二极管的电路符号及图片识别

二极管及三极管符号大全图二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFTAV---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率;硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率;在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RFr---正向微分电阻;在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性;在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降正向峰值电压VF---正向压降正向直流电压△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VFAV---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压反向直流电压VRM---反向峰值电压最高测试电压VBR---击穿电压Vth---阀电压门限电压VRRM---反向重复峰值电压反向浪涌电压VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压信号电压或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压稳流二极管VL---极限电压CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率。

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

名称符号图示二极管D变容二极管双向触发二极管稳压二极管齐纳二极管肖特基二极管桥式整流二极管瞬变抑制二极管TVS 双向瞬态抑制二极管恒流二极管作用加载在变容二极管上的电压变化，会引起它的电容量的变化，常用来做频率的电子调谐，比如电调和数调收音机的电子调谐等常用来出发双向晶闸管，还可以构成过压保护等电路，还常用于过压保护，定时，移相等电路。

当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿，此时有一个反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。

稳压管的作用在于，电流的增量很大时，只引起很小的电压变化，也就是说电压基本上是不变的。

在电路中稳压管通常是起到稳定直流电压的作用，使电路工作在合适的状态，并限定电路中的工作电流。

在低于稳压管击穿电压时和普通二极管一样具有单向导电性，当反向电压达到稳压二极管的击穿电压时导通。

稳压二极管主要作用时稳压，常用在稳压电源中，在电路中总是反向连接，稳压管正极接电源负极。

其最显著的特点时反向恢复时间极短，用于开关电源，变频器，驱动器等电路，作高频，低压，大电流整流二极管，续流二极管，保护二极管使用，或在微波通信等电路中做整流二极管，小信号检波二极管使用。

提供一个电流的额外通路，电路中有感性元件时，电流突变会感应出很大的电压，可能会击穿开关或者烧坏电路。

这时通过这个二极管提供电流通路，就不会发生击穿现象。

平时二极管工作在反偏状态下，几乎相当于开路，和稳压管的作用有点像。

两个负极连在一起的二极管，提供一个电流的额外通路。

电路中有感性元件（例如电感线圈，继电器）的时候，电流突变会感应出很大的电压，可能会击穿开关或者烧坏电路。

这时候通过这个二极管提供电流通路，就不会发生击穿现象。

平时二极管工作在反偏状态下，几乎相当于开路，作用有点像稳压管。

用来稳定电流的二极管，它可以在较宽的电压变化范围内提供恒定不变的电流。

恒流二极管主要应用在各种放大电路（如音频功放电路，振荡电路及稳压电源电路），在电路中作为恒流源或者恒流偏置元件。

二极管符号二极管（国标）二极管的判别及参数1.简述半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。

半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。

我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。

很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。

我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。

常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。

像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。

大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。

大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。

2．半导体二极管的极性判别及选用(1) 半导体二极管的极性判别一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP1 7等。

如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。

塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。

无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。

根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。

不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT-—-势垒电容Cj-—-结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv—-—偏压结电容Co—--零偏压电容Cjo—--零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs-—-管壳电容或封装电容Ct———总电容CTV——-电压温度系数.在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC—-—电容温度系数Cvn---标称电容IF———正向直流电流(正向测试电流）.锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值)，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）———正向平均电流IFM（IM）-—-正向峰值电流（正向最大电流）.在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH--—恒定电流.维持电流。

Ii——-发光二极管起辉电流IFRM———正向重复峰值电流IFSM———正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-—-整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov）——-正向过载电流IL——-光电流或稳流二极管极限电流ID--—暗电流IB2--—单结晶体管中的基极调制电流IEM—--发射极峰值电流IEB10--—双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-——最大输出平均电流IFMP———正向脉冲电流IP—-—峰点电流IV-—-谷点电流IGT-—-晶闸管控制极触发电流IGD———晶闸管控制极不触发电流IGFM——-控制极正向峰值电流IR(AV)-——反向平均电流IR（In）——-反向直流电流（反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流.IRM———反向峰值电流IRR———晶闸管反向重复平均电流IDR--—晶闸管断态平均重复电流IRRM-——反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流) Irp—-—反向恢复电流Iz——-稳定电压电流(反向测试电流）。

