一定的偏差。
在此,我们将输出级改为N PN推挽结构。
从图3可以看出,输出级上下各由一个达林顿复合管构成推挽结构,达林顿复合管由一个PN P管和一个N PN管构成,输出的正负电平等于电源电压减去一个PN P管的饱和压降和一个N PN管的eb结压。
由于输出电流对称,输出的达林顿复合管的工作条件基本一致,其输出电压也基本对称。
实践证明,这种结构的输出电压正负绝对值偏差在20mV以内,对称性较好。
3 设计的仿真基于CB IP工艺的器件模型,通过Cadence系统对整个电路的设计方案进行了模拟仿真。
仿真波形如图4和图5所示(模拟条件为25°C、输入信号与输出信号同相,输出负载±40mA)。
从图中可以看到,其导通时间和关断时间均小于4n s,输出高低电平幅度近似±318V。
该设计方案在全温范围内(-55°C~+125°C)还通过了容差分析(电阻阻值偏差20%,晶体管Β值偏差20%),证明该设计方案有效、可行。
图4 输入与输出信号同相时的导通波形图5 输入与输出信号同相时的关断波形4 版图设计版图设计也是高速电路设计中的关键点。
在该电路版图设计中,我们通过分析,主要针对以下几点寻求了一些解决办法。
11在高速电路的版图设计中,器件的布局应尽量紧凑,版图面积应尽量减小。
这是由于版图存在着一些分布参数(例如分布电容),而分布电容的存在对电路的动态特性有较大的影响。
21在电路的布线上,也尽量就近连接,缩短金属连线的长度。
信号通过导线跨过6135mm的芯片时,约有500~1000p s的传输延迟时间。
因此,在高速驱动器的版图设计中,采用了双层布线,它可以有效地减小金属连线的长度。
同时,在双层布线中,尽量避免上下两层连线大面积交叉,特别是较宽的电源线和输出线。