半导体二极管参数符号

二极管类型及符号正负
二极管是一种半导体器件,可以用于电流控制和稳压电路中。

以
下是常见的二极管类型及其符号:
1. 正向二极管:符号为D,通常由两个p字形的半导体接触面组成。

正向电压下,D导通,电流通过它;负向电压下,D截止。

2. 反向二极管:符号为N,通常由一个p字形和一个n字形半导
体接触面组成。

反向电压下,N极导通,电流从N极流向P极。

3. 稳压二极管:符号为VR,主要用于电路中的稳压作用。

稳压二极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层。

正向电压下,VR导通,稳压电流增加;负向电压下,VR截止。

4. 整流二极管:符号为A,用于将交流电源转换为直流电。

整流
二极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层。

正向电压下,A导通,电流开始流动;负向电压下,A截止。

5. 发光二极管:符号为LED,用于产生不同颜色的光线。

发光二
极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层,正向电压下可以发光;负向电压下,LED截止。

以上是常见的二极管类型及其符号,不同的应用场景可能需要不
同种类的二极管。

各种二极管分类符号
二极管有多种分类方式，以下是几种常见的分类及对应的符号：
1. 按所用的半导体材料：
* 锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。

* 硅二极管（Si管），用符号Si表示。

2. 按管芯结构：
* 点接触型二极管，用符号D表示。

* 面接触型二极管，用符号S表示。

* 平面型二极管，用符号F表示。

3. 根据不同用途：
* 检波二极管，用符号D表示。

* 整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。

* 稳压二极管，用符号DZ或D表示。

* 开关二极管，用符号D表示。

* 隔离二极管，用符号D表示。

* 肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。

* 发光二极管（LED），用符号LED或D表示。

* 硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。

* 旋转二极管，用符号D表示。

以上是各种二极管的分类及对应的符号，希望对解决您的问题有所帮助。

二极管符号 二极管（国标） 二极管的判别及参数 1.简述 半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。

半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。

我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。

很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。

我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。

常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。

像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。

大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。

大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。

2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别 一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP17等。

如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。

塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。

无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。

根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。

不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体技术参数 -符号含义来源:生利达成时间:2008-10-30一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流 (正向测试电流。

锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极间的电流; 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF (AV ---正向平均电流IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR (AV ---反向平均电流IR (In ---反向直流电流(反向漏电流。

在测反向特性时, 给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中, 加反向电压规定值时, 所通过的电流; 硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下, 产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

