习题2
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第2章 逻辑门电路2.1解题指导[例2-1] 试用74LS 系列逻辑门,驱动一只V D =1.5V ,I D =6mA 的发光二极管。
解:74LS 系列与之对应的是T4000系列。
与非门74LS00的I OL为4mA ,不能驱动I D =6mA 的发光二极管。
集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ,故可选用74LS01来驱动发光二极管,其电路如图所示。
限流电阻R 为Ω=--=--=k V V V R OL D CC 5.065.05.156[例2-2] 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。
解:由模拟开关的功能知:当A =1时,开关接通。
传输门导通时,其导通电阻小于1k Ω,1k Ω与200k Ω电阻分压,输出电平近似为0V 。
而A =0时,开关断开,呈高阻态。
109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压,输出电平近似为V DD 。
故电路实现了非逻辑功能。
[例2-3] 试写出由TTL 门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F 。
&≥1F≥1A B图2-3 例2-3门电路A BF图2-4 例2-4门电路解:由TTL 门输入端悬空逻辑上认为是1可写出 [例2-4] 试分别写出由TTL 门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻辑值。
解:由TTL 门组成上面逻辑门由于10k Ω大于开门电阻R ON ,所以,无论 A 、B 为何值由CMOS 门组成上面逻辑门由于CMOS 无开门电阻和关门电阻之说,所以,2.2 习题解答2-1 一个电路如图2-5所示,其三极管为硅管,β=20,试求:ν1小于何值时,三极管T 截止,ν1大于何值时,三极管T 饱和。
解:设v BE =0V 时,三极管T 截止。
T 截止时,I B =0。
此时 10)10(020--=-I v v I =2VT 临界饱和时,v CE =0.7V 。
此时mA I BS 0465.010207.010=⨯-= mA v I I I BS B 0465.010)10(7.027.0=----==v I=4.2Vv I v O BB 图2-5三极管电路A BF 图2-1例2-1 OC 门驱动发光二极管FA 图2-2 例2-2 模拟开关ΩV V 020011DD F ≈+=DD DD 44DD599F 210101021010V V V V ≈+≈⨯+=AB A F =++⋅=110≡F AB F =上述计算说明v I <2V 时,T 截止;v I >4.2V 时,T 饱和。
练习题2一、单项选择题〔共25题〕1.点电荷Q 被曲面S 所包围,从无穷远处引入另一点电荷q 至曲面外一点,如下图,则引入前后: [ ]A. 曲面S 的电场强度通量不变,曲面上各点场强不变.B. 曲面S 的电场强度通量变化,曲面上各点场强不变.C. 曲面S 的电场强度通量变化,曲面上各点场强变化.D. 曲面S 的电场强度通量不变,曲面上各点场强变化。
【知识点】第5章【答案】D【解析】根据高斯定理,曲面S的电场强度通量只与曲面包围空间内的电荷总量有关;电量为q的点电荷移近后,曲面上各点场强将是电量为Q和q的点电荷两者产生的场强的矢量和。
2.半径为R的"无限长〞均匀带电圆柱面的静电场中各点的电场强度的大小E与距轴线的距离r的关系曲线为:[ ]【知识点】第5章【答案】B【解析】根据高斯定理,"无限长〞均匀带电圆柱面内部的电场强度为零,外部的电场强度分布与长直均匀带电线的电场分布一样。
3.如下图,一带负电荷的金属球,外面同心地罩一不带电的金属球壳,则在球壳中一点P处的场强大小与电势〔设无穷远处为电势零点〕分别为:[ ]P A.E = 0,U > 0.B.E = 0,U < 0.C.E = 0,U = 0.D.E > 0,U < 0.【知识点】第5章【答案】B【解析】静电平衡时,导体内部电场为零,导体为等势体,可以用金属球壳外外表上的电势来计算P点处的电势。
根据电势的计算方法,不难得到金属球壳外外表上的电势为负〔等效为外球面上带等量负电荷时的电势〕。
4.两个半径一样的金属球,一为空心,一为实心,两者的电容值相比拟[ ] A.一样 B.空心球电容小C. 实心球电容小D.大小关系无法确定【知识点】第5章【答案】A【解析】根据孤立导体电容的定义,两个半径一样的金属球,不管是空心还是实心,两者的电容值是相等的。
