4-位错运动与受力-51解析
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1 晶体结构不同的晶体可能有相同的晶体点阵。
正确错误2 晶体中与每一个阵点相对应的基元都是相同的。
正确错误3 晶体中与一个阵点相对应的基元都是一个原子。
正确错误4 晶体中与一个阵点相对应的基元可能是一个原子,也可能是多个原子。
正确错误5 如果晶体中与一个阵点相对应的基元是多个原子,这些原子必定不是同一种原子。
正确错误6 在由一种原子组成的晶体中,与一个阵点相对应的基元必定是一个原子。
正确错误7 对不同的晶体,与一个阵点相对应的基元必定都是不相同的。
正确错误8 一个简单正交晶体的。
正确错误9 对一个简单正交晶体:。
正确错误10 根据立方晶系晶面间距的计算公式,计算得纯铜晶体的。
正确错误11 体心立方晶体{110}中的所有晶面属于同一个晶带。
正确错误12 晶体中任意两个相交晶面一定属于同一个晶带。
正确错误13 、、三个晶面属于同一个晶带。
正确错误14 体心立方晶体{100}晶面族中的晶面属于[100]晶带。
正确错误15 Zn是密排六方结构,属简单六方点阵。
正确错误16 晶体中面密度越高的晶面,其面间距必定也越大。
正确错误17 晶体中非平衡浓度空位及位错的存在都一定会使晶体的能量升高。
正确错误18 晶体中的位错环有可能是一个纯刃型位错,但绝不可能是一个纯螺型位错。
正确错误19 晶体中的不全位错一定与层错区相连,反之亦然。
正确错误20 如果晶体中的亚晶界是由刃位错墙构成的,则相邻亚晶粒间的位向差越大,位错墙中位错的间距就越大。
正确错误21 如果晶体中的亚晶界是由刃位错墙构成的,则相邻亚晶粒间的位向差越大,亚晶界的比界面能越大。
正确错误22 位错线的运动方向总是垂直于位错线。
23 位错线的运动方向总是平行于位错线。
正确错误24 位错线的运动方向总是垂直于其柏氏矢量。
正确错误25 位错线的运动方向总是平行于其柏氏矢量。
正确错误26 位错运动所引起的晶体滑移方向总是平行于其柏氏矢量。
正确错误27 位错运动所引起的晶体滑移方向总是垂直于其柏氏矢量。
位错形核动态演变模型-概述说明以及解释1.引言1.1 概述位错形核是晶体中的缺陷结构,对晶体的性质和行为具有重要影响。
位错形核的动态演变过程是一个复杂的物理过程,受多种因素的影响。
本文旨在建立位错形核的动态演变模型,通过对位错形核的定义、动态演变过程和影响因素进行研究,以期能够更好地理解位错形核在晶体材料中的行为,并为相关领域的研究和应用提供理论支持。
容1.2 文章结构文章结构部分的内容:文章结构部分主要介绍了本文的组织架构和整体内容安排。
首先介绍了文章的大纲,即引言、正文和结论三个部分。
其中引言部分包括了概述、文章结构和目的三个小节,正文部分包括了位错形核的定义、动态演变过程和影响因素三个小节,结论部分包括了总结位错形核动态演变模型、应用前景展望和研究展望三个小节。
每个部分都有其具体的内容和重点,通过这样的结构安排,能够使读者更好地理解和掌握位错形核动态演变模型的相关知识。
文章1.3 目的部分的内容:本文旨在探讨位错形核的动态演变模型,以揭示位错形核在材料中的形成、发展和变化规律。
通过深入分析位错形核的定义、动态演变过程和影响因素,旨在为材料科学领域提供更深入的理论基础和应用前景展望。
希望通过本文的研究,能够进一步促进对材料中位错形核动态演变过程的理解,为材料设计和制备提供更科学的依据,推动材料科学领域的发展和进步。
2.正文2.1 位错形核的定义位错形核是材料晶体中的一个特定区域,通常由位错环或位错群构成。
位错形核的存在对材料的力学性能、生长行为和稳定性都具有重要影响。
位错形核在材料的塑性变形、相变、再结晶等过程中起着至关重要的作用。
位错形核的基本特征包括:一是位错密度较高,通常在此区域内位错的密度远高于其周围区域;二是原子位置和晶格结构的畸变,位错形核区域内原子的排列通常呈现错位和畸变;三是能量畸变,由于原子排列的错位和畸变导致该区域的内能较周围区域略高。
位错形核可分为动态形核和静态形核。
动态形核是指在外力或温度等条件作用下,位错形核在晶体内发生变化和演变的过程;静态形核是指在无外力作用的情况下,位错形核的存在和演变。