万用表上的二极管符号万用表上的二极管符号：探索电子工程中的关键元素在电子工程领域，万用表和二极管都是非常重要的工具。

万用表，一种多功能的测量设备，可以检测电压、电流、电阻等电子参数；二极管，一种半导体器件，具有单向导电性，是电子电路中的基本元件之一。

本文将重点介绍万用表上的二极管符号及其在电子工程领域的应用。

一、万用表上的二极管符号概述在万用表上，二极管的符号通常由一个三角形和两条平行的直线组成，其中三角形的一端与一条直线相连，另一端与另一条直线相连。

这个符号代表了二极管的PN结结构。

其中，三角形的一端表示P型半导体，另一端表示N型半导体。

两条平行线表示连接两个半导体的导线。

二、类型与特点二极管有多种类型，包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管等。

不同类型的二极管在性能、结构等方面具有不同的特点。

1. 硅二极管和锗二极管是常见的PN结型二极管，它们的主要区别在于材料和性能。

硅二极管的反向饱和电流小，工作电压较高，适用于高电压、大电流的应用场景；而锗二极管的导通电压较低，正向压降小，适用于低电压、大电流的应用场景。

2. 肖特基二极管是一种金属半导体器件，具有高速开关特性和低功耗的特点，适用于高频、高效率的电路中。

三、测量方法与注意事项使用万用表检测二极管时，需要注意以下几点：1. 选择合适的量程和档位。

根据被测二极管的型号和参数，选择合适的量程和档位，以确保测量结果的准确性和可靠性。

2. 正确连接测试导线。

将万用表的测试导线正确连接到二极管的两端，红表笔接正极，黑表笔接负极。

3. 注意测试过程中的安全性。

在测试过程中，要注意避免测试导线短路或接触不良等问题，以免造成设备损坏或人身伤害。

4. 观察测量结果并进行分析。

根据万用表的测量结果，可以判断二极管的好坏以及其类型。

例如，对于硅二极管，正向压降一般为0.7V 左右，反向电阻无穷大；对于锗二极管，正向压降一般为0.3V左右，反向电阻也无穷大。

如果测量结果不符合这些特征，那么可能存在故障或损坏。

二极管的种类和符号
二极管是一种电子器件，只允许电流在一个方向上流动。

它们通常由半导体材料制成，最常见的类型是硅二极管和锗二极管。

二极管在电路中有着广泛的应用，如整流、检波、开关等。

种类：
1.硅二极管：硅二极管是最常见的一种二极管，它的特点
是工作电压较高，但电流较小。

硅二极管的导通电压通常在0.7V左右。

2.锗二极管：锗二极管的导通电压较低，通常在0.3V左
右，因此它通常用于低电压的电路中。

3.肖特基二极管：肖特基二极管是一种高效能的二极管，
它的导通电压较低，而且恢复时间较短，因此常用于高频电路中。

4.快恢复二极管：快恢复二极管的恢复时间较短，因此它
也常用于高频电路中。

5.稳压二极管：稳压二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是稳压性能好，可以将电压稳定在一个特定的值。

6.变容二极管：变容二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是电容值可以随着外加电压的变化而变化，因此常用于调频和调相电路中。

符号：
二极管的符号如下图所示：
其中，A表示阳极，K表示阴极；在图形中加一个横杠表示反向阻断，不加横杠表示正向导通。

以上是对二极管的种类和符号的基本介绍。

二极管的元器件符号二极管是一种最基本的电子元器件，广泛应用于电子电路中。

在电路中，二极管的作用是将交流信号转换成直流信号、限制电压、保护其他元器件等。

一、二极管的定义二极管是由两个区域组成的半导体材料制成的，其中一个区域被掺杂为N型半导体，另一个区域被掺杂为P型半导体。

这两个区域之间形成了PN结。

当外加正向偏置时，PN结会变窄，电流容易通过；当外加反向偏置时，PN结会变宽，电流很难通过。

二、二极管的元器件符号在电子原理图中，二极管通常用一个符号来表示。

这个符号包括一个三角形和一条线段。

三角形表示P型半导体区域，线段表示N型半导体区域。

三角形和线段相连的点是PN结。

三、常见的二极管类型1. 硅二极管：硅二极管是最常见的一种二极管类型。

它具有较高的工作温度范围和较高的反向击穿电压。

2. 锗二极管：锗二极管也是一种常见的二极管类型。

它具有较低的反向击穿电压和较高的内部增益。

3. 功率二极管：功率二极管可以承受更大的电流和功率，通常用于高功率应用中。

4. 快恢复二极管：快恢复二极管具有较快的恢复时间，可以用于高频应用中。

5. 肖特基二极管：肖特基二极管具有较低的反向漏电流和较快的开关速度，通常用于高频应用中。

四、二极管的工作原理当一个PN结被正向偏置时，P型半导体区域变为正电荷，N型半导体区域变为负电荷。

这使得PN结变窄，电子从N型半导体区域流入P 型半导体区域，并在其中与空穴结合。

这种结合会释放出能量，形成光子或热能。

当一个PN结被反向偏置时，P型半导体区域变为负电荷，N型半导体区域变为正电荷。

这使得PN结变宽，很难通过电流。

只有当反向偏置达到一定程度时（即反向击穿电压），PN结才会被击穿，电流才会通过。

五、二极管的应用1. 将交流信号转换成直流信号：二极管可以将交流信号变成直流信号。

当交流信号通过一个二极管时，只有正半周的信号可以通过，而负半周的信号会被截止掉。

这样就可以得到一个带有直流偏置的信号。

半导体二极管的主要参数描述二极管特性的物理量称为二极管的参数，它是反映二极管电性能的质量指标，是合理选择和使用二极管的主要依据。

在半导体器件手册或生产厂家的产品目录中，对各种型号的二极管均用表格列出其参数。

二极管的主要参数有以下几种：1．最大平均整流电流I F（A V）I F（A V）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。