5.一平板电容器充电后保持与电源相接,假设改变两极板间的距离,则下述物理量中哪个保持不变。
机械基础连接练习题2您的班级: [单选题] *○21级机电1班○21级机电2班○21级机电3班1.普通平键连接中,轴上键槽端部的应力集中较大的是() [单选题] *A. A与B型 B.A与(正确答案)C型 C.B与C型D. B型2.普通平键中轴上键槽用盘铣刀铣出的是() [单选题] *A. A型键B. B型键(正确答案)C. C型键D. D型键3.若轴上零件沿轴向移动距离较长可采用()连接 [单选题] *A.普通平键B.导向平键C.滑键(正确答案)D.薄型平键4.若平键连接中强度不足,在结构允许时可以() [单选题] *A.增加键的宽度B.间隔90°布置两个键C.间隔180°布置两个键(正确答案)D.在同一母线上布置两个键5. 平键连接中考虑载荷分布的不均匀性,双键连接按()个键进行强度校核。
[单选题] *A,1.25B.1.5(正确答案)C.1.75D.26.平键连接中用于载荷较大,有冲击和双向转矩的场合是() [单选题] *A.松连接B.正常连接C.一般键连接D.紧密连接(正确答案)7.平键连接中动连接时,键,轴或毂材料选用() [单选题] *A.钢(正确答案)B.铸铁C.工程塑料D.轻合金8.螺纹连接件的精度等级中()多用于一般的连接 [单选题] *A. A级B. B级C. C级(正确答案)D. D级9.兼有螺纹传动效率高和牙根强度高特点的螺纹为(),用于单向受力的传动。
[单选题] *A.梯形螺纹B.矩形螺纹C.普通螺纹D.锯齿螺纹(正确答案)10.用于工艺装夹设备中的螺栓为() [单选题] *A.六角头螺栓B.T形槽螺栓(正确答案)C.地脚螺栓D.铰制孔用螺栓11.铰制孔用螺栓与被连接件的铰制孔() [单选题] *A.间隙配合B.过渡配合(正确答案)C.过盈配合D.无配合12.适用于传递横向载荷或需要精确固定被连接件的相互位置的是() [单选题] *A.普通螺栓连接B.铰制孔用螺栓连接(正确答案)C.双头螺柱连接D.螺钉连接13.弹簧垫圈有()的开口 [单选题] *A.60º~70°左旋B.65º~75°右旋C.65º~80°左旋(正确答案)D.70º~80°右旋14.用于高硬度表面或经常拆卸处,其紧定螺钉的尾部形状为() [单选题] *A.平端(正确答案)B.圆柱端C.锥端D.球端15.可压入轴上凹坑的紧定螺纹的尾部形状为() [单选题] *A.平端B.圆柱端(正确答案)C.锥端D.球端16.用于低硬度表面或不常拆卸处的紧定螺纹的尾部形状为() [单选题] *A.平端B.圆柱端C.锥端(正确答案)D.球端17.摩擦防松中防松效果较好的是() [单选题] *A.对顶螺母防松(正确答案)B.金属锁紧防松C.弹簧垫圈D.止动垫片18.摩擦防松中防松效果较差的是() [单选题] *A.对顶螺母B.金属锁紧防松C.弹簧垫圈(正确答案)D.止动垫片19.适用于机械外部静止构件的连接,以及防松要求不严格的场合的为()[单选题] *A.摩擦防松(正确答案)B.锁住防松C不可拆防松D.机械防松20.适用于机械内部运动构件的连接,以及防松要求较高的场合的为() [单选题] *A.摩擦防松B.焊接防松C.冲点防松D. 锁住防松(正确答案)21.刚性联轴器中()用于启动频繁和速度常变化的传动。
习 题 二2-1 何为等效变换?两电路等效需要满足什么条件?答:用一个较为简单的电路替代原电路,从而使分析的问题得以简化,这就是电路的等效变换。
两电路等效需要满足的条件是:电路对外的伏安特性不变。
2-2 设计一个电阻衰减器,如图2-62所示,衰减器的输入电压为10V ,而输出电压分别为10V 、5V 及1V ,电阻中流过的电流为2mA ,试求R 1、R 2及R 3的值。
10V5V1V图2-62解:R 1=(10-5)/2=2.5K Ω;R 2=(5-1)/2=2K Ω;R 3=1/2=0.5K Ω; 2-3 求图2-63电路中等效电阻Rab 。
b习题2-63解:Rab =4//(2+4//4)=2Ω2-4 求图2-64电路中等效电阻R ab 。
3Ω3Ωba解:R ab =(6//3+6//3)//4=2Ω 2-5 求图2-65电路中等效电阻R ab 。
ba图2-65解:R ab =3//3//3=1Ω2-6 求图2-66电路中①S 打开;②S 闭合时等效电阻R ab 。
36Ω24ΩbaS图2-66解:S 打开:R ab =0.5*(36+24)=30Ω S 闭合:R ab =36/2+24/2=30Ω2-7 图2-67中,试求:①R=0时的电流I ;②I=0时的电阻R ;③R =∞时的电流I 。