普通的二极管表示符号:D 变容二极管表示符号:D双向触发二极管表示符号:D稳压二极管表示符号:ZD,D稳压二极管注：单向型TVS瞬态电压抑制二极管也是这个符号表示符号:ZD,D 桥式整流二极管表示符号:D肖特基二极管隧道二极管隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管发光二极管表示符号：LED双色发光二极管表示符号：LED光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT复合三极管表示符号：Q,VTNPN型三极管表示符号：Q,VTPNP型三极管表示符号：Q,VTPNP型三极管表示符号：Q,VTNPN型三极管表示符号：Q,VT带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT带阻尼二极管及电阻NPN型三极管表示符号：Q,VTIGBT 场效应管表示符号：Q,VT带阻尼二极管IGBT 场效应管表示符号：Q,VT双向型电子元器件符号图形接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS电阻电阻器或固定电阻表示符号：R电阻电阻器或固定电阻表示符号：R电位器表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻表示符号:VR，RP,W可调电阻或微调电阻表示符号:VR，RP,W电位器表示符号:VR，RP,W三脚消磁电阻表示符号：RT 二脚消磁电阻表示符号：RT压敏电阻表示符号：RZ,VAR热敏电阻表示符号：RT光敏电阻CDS 电容（有极性电容）表示符号：电容（有极性电容）表示符号：C可调电容表示符号：C电容器（无极性电容）表示符号：C 四端光电光电耦合器表示符号：IC，N六端光电光电耦合器表示符号：IC，N电子元器件符号图形单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器表示符号：X二端石英晶体谐振器（晶振）陶瓷滤波器表示符号：X三端石英晶体谐振器（晶振）陶瓷滤波器表示符号：X双列集成电路表示符号：IC或U单列集成电路表示符号：IC或U运算放大器倒相放大器AND gate 非门 OR gate 或门NAND gate与非门NOR gate 或非门保险管表示符号：F保险管表示符号：F变压器表示符号：T 永久磁铁电感表示符号：L带铁芯电感线圈表示符号：L继电器继电器线路输入端子电子元器件符号图形按键开关表示符号:S 双极开关扬声器电池或直流电源特别重要的电池或直流电源电流源公共接地端恒流源恒压源驻极体话筒符号MC 信号源红外遥控一体化接收头天线。

二极管及三极管电路符号大全
① 二极管
1、普通二极管：二极管电路图符号的标准形式如图所示，象征着电路中一个管子，
而管子的一端通常被标注为“有源”极，另一端则被当作“无源”去。

2、双向导通二极管：双向导通二极管的电路符号表示如图所示，表示2个可以进入
电路的引脚，而电流可向无论两个引脚的任何一边进出。

② 三极管
1、普通三极管：一般来说，三极管就是电路中有3个极的半导体，它的电路图符号
可以如图所示，其中电极称为基极（Base）、收集极（Collector）和发射极（Emitter）。

2、双向三极管：双向三极管电路符号如图所示，它包含一个6脚栅格形及一个感叹
号“!”符号，用以区分电路可按双向流动的三极管。

一：二极管的分类令狐采学1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。

2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

4) 稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。

5）变容二极管变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

6））瞬态电压抑制器TVS一种固态二极管，专门用于ESD 保护。

TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。

7）发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。

工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

8）肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V左右。

其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。

因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

二：二极管的特性通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

二极管的符号判别参数和分类二极管的符号判别参数和分类二极管的符号.判别.参数和分类二极管（国标）二极管的判别及参数半导体就是一种具备特定性质的物质，它不像是导体一样能全然导电，又不像是绝缘体那样无法导电，它介乎两者之间，所以称作半导体。

半导体最重要的两种元素就是硅(念“guī”)和锗(念“zhě”)。

我们常听闻的美国硅谷，就是因为那里存有不好多家半导体厂商。

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。

很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

二极管最显著的性质就是它的单向导电特性，就是说电流就可以从一边过去，却无法从另一边过来(从负极流向负极)。

我们用万用表去对常用的1n4001型硅整流二极管展开测量，白表笔直奔二极管的负极，白表笔直奔二极管的负极时，表针可以颤抖，表明它能导电；然后将白表笔直奔二极管负极，白表笔直奔二极管负极，这时万用表的表针显然不颤抖或者只偏移一点点，表明导电不当(万用表里面，白表笔接的是内部电池的负极)。