它与PN结的面积、材料及散热条件有关。

实际应用时，工作电流应小于I F（A V），否则，可能导致结温过高而烧毁PN结。

2．最高反向工作电压V RMV RM是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。

实际应用时，当反向电压增加到击穿电压V BR时，二极管可能被击穿损坏，因而，V RM通常取为（1/2 ～2/3）V BR。

3．反向电流I RI R是指二极管未被反向击穿时的反向电流。

理论上I R=I R（sat），但考虑表面漏电等因素，实际上I R稍大一些。

I R愈小，表明二极管的单向导电性能愈好。

另外，I R与温度密切相关，使用时应注意。

4．最高工作频率f Mf M是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。

实际应用时，不要超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。

f M的大小主要由二极管的电容效应来决定。

5．二极管的电阻就二极管在电路中电流与电压的关系而言，可以把它看成一个等效电阻，且有直流电阻与交流电阻之别。

（1）直流等效电阻R D直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D与流过二极管的直流电流I D 之比，即R D的大小与二极管的工作点有关。

通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。

不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。

其原因是二极管工作点的位置不同。

一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。

正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。

（2）交流等效电阻r dr d亦随工作点而变化，是非线性电阻。

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体二极管参数符号解释CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管和发光二极管符号
二极管和发光二极管的符号有一些相似之处，但它们之间也有一些区别。

下面是关于二极管和发光二极管符号的详细介绍：
1. 二极管符号：
二极管是一种半导体器件，它具有单向导电性。

二极管的符号通常包括一个圆圈和一个三角形，其中圆圈表示二极管的正极（阳极），三角形表示二极管的负极（阴极）。

二极管符号的画法有很多种，但基本原理是一致的。

2. 发光二极管符号：
发光二极管（LED）是一种能够发光的二极管，它由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。

发光二极管的符号与普通二极管的符号类似，也是一个圆圈和一个三角形。

但是，发光二极管的符号中，圆圈表示正极（阳极），三角形表示负极（阴极）。

发光二极管符号的画法也有很多种，但基本原理是一致的。

在发光二极管中，实物管脚长正短负，即正极（阳极）的管脚较长，负极（阴极）的管脚较短。

总的来说，二极管和发光二极管的符号有一些相似之处，但它们之间也有一些区别。

二极管符号表示二极管的正负极，而发光二极管符号表示发光二极管的正负极。

二极管和三极管的符号二极管、三极管符号半导体二极管在电路图中的图形符号见图 1 。

其中（ a ）为一段二极管的符号，箭头所指的方向就是电流流动的方向，就是说在这个二级管上端接正，下端接负电压时它就能导通。

图（ b ）是稳压二极管符号。

图（ c ）是变容二极管符号，旁边的电容器符号表示它的结电容是随着二极管两端的电压变化的。

图（ d ）是热敏二极管符号。

图（ e ）是发光二极管符号，用两个斜向放射的箭头表示它能发光。

图（f ）是磁敏二极管符号，它能对外加磁场作出反应，常被制成接近开关而用在自动控制方面。

二极管的文字符号用“ V ”，有时为了和三极管区别，也可能用“ VD ”来表示。

由于 PNP 型和 NPN 型三极管在使用时对电源的极性要求是不同的，所以在三极管的图形符号中应该能够区别和表示出来。

图形符号的标准规定：只要是PNP 型三极管，不管它是用锗材料的还是用硅材料的，都用图 2 （ a ）来表示。

同样，只要是 NPN 型三极管，不管它是用锗材料还是硅材料的，都用图2（b ）来表示。

图2 （c ）是光敏三极管的符号。

图2 （ d ）表示一个硅 NPN 型磁敏三极管。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN 型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

二极管是一种电子元件，用于控制电流流动方向的半导体器件。

在电路图中，二极管通常使用特定的符号表示，以示其类型和方向。

以下是常见的二极管元件符号：
1. 正向偏置二极管：
正向偏置的二极管允许电流从其正端（阳极）流向负端（阴极）。

其符号通常表示为一个箭头指向正端，以示电流的方向。

正向偏置二极管通常用于整流电路。

```
|
|>
|
```
2. 反向偏置二极管：
反向偏置的二极管不允许电流从阴极流向阳极。

其符号通常表示为一个反向指向的箭头，以示电流不能流动。

```
|
|<
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```
3. Zener二极管：
Zener二极管是一种特殊的二极管，用于稳定电压。

其符号类似于正向偏置二极管，但在符号上会有一个"Z"，表示其稳压特性。

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Z
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这些是常见的二极管元件符号，用于在电路图中表示二极管的类型和方向。

不同类型的二极管可能有不同的符号，但它们通常遵循类似的基本原则，以便工程师和电子技术人员能够轻松识别和理解电路中的二极管。