3Ω4Ω图2-67解:① I 总=6/((3*6)/(3+6))=3A ,∴I =(6/(3+6))* I 总=2A; ② 3/6=4/R ,∴R=8Ω③ I 总=6/(4+3*6/(3+6))=1A ,I=-(3/(3+6))* I 总=-1/3A 2-8 电路如图2-68所示,已知30Ω电阻中电流为0.2A ,试求此电路的总电压U 和总电流I 。
60Ω图2-68解:I=(0.2+30*0.2/60)+ (0.2+30*0.2/60)*(10+60*30/(60+30))/15=0.9AU=0.9*10+(0.2+30*0.2/60)*(10+60*30/(60+30))=18V2-9 将图2-69所示电路中星形与三角形网络进行等效变换。
第2章 MCS-51单片机的硬件结构补充习题一、填空1.当扩展外部存储器或I/O口时,P2口用作并行I/O端口。
2.MCS-51单片机内部RAM区有 1 个工作寄存器区。
3.MCS-51单片机内部RAM区有 128 个位地址。
4.外部中断1(INT1)的中断入口地址为 0013H ;定时器1的中断入口地址为 001BH .p1335.89C51单片机片内RAM中位寻址区的地址范围是20H~ 2FH ,工作寄存器区的地址范围是00H~18H ,片内程序存储器中寻址区的地址范围是30H~7FH 。
p186.MCS-51有 4 个(8位)并行I\O口。
7.MCS-51的堆栈是软件填写堆栈指针临时在_ RAM区内开辟的区域.p218.MCS-51片内20H~2FH 范围内的数据存储器,既可以字节寻址又可以位寻址。
P199.程序状态标志字寄存器PSW中的PSW.7的含义是psw7位进位或错位标志;PSW.0的含义是奇偶标志位。
10.若不使用89C51片内的程序存储器,引脚EA 必须接地。
11.MCS-51中凡字节地址能被_8 整除的特殊功能寄存器均能寻址。
P1912.MCS-51有4组工作寄存器,它们的字节地址范围是00H~1FH 。
P1813.当MCS-51引脚ALE 信号有效时,表示从P0口稳定地送出了低8位地址.14.在单片机的RESET端出现__高电平信号__,便可以可靠复位,复位后的程序指针PC指向__0000H_地址。
15.MCS-51系列单片机有: _INT0_, _T0_, _INT1_, _T1_, _TI或RI_等5个中断请求源。
二、判断1.8位二进制数构成一个字节,一个字节所能表达的数的范围是0-255。
(√)2.8051中的工作寄存器就是内部RAM中的一部份。
(√)3.8051中特殊功能寄存器(SFR)就是内部RAM中的一部份。
(×)4.SP称之为堆栈指针,堆栈是单片机内部的一个特殊区域,与RAM无关。
1. 静止点电荷所带电量为-6Q ,它在空间激发电场,其场强可表示为 。
解:r r Q E ˆ2320πε-=2. 在XOY 平面上有两个点电荷,分别带电量4q 、q ,位于原点及点(a ,0)处,如图所示,则场强为零的点是 。
解:)0,32(a3. 如图,一质量为6101-⨯千克的小球,带电量为11102-⨯库仑,悬于一细线的下端。
线与一块垂直放置的很大的带电平面成30°角。
则此带电平面的电荷面密度为 。
解:5×10-6库/米24.场强迭加原理是指:。
解:空间某点的场强,等于各点电荷单独存在时在该点场强的矢量和。
5. 一根细玻璃棒弯成半径R 为的41圆周,均匀地带有正电荷+q,则中心O 处场强的大小是,方向是 。
解:022R q επ;沿与X 轴成45°方向。
6.真空中有两平行平板AB ,电荷均匀分布,电量分别为±8.89×10-4C ,每板面积为5.02m ,相距4.0mm ,则每板单位面积受的静电力为 。
解:1.78×103N7.离点电荷0.6米处的场强是1牛顿/库仑,则这电荷的电量是 库仑。
解:4×10-118. 两块均匀带电的无限大薄板互相垂直,面电荷密度分别为+σ和-σ,则空间的电场强度大小为 。
解:022εσ9. 能够作为试探电荷的是: ( )(A)电量很小的电荷; (B)体积很小的电荷;(C)点电荷; (D)带电量和线度都足够小的带电体。
解:D10. 一个带正电的质点,在电场中从A 点经C 点运动到B 点,其运动轨迹如图所示,已知质点的速率是递减的,下图中关于C 点场强方向正确的画法是: ( )解:B11. 半径为R 、电荷线密度为λ的半圆弧,在其圆心处产生的场强大小为: ( )(A );40R πελ (B );20R πελ (C );420R πελ (D );20R ελ 解:B12. 在电场强度定义式E = F q中,q 必须是: ( )(A)正电荷; (B)微量点电荷,正负均可;(C)微量的正电荷; (D)点电荷,正负均可。