常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。

像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。

大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。

大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。

2．半导体二极管的极性辨别及采用(1)半导体二极管的极性判别通常情况下，二极管有色点的一端为负极，如2ap1～2ap7，2ap11～2ap17等。

如果就是透明化玻璃壳二极管，可以轻易窥见极性，即为内部连触丝的一头就是负极，连半导体片的一头就是负极。

蜡纸二极管存有圆环标志的就是负极，如in4000系列。

无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图t304。

根据二极管正向电阻大，逆向电阻小的特点，将万用表划到电抵挡(通常用r×100或r×1k压。

一：二极管的分类1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

?? 1）整流二极管???????将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。

?? 2）检波二极管????? 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

?? 3）开关二极管????? 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

?? 4) 稳压二极管????? 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。

?? 5）变容二极管?????? 变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

?? 6））瞬态电压抑制器TVS??????? 一种固态二极管，专门用于ESD 保护。

TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。

?? 7）发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。

工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

??? 8）肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V左右。

其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。

一：二极管的分类1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。

2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

4) 稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。

5）变容二极管变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

6））瞬态电压抑制器TVS一种固态二极管，专门用于ESD 保护。

TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。

7）发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。

工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

8）肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V左右。

其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr 特别地短。

因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

二：二极管的特性通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

二极管的电路符号
二极管是一种半导体器件，其最明显的特点是有导通和非导通两种状态，可以控制电
流的流动的方向，经常用于功能电路的控制和电路的保护。

它的电路符号主要表示两种状态，一中是N沟道型二极管的电路符号，由两个圆形的小圆形通过一条竖线连接而形成。

由于N沟道型在正向电压将通过，故该电路符号中，接地端也被称为正端，而另一端也被
称为反端或者是零端。

另一种是P沟道型二极管的电路，它由两个小圆形的圆形连接而组
成（更多的圆形比N沟道型圆形多一个），并且接地端也被称为反端，而另一端也被称为
正端。

二极管的电路符号可以大致分为几种形式：
1、国际标准二极管符号。

这种符号的形状是一个小型的三角形，三角形的底部被一
条线所平分，代表正端和负端。

内部被一条曲线所组成，表示该二极管的功耗。

2、圆形的符号。

这种符号表示的是二极管的`结构关系，它由两个小圆圈通过一条竖
线相互连接而组成，中间那条竖线即为正端，而两侧也分别为负端和零端。

3、P沟道型符号。

它由三个圆形组成成一个P型，中间那个表示反端，两边分别为正端和零端。

4、N沟道型符号。

它由两个小圆形的圆形连接而组成，右侧为正端，左侧为负端，
零端也称为反端。

以上就是关于二极管电路符号的大致介绍了，由于各种二极管都具有相同的基本原理，不同于晶体管，它只有正反两种极入，也就更容易理解它的电路符号，但实际使用过程中
也应有一定的认识，并熟练掌握个别型号二极管的电路符号。

理想二极管符号介绍理想二极管符号是电子电路中常见的元件符号之一，用于表示二极管在电路中的位置和作用。

二极管是一种具有非线性特性的电子元件，其主要作用是实现电流的单向传导，即只允许电流在一个方向上流动。

理想二极管符号是对二极管特性的简化和抽象表示，便于工程师和技术人员在电路图中快速识别和理解电路结构。

理想二极管符号的形状理想二极管符号通常由一个箭头和一个横线组成，如下图所示：||--|--箭头表示二极管的正向导通方向，即电流可以从箭头所指的一端流入，流出另一端。

横线表示二极管的负向导通方向，即电流不允许从横线所在的一端流入，也不允许从横线所在的一端流出。

理想二极管符号的标注为了进一步描述二极管的特性和参数，理想二极管符号上通常还会标注一些相关信息，如下图所示：||--|--|Vf其中，Vf表示二极管的正向电压，即当二极管处于正向导通状态时，所需的电压。

这个参数可以根据具体的二极管型号和规格来确定，常见的数值有0.7V和0.3V等。

理想二极管符号的应用理想二极管符号在电路图中的应用非常广泛，下面列举了一些常见的应用场景：整流电路整流电路是二极管最常见的应用之一。

在交流电源中，使用二极管可以实现将交流电信号转换为直流电信号。

电路中通常使用一个二极管和一个负载电阻来实现这个功能。

二极管的正向导通特性使得电流只能从正向导通的一端流入，从而实现了交流电信号的单向传导。

而负载电阻则用于平滑输出的直流电信号。

保护电路二极管还常用于电路的保护功能。

在一些特定的情况下，电路中可能会出现过电压或反向电压的情况，这时候使用二极管可以起到保护其他元件的作用。

二极管的反向击穿电压一般较高，当电路中出现过电压或反向电压时，二极管会进入反向击穿状态，从而将过电压或反向电压引流到地或其他地方，保护其他元件不受损坏。

恒流源二极管还可以作为恒流源来使用。

在一些需要恒定电流的电路中，可以利用二极管的正向压降特性，结合其他元件，构成一个恒流源。